【課題】内部接続端子にクラックを生じさせない、信頼性を高めたパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】電極パッドを有する半導体集積回路を含む半導体チップが複数配置された半導体基板と、半導体基板上の再配線層とを有する半導体装置の製造方法であって、半導体集積回路の領域の間に位置するスクライブ領域の中に溝部を加工するため、溝部以外の領域を保護する保護マスクを半導体基板に張り付ける、保護マスク張り付け工程（Ｓ１０１）と、溝部を加工する溝部加工工程（Ｓ１０２）と、保護マスクを第１絶縁層の形成のためのスクリーンマスクとして使用して、溝部を覆うように第１絶縁層を形成する、第１絶縁層形成工程（Ｓ１０３）とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、パッド下方の絶縁膜におけるクラックの発生を抑制する。
【解決手段】半導体装置１０は、基板４上に形成された絶縁膜３と、絶縁膜３中に形成された複数の配線２０を含む配線層と、絶縁膜３上に形成されたパッド１とを備える。パッド１下方の少なくとも一部を含む領域において、該領域外に比べて隣り合う複数の配線２０同士の間隔が狭くなった狭配線間隔領域が構成されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の良好な半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】一方の主面に於ける半導体素子領域２内に複数の機能素子が配設された半導体基板１と、半導体基板１の一方の主面上に配設され、複数の配線層３と複数の絶縁層４とを含む多層配線層２と、多層配線層２上に形成された第１の有機絶縁物層６と、第１の有機絶縁物層上に形成され、配線層に電気的に接続された他の配線層と、第１の有機絶縁物層６上に、他の配線層を覆うように形成された第２の有機絶縁物層１０とを具備し、半導体素子領域を囲む半導体基板領域に、多層配線層を貫く溝が半導体素子領域を囲繞して配設されており、溝内には、前記有機絶縁物層６、有機絶縁物層１０のいずれからも分離された有機絶縁物が配設されている。 （もっと読む）

【課題】配線部をスパッタリングにより形成するスパッタ配線工程において、基板の外周部を、スパッタ装置内のヒーターとクランプリングとにより挟み込み、基板を保持することによる、基板の欠けの発生を抑制する。
【解決手段】緩衝層形成工程において、基板１の表面１Ａに緩衝層３を形成するとともに、緩衝層３の材料と同じ材料を用いて、緩衝層形成工程の保護層形成工程を実施し、半導体装置１０の製造方法を複雑化させることなく、基板１の表面１Ａの外周部１Ｂ、および裏面１Ｄの外周部１Ｅに保護層４を形成するので、緩衝層形成工程の後に実施するスパッタ配線工程において、基板１の表面１Ａおよび裏面１Ｄを直接挟み込むことなく、保護層４を介在させて挟み込み、基板１を保持することができ、基板１、特に基板１の外周部１Ｂ、および外周部１Ｅに欠けが発生することを抑制して、スパッタ膜１１を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】温度変化に起因したパッシベーションクラックを適切に防止することができる半導体装置の提供。
【解決手段】本発明による半導体装置１は、絶縁膜１１と、絶縁膜１１上に形成されるバリア層１６と、バリア層１６上に配されるアルミ配線１２と、アルミ配線１２の上部に設けられるキャップメタル１８又は防腐処理部２１と、アルミ配線１２の側部に設けられるサイドウォール１７と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】導体の亀裂、基板のクラック、絶縁膜の破壊等を生じ難い高信頼度・高品質の回路基板及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】基板１と、導体３とを含んでおり、導体３は、金属または合金でなり、基板１に設けられ、少なくとも基板１と対面する領域に、等軸晶３１の領域を有する。この構造によれば、基板１と対面する領域で、導体３の等軸晶組織による等方性が得られるため、導体３の亀裂、絶縁膜の破壊及び基板１のクラックなどの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】パッド電極が設けられる層間絶縁膜に低誘電率膜を用いた場合にも、該層間絶縁膜の破壊及び界面剥離を発生させず、高い接続信頼性を確保できるようにする。
【解決手段】半導体基板１の上方に、層間絶縁膜１１、２１等を介在させて形成された外部接続用電極を備えている。外部接続用電極は、上面を露出するパッドメタル層８と、該パッドメタル層８と半導体基板１との間に形成された第１のメタル層２と、層間絶縁膜２１を貫通してパッドメタル層８と第１のメタル層２とを電気的に接続し、且つ、層間絶縁膜２１に形成された少なくとも２つの第１のビア２２とを有している。第１のビア２２同士の最大の間隔ｂは、パッドメタル層８の幅寸法ａよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のパッド構造を提供する。
【解決手段】半導体装置２００は、半導体基板２０２、相互接続構造、複数のダミーメタルビア２３５及びパッド構造を備える。半導体基板２０２は、内部に複数の微小電子素子が設けられている。相互接続構造は、半導体基板２０２上に設けられ、複数の金属層２１０ａ〜２１０ｉと、金属層を隔離する複数のＩＭＤ層２２０とを有する。金属層２１０ａ〜２１０ｉは、最上金属層２１０ｉと、最下金属層２１０ａと、最上金属層２１０ｉと最下金属層２１０ａとの間に設けられた少なくとも２層の金属層とを含む。複数のダミーメタルビア２３５は、少なくとも２層の金属層間に設けられた１層又は２層以上のＩＭＤ層２２０内に形成される。パッド構造は、ダミーメタルビア２３５の上に直接設けられている。 （もっと読む）

【課題】パッド上でのプローブ針の先端の横滑りに起因する横方向の応力による層間絶縁膜や最終絶縁膜の損傷を防止する。
【解決手段】半導体基板１の表面に基板凹部１ａが形成されている。パッドは、基板凹部１ａ内に形成された金属材料からなる第１層目パッド５、第２層目パッド９及び第３層目パッド１３によって形成されている。第３層目パッド１３上の最終保護膜１５が除去されてパッド開口部１５ａが形成されている。上層側に位置する第３層目パッド１３は、基板凹部１ａに起因してパッド凹部１３ａを備えている。パッド凹部１３ａの上面は半導体基板１の表面よりも下方に配置されている。 （もっと読む）

【課題】樹脂絶縁層の切削面に亀裂が生じて、絶縁信頼性が低下するのを抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の主面上に形成した樹脂絶縁層を、バイトを用いた切削加工により一部除去する切削工程を備えた半導体装置の製造方法であり、切削工程として、表面に金属膜が積層された樹脂絶縁層の部分を切削する工程を含む。そして、金属膜が積層された樹脂絶縁層の部分を切削する際に、バイトの先端部及び該先端部の周辺部分に沿った樹脂絶縁層内の応力分布において、極大値の９０％の幅が１．３μｍ以下となるように切削する。 （もっと読む）

【課題】他の物体によって損傷、剥離、または亀裂を生じることなく、より粗野な処理、運送、および使用を可能にするよりよい緩衝を、半導体デバイスの金属化層に配置された低k誘電体層、ELK誘電体層、および／またはULK誘電体層の半導体ダイのコンタクトを形成するシステム、方法を提供する。
【解決手段】複数の誘電体層および導電層を含む基板１０１、複数の導電層の最上層１１５の１つと電気的に接続し、約１５，０００Åより大きい厚さを有する金属コンタクト１０５、および金属コンタクトと電気的に接続したコネクタを含む半導体デバイス。 （もっと読む）

基板上のデバイスと基板内のクラックストップとを備える装置である。デバイスを形成する方法も開示される。これらの方法は、半導体デバイスのようなデバイスを第１の厚さを有する基板上に設けることと、基板の厚さを第２の厚さまで低減することと、クラックストップを基板内に設けることとを含み得る。基板の厚さを低減することは、この基板を支持用の担体基板に取り付けることと、その後、この担体基板を取り外すこととを含み得る。クラックストップは、クラックがデバイスに到達することを妨げ得る。
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【課題】積層される半導体ウェハにより、量産性向上、コスト低減を図った、固体撮像装置等の半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半製品状態の回路を備えた半導体ウェハ３１，４５を複数積層して貼り合わせ、複数の半導体ウェハ３１，４５からなる積層体を形成し、積層体のうち、上層の半導体ウェハ３１の半導体層を薄肉化する。また、上層の半導体ウェハ３１側から最下層の半導体ウェハ４５に形成された配線に達する貫通開口部７７を形成し、最下層の半導体ウェハ４５に形成された配線を露出させることにより電極パッド部７８を形成する。これにより、貫通開口部７７は、半導体ウェハ３１，４５の脆弱な接合面を貫通して形成され、電極パッド部７８は、脆弱な接合面よりも下層の半導体ウェハ４５の配線において形成される。これにより、電極パッド部７８における外部配線との配線時に、脆弱な接合面に係る応力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の実装信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１は、第１主表面側のソース領域と、第２主表面側のドレイン領域と、これらの間にチャネル領域が形成されるように、これらとゲート絶縁膜を介して接するトレンチゲート電極９と、を含む動作領域６を有する半導体基板２と、第１主表面上かつ動作領域６上でソース領域と電気的に接続されたソース電極１６と、トレンチゲート電極９と電気的に接続され、第１主表面上かつ動作領域６外の領域上に設けられたゲート電極１７と、半導体基板２の第２主表面上でドレイン領域と電気的に接続されたドレイン電極１８と、ソース電極１６上に設けられた第１絶縁膜１９と、第１絶縁膜１９を挟んでソース電極１６上に設けられた導体層２７と、導体層２７上に設けられた第２絶縁膜２０と、ゲート電極１７と電気的に接続され、第２絶縁膜２０を挟んで導体層２７上に設けられたゲートパッド２３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハから複数の半導体装置を分離形成する際に、微小なクラック、微小なチッピング及び微小な応力の発生まで回避できるようにする。
【解決手段】ウエハ１００におけるスクライブライン領域１０１に第１の溝１０２を形成した後、第１の溝１０２に、ウエハ構成材料とは異なる材料を充填して充填部１０３を形成する。ウエハ１００上に形成した配線層１０４を覆うように保持部材１０６を貼付した後、ウエハ裏面側を研磨し、充填部１０３の端部を露出させる。その後、充填部１０３を除去した後、配線層１０４を貫通すると共に第１の溝１０２と接続する第２の溝１０７を形成する。保持部材１０６を剥離して個片の半導体装置１１０を得る。 （もっと読む）

【課題】ダイシング時で半導体チップに発生するチッピング、割れ、或いは欠けを低減する。
【解決手段】半導体装置８０は、半導体チップ５０がガラス基板６０にFace Downして載置され、接着層１０で半導体チップ５０とガラス基板６０が接着される。半導体チップ５０には、シリコン基板１、集積回路部２、受光部３、層間絶縁膜４、樹脂層５、表面電極６、貫通電極８、裏面電極９、裏面保護膜１２、ボール端子１３が設けられる。樹脂層５は、シリコン基板１上に層間絶縁膜４と接するように半導体チップ５０の端部に設けられる。樹脂層５は、層間絶縁膜４をエッチングした開口領域に設けられる。半導体装置８０は、接着層１０により固着されたシリコンウェハ１００とガラス基板６０をブレードダイシングにより個片化されたものである。 （もっと読む）

【課題】ボンディングプロセス及びプロービングプロセスにより発生した応力から素子を保護し且つボンディングパッドの下側の絶縁膜にクラックが発生することのない、信頼性の高い半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と半導体基板の上に形成された第１の層間絶縁膜３と、第１の層間絶縁膜３の上に形成されたパッド１と、パッド１の直下の領域において、第１の層間絶縁膜３中にそれぞれが互いに間隔をおいて独立して形成された複数の第１の配線１２とを備えている。複数の第１の配線１２は、パッド１の直下の領域において、第１の方向に延びる複数の第１方向配線１２Ａと、第１の方向と直交する第２の方向に延びる複数の第２方向配線１２Ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線が保護膜に覆われた構造において、保護膜に発生するクラックがゲート配線に到達することを防止することにより、ゲート−エミッタ間のショート不良を防止する。
【解決手段】第１保護膜２５が表面電極１７およびゲート金属配線１８の間に配置されると共に、ゲート金属配線１８を覆っている。また、第２保護膜２６が第１保護膜２５の上に形成されている。この場合、第２保護膜２６は、第１保護膜２５のうちの少なくともはんだ２９に覆われる部分の上に形成されている。これにより、はんだ２９実装前に引っかき傷等によって第２保護膜２６にクラック３１が発生したとしても、当該クラック３１の進展を第１保護膜２５と第２保護膜２６との境界面で阻止することができる。 （もっと読む）

【課題】保護膜の亀裂や膜剥がれを防止する。
【解決手段】化合物半導体基板１上に少なくとも一層からなる下層配線２を形成し、化合物半導体基板１上に有機材料からなる層間膜３を堆積し、層間膜３上に金からなる上層配線５を形成し、層間膜３中に下層配線２と上層配線５とを接続するヴィア４を形成し、上層配線５の表面および層間膜３の表面の上にシリコン窒化膜からなる密着性向上用膜６を形成し、密着性向上用膜６上にシリコン酸化膜からなる熱膨張抑制膜７を形成し、熱膨張抑制膜７上にシリコン窒化膜からなる保護膜８を形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線が保護膜に覆われた構造において、保護膜に発生するクラックがゲート配線に到達することを防止することにより、ゲート−エミッタ間のショート不良を防止する。
【解決手段】第１保護膜２５が表面電極１７およびゲート金属配線１８の間に配置されると共に、ゲート金属配線１８を覆っている。また、第２保護膜２６が第１保護膜２５の上に形成されている。この場合、第２保護膜２６は、第１保護膜２５のうちの少なくともはんだ２９に覆われる部分の上に形成されている。これにより、はんだ２９実装前に引っかき傷等によって第２保護膜２６にクラック３１が発生したとしても、当該クラック３１の進展を第１保護膜２５と第２保護膜２６との境界面で阻止することができる。 （もっと読む）