【課題】Ｃｕ配線層に形成したキャップメタル層による層間絶縁膜上への拡散を抑制でき、かつ、接続抵抗の上昇を抑制できる埋め込み配線を有する半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】Ｃｕ配線部ＣＬ１及びシリサイド領域６ｓ及び非シリサイド領域６ｎよりなるキャップメタル層６上に形成される接続孔８の底面において、Ａｒスパッタ処理により、バリアメタル層１３ａ及びキャップメタル層６のシリサイド領域６ｓを選択的に除去する。この際、Ａｒのスパッタ時間を調整することにより、接続孔８の底面において、キャップメタル層６の非シリサイド領域６ｎは残留するようにする。その後、バリアメタル層の再成膜処理、Ｃｕシード層及びＣｕめっき層を形成し、最終的に接続孔８及び配線用溝９内に埋め込まれる第２のＣｕ配線部を形成する。 （もっと読む）

【課題】バリア膜を良好に形成することができながら、Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を低減することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉおよびＯを含む第２絶縁層６に、第２溝１１およびビアホール１２が形成された後、Ｍｎからなる金属膜１８が第２溝１１およびビアホール１２の側面および底面に被着される。次いで、金属膜１８中のＭｎと第２絶縁層６中のＳｉおよびＯとを結合させるための熱処理が行われる。この熱処理の結果、第２溝１１およびビアホール１２の内面上に、ＭｎＳｉＯからなるバリア膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】Ｗ−ＣＳＰの製造工程の前段階として行われる半導体基板の電気検査において電極パッド表面に比較的大きなプローブ痕が形成された場合でも高い信頼性を確保することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、表面に少なくとも１つの電極パッドが形成された半導体基板と、電極パッドに接続された再配線層と、半導体基板を封止する封止部とを含む。電極パッドは再配線層との接続部を有する第１領域と、半導体基板の検査工程で検査プローブが当接される第２領域とからなる。半導体装置は、半導体基板上に電極パッドを覆う絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に開口部を形成し、開口部において電極パッドの第１領域を露出させる工程と、絶縁膜の開口部において露出した電極パッドに接続され、且つ電極パッドの第２領域の上方を覆う再配線層を絶縁膜上に形成する工程と、樹脂を用いて絶縁膜および再配線層を覆うように樹脂封止部を形成する工程と、を経て製造される。 （もっと読む）

【課題】銅を構成材料として用いた電気ヒューズの切断を確実に行うとともに、切断された電気ヒューズの切断状態を良好に保つ。
【解決手段】電気ヒューズ１００は、被切断配線１０２と、被切断配線１０２の両端にそれぞれ設けられた第１の端子１２０および第２の端子１２２とを含む。被切断配線１０２は、銅を主成分とするとともに（１１１）面に配向した第１の配向膜１０４と、第１の配向膜１０４中に、第１の配向膜１０４を分断するように、第１の端子１２０から第２の端子１２２に向かう方向に対して直角な方向の幅全体にわたって設けられた、銅を主成分とするとともに（５１１）面に配向した第２の配向膜１０６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】溝の側面上における合金膜の膜剥がれの発生を防止することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる第２絶縁層６に、第２溝１１が形成され、第２溝１１と第１溝３とが対向する部分にビアホール１２が貫通形成された後、スパッタ法により、ＣｕＭｎ合金からなる合金膜１８が第２溝１１およびビアホール１２の側面および底面に被着される。そして、合金膜１８における第２溝１１の底面および第１配線５上に被着された部分が薄くされる。その後、合金膜１８上に、Ｃｕを主成分とする金属材料からなる第２配線１４が形成される。第２配線１４の形成後、熱処理により、第２配線と第２絶縁層６との間に、ＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３が形成される。 （もっと読む）

【課題】無駄を省いた状態で、所望とする微細なパターンに電着による膜が形成できるようにする。
【解決手段】まず、容器１５１内に電着液１５２を収容し、電着液１５２の中で、白金からなる対向電極１５３に基板１０１の金属パターン１０４形成面を対向させて配置する。この状態で、定電圧源１５４により、対向電極１５３に正電圧を印加し、シード層１０２に負電圧を印加する。ここで、金属パターン１０５に必要な配線を接続することで、シード層１０２に対する負電圧の印加を行う。このようなカチオン電着により、金属パターン１０４および金属パターン１０５の露出している面（上面）に、電着液１５２中の電着成分が付着（析出）し、電着絶縁膜１０６が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の配線を高信頼性化する。
【解決手段】半導体装置７０には、キャップ膜３上の層間絶縁膜４に第１の開口部が設けられ、第１の開口部には、バリアメタル膜５とＣｕ（銅）からなる配線層６が埋設される。層間絶縁膜４及び配線膜６上のキャップ膜７及び層間絶縁膜８に第３の開口部が設けられ、層間絶縁膜８上の層間絶縁膜９に第３の開口部に接するように第２の開口部が設けられる。第２及び第３の開口部はＴ字型開口部を形成する。Ｔ字型開口部には、バリアメタル膜１０とＣｕ（銅）からなる配線層１１が埋設される。配線層６は、Ｃｕ（銅）よりも応力が高い高応力膜２６と熱処理により膜中の原子空孔（Vacancy）が排出される。配線層１１は、Ｃｕ（銅）よりも応力が高い高応力膜３６と熱処理により膜中の原子空孔（Vacancy）が排出される。 （もっと読む）

【課題】溝の側面上における金属膜の膜剥がれの発生を防止することができながら、Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を低減させることができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１配線５上に、ＳｉおよびＯを含む第２絶縁層６が形成された後、第２絶縁層６に、第２溝１１およびビアホール１２が形成される。次に、スパッタ法により、溝の内面およびビアホールの内面に、ＭｎＯからなる金属膜１８が被着される。このとき、第２溝１１の内面およびビアホール１２の側面には、スパッタリングのエネルギーによって、金属膜１８中のＭｎＯが入り込み、ＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３が形成される。そして、金属膜１８におけるビアホール１２の底面に形成された部分が除去された後、ビアホール１２にビア１５が埋設されるとともに、第２溝１１に第２配線１４が埋設される。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が小さく、透明導電膜との接触抵抗の上昇を回避可能であって、アルカリ系の薬液耐性に優れ、かつ良好な反射率特性を兼ね備えるＡｌ合金膜を備える電子デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明に係る電子デバイスは、基板上に、Ａｌ合金膜を少なくとも備える金属膜パターン１０と、Ａｌ合金膜と少なくとも一部の領域で直接接続する透明導電膜パターン３０とを備え、Ａｌ合金膜の最上層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｐｄ，Ｐｔ、Ｍｏ，及びＷから選ばれる少なくとも１つの金属元素が添加され、かつ、Ｏ元素の組成比が、０．１ａｔ％以上、６．０ａｔ％以下であるＯ元素含有−Ａｌ合金膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に形成されたダミーパターンを有するフィールド領域を有し、このフィールド領域をよぎる貫通電極が形成される半導体装置において、貫通電極の側壁に生じるノッチの発生を確実に防止することにより、品質および信頼性の安定性を図る。
【解決手段】
複数の能動素子が形成されているアクティブ領域と、アクティブ領域以外のフィールド領域とを有する半導体基板と、能動素子のいずれかに電気的に接続された少なくとも１つの電極パッドと、を含む。半導体基板の裏面からフィールド領域を経由して電極パッドに電気的に接続された少なくとも１つの貫通電極が形成される。フィールド領域は、半導体基板に絶縁膜を形成することにより得られる絶縁領域と絶縁領域内に半導体基板の基材を残すことにより得られるダミー部が設けられている。貫通電極の外縁が絶縁領域とダミー部との界面と交差しない位置にダミー部を設ける。 （もっと読む）

【課題】、デュアルダマシン法により低誘電率膜に埋め込まれた配線層を形成する場合において、オープン不良の発生を伴うことなく、設計通りの配線層を形成し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ビアホール形成領域の低誘電率膜４２、第１のハードマスク４４及び第２のハードマスク４６を除去することにより、低誘電率膜４２にビアホール５２を形成する工程と、配線トレンチ形成領域の第２のハードマスク４６を除去する工程と、第２のハードマスク４６をマスクとして第１のハードマスク４４をエッチングすることにより、配線トレンチ形成領域の第１のハードマスク４４を除去する工程とを有し、配線トレンチ形成領域の第１のハードマスク４４を除去する工程では、ビアホール５２底のバリア膜４０をもエッチングすることにより、ビアホール５２底のバリア膜４０を部分的に除去する。 （もっと読む）

マイクロ電子構造を形成する方法及びその形成構造について記載する。無水溶媒に金属前躯体を溶液槽にて溶解し、配線開口を有する基板を溶液槽に配置して、金属前躯体により配線開口内に単分子層を形成する。また、基板を共反応体の混合液中に配置して、共反応体と金属前躯体とを反応させて薄いバリア層を形成する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の凹部の径が小さくても、例えばバリヤ層として機能する薄膜が凹部の側壁へ堆積することを抑制しつつ、凹部の底部に効率的に堆積させることが可能な薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】表面に凹部６が形成されている被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する成膜方法において、凹部の内面を含む被処理体の表面にチタン化合物ガスと還元ガスとを用いてチタン膜１００を形成するチタン膜形成工程と、窒化ガスを用いてチタン膜を全て窒化して第１の窒化チタン膜１０４を形成する窒化工程と、凹部の内面を含む被処理体の表面に第２の窒化チタン膜１０６を堆積させて形成する窒化チタン膜堆積工程と、を有する。これにより、被処理体の凹部の径が小さくても、薄膜が凹部の側壁へ堆積することを抑制しつつ、凹部の底部に効率的に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】導電性プラグの上に低誘電率絶縁膜を堆積させる場合、低誘電率絶縁膜の膜厚均一性の悪化による配線のオープン不良もしくはショート不良の発生を抑え、また低誘電率絶縁膜の機械強度や密着性の低下による信頼性の低下を抑えることを目的とする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に、第１の絶縁膜を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）の後に、第１の絶縁膜を貫通する導電性プラグを形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後に、導電性プラグの上面に保護膜を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後に、第１の絶縁膜の上および保護膜の上に第２の絶縁膜を形成する工程（ｄ）と、工程（ｄ）の後に、保護膜の上面に達するように第２の絶縁膜を貫通する配線溝を形成する工程（ｅ）と、工程（ｅ）の後に、保護膜を除去する工程（ｆ）と、工程（ｆ）の後に、配線溝内に配線を形成する工程（ｇ）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜とＣｕを含む配線との間に介在する下地膜であって、特に酸素のバリア性が高い下地膜を含む電子装置を提供する。
【解決手段】電子装置は、凹部の形成された絶縁膜と、凹部内に形成され、Ｃｕを含む配線層と、絶縁膜と前記配線層との間に形成され、Ｔａ及びＭｎを含む下地膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】メッキ造形物の製造に好適なポジ型感放射線性樹脂組成物に関する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）および／または（２）で表される構造単位（ａ）と、酸解離性官能基（ｂ）とを含有する重合体、（Ｂ）感放射線性酸発生剤および（Ｃ）有機溶媒を含有し、かつ重合体（Ａ）１００重量部に対して、特定構造の感放射線性酸発生剤が１〜２０重量部含有することを特徴とするメッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物。
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【課題】Ｃｕを主体とする配線について、配線抵抗を低く維持するとともに、ストレスマイグレーション耐性及びエレクトロマイグレーション耐性を向上し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の上方に形成された層間絶縁膜２８、３０と、層間絶縁膜２８、３０に形成されたビアホール３４及び配線溝３６内に形成され、Ｔａ膜より成るバリアメタル膜３８と、バリアメタル膜３８上に形成されたＴｉ膜４０と、バリアメタル膜３８及びＴｉ膜４０が形成されたビアホール３４及び配線溝３６内にそれぞれ埋め込まれ、Ｃｕより成る導体プラグ４４及び配線４６とを有し、Ｔｉ膜４０の膜厚が、配線溝３６の底部において４ｎｍ以下になっている。 （もっと読む）

【目的】膜切れの無い均一なシード膜を形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、絶縁膜に開口部を形成する工程（Ｓ１０４）と、開口部内に光触媒膜を形成する工程（Ｓ１１０）と、Ｃｕを含有する溶液に光触媒膜を浸漬させた状態で光触媒膜に紫外線を照射する工程（Ｓ１１２）と、開口部内に電解めっき法によりＣｕを埋め込む工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チップ裏面に貫通電極および裏面配線を形成すると、貫通電極の一部である裏面配線パッドおよび裏面配線によって、チップ裏面に凸部が形成される。これが原因で、チップ吸着時に空気のリークが起こりチップ吸着力の低下が起きる。
【解決手段】裏面配線パッド４ｄおよび裏面配線４ｅを形成する領域に、あらかじめ凹部１００を形成する。この凹部１００内部に裏面配線パッド４ｄおよび裏面配線４ｅを設ける。これにより、裏面配線パッド４ｄおよび裏面配線４ｅ厚さのため生じる凸部によって、チップ１Ｃ裏面の平坦性が確保され、チップ１Ｃを取り扱う際の吸着力の低下が起きない。 （もっと読む）

【課題】配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】めっき法を用いてＣｕ配線２０を形成する際、まず第１の電流密度の条件で第１の平均粒径を有する第１の金属膜を形成し、次いで、第１の電流密度よりも高い第２の電流密度の条件で第１の平均粒径よりも大きい第２の平均粒径を有する第２の金属膜を形成する。その後、第１，第２の金属膜の上部に所定元素を導入し、導入後、第１，第２の金属膜上にキャップ膜を形成する。
【選択図】図５
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