【課題】 表面側から特性試験が行える縦型の半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１０では、半導体基板１１は第１の面と、第１の面に対向する第２の面を有している。半導体素子１２は半導体基板１１のダイシングライン１４、１５で囲まれた矩形状格子に形成されるとともに、第１の面に形成された第１電極２６と、第２の面に形成された第２電極２８とを有している。電流は第１電極２６と第２電極２８の間に流れる。貫通電極１６は半導体基板１１のダイシングライン１４、１５で囲まれていない領域に形成されるとともに、一端が第１の面上に延在し、他端が第２電極２８と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを微細化する。この時、微細化されたコンタクトホールであっても、半導体装置における電極のコンタクトを確実なものとする。
【解決手段】珪化膜と樹脂材料膜とからなる多層の層間絶縁膜を形成する。その後、コンタクトホールを形成する。このとき、珪化膜に設けられるコンタクトホールの大きさを樹脂材料膜に設けられるコンタクトホールの大きさよりも小さくする。このような構成は、パターンが複雑化してもコンタクトのとりやすいものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】パッドと当該パッドの下地との密着性の向上および信頼性の向上を図ることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１の一表面側に熱酸化膜１ｂとシリコン窒化膜３２と層間絶縁膜５０とパッシベーション膜６０との積層構造を有する半導体装置であって、熱酸化膜１ｂ上にパッド８０を形成してある。半導体装置の製造方法では、半導体基板１の上記一表面側に熱酸化膜１ｂと熱酸化膜１ｂの表面の一部を覆うシリコン窒化膜３２とを有する基本構造を形成してから、半導体基板１の上記一表面側に層間絶縁膜５０を形成する。基本構造の形成にあたっては、シリコン窒化膜３２のうち熱酸化膜１ｂにおけるパッド８０の形成予定領域に形成した部分を除去する。層間絶縁膜の形成後であってパッド８０の形成前に層間絶縁膜５０のうち熱酸化膜１ｂにおけるパッド８０の形成予定領域上に形成されている部分を除去する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによりアルミニウム材料を金属配線とする加工では、加工中に生成されるホトレジストの反応性生成物が固着することから、取り扱いに手間やコストが掛かる高価な専用の剥離液を用いる必要があった。また、この剥離液は、金属配線にダメージを与えるため、金属配線の品質を低下させていた。
【解決手段】塩素ガス又は塩素を含む反応ガスを用いるドライエッチング工程である金属配線形成工程と、ホトレジストを剥離するホトレジスト剥離工程とを有し、このホトレジスト剥離工程は、酸素と水素を含むフッ化炭素との混合ガスを用いフルアッシングする金属配線露出工程と、純水により洗浄する洗浄工程と、酸素を用いるプラズマでアッシングと、の３つの工程からなる。これにより、専用の剥離液による処理が不要になるため、低コストで品質の高い金属配線を形成できる。 （もっと読む）

【課題】安定した特性のヒューズ素子を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部２０を画成する被覆構造体３０と、空洞部２０に収容されたヒューズ素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃと、を含み、被覆構造体３０は、導電層を有し、ヒューズ素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃの材質は、導電層の材質と同じである。 （もっと読む）

【課題】巣及びボイドのないビアを形成する。
【解決手段】半導体基板１１を貫通するビアホール５１と、ビアホール５１の内壁面を被覆する無機絶縁膜１３と、無機絶縁膜１３の表面に脱水縮合により一端が結合され、他端にメルカプト基又は含硫黄芳香族複素環式基を有するカップリング剤から形成されたカップリング層１５と、メルカプト基又は含硫黄芳香族複素環式基に結合された触媒金属１６と、触媒金属１６上に形成された無電解めっき金属からなるシード層１７と、ビアホール５１を埋め込みシード層１７上に形成された電解めっき金属１８からなるビア１８ａと、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】配線層の表面の平坦度を高めることができ且つ配線間隔が広い領域において磁界を変動させる構成を無くした配線層の形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線層の形成方法は、下側部材上に配線パターン１０２を形成する工程と、その上に絶縁材料層１０３，１０６を形成する工程と、配線パターンの間に形成された絶縁材料層の一部を、絶縁膜ブロック１１１として残すと共に、絶縁膜ブロック１１１の高さを、絶縁膜ブロック以外の絶縁材料層の高さより高くなるように、絶縁材料層をエッチング処理する工程と、絶縁膜ブロックを含む絶縁材料層を研磨して、表面が平坦化された層間膜を形成する工程とを有する。半導体装置の製造方法は、半導体基板と配線層とを有し、上記配線層の形成方法を用いて配線層の少なくとも１つを製造する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面における酸二無水物及びジアミンのそれぞれのガスの供給量の変動を防止し、酸二無水物とジアミンとの重合反応により成膜されるポリイミド膜を連続して安定に成膜できる成膜装置を提供する。
【解決手段】内部の圧力が圧力調整可能に設けられており、固体状態の第１の原料を気化させ、気化した第１の原料ガスを基板に供給するための第１の気化器２１と、内部の圧力が圧力調整可能に設けられており、液体状態の第２の原料を気化させ、気化した第２の原料ガスを基板に供給するための第２の気化器４１と、第１の気化器２１の内部の圧力と第２の気化器４１の内部の圧力とを調整することによって、第１の原料ガスの供給量と第２の原料ガスの供給量との比が一定になるように、第１の気化器２１及び第２の気化器４１を制御する制御部６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】動作速度の向上と面積の縮小を図る。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板１００と、前記半導体基板上に形成され、データを記憶する複数のメモリセルが配置されたメモリセルアレイ部Ａと、前記メモリセルアレイ部上に絶縁層を介して形成され、かつ、前記絶縁層および前記メモリセルアレイ部を貫通する孔１０６内に形成されて前記半導体基板に接続された単結晶半導体層１０９と、前記単結晶半導体層上に形成された回路部Ｂと、を具備し、前記メモリセルアレイ部上における前記単結晶半導体層の下部側は、上部側よりもＧｅ濃度が高い。 （もっと読む）

【課題】被対象物を効率よく所望する形状となるようにエッチングすることが可能な異方性エッチング方法、該異方性エッチング方法を用いて形成可能な三次元構造体、及び、該三次元構造体を備えたデバイスを得る。
【解決手段】異方性エッチング方法は、表面に所定形状のマスクを有した基板に対して、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とを含む混合ガス、又は、ＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とＯ_２とを含む混合ガスを用いた反応性イオンエッチングによって、所定条件下で結晶異方性エッチングを行う結晶異方性エッチング工程を有している。本方法と、Ｂｏｓｃｈ法による垂直異方性エッチングを行う垂直異方性エッチング工程とを用いて三次元構造体を製造し、該三次元構造体をデバイスに利用する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブによりビアプラグを構成する半導体装置の製造方法において、製造効率を向上させる製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜中にビアホールを形成し、ビアホールの底に触媒粒子３ｃを付着させる。ビアホール中において触媒粒子を起点に、カーボンナノチューブを絶縁膜の表面を超えて成長させ、複数のカーボンナノチューブよりなるカーボンナノチューブの束を形成する。絶縁膜上に前記カーボンナノチューブの束を覆って、誘電体膜の塗布液を塗布し、絶縁膜上における塗布液の厚さを、絶縁膜上における塗布膜の表面の高さが絶縁膜表面におけるカーボンナノチューブの高さ以下になるように減少させる。厚さが低減された塗布膜を硬化させて誘電体膜４Ｄを形成し、誘電体膜を除去して絶縁膜の表面を露出させ、絶縁膜の表面に、カーボンナノチューブによりビアプラグ４ＶＡ，４ＶＢを形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜温度が１８０℃以下で形成される絶縁膜の絶縁性を高めることの可能な絶縁膜の形成方法及び該絶縁膜を形成する成膜装置を提供する。
【解決手段】
マスフローコントローラＭＦＣ１から原料タンクＴＫにＡｒガスを供給することによって押し出されたＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスと、マイクロ波プラズマ源ＰＬで励起することによって活性状態にされた酸素原子を含むガスとを、シャワープレート３６に設けられた複数の孔から別々に基板Ｓ表面の空間に供給する。この際、活性状態にされた酸素原子を含むガスの供給を連続的に行う間に、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４昇華ガスの供給を間欠的に複数回行ってもよい。これにより、ジルコニウムと、ホウ素と、酸素とを含む絶縁膜であるＺｒＢＯ膜を基板Ｓの表面及び該基板Ｓの有する貫通孔の内面に形成する。 （もっと読む）

【課題】工程数を削減して生産性を向上できる構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体層１にトレンチ２０を形成する工程と、トレンチ２の内壁およびトレンチ２外の表面を覆うように半導体層１上に絶縁膜３を形成する工程と、トレンチ２を埋め尽くし、トレンチ２外の絶縁膜３上に堆積されるように導電性のポリシリコン膜４を形成する工程と、トレンチ２内、およびトレンチ２外の絶縁膜３上の所定領域にポリシリコン膜４が残るように、当該ポリシリコン膜４を選択的に除去するポリシリコンエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を貫通する基板貫通孔に埋め込まれた基板貫通電極と該半導体基板との間の絶縁膜に対してその絶縁性を高めることの可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】第１シリコン基板１１と、前記第１シリコン基板１１に形成された第１多層配線層１２と、前記第１シリコン基板１１を貫通して前記第１多層配線層１２の内部に延びる基板貫通孔Ｈと、前記基板貫通孔Ｈ内に埋め込まれた基板貫通電極１８と、前記基板貫通孔Ｈの内周面と前記基板貫通電極１８の外周面とに挟まれた絶縁膜１７とを備え、前記絶縁膜１７が、金属元素の酸化ホウ化物膜であって、前記金属元素が、アルミニウム、チタン、バナジウム、ジルコニウム、ハフニウム、ベリリウム、及びマグネシウムのいずれか一つである。 （もっと読む）

【課題】ＤＲＡＭセルとロジックを混載したＬＳＩデバイスにおけるアスペクト比の大きいコンタクト構造において、素子分離絶縁膜および不純物拡散層のオーバエッチングを抑制して、接合リークを抑制することを課題とする。
【解決手段】周辺ＭＯＳトランジスタを覆う第１エッチングストッパ層１２１と、ＤＲＡＭメモリセルのキャパシタ部上層に第２エッチングストッパ層１２２が形成され、周辺ＭＯＳトランジスタの不純物拡散層１１３は、第１、第２エッチングストッパ層１２１、１２２を貫通する電極層１３１により、上記キャパシタ部上層に形成された金属配線層と接続され、不純物拡散層１１３の少なくとも一つは素子分離絶縁膜１０２の境界上に電極層１３１を接続し、素子分離絶縁膜１０２上に形成された電極層１３１の底部の不純物拡散層１１３表面からの深さ寸法は、不純物拡散層１１３の接合深さ寸法もより短く形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】スルーホールの微細化による半導体装置の高集積化と、スルーホール内に埋め込まれる導体のカバレッジ性と、を両立させる。
【解決手段】半導体装置は、下層配線２と、下層配線２上に形成され、下層配線２の上面を露出させる開口３１を有する第１絶縁膜（例えば、有機絶縁膜３）と、第１絶縁膜上に形成され、スルーホール５が形成された第２絶縁膜（例えば、無機絶縁膜４）とを有する。半導体装置は、更に、スルーホール５に埋め込まれ、下層配線２と電気的に接続された導体９を有する。開口３１は、上側に向けて拡径するテーパー形状に形成されている。スルーホール５の側壁５ａの少なくとも下端は、開口３１の側壁３１ａを構成する傾斜面の上に位置している。 （もっと読む）

【課題】工程における複雑な制御等を要さず、絶縁膜の低誘電率かつ機械的強度を維持したままエッチングダメージを改良することができる多孔質絶縁膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（１）シロキサン構造を有する化合物を含む組成物から多孔質絶縁膜を形成する工程（２）該多孔質絶縁膜に充填材を塗布して多孔質部分を埋め戻し、かつ多孔質絶縁膜上層に充填材由来のポリマー被覆層を形成する工程（３）充填材由来のポリマー被覆層を除去し、埋め戻された空孔内の充填材を除去する工程を経る多孔質絶縁膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高出力の高周波信号の影響を抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、電子回路が設けられた主面を有する半導体基板１０と、前記主面の上に絶縁膜２，３，４を介して設けられたパッシブ回路３０と、を備える。そして、前記半導体基板と前記パッシブ回路との間に前記パッシブ回路から絶縁されて設けられ、前記主面に平行な少なくとも１方向に流れる電流を遮断する間隙４５を有した第１の導体層４０と、前記第１の導体層と前記パッシブ回路との間に、前記第１の導体層および前記パッシブ回路から絶縁されて設けられ、前記主面に平行な少なくとも１方向に流れる電流を遮断する間隙５５を有し、前記パッシブ回路から見た前記第１の導体層の間隙を覆う第２の導体層５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 配線材料の層間絶縁膜への拡散を抑制する拡散抑制膜による多層配線構造を設けた光電変換装置において、工程を増加させることなく、受光効率を高める。
【解決手段】 本発明は、半導体基板に配された光電変換素子と、前記半導体基板上に層間絶縁膜を介して複数の配線層が配された多層配線構造を有する光電変換装置であって、最上配線層の上部に、前記最上配線層を構成する材料の拡散を抑制する拡散抑制膜が配され、前記拡散抑制膜は、前記最上配線層及び前記層間絶縁膜の前記光電変換素子に対応する領域を覆って配されており、前記拡散抑制膜の前記光電変換素子に対応する領域にレンズが配されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】３次元的に積層された複数の半導体チップを有する半導体装置の製造歩留まりを向上できる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１の第２面１ｂからパッド３に達する貫通電極１７が形成されている。貫通電極１７の内部にある貫通空間は、第１孔７および第１孔７よりも孔径の小さい第２孔１１によって構成されている。半導体基板１の第２面１ｂから半導体基板１を貫通して層間絶縁膜２の途中まで第１孔７が形成されている。そして、第１孔７の底部から層間絶縁膜２を貫通してパッド３に達する第２孔１１が形成されている。このとき、半導体基板１の第１面１ａに形成されている層間絶縁膜２は、第１孔７の底面と半導体基板１の第１面１ａとの段差を反映して段差形状になっている。すなわち、第１孔７の底面とパッド３間に存在する層間絶縁膜２の膜厚がその他の場所の層間絶縁膜２の膜厚よりも薄くなっている。 （もっと読む）