【解決手段】 本発明による半導体装置は、メタル抵抗素子の下面に形成された下面酸化防止絶縁膜と、上面に形成された上面酸化防止絶縁膜と、下面酸化防止絶縁膜及び上面酸化防止絶縁膜とは別工程で、ウェハ全面に堆積した後に異方性エッチングを施しメタル抵抗素子の側面近傍にのみ形成された側面酸化防止絶縁膜とを有する。
【効果】 本発明によれば、メタル抵抗素子が酸化されて抵抗値が上昇するのを防止することができると同時に、加工プロセスを複雑にすることなく金属配線層間の寄生容量の増大を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】Ａｌ配線４０を形成する際、バリアメタル４１上に、Ａｌ粒子４０ａが第１の平均粒径となるように第１の条件で第１のＡｌ膜を形成し、次いで、第１の平均粒径より小さい第２の平均粒径となるように第２の条件で第２のＡｌ膜を形成する。その後、第２のＡｌ膜上にバリアメタル４２を形成し、形成後、バリアメタル４１，４２および第１，第２のＡｌ膜を配線パターンに加工する。
【選択図】図９
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【課題】細幅配線間のＴＤＤＢ寿命の低下、および細幅配線間のショートによる歩留まり低下を抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、ダマシン配線からなる配線層を有し、０．５μｍ以上の幅を有する第１の配線１２と、前記第１の配線１２に隣接し前記第１の配線１２から０．５μｍ未満の間隔で配置された第２の配線１４と、前記第２の配線１４に隣接し前記第１の配線１２から０．５μｍ以下の間隔で配置された第３の配線１６と、を備え、前記第２および第３の配線は同電位を有するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】貫通電極構造を有する半導体装置において、半導体基板と裏面配線との間に形成される絶縁膜の信頼性を向上させることにより、高品質の半導体装置を提供する。
【解決手段】
その表面に表面電極が形成された半導体基板の裏面にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とからなる積層絶縁膜を形成する。半導体基板の裏面側から積層絶縁膜および半導体基板をエッチングして表面電極に達する貫通孔を形成する。貫通孔の側壁および底面と積層絶縁膜を覆う絶縁膜を形成した後、この絶縁膜を部分的にエッチングして貫通孔の底面において表面電極を露出させるとともに貫通孔側壁の絶縁膜を残す。その後、貫通孔の内部を充たし且つ積層絶縁膜を覆う導電膜を形成して貫通孔内部に表面電極に接続された貫通電極を形成するとともに、積層絶縁膜上に裏面配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｌｏｗ−ｋ膜の機械的強度を向上させることができる半導体装置の製造方法、およびそれにより得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板ＳＢ上に、ＳｉＯＣを含有する骨格構造部と、炭化水素化合物を含有する空孔形成材料部とを有するＳｉＯＣ膜である層間絶縁膜３が形成される。層間絶縁膜３に２００ｎｍ以上２６０ｎｍ以下の波長を有する光が照射される。 （もっと読む）

【課題】ボンディングする際に、電極パッドの下方に加わるストレスに対しての耐性が強く、且つ配線の配置が容易な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に形成された多層配線層２を貫通し半導体基板１に達する支柱５ａ，５ｂにより、多層配線層２上に形成される電極パッド４の４隅のうち、少なくとも隣接する２隅を下方から支え、支柱５ａ，５ｂ間に複数の梁６ａ，６ｂ，６ｃを接続し、梁６ａ，６ｂ間に部材７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄを接続する。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗およびビア抵抗のばらつきを配線層全体として抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ビア深さＢＤＥの深い第１のビアホールＶＨ内の導電層（配線層ＩＬ２）と配線層ＩＬ１との接触部の抵抗は、ビア深さＢＤＥの浅い第２のビアホールＶＨ内の導電層（配線層ＩＬ２）と配線層ＩＬ１との接触部の抵抗よりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】貫通電極と導電パターンの間で接続不良が生じることを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、基板１００、層間絶縁膜２６０、導電パターンの一例である配線３４２、貫通電極４４０、及び接続端子の一例であるバンプ９００を備える。層間絶縁膜２６０は、基板１００の表面より上に位置している。配線３４２は、第１の層間絶縁膜２６０の表面に位置している。貫通電極４４０は、基板１００の裏面から層間絶縁膜２６０の表面まで貫通しており、一端が配線３４２に接続している。バンプ９００は基板１００の裏面側に設けられ、貫通電極４４０の他端に接続している。 （もっと読む）

【目的】Ｃｕ配線上に形成されるＣｕとＳｉとを含有する化合物膜の余剰ＳｉがＣｕ配線中へと拡散することを防止した半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、ＳｉとＯとが他より多く含まれる領域を有するＣｕ配線となるＣｕ膜２６０，２６２と、Ｃｕ膜２６０，２６２上に選択的に形成された、ＣｕとＳｉとを含有する選択キャップ膜２８０と、Ｃｕ膜２６０，２６２の側面側に形成された層間絶縁膜２２０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕを含む配線について、配線抵抗を低く維持しつつ、しかも、ストレスマイグレーション耐性の劣化を伴うことなく、エレクトロマイグレーション耐性を向上し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の上方に形成された層間絶縁膜３６と、層間絶縁膜３６内に形成されたＣｕより成る配線５０と、層間絶縁膜３６と配線５０の間に形成され、Ｔｉ膜４２とＴａ膜４４との積層膜より成るバリアメタル膜４６とを有し、配線５０表面に、ＴｉとＳｉとを含む界面層５４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】配線用上部金属層の接続パッド部上面に柱状電極を電解メッキにより形成するためのドライフィルムレジストをラミネートするとき、配線用上部金属層間への気泡の発生を防止した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ２１上の全面に形成された下地金属層８の上面周辺部にリング状のレジスト高さ位置規制部２７が形成され、下地金属層の上面には配線用上部金属層９が形成されている。そして、ウエハステージ３１の凹部３２内に半導体ウエハを上部金属層およびレジスト高さ位置規制部の上面がウエハステージの凹部の周囲における上面と面一となるように配置する。次に、ウエハステージ、上部金属層およびレジスト高さ位置規制部の上面にドライフィルムレジスト３３をラミネートする。この状態で、ドライフィルムレジストと下地金属層との間に空間３５が形成されており、配線用上部金属層間の気泡の発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成された孔に対するタングステン膜の埋め込み性を向上させ、タングステン膜の結晶粒を大きくすることができ、かつ生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜に孔を成膜する（Ｓ１０）。次いで、半導体基板を３３０℃以上４００℃以下に加熱して（Ｓ２０）、Ｂ₂Ｈ₆ガス及びＳｉＨ₄ガスの少なくとも一方、並びにタングステン含有ガスを反応室内に導入することにより、第１のタングステン膜を成膜する（Ｓ３０）。次いで、反応室内にＨ₂ガス及び不活性ガスの少なくとも一方を導入し、かつ３０秒以上の時間をかけて半導体基板を３７０℃以上４１０℃以下に昇温して（Ｓ４０）、タングステン含有ガスを反応室内に導入することにより、第１のタングステン膜上に第２のタングステン膜を成膜する（Ｓ５０）。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、露出誘電表面を覆う銅表面上にコバルト層を選択的に形成するプロセスを提供する。一実施形態では、前処理プロセスの間に金属銅表面を形成している間は処理チャンバー内の基板の汚染された銅表面を還元剤にさらすステップと、気相堆積プロセスの間に基板上の誘電表面を露出したままにしながら金属銅表面を覆ってまたは上にコバルトキャッピング層を選択的に形成するために基板をコバルト前駆体ガスにさらすステップと、コバルトキャッピング層および誘電表面を覆ってまたは上に誘電障壁層を堆積させるステップとを包含する、基板上の銅表面をキャッピングするための方法が、提供される。別の実施形態では、堆積−処理サイクルは、気相堆積プロセスを実行した後に後処理プロセスを実行するステップを包含し、その堆積−処理サイクルは、複数のコバルトキャッピング層を形成するために繰り返されてもよい。
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サブリソグラフィック寸法又は高アスペクト比を含む小寸法を有する開口内に均一で均質に電極材料を形成する方法を提供する。この方法は、内側に形成された開口を有する絶縁層を提供し、開口上及び開口内に均質な導電又は準抵抗材料を形成するステップを含んでいる。この方法は、金属窒化物、金属アルミニウム窒化物及び金属ケイ素窒化物電極組成を形成するＣＬＤ又はＡＬＤプロセスである。この方法は、アルキル、アリル、アルケン、アルキン、アシル、アミド、アミン、イミン、イミド、アジド、ヒドラジン、シリル、アルキルシリル、シリルアミン、キレーティング、ヒドリド、サイクリック、カルボサイクリック、シクロペンタジエニル、ホスフィン、カルボニル又はハライドから選択された１以上のリガンドを含む金属前駆体を利用する。公的な前駆体は、一般式ＭＲｎを有し、Ｍは金属、Ｒは上述のリガンド、ｎは主要な金属原子に結合したリガンドの数に対応している。Ｍは、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｒ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ又は他の遷移金属である。
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【課題】金属微粒子分散体の基板への塗布と加熱処理による焼結とにより基板上に形成される金属膜からなる金属膜パターンの焼結性を向上させ、さらに金属膜パターンと基板との密着性を向上させることができる金属膜パターンの製造方法を提供する。
【解決手段】基板表面上に金属微粒子分散体を塗布する工程と、前記金属微粒子分散体を乾燥して金属膜前駆体を形成する工程と、前記金属膜前駆体にエネルギー線を照射して金属膜化領域を形成する工程と、誘導加熱法による加熱により前記金属膜化領域の近傍の前記金属膜前駆体をさらに金属膜化する工程と前記金属膜前駆体を除去する工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】 銅元素の半導体基板方向への拡散及び隣接した配線層間のリーク電流を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第一の絶縁膜と、第一の絶縁膜中に形成されたコンタクトプラグと、第一の絶縁膜上に形成されたリーク電流抑制層と、リーク電流抑制層上にリーク電流抑制層と積層構造をなすように形成された拡散抑制層と、拡散抑制層上に形成された第二の絶縁膜と、コンタクトプラグ上に形成される銅配線層と、を備えることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【目的】コンタクトプラグ材料の基板への拡散を抑制する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、半導体基板２００と導通するコンタクトプラグとなるＣｕ膜２６０と、Ｃｕ膜２６０の少なくとも底面側に、半導体基板２００と接触して配置された柱状結晶構造をもつＴｉＮ膜２４２と、Ｃｕ膜２６０の少なくとも底面側に、ＴｉＮ膜２４２と接触して配置された、ＴｉＮのアモルファス膜２４４と、Ｃｕ膜２６０の底面側と側面側に、少なくとも一部がアモルファス膜２４４とＣｕ膜２６０とに接触して配置された、ＴｉＮ膜２４２材と同じ材料で柱状結晶構造をもつＴｉＮ膜２４６と、Ｃｕ膜２６０の側面側に配置されたＳｉＯ_２膜２２０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の異なる回路領域にそれぞれの要求特性を満足する配線を形成する。
【解決手段】所定基板上に配線の主要部を構成する第１の金属膜を形成し（ステップＳ１）、その上にエレクトロマイグレーション耐性向上に寄与するＴｉ，Ｚｒ等の不純物元素を含む第２の金属膜を形成する（ステップＳ２）。次いで、不純物元素を添加すべき配線の形成領域にある第２の金属膜は残し、不純物元素の添加が不要な配線の形成領域にある第２の金属膜を部分的に除去する（ステップＳ３）。その後、熱処理により、残る第２の金属膜の不純物元素を下の第１の金属膜に拡散させる（ステップＳ４）。これにより、不純物元素濃度の異なる第１の金属膜を基板上に形成できる。これを用いて配線を形成することにより、異なる領域にそれぞれに適した配線を形成することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】密着性に優れた銅合金複合膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】Ｃａ：０．０６〜１４モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金ターゲットを用い、酸素：１〜２０体積％を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタすることによりＣａ：０．０１〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有する酸素−Ｃａ含有銅合金下地膜を成膜し、引き続いて酸素の供給を停止してスパッタ雰囲気を不活性ガス雰囲気とし、この不活性ガス雰囲気中でスパッタすることによりＣａ：０．０１〜２モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる成分組成を有するＣａ含有銅合金導電膜を成膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 渦巻き形状の薄膜誘導素子を備えたＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、シリコン基板に発生する渦電流に起因する薄膜誘導素子の渦電流損を低減する。
【解決手段】 シリコン基板１と薄膜誘導素子９との間には低誘電率膜５が設けられている。これにより、シリコン基板１に発生する渦電流に起因する薄膜誘導素子９の渦電流損を低減することができる。 （もっと読む）