半導体装置及びその製造方法
【課題】信頼性の良好な半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】一方の主面に於ける半導体素子領域２内に複数の機能素子が配設された半導体基板１と、半導体基板１の一方の主面上に配設され、複数の配線層３と複数の絶縁層４とを含む多層配線層２と、多層配線層２上に形成された第１の有機絶縁物層６と、第１の有機絶縁物層上に形成され、配線層に電気的に接続された他の配線層と、第１の有機絶縁物層６上に、他の配線層を覆うように形成された第２の有機絶縁物層１０とを具備し、半導体素子領域を囲む半導体基板領域に、多層配線層を貫く溝が半導体素子領域を囲繞して配設されており、溝内には、前記有機絶縁物層６、有機絶縁物層１０のいずれからも分離された有機絶縁物が配設されている。
【解決手段】一方の主面に於ける半導体素子領域２内に複数の機能素子が配設された半導体基板１と、半導体基板１の一方の主面上に配設され、複数の配線層３と複数の絶縁層４とを含む多層配線層２と、多層配線層２上に形成された第１の有機絶縁物層６と、第１の有機絶縁物層上に形成され、配線層に電気的に接続された他の配線層と、第１の有機絶縁物層６上に、他の配線層を覆うように形成された第２の有機絶縁物層１０とを具備し、半導体素子領域を囲む半導体基板領域に、多層配線層を貫く溝が半導体素子領域を囲繞して配設されており、溝内には、前記有機絶縁物層６、有機絶縁物層１０のいずれからも分離された有機絶縁物が配設されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路素子等、半導体装置の製造工程に於いては、シリコン（Ｓｉ）などの半導体基板の一方の主面に、所謂ウエハープロセスが適用されて、複数個の半導体素子（半導体チップ）が形成される。
【０００３】
個々の半導体素子は、トランジスタなどの能動素子、ならびに容量素子などの受動素子などの機能素子、及び複数の配線導体を具備し、当該配線導体により機能素子間が相互に接続されて、所望の電子回路が形成されている。
【０００４】
かかる半導体素子の形成後、当該半導体基板に於けるスクライブ領域に対してダイシング処理が施され、前記半導体素子は分割（個片化）される。
【０００５】
近時、電子機器の高機能化、高速動作化の要求に伴い、当該電子機器に搭載される半導体装置に於いては、より高集積化、高速動作化が図られている。
【０００６】
即ち、当該半導体装置を構成する半導体素子にあっては、高集積化を図る為に、前記能動素子ならびに受動素子などの機能素子は、より微細化が図られている。
【０００７】
一方、高速動作を得る為に、前記機能素子を相互に接続する配線層材料として銅（Ｃｕ）を主体とする材料が適用され、更に当該配線層の間を相互に絶縁する誘電体層（層間絶縁層）材料として、低誘電率を有する絶縁材料（所謂Ｌｏｗ−ｋ材）が適用されている。
【０００８】
しかしながら、配線層間の絶縁材料即ち層間絶縁材料として低誘電率を有する絶縁材料を用いて構成された多層配線構造は、前記ダイシング処理の際に機械的ダメージを受け、割れ及び／或いは剥離を生じ易い。
【０００９】
即ち、所謂ダイシングブレードを用いてのダイシング処理にあっては、当該ダイシングブレードの回転により、低誘電率を有する絶縁材料層は機械的ダメージを受けて、割れ及び／或いは剥離を生じ易い。
【００１０】
かかる絶縁材料層の割れ及び／或いは剥離は、水分の浸入を容易なものとし、半導体素子の信頼性を低下させる一因となってしまう。
【００１１】
この為、例えば特許文献１にあっては、電子回路が形成された領域とスクライブ領域との間に於いて、当該電子回路が形成された領域を囲繞し且つ層間絶縁材料として低誘電率を有する絶縁材料を用いて構成された多層配線構造を貫通する溝を形成し、当該溝内に電子回路が形成された領域から延在して配設された有機絶縁材が充填される構成が提案されている。
【００１２】
かかる溝の配設によって、前記電子回路が形成された領域に対する水分の浸入経路を実質的に長くしている。
【００１３】
当該特許文献１に示される構成と同様の構成について、特許文献２ならびに特許文献３などに於いても提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００７−３２９３９６号公報
【特許文献２】特開２００８−１３０８８０号公報
【特許文献３】特開２００８−１６６３５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
前述の如き、配線層間の絶縁材料即ち層間絶縁材料として低誘電率を有する絶縁材料を用いて構成された多層配線構造に於ける溝は、例えばレーザービームの照射により形成される。
【００１６】
そして、当該溝の外側、即ち電子回路が形成された領域とは反対側に於いて、スクライブ領域に対しダイシングブレードを用いてのダイシング処理が行われる。
【００１７】
即ち、スクライブ領域に於いては、前記多層配線構造に於ける低誘電率絶縁材料層及びその下に位置する半導体基板に対して、機械的なダイシング処理が施される。
【００１８】
この為、前記先行技術に開示される構成にあっても、ダイシング部と溝部との間に於ける比較的細幅の低誘電率絶縁材料層の剥離、或いは当該低誘電率絶縁材料層下に在る半導体基板の欠けなどを生じ易い。
【００１９】
また、当該先行技術に開示される構成にあっては、溝内に充填される有機絶縁材は、半導体素子形成領域から延在して配設されている。
【００２０】
この為、当該有機絶縁材と低誘電率絶縁材料層との界面に沿って、水分が半導体素子形成領域に浸入する可能性がある。
【００２１】
この様に、層間絶縁材料として低誘電率を有する絶縁材料を用いて構成された多層配線構造を有し、また電子回路が形成された領域とスクライブ領域との間に溝を配設し、当該溝内に有機絶縁材料が充填された半導体装置に於いて、前記低誘電率絶縁材料層の剥離、ならびに半導体基板の欠けなどを防止すると共に、電子回路が形成された領域への水分の浸透を防止することができる構造、ならびにその製造方法を得ることが必要である。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
実施形態の一観点によれば、複数の機能素子が配設された半導体素子領域が主面に形成された半導体基板と、前記半導体基板の前記主面上に配設された多層配線層と、前記多層配線層上に配設された第１の有機絶縁物層と、前記半導体素子領域を囲繞するスクライブ領域上の前記多層配線層を貫通した溝と、前記第１の有機絶縁物層とは離間して、前記溝内に配設された有機絶縁物とを有する半導体装置が提供される。
【００２３】
実施形態の他の観点によれば、半導体基板の主面上の複数の半導体素子領域のそれぞれに機能素子を形成する工程と、前記半導体基板の前記主面上に多層配線層を形成する工程と、前記半導体素子領域の周囲のスクライブ領域上の前記多層配線層に、前記半導体素子領域を囲繞し且つ前記多層配線層を貫く溝を形成する工程と、前記多層配線層上及び前記溝の中に有機絶縁物層を形成する工程と、前記半導体素子領域上の前記多層配線層を覆う有機絶縁物層と前記溝内に形成された有機絶縁物を分離する工程と、前記スクライブ領域に於いて前記半導体基板を切断する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００２４】
本発明による半導体装置にあっては、半導体素子領域から離間し、且つ当該半導体素子領域を囲繞して、多層配線層を貫通する溝が配設され、当該溝内に前記半導体素子領域に配設された有機絶縁材とは離間して有機絶縁材が充填・配設されている。
【００２５】
また、前記多層配線層の側端部は、前記有機絶縁材により被覆されている。
【００２６】
これにより、半導体装置の周囲側面から半導体素子領域に至る沿面距離が増加し、当該半導体素子領域への水分の浸透が効果的に防止される。
【００２７】
また本発明による半導体装置の製造方法にあっては、前記溝内に充填された有機絶縁材部とその下方に在る半導体基板に対してダイシング処理を施すことから、前記多層配線層を構成する絶縁層の剥離・脱落などを生じない。
【００２８】
また、前記溝の存在により、スクライブ領域に対する視認性が高まり、ダイシング処理の際ダンシングブレードの位置合わせを容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第１の実施形態に於ける半導体装置の構造を示す平面図である。
【図２】第１の実施形態に於ける半導体装置の構造を示す断面図である。
【図３】第１の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図４】第１の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図５】第１の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図６】第１の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図７】第１の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その５）である。
【図８】第１の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その６）である。
【図９】第１の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その７）である。
【図１０】第１の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その８）である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に於ける半導体装置の構造を示す断面図である。
【図１２】第２の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図１３】第２の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図１４】第２の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図１５】第２の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図１６】本発明の第３の実施形態に於ける半導体装置の構造を示す断面図である。
【図１７】第３の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図１８】第３の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図１９】第３の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図２０】第３の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図２１】本発明の第４の実施形態に於ける半導体装置の構造を示す断面図である。
【図２２】第４の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図２３】第４の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図２４】第４の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図２５】本発明の第５の実施形態に於ける半導体装置の構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
［第１の実施形態］
本発明による半導体装置の第１の実施形態について、その製造方法と共に説明する。
【００３１】
＜半導体装置＞
本発明の第１の実施の形態に於ける半導体装置１００を、図１及び図２に示す。
【００３２】
図１は、当該半導体装置１００の外部接続用端子が配設された面を示し、図２は、図１に於けるＸ−Ｘ断面を示している。
【００３３】
当該半導体装置１００に於いて、半導体基板１の一方の主面（上面）に於ける半導体素子領域（電子回路形成領域）Ｉには、トランジスタなどの能動素子、ならびに抵抗素子、容量素子などの受動素子が複数形成されている（図示せず）。
【００３４】
これらの能動素子ならびに受動素子などの機能素子は、当該半導体基板１上に形成された多層配線層２により相互に接続され、論理回路、増幅回路或いは記憶回路などの電子回路（図示せず）を形成している。
【００３５】
前記半導体基板１として、シリコン（Ｓｉ）或いはガリウム砒素（ＧａＡｓ）が適用される。そして、前記機能素子は、所謂ウエハープロセスにより、当該半導体基板１の一方の主面（上面）近傍に形成されている。
【００３６】
そして、かかる機能素子は、当該半導体基板１の一方の主面上に形成された多層配線層２によって相互に接続されている。
【００３７】
当該多層配線層２は、銅（Ｃｕ）或いはアルミニウム（Ａｌ）を主体とする導体からなる配線層３と、当該配線層３の間に配設される有機絶縁物或いは無機絶縁物からなる層間絶縁層４をもって形成されている。配線層の層数により異なるが、当該多層配線層２の厚さは、１０μｍ程度に及ぶ。
【００３８】
尚、図２に於いては、複数の配線層３が、それぞれ一本の実線をもって描かれているが、個々の配線層３は、絶縁層上に於いて、それぞれ電源線、接地線、ならびに信号線などに分割され、前記機能素子の部位に対応して、延在・配設されている（図示せず）。
【００３９】
ここで、多層配線層２は、配線層を流れる電気信号の高速化のため、銅（Ｃｕ）を主体とする導電層からなる配線層３と、有機絶縁物層からなる低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁層４を主体として形成されている。
【００４０】
当該低誘電率層間絶縁層４を構成する絶縁物としては、比誘電率が２．０〜４．０程の誘電体が用いられ、ＳｉＯＣ或いはＳｉＯＣＨなどが適用される。
【００４１】
尚、当該低誘電率層間絶縁層４を構成する絶縁物として、多孔質絶縁物或いは低誘電率無機絶縁物を適用することもできる。
【００４２】
積層配置された配線層３は、当該配線層材料と同様の材料から形成された導電性プラグにより相互に且つ選択的に接続されており、また前記機能素子と配線層との間も同様に導電性プラグにより接続されている（図示せず）。
【００４３】
そして、当該多層配線層２上には、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）膜からなる表面保護層（パッシベーション層）５ならびに有機絶縁物層６上に、所謂再配線層７が配設されている。
【００４４】
再配線層７は、当該有機絶縁物層６に設けられた開口８を介して、前記多層配線層２の表面部に配設された電極パッド９に接続されている。
【００４５】
更に、当該再配線層７上を覆って有機絶縁物層１０が配設され、当該有機絶縁物層１０上には当該有機絶縁物層１０に設けられた開口１１を介して、前記再配線層７に接続された外部接続用端子１２が配設されている。
【００４６】
前記有機絶縁物層６ならびに有機絶縁物層１０は、それぞれ厚さ４〜８μｍ程の感光性ポリイミドから形成され、有機絶縁物層１０は、半導体素子領域Ｉの周縁部に於いて、有機絶縁物層６の端部を被覆している。
【００４７】
また外部接続用端子１２はハンダ（半田）ボールからなり、高さ５０〜１５０μｍ程のバンプ形態を呈する。
【００４８】
そして、本第１の実施形態にあっては、有機絶縁物層６及び有機絶縁物層１０は、前記表面保護層５上にあって、当該半導体装置１００の周囲端部、即ちスクライブ領域II迄は延在して配設されていない。
【００４９】
即ち、前記有機絶縁物層に被覆された半導体素子領域Ｉの周囲に於けるスクライブ領域IIにあっては、当該有機絶縁物層６及び有機絶縁物層１０が被覆されず、前記低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁層４を含む多層配線層２の延在部を覆う表面保護層５が表出されている。
【００５０】
そして、当該スクライブ領域IIにあっては、表面保護層５及び低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁層４を貫通し、前記半導体基板１に至る深さを有する溝１３が二列に配設されている。
【００５１】
それぞれの溝１３内には、有機絶縁物が充填されている。
【００５２】
内側に、即ち半導体素子領域Ｉ側に位置する第１の溝１３ａは、当該半導体素子領域Ｉから離間し、且つ当該半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞して配設されている。
【００５３】
当該第１の溝１３ａは、５〜１５μｍ程の幅、ならびに２０〜３０μｍ程の深さを有し、多層配線層２を貫通して半導体基板１に達している。
【００５４】
そして、当該第１の溝１３ａ内には、感光性ポリイミドからなる有機絶縁物６ａが充填されている。
【００５５】
一方、第２の溝１３ｂは、前記第１の溝１３ａの外側に、即ち前記半導体素子領域Ｉからはより離間し、且つ当該半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞して配設されており、その一部が半導体基板１の側面と一致している。
【００５６】
そして、当該第２の溝１３ｂに充填された、感光性ポリイミドからなる有機絶縁物６ｂは、半導体基板１の側面に表出している。
【００５７】
即ち、当該半導体装置１００の側面に於いて、第２の溝１３ｂ及び当該第２の溝１３ｂに充填された有機絶縁物６ｂが表出している。
【００５８】
当該第２の溝１３ｂも、前記第１の溝１３ａと同様、２０〜３０μｍ程の深さを有し、多層配線層３を貫通して半導体基板１に達しているが、その一部が半導体素子１００の側面と一致することから、その幅（半導体装置１００の周縁に垂直な方向の幅）は、第１の溝１１ｂの幅よりも狭い。
【００５９】
そして、当該有機絶縁物６ａならびに有機絶縁物６ｂの上面は、前記表面保護層５の上面とほぼ同じ平面に位置している。
【００６０】
即ち、本第１の実施形態に於ける半導体装置１００にあっては、半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞し、且つ多層配線層２に於ける層間絶縁層４を貫通して半導体基板１に至る深さを有する溝１３が二重に配設され、更にそれぞれの溝１３内に有機絶縁物６が充填されている。
【００６１】
しかも、溝１３内に充填された有機絶縁物６は、前記半導体素子領域Ｉに於ける有機絶縁物層１０からは分離されている。
【００６２】
これにより、当該半導体装置１００の側面或いは縁部から半導体素子領域Ｉへの、半導体基板表面の沿面距離が大きく形成され、また溝１３内に充填された有機絶縁物６と層間絶縁層１０との界面が連続していないことから、当該半導体装置１００の側面或いは縁部から半導体素子領域Ｉへの水分の浸透が有効に防止・抑制される。
【００６３】
尚、第１の溝１３ａと第２の溝１３ｂは、その形成方法に起因して、半導体装置１００の四隅部では連続している。
【００６４】
しかしながら、その連続する部位は、溝１３の幅に対応する幅に限られ、当該連続する部位からの水分の浸透の可能性は極めて低い。
【００６５】
また、半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞し、且つ多層配線層２を貫通して半導体基板１に至る深さを有する溝１３が、二重に配設され、且つそれぞれの溝１３内に有機絶縁物６が充填されていることにより、ダイシング処理の際、機械的ストレスが半導体素子領域Ｉに加わることが防止・緩和される。
【００６６】
これにより、当該半導体素子領域Ｉに於いて多層配線構造を形成している低誘電率層間絶縁層４の剥離などを防止することができる。
【００６７】
更に、この様に、半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞する溝１３が二重に配設されることによって、ダイシング処理の対象となるスクライブ領域IIの確認が容易となる。
【００６８】
尚、かかる半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞する溝１３は、本第１の実施形態に於ける如く、二重に配設されることに限られるものではない。
【００６９】
当該半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞し、且つ多層配線層２を貫通して半導体基板１に至る深さを有する一つの溝を設けることによっても、半導体素子領域Ｉと半導体装置１００の側面或いは縁部との間に於いて層間絶縁層４が分離される。
【００７０】
そして、当該溝１３内に、半導体素子領域Ｉに於ける有機絶縁物層１０からは分離して有機絶縁物６を充填して配置する。
【００７１】
これにより、ダイシング処理の際、機械的ストレスが半導体素子領域Ｉへ加わることを緩和・抑制することができ、また半導体素子領域Ｉへの水分の浸透を防止・抑制することができる。
【００７２】
勿論、本発明思想にあっては、前記溝１３が三重以上に配設されることを制限するものではない。
【００７３】
＜半導体装置の製造方法＞
前記本第１の実施形態に於ける半導体装置１００の製造方法について、図３乃至図１０を用いて説明する。
【００７４】
当該図３乃至図１０にあっては、一つの半導体基板１に於いて、当該半導体基板１に形成された二つの半導体素子領域Ｉと、当該二つの半導体素子領域Ｉの間に設けられるスクライブ領域IIの断面を示している。
【００７５】
即ち、此処では、スクライブ領域IIと、その両側に位置する二つの半導体素子領域Ｉ−Ａ，I−Ｂそれぞれの一部を示している。
【００７６】
尚、図３乃至図１０に於いても、複数の配線層３が、それぞれ一本の実線をもって描かれているが、個々の配線層３は、各半導体素子領域Ｉの絶縁層上にあって、それぞれ電源線、接地線、ならびに信号線などに分割され、前記機能素子の部位に対応して、延在・配設される。
【００７７】
また、各配線層間は、図示されていない層間接続部を介して相互に接続される。
【００７８】
前述の如く、当該半導体基板１にあっては、所謂ウエハープロセス工程が適用されて、当該半導体基板１の一方の主面（上面）に於ける複数個の半導体素子領域（電子回路形成領域）Ｉに、それぞれ、トランジスタなどの能動素子ならびに抵抗素子、容量素子などの受動素子が複数形成される（図示せず）。
【００７９】
そして、当該能動素子ならびに受動素子などの機能素子は、半導体基板１上に形成された多層配線層２により相互に接続され、論理回路、増幅回路、或いは記憶回路などの電子回路（図示せず）が形成される。
【００８０】
当該多層配線層２は、導電層を流れる電気信号の高速化のため、銅（Ｃｕ）を主体とする導電層からなる配線層３と、有機絶縁層からなる低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁層４を主体として形成されている。
【００８１】
当該低誘電率層間絶縁層４を構成する絶縁層としては、比誘電率が２．０〜４．０程の誘電体である、ＳｉＯＣ或いはＳｉＯＣＨなどが適用される。
【００８２】
尚、当該低誘電率層間絶縁層４を構成する絶縁物として、多孔質絶縁物或いは低誘電率無機絶縁物を適用することもできる。
【００８３】
積層された配線層３の間は、当該配線層材料と同様の材料から形成された導電性プラグにより相互に且つ選択的に接続されており、また前記機能素子と配線層との間も同様に導電性プラグにより接続されている（図示せず）。
【００８４】
そして、前記多層配線層２上に、例えばＣＶＤ法（化学的気相成長法）により、無機絶縁材料からなる表面保護層５が形成される。
【００８５】
当該表面保護層５としては、厚さ１μｍ程の、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）膜を適用する。
【００８６】
しかる後、所謂フォトリソグラフィ技術を適用して、前記表面保護層５に、多層配線層２に於いて最上層に配置された電極パッド９を表出する開口２１が形成される（図３（ａ）参照）。
【００８７】
かかる工程は、通常、前記ウエハープロセス工程に於いて実施される。
【００８８】
本第１の実施形態にあっては、次いで、前記開口２１を含む表面保護層５上に、フォトレジスト層３１を形成する（図３（ｂ）参照）。
【００８９】
当該フォトレジスト層３１は、回転塗布法により被着される。
【００９０】
当該フォトレジスト層３１は、後述する如く、レーザービームの照射により溝を形成する際に、半導体素子領域Ｉなどへの異物の付着を防止する。
【００９１】
本第１の実施形態にあっては、次いで、選択的にレーザービーム（図示せず）を照射することにより、前記スクライブ領域IIに於ける多層配線層２に、溝１３を複数本形成する。
【００９２】
当該レーザービームは、スクライブ領域IIの幅方向の両端側近傍に於いて、各半導体素子領域Ｉの周縁に沿って、直線状に２条（２行）照射される。
【００９３】
即ち、当該レーザービームは、半導体基板１の一方の主面に於いて、横方向（Ｘ方向）ならび縦方向（Ｙ方向）に直線状に並ぶ複数の半導体素子領域Ｉに沿って、スクライブ領域IIの幅方向の両端側近傍に直線状に照射される。
【００９４】
当該レーザービームにより形成される溝１３は、前記表面保護層５、多層配線層２を貫き、半導体基板１に迄至る深さに形成される。
【００９５】
当該多層配線層２の有する厚さにより異なるが、その深さは２０μを越えるものとなる。
【００９６】
また当該溝１３それぞれの幅は、１５μｍ以下、例えば７μｍ程とされる。
【００９７】
かかるレーザービームの照射の際、前記表面保護層５を構成する部材或いは多層配線層２を構成する部材などが溶融し、飛散するが、これらは前記フォトレジスト層３１の表面に飛着し固定される。
【００９８】
しかる後、当該フォトレジスト層３１を除去することにより、前記スクライブ領域Ｂに於ける多層配線層２に複数の溝１３（１３ａ、１３ｂ）が配設された状態が得られる（図４（ａ）参照）。
【００９９】
即ち、個々の半導体素子領域Ｉは、それぞれ、その周囲が二重の溝１３ａ、１３ｂにより囲繞される。
【０１００】
尚、当該溝１３の形成の際、フォトレジスト層３１の表面に飛着した飛散物は、当該フォトレジスト層３１と共に除去される。
【０１０１】
本第１の実施形態にあっては、次いで、前記溝１３（１３ａ、１３ｂ）内、及び開口２１内を含む表面保護層５上に、有機絶縁物層６を形成する。
【０１０２】
即ち、当該有機絶縁物層６は、半導体素子領域Ｉならびにスクライブ領域II上を被覆して、配設される。
【０１０３】
当該有機絶縁物層６は、回転塗布法により被着される。
【０１０４】
当該有機絶縁物層６は、ポジ型の感光性を有するポリイミドから形成され、前記表面保護層５上に於いて、４μｍ〜８μｍの厚さをもって形成されると共に、前記二つの溝１３ａ、１３ｂ内に充填される（図４（ｂ）参照）。
【０１０５】
次いで、前記有機絶縁物層６上に、露光用マスク４１を配置する。
【０１０６】
当該露光用マスク４１に於けるマスク層には、前記スクライブ領域Ｂに対応する開口部４１ａと、半導体素子領域Ａに於ける電極パッド９に対応する開口部４１ｂが配設されている。
【０１０７】
尚、ここでは当該露光用マスク４１に於けるマスク層のみを示しているが、当該マスク層は図示されない透明基板の表面に配設され、支持されている。
【０１０８】
そして、当該露光用マスク４１を通して前記有機絶縁物層６に露光処理を行う（図５（ａ）参照）。
【０１０９】
当該露光処理の後、現像処理を行うことにより、前記スクライブ領域II上の有機絶縁物層６が選択的に除去されると共に、半導体素子領域Ｉに於ける電極パッド９に対応する開口８が形成される。
【０１１０】
スクライブ領域II上の有機絶縁物層６が除去されるが、当該スクライブ領域II内に配設されているところの溝１３ａ、１３ｂ内に充填された有機絶縁物６ａ，６ｂは、当該溝１３ａ、１３ｂを埋めた状態をもって残存する（図５（ｂ）参照）。
【０１１１】
当該溝１３ａ、１３ｂ内に充填された有機絶縁物６ａ，６ｂは、当該溝１３ａ、１３ｂ内へ照射される光の強度が低下して、十分な露光がなされないことにより残される。
【０１１２】
即ち、溝１３ａ、１３ｂ内への有機絶縁物６ａ，６ｂの残存を可能とする為に、表面保護層５上に於ける有機絶縁物層６の厚さ、露出している多層配線構造部の厚さ、ならびに露光量などが選択される。
【０１１３】
しかる後、前記表面保護層５、露出している多層配線層２、ならびに露出している有機絶縁物層６を覆って、チタン（Ｔｉ）層を形成する。
【０１１４】
当該チタン（Ｔｉ）層は、スパッタリッグ法により、厚さ５０ｎｍ〜１００ｎｍ程に被着される。
【０１１５】
そして、当該チタン（Ｔｉ）層上に、銅（Ｃｕ）層を形成する。
【０１１６】
当該銅（Ｃｕ）層は、スパッタリッグ法により、厚さ４００ｎｍ〜７００ｎｍ程に被着される。
【０１１７】
これにより、銅（Ｃｕ）層／チタン（Ｔｉ）層からなる金属層１４が形成される。（図６（ａ）参照）
しかる後、前記金属層１４に於ける銅（Ｃｕ）層上に、フォトレジスト層３２を形成する。
【０１１８】
当該フォトレジスト層３２は、回転塗布法により被着される。
【０１１９】
そして、当該フォトレジスト層３２に対し、前記半導体素子領域Ｉに於ける電極パッド９に対応して有機絶縁物層６に形成された開口８に対応する領域を含む開口３３を形成する。
【０１２０】
当該フォトレジスト層３２に対する開口３３の形成は、所謂フォトリソグラフィ技術をもって実施される。
【０１２１】
尚、此処では、当該開口３３を形成するための露光用マスクを示すことを省略する。
【０１２２】
そして、当該フォトレジスト層３２をマスクとし、前記銅（Ｃｕ）層／チタン（Ｔｉ）層からなる金属層１４を負電極とする電気めっき（電解めっき）法によって、当該フォトレジスト層３２に被覆されていない銅（Ｃｕ）層上に、銅（Ｃｕ）配線層７を形成する（図６（ｂ）参照）。
【０１２３】
当該銅（Ｃｕ）配線層７は、再配線層とも称せられ、厚さ３〜５μｍ程に形成される。
【０１２４】
しかる後、前記フォトレジスト層３２を除去する。
【０１２５】
次いで、前記銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７をマスクとして、前記銅（Ｃｕ）層／チタン（Ｔｉ）層からなる金属層１４をエッチング除去し、各銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を独立せしめる（図７（ａ）参照）。
【０１２６】
かかるエッチング処理の際、銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７も若干エッチングされるが、その厚さは当該銅（Ｃｕ）層／チタン（Ｔｉ）層からなる金属層１４の厚さに比べ十分厚く、特段の問題は生じない。
【０１２７】
しかる後、前記表面保護層５上、露出している多層配線層２上、露出している有機絶縁物層６ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を覆って、第２の有機絶縁物層１０を形成する。
【０１２８】
当該第２の有機絶縁物層１０も、ポジ型の感光性を有するポリイミドから形成され、その厚さは４μｍ〜８μｍとされる（図７（ｂ）参照）。
【０１２９】
当該有第２の有機絶縁物層１０も、回転塗布法によって被着される。
【０１３０】
当該第２の有機絶縁物層１０は、半導体装置１００に於いて、半導体素子形成領域Ｉを封止する部材となる。
【０１３１】
次いで、前記第２の有機絶縁物層１０上に、露光用マスク４２を配置する。
【０１３２】
当該露光用マスク４２に於けるマスク層には、前記スクライブ領域IIに対応する開口部４２ａと、銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）に於ける電極パッドに対応する開口部４２ｂが設けられている。
【０１３３】
尚、ここでは当該露光用マスク４２に於けるマスク層のみを示しているが、当該マスク層は図示されない透明基板の表面に配設され、支持されている。
【０１３４】
そして、当該露光用マスク４２を介して、第２の有機絶縁物層１０に対し露光処理を行う（図８（ａ）参照）。
【０１３５】
当該露光処理の後、現像処理を行うことにより、前記第２の有機絶縁物層１０は選択的に除去され、前記銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７に於ける電極パッド上に開口１１が形成される。
【０１３６】
また、前記スクライブ領域II上の第２の有機絶縁物層１０も除去される。
【０１３７】
この時、当該スクライブ領域II内に配設されている溝１３ａ、１３ｂ内に充填されている有機絶縁物６ａ，６ｂは、当該溝１３内を埋めた状態をもって残存する。
【０１３８】
また、当該有機絶縁層１０は、半導体素子領域Ｉの周縁部に於いて、有機絶縁物層６の端部を被覆した状態に残される（図８（ｂ）参照）。
【０１３９】
次いで、前記表面保護層５上、露出している多層配線層２上、露出している有機絶縁物層６、第２の有機絶縁物層１０、ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を覆って、チタン（Ｔｉ）層を形成する。
【０１４０】
当該チタン（Ｔｉ）層は、スパッタリッグ法により、厚さ５０ｎｍ〜１００ｎｍ程に被着される。
【０１４１】
そして、当該チタン（Ｔｉ）層上に、銅（Ｃｕ）層を形成する。
【０１４２】
当該銅（Ｃｕ）層は、スパッタリッグ法により、厚さ１５０ｎｍ〜３５０ｎｍ程に被着される。
【０１４３】
更に、当該銅（Ｃｕ）層上に、ニッケル（Ｎｉ）層を形成する。
【０１４４】
当該ニッケル（Ｎｉ）層は、スパッタリッグ法により、厚さ５μｍ程に被着される。
【０１４５】
即ち、ニッケル（Ｎｉ）層／銅（Ｃｕ）層／チタン（Ｔｉ）層の積層体からなる金属層１５が形成される（図９（ａ）参照）。
【０１４６】
次いで、当該金属層１５上にフォトレジスト層３４を形成する。
【０１４７】
そして、フォトリソグラフィ技術により、前記銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）に於ける電極パッドに対応する開口部１１に対応して、開口３５を形成する（図９（ｂ）参照）。
【０１４８】
当該フォトレジスト層３４に対する開口３５の形成は、所謂フォトリソグラフィ技術をもって実施される。
【０１４９】
尚、此処では、当該開口３５を形成するための露光用マスクを示すことを省略する。
【０１５０】
次いで、前記金属層１５を負電極とする電気めっき（電解めっき）法によって、当該フォトレジスト層３４に被覆されていない金属層１５上に、はんだ層１２ｓを比較的厚く被着する（図９（ｂ）参照）。
【０１５１】
図示される様に、当該はんだ層１２ｓは、その一部がフォトレジスト層３４上にまで延在して被着される。
【０１５２】
当該はんだ層１２ｓを構成するはんだ材としては、所謂無鉛はんだ（鉛フリーはんだ）を適用する。
【０１５３】
当該めっき処理後、前記フォトレジスト層３４を除去する。
【０１５４】
しかる後、前記はんだ層１２ｓをマスクとして、表出している前記金属層（ニッケル（Ｎｉ）層／銅（Ｃｕ）層／チタン（Ｔｉ）層の積層体）１５を選択的に除去する。
【０１５５】
次いで、当該はんだ層１２ｓに対し再溶融（リフロー）処理を施して、当該はんだ層１２ｓをほぼ球状を呈するものに変換し、外部接続用端子１２を形成する（図１０（ａ）参照）。
【０１５６】
当該リフロー処理は、半導体基板１をリフロー炉と称される加熱炉（図示せず）に収容して、実施される。
【０１５７】
次いで、当該半導体基板１をダイシング装置のテーブル上に載置・固定し、回転するダイシングブレード５１を適用したダイシング処理（個片化処理）を実施する。
【０１５８】
尚、かかるダイシング処理に先立って、半導体基板１の裏面（電子回路非形成面）には、所謂ダイシングテープが貼り付けられる（図示せず）。
【０１５９】
かかるダイシング処理に於いて、ダイシングブレード５１の板厚（刃厚）ｔは、スクライブ領域IIに於ける外側の溝、即ち二つの半導体素子領域間に於けるスクライブ領域IIの中央からみて内側に配設されている二つの溝１３ｂに対し、それぞれの溝１３ｂの略中央部の間に跨がる厚さが選択される（図１０（ｂ）参照）。
【０１６０】
尚、当該図１０（ｂ）に於いては、ダイシングブレード５１の要部断面形状を、破線をもって示している。
【０１６１】
従って、当該ダイシングブレード５１は、スクライブ領域IIの中央からみて内側に配設されている二つの溝１３ｂの内部に配設された有機絶縁物層６ｂと、当該溝１３ｂの下部に在る半導体基板１とを切断する。
【０１６２】
かかるダイシング処理の結果、個片化された半導体装置１００に於ける半導体基板１の周囲側面には、第２の溝１３ｂに充填された感光性ポリイミドからなる有機絶縁物６ｂが表出される。
【０１６３】
即ち、当該半導体装置１００の側面に於いて、第２の溝１３ｂ及び当該第２の溝１３ｂに充填された有機絶縁物６ｂが表出する。
【０１６４】
そして、かかるダイシング処理にあっては、スクライブ領域IIに於ける低誘電率絶縁体を含む多層配線構造部が、当該ダイシングブレード５１によって切断されることが生ぜず、従って、当該多層配線層２に於ける層間絶縁層４の剥離などが生じない。
【０１６５】
かかるダイシング処理の際、スクライブ領域IIには平行する４本の溝１３があり、それぞれの溝１３内には有機絶縁物６が充填されていることから、当該スクライブ領域IIの視認性は高く、ダイシングブレード５１の位置合わせを容易に、且つ高い精度をもって行うことができる。
【０１６６】
また、当該ダイシング処理の際、ダイシングブレード５１により大きな圧力が加わるが、当該圧力は、二つの溝１３ａ，１３ｂ内に充填されている有機絶縁物６ａ，６ｂによって吸収・緩和され、半導体素子領域Ｉに対して大きな圧力が加えられることがない。
【０１６７】
かかるダイシング処理によって個片化された半導体装置１００は、前記図２に示す断面構造を有する。
【０１６８】
当該半導体装置１００に於いて、その周囲側面には、半導体素子領域Ｉからみて外側に配設されている溝１３ｂの内部に配設された有機絶縁物層６ｂと、当該有機絶縁物層６ｂの下部に在る半導体基板１が表出されている。
【０１６９】
即ち、かかる構造にあっては、半導体装置１００の周囲側面には低誘電率絶縁体を含む多層配線構造部は表出されておらず、もって当該多層配線構造部に於ける層間絶縁層４の剥離などを招来しない。
【０１７０】
また、これにより、半導体装置の周囲側面から半導体素子領域に至る沿面距離が増加し、当該半導体素子領域への水分の浸透が効果的に防止される。
［第２実施形態］
本発明による半導体装置の第２の実施形態について、その製造方法と共に説明する。
【０１７１】
＜半導体装置＞
本発明の第２の実施の形態に於ける半導体装置２００を、図１１に示す。尚、図１１は、前記図２に示す部位に対応する箇所の断面を示している。
【０１７２】
図示される如く、半導体装置２００に於いても、複数の配線層３が、それぞれ一本の実線をもって描かれているが、個々の配線層３は、半導体素子領域Ｉの絶縁層上に於いて、それぞれ電源線、接地線、ならびに信号線などに分割され、前記機能素子の部位に対応して、延在・配設されている。
【０１７３】
また、各配線層間は、図示されていない層間接続部を介して相互に接続されている。
【０１７４】
当該第２の実施の形態に於ける半導体装置２００は、半導体素子領域Ｉを囲繞する溝部に配設される有機絶縁物層の配設形態が、前記第１の実施の形態に於ける半導体装置１００と異なっている。
【０１７５】
従って、第２の実施の形態に於ける半導体装置２００に於いて、前記第１の実施の形態に於ける半導体装置１００に対応する部位には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【０１７６】
本第２の実施の形態に於ける半導体装置２００にあっては、半導体素子領域Ｉの周囲に配設された第１の溝１３ａ内に充填された有機絶縁物６ａならびに第２の溝１３ｂ内に充填された有機絶縁物６ｂ上に、積層された有機絶縁物からなる有機絶縁物層２６が配設されている。
【０１７７】
そして、両溝上に於ける有機絶縁物層２６は、当該第１の溝１３ａと第２の溝１３ｂとの間に位置する多層配線層２上を被覆して、即ち所定の幅をもって帯状に一体化されて、半導体素子領域Ｉを囲繞している。
【０１７８】
当該有機絶縁物層２６は、前記半導体素子領域Ｉ上に配設された有機絶縁物層１０からは離間し、且つ当該半導体素子領域Ｉを囲繞して配設されている。
【０１７９】
そして、半導体基板１の側面と連続する側面を有している。
【０１８０】
即ち、本第２の実施形態に於ける半導体装置２００にあっても、半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞し、且つ多層配線層２を貫通して半導体基板１に至る深さを有する溝１３が、二重に配設され、更に当該溝１３内に有機絶縁物が充填されている。
【０１８１】
当該二重の溝１３ａ，溝１３ｂは、それぞれ多層配線層２を貫通して半導体基板１に達している。
【０１８２】
これにより、当該半導体装置２００の側面或いは縁部から半導体素子領域Ｉへの、半導体基板表面の沿面距離が大きく形成され、また有機絶縁物６と層間絶縁層２との界面が連続しておらず、当該側面或いは縁部から半導体素子領域Ｉへの水分の浸透を有効に抑制・防止することができる。
【０１８３】
また、半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞し、且つ多層配線層２を貫通して半導体基板１に至る深さを有する溝１３が二重に配設され、当該溝１３ａ内に有機絶縁物６ａが、溝１３ｂ内に有機絶縁物６ｂが充填されていることにより、ダイシング処理の際、機械的ストレスが半導体素子領域Ｉへ加わることが緩和・防止される。
【０１８４】
これにより、当該半導体素子領域Ｉに於いて多層配線構造を形成している低誘電率層間絶縁層４の剥離などを防止することができる。
【０１８５】
更に、半導体素子領域上に配設された有機絶縁物層からは離間して配設され、帯状に一体化された有機絶縁物層２６の存在により、スクライブ領域IIを容易に確認することができる。
【０１８６】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、本第２の実施形態に於ける半導体装置２００の製造方法について、図１２乃至図１５を用いて説明する。
【０１８７】
此処では、スクライブ領域IIと、その両側に位置する二つの半導体素子領域Ｉ−Ａ，I−Ｂそれぞれの一部を示している。
【０１８８】
本第２の実施形態に於ける半導体装置２００の製造方法に於いては、二つの溝１３ａ、１３ｂの間を含む幅をもってマスクを配置し、有機絶縁物層６に対して露光処理を行う。
【０１８９】
半導体基板１の一方の主面に、複数個の半導体素子領域Ｉを形成し、当該半導体素子領域Ｉ間に在るスクライブ領域IIに於ける多層配線構造部に対し複数の溝を形成する工程は、前記第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。
【０１９０】
当該溝は、スクライブ領域の幅方向の両端側近傍に於いて、各半導体素子領域の周縁に沿って、線状に２条（２行）形成される。
【０１９１】
次いで、前記溝１３、開口８を含む表面保護層５上に、有機絶縁物層６を形成する。
【０１９２】
当該有機絶縁物層６は、回転塗布法により被着される。
【０１９３】
当該有機絶縁物層６は、ポジ型の感光性を有するポリイミドから形成され、前記溝１３内に充填されると共に、表面保護層５上に於いて、４μｍ〜８μｍの厚さをもって形成される。
【０１９４】
しかる後、前記有機絶縁物層６上に露光用マスク４３を配置する。
【０１９５】
当該露光用マスク４３に於けるマスク層には、前記スクライブ領域IIに対応する開口部４３ａと、二つの溝と半導体素子領域Ｉとの間に跨がる開口部４３ｂ、ならびに当該半導体素子領域Ｉに於ける電極パッド９に対応する開口部４３ｃが設けられている。
【０１９６】
尚、ここでは当該露光用マスク４３に於けるマスク層のみを示しているが、当該マスク層は図示されない透明基板の表面に配設され、支持されている。
【０１９７】
そして、当該露光用マスク４３を通して、前記有機絶縁物層６に露光処理を行う（図１２（ａ）参照）。
【０１９８】
当該露光処理の後、現像処理を行うことにより、前記有機絶縁物層６は選択的に除去され、前記スクライブ領域II上の有機絶縁物層６も除去される。
【０１９９】
この時、当該スクライブ領域II内に配設されているところの二つの溝１３ａ，１３ｂ内に充填された有機絶縁物層６は、当該溝を埋めた状態をもって残されると共に、当該二つの溝の間に在る多層配線構造部上にも残され、帯状に一体化されて、半導体素子領域Ｉを囲繞する。
【０２００】
当該帯状に一体化された有機絶縁物層６ｓは、半導体素子領域Ｉに於ける有機絶縁物層６から離間して配設される。
【０２０１】
また、半導体素子領域Ｉに於いて、電極パッド９を覆う有機絶縁物層６には、開口８が形成される（図１２（ｂ）参照）。
【０２０２】
しかる後、前記第１の実施の形態に於ける製造方法と同様の方法により、当該有機絶縁物層６上に、銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を形成する（図１３（ａ）参照）。
【０２０３】
次いで、前記第１の実施の形態に於ける製造方法と同様の方法により、前記表面保護層５上、露出している多層配線構造部上、露出している有機絶縁物層６上ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７上を覆って、第２の有機絶縁物層１０を形成する（図１３（ｂ）参照）。
【０２０４】
当該第２の有機絶縁物層１０も、ポジ型の感光性を有するポリイミド層から構成される。
【０２０５】
しかる後、前記有機絶縁物層１０上に、露光用マスク４４を配置する。
【０２０６】
当該露光用マスク４４に於けるマスク層には、前記スクライブ領域IIに対応する開口部４４ａ、当該スクライブ領域と半導体素子領域Ｉの間に於ける開口部４４ｂ、ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７に於ける電極パッドに対応する開口部４４ｃが設けられている。
【０２０７】
尚、ここでは当該露光用マスク４４に於けるマスク層のみを示しているが、当該マスク層は図示されない透明基板の表面に配設され、支持されている。
【０２０８】
そして、当該露光用マスク４４を通して、第２の有機絶縁物層１０に露光処理を行う（図１４（ａ）参照）。
【０２０９】
当該露光処理の後、現像処理を行うことにより、前記第２の有機絶縁物層１０は選択的に除去され、前記銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７に於ける電極パッド上に開口１１が形成される。
【０２１０】
前記スクライブ領域II上の有機絶縁物層も除去されるが、当該スクライブ領域IIに内に配設されているところの溝１３内に充填され、二つの溝の間に在る多層配線構造部上にも残されて帯状に一体化された有機絶縁物層６ｓ、ならびに当該有機絶縁物層６ｓ上に配設された第２の有機絶縁物層１０ｓは積層状態をもって残存する。
【０２１１】
一方、半導体素子領域Ｉにあっては、有機絶縁物層６の端部を覆って、第２の有機絶縁物層１０が配設される。
【０２１２】
当該半導体素子領域Ｉに於ける第２の有機絶縁物層１０と、スクライブ領域IIに於いて溝１３を充填して配設された有機絶縁物層６ｓと有機絶縁物層１０ｓの積層構造部２６とは離間している（図１４（ｂ）参照）。
【０２１３】
しかる後、前記表面保護層５上、露出している多層配線構造部上、露出している有機絶縁物層６、第２の有機絶縁物層１０ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を覆って、ニッケル（Ｎｉ）層／銅（Ｃｕ）層／チタン（Ｔｉ）層の積層体からなる金属層１５を形成する。
【０２１４】
そして、電気めっき（電解めっき）法を適用して、当該金属層１５上にはんだ層１２ｓを比較的厚く被着する。当該はんだ層１２ｓは、所謂無鉛はんだ（鉛フリーはんだ）をもって形成する。
【０２１５】
当該はんだ層１２ｓをリフローすることにより、その形状をほぼ球状を呈するものに変換して、外部接続用端子１２を形成する（図１５（ａ）参照）。
【０２１６】
しかる後、当該半導体基板１に対し、ダイシングブレード５１を適用したダイシング処理（個片化処理）を実施する。
【０２１７】
かかるダイシング処理に於いても、ダイシングブレード５１の板厚（刃厚）ｔは、前記半導体素子２００に於ける外側の溝１３ｂ、即ち二つの半導体素子領域Ｉの間に於けるスクライブ領域IIの中央からみて内側に配設されている二つの溝１３ｂに対し、それぞれの溝１３ｂの略中央部の間に跨がる厚さが選択される（図１５（ｂ）参照）。
【０２１８】
尚、当該図１５（ｂ）に於いては、ダイシングブレード５１の要部断面形状を、破線をもって示している。
【０２１９】
従って、当該ダイシングブレード５１は、有機絶縁物６ｓと無機絶縁層１０ｓとの積層部２６、スクライブ領域IIの中央からみて内側に配設されている二つの溝１３ｂの内部に配設された有機絶縁物層６ｂ、及び当該溝１３ｂの下部に在る半導体基板１とを切断することとなる。
【０２２０】
かかるダイシング処理の結果、個片化された半導体装置２００に於ける半導体基板１の周囲側面には、第２の溝１３ｂに充填された感光性ポリイミドからなる有機絶縁物６ｂ，有機絶縁物１０ｓの積層部が表出される。
【０２２１】
即ち、当該半導体装置２００の側面に於いて、第２の溝１３ｂ及び当該第２の溝１３ｂに充填された有機絶縁物６ｂと有機絶縁物１０ｓとの積層部２６が表出する。
【０２２２】
この時、当該スクライブ領域IIに於ける低誘電率絶縁体を含む多層配線構造部が、当該ダイシングブレード５１によって切断されることが生ぜず、従って、当該多層配線構造部に於ける層間絶縁層４の剥離などは生じない。
【０２２３】
かかるダイシング処理の際、スクライブ領域IIには、半導体基板１に於いて帯状に一体化された有機絶縁物層２６が存在することから、当該スクライブ領域IIの視認性は高く、ダイシングブレード５１の位置合わせを容易に、高い精度をもって行うことができる。
【０２２４】
また、当該ダイシング処理の際、ダイシングブレード５１により大きな圧力が加わるが、当該圧力は、二つの溝１３ａ，１３ｂのそれぞれに充填された有機絶縁物６ｂ、ならびに積層された有機絶縁物層２６によって吸収・緩和され、半導体素子領域Ｉに対して大きな圧力が加えられることはない。
【０２２５】
かかるダイシング処理によって個片化された半導体装置２００は、前記図１１に示す断面構造を有する。
【０２２６】
この様な製造方法に於いては、スクライブ領域II内に配設されているところの二つの溝内に充填された有機絶縁物層６ａ，６ｂは、当該溝を埋めた状態をもって残される。
【０２２７】
また当該溝を埋めた有機絶縁物層６上には、当該二つの溝間の多層配線構造部上に延在する有機絶縁物層２６が一体に残され、帯状に半導体素子領域を囲繞する。
【０２２８】
かかる構造に於いても、ダイシングブレードを適用したダイシング処理の際、半導体装置の周囲側面には低誘電率絶縁体を含む多層配線構造体は表出されず、当該多層配線構造体に於ける層間絶縁層の剥離などを招来しない。
［第３実施形態］
本発明による半導体装置の第３の実施形態について、その製造方法と共に説明する。
【０２２９】
＜半導体装置＞
本発明の第３の実施の形態に於ける半導体装置３００を、図１６に示す。尚、図１６は、前記図２に対応する箇所の断面を示している。
【０２３０】
図示される如く、半導体装置３００に於いても、複数の配線層３が、それぞれ一本の実線をもって描かれているが、個々の配線層３は、半導体素子領域Ｉの絶縁層上に於いて、それぞれ電源線、接地線、ならびに信号線などに分割され、前記機能素子の部位に対応して、延在・配設されている。
【０２３１】
また、各配線層間は、図示されていない層間接続部を介して相互に接続されている。
【０２３２】
当該第３の実施の形態に於ける半導体装置３００も、半導体素子領域Ｉを囲繞する溝部に配設される有機絶縁物層の配設形態が、前記第１の実施の形態に於ける半導体装置１００と異なっている。
【０２３３】
従って、第３の実施の形態に於ける半導体装置３００に於いて、前記第１の実施の形態に於ける半導体装置１００に対応する部位には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【０２３４】
本第３の実施の形態に於ける半導体装置３００にあっては、前記第１の溝１３ａ内ならびに第２の溝１３ｂ内に充填された有機絶縁物６ａ，６ｂ上に、有機絶縁物層６ｓ，有機絶縁物層１０ｓが積層状態をもって配設されている。
【０２３５】
そして、溝１３ａならびに溝１３ｂ上に於ける有機絶縁物層６ｓと有機絶縁物層１０ｓの積層体は、当該溝１３の有する幅に対応する幅をもって帯状に配設され、半導体素子領域Ｉを二重に囲繞している。
【０２３６】
即ち、半導体素子領域Ｉ側の溝１３ａ上に配設された積層有機絶縁物層２６ａは、当該半導体素子領域Ｉ上に配設された有機絶縁物層からは離間し、且つ当該半導体素子領域Ｉを囲繞して配設されている。
【０２３７】
一方、他方の溝１３ｂ上に配設された積層有機絶縁物層２６ｂは、半導体素子領域側Ｉに配設された積層有機絶縁物層２６ａからは離間し、且つ半導体素子領域Ｉを囲繞して配設されている。
【０２３８】
そして、当該半導体基板１の側面と連続する側面を有している。
【０２３９】
即ち、本第３の実施形態に於ける半導体装置３００にあっても、半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞し、且つ多層配線層２に於ける層間絶縁層４を貫通して半導体基板１に至る深さを有する溝１３が、二重に配設され、更に当該溝１３内に有機絶縁物６が充填されている。
【０２４０】
当該二重の溝１３ａ，溝１３ｂは、それぞれ多層配線層２を貫通して半導体基板１に達している。
【０２４１】
そして、当該溝１３ａ，１３ｂ内には、感光性ポリイミドからなる有機絶縁物６ａが充填されている。
【０２４２】
溝１３ａ内に充填された有機絶縁物６ａは、所定の高さをもって多層配線層２から突出して有機絶縁物層６ｓを構成し、その上面に有機絶縁物層１０ｓが積層配置され、積層有機絶縁物層２６ａが形成されている。
【０２４３】
当該積層有機絶縁物層２６ａは、前記半導体素子領域Ｉに於ける有機絶縁物層１０からは離間している。
【０２４４】
一方、溝１３ｂ内に充填された有機絶縁物６ｂも所定の高さをもって多層配線層２から突出して有機絶縁物層６ｓを構成し、当該有機絶縁物層６ｓと有機絶縁物層１０ｓとの積層有機絶縁物層２６ｂは、前記積層有機絶縁物層２６ａからは離間している。
【０２４５】
これにより、当該半導体基板１の側面或いは縁部から半導体素子領域Ｉへの、半導体基板表面の沿面距離が大きく形成され、また有機絶縁物と層間絶縁層との界面が連続しておらず、当該側面或いは縁部から半導体素子領域Ｉへの水分の浸透を有効に抑制・防止することができる。
【０２４６】
また、半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞し、且つ多層配線層２を貫通して半導体基板１に至る深さを有する溝１３が二重に配設され、当該溝１３内に有機絶縁物６が充填されていることにより、ダイシング処理の際、機械的ストレスが半導体素子領域Ｉへ加わることが緩和・防止される。
【０２４７】
これにより、当該半導体素子領域Ｉに於いて多層配線構造を形成している低誘電率層間絶縁層４の剥離などを防止することができる。
【０２４８】
更に、半導体素子領域Ｉ上に配設された有機絶縁物層１０からは離間して、二条の帯状に配設された有機絶縁物層の存在により、スクライブ領域IIを容易に確認することができる。
【０２４９】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、本第３の実施形態に於ける半導体装置３００の製造方法について、図１７乃至図２０を用いて説明する。
【０２５０】
此処では、スクライブ領域IIと、その両側に位置する二つの半導体素子領域Ｉ−Ａ，I−Ｂそれぞれの一部を示している。
【０２５１】
本第３の実施形態に於ける半導体装置３００の製造方法に於いては、二つの溝１３ａ、１３ｂの間を表出するマスクを配置し、有機絶縁物層６に対して露光処理を行う。
【０２５２】
半導体基板１の一方の主面に、複数個の半導体素子領域Ｉを形成し、当該半導体素子領域Ｉ間に在るスクライブ領域IIに於ける多層配線構造部に対し複数の溝を形成する工程は、前記第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。
【０２５３】
当該溝１３は、スクライブ領域IIの幅方向の両端側近傍に於いて、各半導体素子領域Ｉの周縁に沿って、線状に２条（２行）形成される。
【０２５４】
次いで、前記溝１３、開口８を含む表面保護層５上に、有機絶縁物層６を形成する。
【０２５５】
当該有機絶縁物層６は、回転塗布法により被着される。
【０２５６】
当該有機絶縁物層６は、ポジ型の感光性を有するポリイミドから形成され、前記溝１３内に充填されると共に、表面保護層５上に於いて、４μｍ〜８μｍの厚さをもって形成される。
【０２５７】
次いで、前記有機絶縁物層６上に露光用マスク４５を配置する。
【０２５８】
当該露光用マスク４５に於けるマスク層には、前記スクライブ領域IIに対応する開口部４５ａ、前記二つの溝間に対応する開口４５ｂ、当該溝部と半導体素子領域Ｉとの間に於ける開口部４５ｃ、ならびに半導体素子領域に於ける電極パッド９に対応する開口部４５ｄが設けられている。
【０２５９】
尚、ここでは当該露光用マスク４５に於けるマスク層のみを示しているが、当該マスク層は図示されない透明基板の表面に配設され、支持されている。
【０２６０】
そして、当該露光用マスク４５を通して前記有機絶縁物層６に露光処理を行う（図１７（ａ）参照）。
【０２６１】
当該露光処理の後、現像処理を行うことにより、前記有機絶縁物層６は選択的に除去され、前記スクライブ領域II上の有機絶縁物層６も選択的に除去される。
【０２６２】
この時、スクライブ領域II内に配設されているところの溝１３ａ及び溝１３ｂ内に充填された有機絶縁物層６は、当該溝１３を埋めた状態をもって残されると共に、当該溝１３ａ，溝１３ｂそれぞれの上に、多層配線層上面からある高さ（厚さ）をもって帯状に残され、半導体素子領域Ｉを囲繞する。
【０２６３】
当該帯状に残された有機絶縁物層６は、半導体素子領域Ｉを覆う有機絶縁物層６から離間して配設される。
【０２６４】
また、半導体素子領域Ｉに於いて電極パッド９を覆う有機絶縁物層６には、開口８が形成される（図１７（ｂ）参照）。
【０２６５】
しかる後、前記第１の実施の形態に於ける製造方法と同様な方法により、当該有機絶縁物層６上に、銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を選択的に形成する（図１８（ａ）参照）。
【０２６６】
次いで、前記第１の実施の形態に於ける製造方法と同様な方法により、前記表面保護層５上、露出している多層配線構造部、露出している有機絶縁物層６ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を覆って、第２の有機絶縁物層１０を形成する（図１８（ｂ）参照）。
【０２６７】
当該第２の有機絶縁物層１０も、ポジ型の感光性を有するポリイミド層から構成される。
【０２６８】
しかる後、前記有機絶縁物層１０上に、露光用マスク４６配置する。
【０２６９】
当該露光用マスク４６に於けるマスク層には、前記スクライブ領域IIに対応する開口部４６ａ、前記二つの溝間に対応する開口４６ｂ、当該溝部と半導体素子領域Ｉとの間に於ける開口部４６ｃ、ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７に於ける電極パッドに対応する開口部４６ｄが設けられている。
【０２７０】
尚、ここでは当該露光用マスク４６に於けるマスク層のみを示しているが、当該マスク層は図示されない透明基板の表面に配設され、支持されている。
【０２７１】
そして、当該露光用マスク４６を通して、第２の有機絶縁物層１０に露光処理を行う（図１９（ａ）参照）。
【０２７２】
当該露光処理の後、現像処理を行うことにより、前記第２の有機絶縁物層１０は選択的に除去され、前記銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７に於ける電極パッド上に開口１１が形成される。
【０２７３】
また、前記スクライブ領域II上の有機絶縁物層も除去されるが、当該スクライブ領域II内に配設されているところの溝１３内に充填された有機絶縁物の上部６ｓ、ならびにその上に形成された第２の有機絶縁物層１０ｓは積層状態をもって残存する。
【０２７４】
一方、半導体素子領域Ｉにあっては、有機絶縁物層６の端部を覆って、第２の有機絶縁物層１０が配設される。
【０２７５】
当該半導体素子領域Ｉに於ける第２の有機絶縁物層１０は、前記スクライブ領域IIに於いて溝１３ａを覆って配設された無機絶縁物層６ｓと無機絶縁物層１０ｓとの積層有機絶縁物層２６ａから離間している（図１９（ｂ）参照）。
【０２７６】
次いで、前記表面保護層５上、露出している多層配線構造部上、露出している有機絶縁物層６、第２の有機絶縁物層１０ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を覆って、ニッケル（Ｎｉ）層／銅（Ｃｕ）層／チタン（Ｔｉ）層の積層体からなる金属層１５を形成する。
【０２７７】
そして、電気めっき（電解めっき）法を適用して、当該金属層１５上にはんだ層１２ｓを比較的厚く被着する。当該はんだ層１２ｓは、所謂無鉛はんだ（鉛フリーはんだ）をもって形成する。
【０２７８】
当該はんだ層１２ｓをリフローすることにより、その形状をほぼ球状を呈するものに変換して、外部接続用端子１２を形成する（図２０（ａ）参照）。
【０２７９】
しかる後、当該半導体基板１に対しダイシングブレード５１を適用したダイシング処理（個片化処理）を実施する。
【０２８０】
かかるダイシング処理に於いても、ダイシングブレード５１の板厚（刃厚）ｔは、前記半導体素子に於ける外側の溝、即ち二つの半導体素子領域Ｉ間に於けるスクライブ領域IIの中央からみて内側に配設されている二つの溝１３ｂに対し、それぞれの溝１３ｂの略中央部の間に跨がる厚さが選択される（図２０（ｂ）参照）。
【０２８１】
尚、当該図２０（ｂ）に於いては、ダイシングブレード５１の要部断面形状を、破線をもって示している。
【０２８２】
従って、当該ダイシングブレード５１は、スクライブ領域IIの中央からみて内側に配設されている二つの溝１３ｂの内部に配設された有機絶縁物層６ｂと、有機絶縁物層６ｓと第２の有機絶縁物層１０ｓとの積層有機絶縁物層２６ｂ、ならびに当該溝１３ｂの下部に在る半導体基板１とを切断することとなる。
【０２８３】
かかるダイシング処理の結果、個片化された半導体装置３００に於ける半導体基板１の周囲側面には、第２の溝１３ｂに充填された感光性ポリイミドからなる有機絶縁物６ｂ，有機絶縁物１０ｂの積層構造体２６ｂが表出される。
【０２８４】
即ち、当該半導体装置３００の側面に於いて、第２の溝１３ｂ及び当該第２の溝１３ｂに充填された有機絶縁物６ｂと有機絶縁物１０ｂとの積層構造部２６ｂが表出する。
【０２８５】
即ち、かかる製造方法によれば、スクライブ領域IIに於ける低誘電率絶縁体を含む多層配線構造部が、ダイシングブレード５１によって切断されることが生ぜず、従って、当該多層配線構造部に於ける層間絶縁層４の剥離などは生じない。
【０２８６】
また、かかるダイシング処理の際、スクライブ領域IIには、帯状に平行する４本（４条）の有機絶縁物層があることから、当該スクライブ領域IIの視認性は高く、ダイシングブレード５１の位置合わせを容易に、且つ高い精度をもって行うことができる。
【０２８７】
そして、当該ダイシング処理の際、ダイシングブレード５１により大きな圧力が加わるが、当該圧力は、二つの溝１３ｂ内に充填されている有機絶縁物６、ならびに有機絶縁物層６ｓ，有機絶縁物層１０からなる積層有機絶縁物層２６によって吸収・緩和され、半導体素子領域Ｉに対して大きな圧力が加えられることはない。
【０２８８】
かかるダイシング処理によって個片化された半導体装置３００は、前記図１６に示す断面構造を有する。
【０２８９】
この様な製造方法に於いては、スクライブ領域II内に配設されているところの二つの溝内に充填された有機絶縁物層は、当該溝を埋め且つ多層配線層２上に、相当の高さ（厚さ）をもって残される。
【０２９０】
かかる構造に於いても、ダイシングブレード５１を適用したダイシング処理の際、半導体装置３００の周囲側面には、低誘電率絶縁体を含む多層配線構造体は表出されず、当該多層配線構造体に於ける層間絶縁層４の剥離などを招来しない。
［第４実施形態］
本発明による半導体装置の第４の実施形態について、その製造方法と共に説明する。
【０２９１】
＜半導体装置＞
本発明の第４の実施の形態に於ける半導体装置４００を、図２１に示す。尚、図２１は、前記図２に示す部位に対応する箇所の断面を示している。
【０２９２】
図示される如く、半導体装置４００に於いても、複数の配線層３が、それぞれ一本の実線をもって描かれているが、個々の配線層３は、半導体素子領域Ｉの絶縁層上に於いて、それぞれ電源線、接地線、ならびに信号線などに分割され、前記機能素子の部位に対応して、延在・配設されている。
【０２９３】
また、各配線層間は、図示されていない層間接続部を介して相互に接続されている。
【０２９４】
当該第４の実施の形態に於ける半導体装置４００も、半導体素子領域Ｉを囲繞する溝部に配設される有機絶縁物層の配設形態が、前記第１の実施の形態に於ける半導体装置１００と異なっている。
【０２９５】
従って、第４の実施の形態に於ける半導体装置４００に於いて、前記第１の実施の形態に於ける半導体装置１００に対応する部位には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【０２９６】
即ち、本第４の実施の形態に於ける半導体装置４００にあっては、前記第１の溝１３ａ内、ならびに第２の溝１３ｂ内に、有機絶縁物が二重に積層された状態をもって充填されている。
【０２９７】
そして、両溝内に於いて二重に積層された有機絶縁物層は、半導体素子領域Ｉを囲繞している。
【０２９８】
即ち、半導体素子領域Ｉ側の溝１３ａ内に於いて二重に充填された有機絶縁物層は、当該半導体素子領域Ｉ上に配設された有機絶縁物層からは離間し、且つ当該半導体素子領域Ｉを囲繞して配設されている。
【０２９９】
他方の溝１３ｂ内に二重に充填された有機絶縁物層は、前記溝１３ａから離間し、且つ前記半導体素子領域Ｉを囲繞して配設されている。
【０３００】
そして、当該半導体基板１の側面と連続する側面を有している。
【０３０１】
本第４の実施の形態による半導体装置４００にあっては、溝１３ａ、溝１３ｂの下部に有機絶縁物層６ｎが埋め込まれ、当該溝１３ａ、溝１３ｂの上部に第２の有機絶縁物層１０ｐが埋め込まれている。
【０３０２】
即ち、溝１３ａ、溝１３ｂに於いて、その下部には、それぞれ有機絶縁物６ａ，６ｂが充填さている。
【０３０３】
当該有機絶縁物６ａ，６ｂは、半導体素子領域Ｉ上の有機絶縁物層６と同様の有機絶縁物により形成されている。
【０３０４】
当該二重の溝１３ａ，溝１３ｂは、それぞれ多層配線層２を貫通して半導体基板１に達している。
【０３０５】
そして、当該有機絶縁物６ａ，有機絶縁物６ｂそれぞれの上部に形成された凹部１６には、当該凹部１６内を埋めて有機絶縁物１０ａ，有機絶縁物１０ｂが充填されている。
【０３０６】
当該有機絶縁物１０ａ，１０ｂは、半導体素子領域Ｉ上の有機絶縁物層１０と同様の有機絶縁物により形成されている。
【０３０７】
本第４の実施形態において、溝１３の下部に配置された有機絶縁６の上部に凹部１６が形成され、当該凹部１６内を埋めて有機絶縁物１０が充填されるのは、以下の様な理由による。
【０３０８】
即ち、有機絶縁層６に対する選択的露光処理工程に於いて、その露光条件及び／或いは溝の形状、寸法などによりにより、溝１３ａ、溝１３ｂ内に充填された有機絶縁物層６の上部が感光してしまう場合、現像処理により、当該溝内に充填された有機絶縁物６の上部が除去されて、凹部１６が生じる。
【０３０９】
かかる場合、後工程において形成される有機絶縁物層１０が、当該凹部１６内を埋めて溝内に充填される。
【０３１０】
この様な理由により、本第４の実施形態に於いては、溝１３ａ、溝１３ｂそれぞれの下部には有機絶縁物６が充填され、当該溝１３ａ、溝１３ｂの上部には有機絶縁物６に形成された凹部１６を埋めて有機絶縁物１０が充填されている。
【０３１１】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、本第４の実施形態に於ける半導体装置の製造方法について、図２２乃至図２５を用いて説明する。
【０３１２】
此処では、スクライブ領域IIと、その両側に位置する二つの半導体素子領域Ｉ−Ａ，I−Ｂそれぞれの一部を示している。
【０３１３】
本第４の実施形態による半導体装置４００の製造方法に於いては、溝１３ａ、１３ｂ内に充填されて形成された有機絶縁物層６に対して過剰な露光処理を行う。
【０３１４】
半導体基板１の一方の主面に、複数個の半導体素子領域Ｉを形成し、当該半導体素子領域Ｉ間に在るスクライブ領域IIに於ける多層配線構造部に対し複数の溝を形成する工程は、前記第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。
【０３１５】
当該溝１３は、スクライブ領域IIの幅方向の両端側近傍に於いて、各半導体素子領域Ｉの周縁に沿って、線状に２条（２行）形成される。
【０３１６】
次いで、前記溝、開口２０を含む表面保護層５上に、有機絶縁物層６を形成する。
【０３１７】
当該有機絶縁物層６は、回転塗布法により被着される。
【０３１８】
当該有機絶縁物層６は、ポジ型の感光性を有するポリイミドから形成され、前記溝内に充填されると共に表面保護層５上に於いて、４μｍ〜８μｍの厚さをもって形成される。
【０３１９】
次いで、前記有機絶縁物層６上に露光用マスク４７を配置する。
【０３２０】
当該露光用マスク４７に於けるマスク層には、前記スクライブ領域IIに対応する開口部４７ａ、ならびに半導体素子領域Ｉに於ける電極パッド９に対応する開口部４７ｄが設けられている。
【０３２１】
尚、ここでは当該露光用マスク４７に於けるマスク層のみを示しているが、当該マスク層は図示されない透明基板の表面に配設され、支持されている。
【０３２２】
そして、当該露光用マスク４７を通して前記有機絶縁物層６に露光処理を行う（図２２（ａ）参照）。
【０３２３】
この時、少なくともスクライブ領域II内に配設されているところの二つの溝内に充填された有機絶縁物層６に対して、過剰な露光量を与える。
【０３２４】
当該露光処理の後、現像処理を行うことにより、前記有機絶縁物層６は選択的に除去され、前記スクライブ領域II上の有機絶縁物層６も除去される。
【０３２５】
この時、当該有機絶縁物層６は、溝１３ａ，溝１３ｂの底部に残された状態をもって溝内に帯状に残され、前記半導体素子領域Ｉを囲繞する。
【０３２６】
また、半導体素子領域Ｉに於いて電極パッド９を覆う有機絶縁物層６には、開口８が形成される（図２２（ｂ）参照）。
【０３２７】
溝１３ａの底部に帯状に残された有機絶縁物層６ａは、半導体素子領域Ｉを覆う有機絶縁物層６から離間して配設される。
【０３２８】
当該溝１３ａ、ならびに溝１３ｂ内に帯状に残された有機絶縁物層６ｂの上面には、それぞれ凹部１６が形成されている。
【０３２９】
尚、二つの溝１３ａ，１３ｂの形状或いは寸法によっても、有機絶縁物層６は、当該溝の底部を埋めた状態をもって帯状に残される。
【０３３０】
しかる後、前記第１の実施の形態に於ける製造方法と同様な方法により、当該有機絶縁物層６上に、銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を形成する。
【０３３１】
そして、前記第１の実施の形態に於ける製造方法と同様な方法により、前記表面保護層５上、露出している多層配線構造部上、露出している有機絶縁物層６ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を覆って、第２の有機絶縁物層１０を形成する。
【０３３２】
当該第２の有機絶縁物層１０も、ポジ型の感光性を有するポリイミド層から構成される。
【０３３３】
しかる後、前記有機絶縁物層１０上に、露光用マスク４８配置する。
【０３３４】
当該露光用マスク４８に於けるマスク層には、前記スクライブ領域IIに対応する開口部４８ａ、ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７に於ける電極パッドに対応する開口部４８ｂが設けられている。
【０３３５】
尚、ここでは当該露光用マスク４８に於けるマスク層のみを示しているが、当該マスク層は図示されない透明基板の表面に配設され、支持されている。
【０３３６】
そして、当該露光用マスク４８を通して、第２の有機絶縁物層１０に露光処理を行う（図２３（ａ）参照）。
【０３３７】
当該露光処理の後、現像処理を行うことにより、前記第２の有機絶縁物層１０は選択的に除去され、前記銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７に於ける電極パッド上に開口１１が形成される。
【０３３８】
また、前記スクライブ領域II上の有機絶縁物層１０も除去されるが、当該スクライブ領域II内に配設されているところの溝１３の底部に充填された有機絶縁物層６ａ，６ｂ、ならびにその上に充填された第２の有機絶縁物層１０ａ，１０ｂは、それぞれ積層状態をもって残存する。
【０３３９】
一方、半導体素子領域Ｉにあっては、有機絶縁物層６の端部を覆って、第２の有機絶縁物層１０が配設される。
【０３４０】
当該半導体素子領域Ｉに於ける第２の有機絶縁物層１０は、スクライブ領域IIに於いて溝１３ａ内に配設された有機絶縁物層１０ａから離間している（図２３（ｂ）参照）。
【０３４１】
しかる後、前記表面保護層５上、露出している多層配線構造部上、露出している有機絶縁物層６、第２の有機絶縁物層１０ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を覆って、ニッケル（Ｎｉ）層／銅（Ｃｕ）層／チタン（Ｔｉ）層の積層体からなる金属層１５を形成する。
【０３４２】
そして、電気めっき（電解めっき）法を適用して、当該金属層１５上にはんだ層１２ｓを比較的厚く被着する。当該はんだ層１２ｓは、所謂無鉛はんだ（鉛フリーはんだ）をもって形成する。
【０３４３】
当該はんだ層１２ｓをリフローすることにより、その形状をほぼ球状を呈するものに変換して、外部接続用端子１２を形成する（図２４（ａ）参照）。
【０３４４】
しかる後、当該半導体基板１に対しダイシングブレード５１を適用したダイシング処理（個片化処理）を実施する。
【０３４５】
かかるダイシング処理に於いても、ダイシングブレード５１の板厚（刃厚）ｔは、前記半導体素子に於ける外側の溝、即ち二つの半導体素子領域間に於けるスクライブ領域IIの中央からみて内側に配設されている二つの溝１３ｂに対し、それぞれの溝の略中央部の間に跨がる厚さが選択される（図２４（ｂ）参照）。
【０３４６】
尚、当該図２４（ｂ）に於いては、ダイシングブレード５１の要部断面形状を、破線をもって示している。
【０３４７】
従って、当該ダイシングブレード５１は、スクライブ領域IIの中央からみて内側に配設されている二つの溝１３ｂの内部に配設された有機絶縁物（有機絶縁物６ｂと有機絶縁物１０ｂとの積層構造体）と、当該溝１３ｂの下部に在る半導体基板１とを切断する。
【０３４８】
かかるダイシング処理の結果、個片化された半導体装置４００に於ける半導体基板１の周囲側面には、第２の溝１３ｂに充填された感光性ポリイミドからなる有機絶縁物６ｂ，有機絶縁物１０ｂの積層構造が表出される。
【０３４９】
即ち、当該半導体装置４００の側面に於いて、第２の溝１３ｂ及び当該第２の溝１３ｂに充填された有機絶縁物６ｂと有機絶縁物１０ｂとの積層構造部が表出する。
【０３５０】
即ち、かかる製造方法によれば、スクライブ領域IIに於ける低誘電率絶縁体を含む多層配線構造部が、ダイシングブレード５１によって切断されることが生ぜず、従って、当該多層配線構造部に於ける層間絶縁層４の剥離などは生じない。
【０３５１】
かかるダイシング処理によって個片化された半導体装置４００は、前記図２１に示す断面構造を有する。
【０３５２】
かかるダイシング処理の際、スクライブ領域IIには、帯状に平行する４本（４条）の有機絶縁物層があることから、当該スクライブ領域IIの視認性は高く、ダイシングブレード５１の位置合わせを容易に、高い精度をもって行うことができる。
【０３５３】
また、当該ダイシング処理の際、ダイシングブレード５１により大きな圧力が加わるが、当該圧力は、二つの溝１３ａ，溝１３ｂ内に積層されて充填されている有機絶縁物層によって吸収・緩和され、半導体素子領域Ｉに対して大きな圧力が加えられることはない。
［第５実施形態］
本発明による半導体装置の第５の実施形態について説明する。
【０３５４】
＜半導体装置＞
本発明の第５の実施の形態に於ける半導体装置５００を、図２５に示す。尚、図２５は、前記図２に示す部位に対応する箇所の断面を示している。
【０３５５】
図示される如く、半導体装置５００に於いても、複数の配線層３が、それぞれ一本の実線をもって描かれているが、個々の配線層３は、半導体素子領域Ｉの絶縁層上に於いて、それぞれ電源線、接地線、ならびに信号線などに分割され、前記機能素子の部位に対応して、延在・配設されている。
【０３５６】
また、各配線層間は、図示されていない層間接続部を介して相互に接続されている。
【０３５７】
当該第５の実施の形態に於ける半導体装置５００も、半導体素子領域Ｉを囲繞する溝部に配設される有機絶縁物層の配設形態が、前記第１の実施の形態に於ける半導体装置１００と異なっている。
【０３５８】
従って、第５の実施の形態に於ける半導体装置５００に於いて、前記第１の実施の形態に於ける半導体装置１００に対応する部位には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【０３５９】
本第５の実施の形態に於ける半導体装置５００にあっては、半導体素子領域Ｉを囲繞する第１の溝１３ａ内ならびに第２の溝１３ｂ内に於いて、有機絶縁物が二重に積層された状態をもって充填され、且つ当該有機絶縁層は所定の高さをもって多層配線層２から突出している。
【０３６０】
そして、両溝内に於いて積層された有機絶縁物層は、半導体素子領域Ｉを囲繞している。
【０３６１】
即ち、半導体素子領域Ｉ側の溝１３ａ内に二重に充填された有機絶縁物は、当該半導体素子領域Ｉ上に配設された有機絶縁物層からは離間し、且つ当該半導体素子領域Ｉを囲繞して配設されている。
【０３６２】
他方の溝１３ｂ内に二重に充填された有機絶縁物は、半導体素子領域Ｉ側に配設された溝１３ａに充填された有機絶縁物層からは離間し、且つ前記半導体素子領域Ｉを囲繞して配設されている。
【０３６３】
そして、半導体基板１の側面と連続する側面を有している。
【０３６４】
本第５の実施の形態による半導体装置５００にあっては、溝１３ａ、１３ｂの下部に有機絶縁物６ａ，６ｂが埋め込まれ、当該溝１３ａ、溝１３ｂの上部に有機絶縁物１０ａ，１０ｂが埋め込まれて、更に当該有機絶縁物１０ａ，１０ｂは所定の高さをもって多層配線層２から突出している。
【０３６５】
かかる有機絶縁層を、多層配線層２から突出する厚さとすることは、前記第３の実施の形態に於ける構造と対応するものである。
【０３６６】
即ち、溝１３ａ、溝１３ｂの下部には、有機絶縁物６ａ，６ｂが充填さている。有機絶縁物層６ｎは、半導体素子領域Ｉに於ける有機絶縁物層６と同様の有機絶縁物により形成されている。
【０３６７】
そして、当該有機絶縁物６ａ，６ｂの上面に形成された凹部１６内を埋めて、有機絶縁物層１０ａ，１０ｂが配設されている。
【０３６８】
当該有機絶縁物１０ａ，１０ｂは、半導体素子領域Ｉ上の有機絶縁物層（封止有機絶縁物層）１０と同様の有機絶縁物から形成されている。
【０３６９】
本第５の実施形態において、有機絶縁層６ｎの上面に凹部１６が形成され、当該凹部１６内を埋めて有機絶縁物１０ａ，１０ｂが配設されるのは、前記第４の実施形態に於いて示したと同様の理由による。
【０３７０】
即ち、有機絶縁層６に対する選択的露光工程に於いて、露光条件及び／或いは溝の形状、寸法などを選択することにより、溝１３ａ、溝１３ｂ内に充填された有機絶縁物６ａ，６ｂの上部の感光量を増大させて、現像処理によって当該有機絶縁物６ａ，６ｂの上部が除去されて凹部１６が形成される。
【０３７１】
そして、後工程において被着される有機絶縁物層１０が、当該凹部１６を埋めて溝１３内に充填され、有機絶縁物１０ａ，１０ｂを形成する。
【０３７２】
本第５の実施形態に於ける半導体装置５００の製造は、前述の実施態様１乃至実施の態様４に於ける製造方法を適宜組み合わせて適用することにより、実施することが可能である。
【０３７３】
＜変形実施形態＞
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【０３７４】
上記の実施形態にあっては、有機絶縁物材料として感光性ポリイミドを掲げたが、有機絶縁物は当該ポリイミドに限定されるものではない。
【０３７５】
当該有機絶縁物材料として、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、ビスマレイミド樹脂等を用いることができる。
【０３７６】
また、上記の実施形態にあっては、ポリイミドとして、所謂ポジ型感光性を有するポリイミドを適用したが、当該ポリイミドとして、ネガ型感光性を有するポリイミドを適用することもできる。
【０３７７】
そして、半導体基板上に配設される二重のポリイミド層の一方をポジ型感光性を有するポリイミドから形成し、他方をネガ型感光性を有するポリイミドをもって形成することもできる。
【０３７８】
更に、上記の実施形態にあっては、多層配線層２の層間絶縁膜４として低誘電率膜を用いることを掲げたが、層間絶縁膜は低誘電率膜に限定されるものではない。
【０３７９】
層間絶縁膜として、シリコン酸化膜を用いてもよい。層間絶縁膜としてシリコン酸化膜が用いられる場合にも、ダイシングの際に脱落片が生じるのを防止し得る。
【０３８０】
上記実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０３８１】
（付記１）
複数の機能素子が配設された半導体素子領域が主面に形成された半導体基板と、
前記半導体基板の前記主面上に配設された多層配線層と、
前記多層配線層上に配設された第１の有機絶縁物層と、
前記半導体素子領域を囲繞するスクライブ領域上の前記多層配線層を貫通した溝と、
前記第１の有機絶縁物層とは離間して、前記溝内に配設された有機絶縁物と
を有することを特徴とする半導体装置。
【０３８２】
（付記２）
さらに、前記第１の有機絶縁物層上に配設された配線層と、
前記配線層を覆って配設された第２の有機絶縁物層と
を有することを特徴とする付記１記載の半導体装置。
【０３８３】
（付記３）
前記溝内に配設された有機絶縁物は、前記第１の有機絶縁物層を形成する有機絶縁物と同一の材料からなる
ことを特徴とする付記１の半導体装置。
【０３８４】
（付記４）
前記溝は、前記スクライブ領域上の前記多層配線層に並行して複数本設けられている
ことを特徴とする付記１記載の半導体装置。
【０３８５】
（付記５）
前記溝は、第１の溝と、
前記第１の溝から離間して、且つ前記半導体素子領域を囲繞する第２の溝と
からなり、
前記第２の溝内に配設された有機絶縁物は、前記半導体基板の側面に表出されている
ことを特徴とする付記１記載の半導体装置。
【０３８６】
（付記６）
前記多層配線層に含まれる層間絶縁層は、低誘電率絶縁物からなる
ことを特徴とする付記１記載の半導体装置。
【０３８７】
（付記７）
付記１乃至７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記有機絶縁物層、前記溝内の有機絶縁物は、
ポリイミド、ベンゾシクロブテン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、又は、ビスマレイミド樹脂を含む
ことを特徴とする半導体装置。
【０３８８】
（付記８）
半導体基板の主面上の複数の半導体素子領域のそれぞれに機能素子を形成する工程と、
前記半導体基板の前記主面上に多層配線層を形成する工程と、
前記半導体素子領域の周囲のスクライブ領域上の前記多層配線層に、前記半導体素子領域を囲繞し且つ前記多層配線層を貫く溝を形成する工程と、
前記多層配線層上及び前記溝の中に有機絶縁物層を形成する工程と、
前記半導体素子領域上の前記多層配線層を覆う有機絶縁物層と前記溝内に形成された有機絶縁物を分離する工程と、
前記スクライブ領域に於いて前記半導体基板を切断する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０３８９】
（付記９）
前記半導体素子領域の周囲のスクライブ領域上の前記多層配線層に、前記半導体素子領域を囲繞し且つ前記多層配線層を貫く溝を形成する工程において、
複数の溝を形成する
ことを特徴とする付記８記載の半導体装置の製造方法。
【０３９０】
（付記１０）
付記８記載の半導体装置の製造方法において、
前記有機絶縁物層は、ポジ型の感光性の有機絶縁物層であり、
前記半導体素子領域上の前記多層配線層を覆う前記有機絶縁物層と前記溝内に形成された前記有機絶縁物を分離する工程は、前記スクライブ領域内の前記第１の有機絶縁物層のうちの前記溝内を除く部分の前記有機絶縁物層を感光させる工程と、感光した部分の前記有機絶縁物層を現像により除去する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０３９１】
（付記１１）
付記８記載の半導体装置の製造方法において、
前記有機絶縁物層は、ポジ型の感光性の有機絶縁物層であり、
前記半導体素子領域上の前記多層配線層を覆う前記有機絶縁物層と前記溝内に形成された前記有機絶縁物を分離する工程は、前記スクライブ領域のうちの前記溝が形成された領域を除く領域を感光させる工程と、感光した部分の前記有機絶縁物層を現像により除去する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０３９２】
（付記１２）
付記８記載の半導体装置の製造方法において、
前記有機絶縁物層は、ネガ型の感光性の有機絶縁物層であり、
前記半導体素子領域上の前記多層配線層を覆う前記有機絶縁物層と前記溝内に形成された前記有機絶縁物を分離する工程は、前記スクライブ領域のうちの前記溝が形成された領域を感光させる工程と、未感光の部分の前記有機絶縁物層を現像により除去する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０３９３】
（付記１３）
付記８記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体素子領域上の前記多層配線層を覆う前記有機絶縁物層と前記溝内に形成された前記有機絶縁物を分離する工程の後、前記半導体基板を切断する工程の前に、
前記半導体素子領域内の前記有機絶縁物層上に、前記多層配線層に電気的に接続された配線層を形成する工程と、
前記半導体基板上に、前記配線層を覆うように他の有機絶縁物層を形成する工程と、
前記スクライブ領域内の少なくとも一部の前記他の有機絶縁物層を除去する工程とを更に有し、
前記溝を形成する工程では、各々の前記スクライブ領域内に複数の前記溝を並行するように形成し、
前記スクライブ領域内の少なくとも一部の前記他の有機絶縁物層を除去する工程では、前記他の有機絶縁物層の周縁部が、前記複数の溝のうちの最も前記半導体素子領域に近接している溝よりも前記半導体素子領域側に位置するように、前記スクライブ領域内の前記他の有機絶縁物層を除去する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０３９４】
（付記１４）
付記８記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体素子領域上の前記多層配線層を覆う前記有機絶縁物層と前記溝内に形成された前記有機絶縁物を分離する工程の後、前記半導体基板を切断する工程の前に、
前記半導体素子領域内の前記有機絶縁物層上に、前記多層配線層に電気的に接続された配線層を形成する工程と、
前記半導体基板上に、前記配線層を覆うように他の有機絶縁物層を形成する工程と、
前記スクライブ領域内の少なくとも一部の前記他の有機絶縁物層を除去する工程とを更に有し、
前記半導体素子領域上の前記多層配線層を覆う前記有機絶縁物層と前記溝内に形成された前記有機絶縁物を分離する工程では、前記溝内の前記有機絶縁物層のうちの上部が除去され、
前記スクライブ領域内の少なくとも一部の前記他の有機絶縁物層を除去する工程では、前記溝内のうちの前記有機絶縁物層上の部分に前記他の有機絶縁物層が残存する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【０３９５】
１００，２００，３００，４００，５００…半導体装置
Ｉ…半導体素子領域
II…スクライブ領域
１…半導体基板
２…多層配線層
３…配線層
４…層間絶縁膜
５…表面保護層
６…有機絶縁物層
７…再配線層
１０…有機絶縁物層
１２…外部接続用端子
１３…溝
３１，３２，３４…フォトレジスト層
４１，４２，４３，４４，４５，４６，４７…露光用マスク
５１…ダイシングブレード
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路素子等、半導体装置の製造工程に於いては、シリコン（Ｓｉ）などの半導体基板の一方の主面に、所謂ウエハープロセスが適用されて、複数個の半導体素子（半導体チップ）が形成される。
【０００３】
個々の半導体素子は、トランジスタなどの能動素子、ならびに容量素子などの受動素子などの機能素子、及び複数の配線導体を具備し、当該配線導体により機能素子間が相互に接続されて、所望の電子回路が形成されている。
【０００４】
かかる半導体素子の形成後、当該半導体基板に於けるスクライブ領域に対してダイシング処理が施され、前記半導体素子は分割（個片化）される。
【０００５】
近時、電子機器の高機能化、高速動作化の要求に伴い、当該電子機器に搭載される半導体装置に於いては、より高集積化、高速動作化が図られている。
【０００６】
即ち、当該半導体装置を構成する半導体素子にあっては、高集積化を図る為に、前記能動素子ならびに受動素子などの機能素子は、より微細化が図られている。
【０００７】
一方、高速動作を得る為に、前記機能素子を相互に接続する配線層材料として銅（Ｃｕ）を主体とする材料が適用され、更に当該配線層の間を相互に絶縁する誘電体層（層間絶縁層）材料として、低誘電率を有する絶縁材料（所謂Ｌｏｗ−ｋ材）が適用されている。
【０００８】
しかしながら、配線層間の絶縁材料即ち層間絶縁材料として低誘電率を有する絶縁材料を用いて構成された多層配線構造は、前記ダイシング処理の際に機械的ダメージを受け、割れ及び／或いは剥離を生じ易い。
【０００９】
即ち、所謂ダイシングブレードを用いてのダイシング処理にあっては、当該ダイシングブレードの回転により、低誘電率を有する絶縁材料層は機械的ダメージを受けて、割れ及び／或いは剥離を生じ易い。
【００１０】
かかる絶縁材料層の割れ及び／或いは剥離は、水分の浸入を容易なものとし、半導体素子の信頼性を低下させる一因となってしまう。
【００１１】
この為、例えば特許文献１にあっては、電子回路が形成された領域とスクライブ領域との間に於いて、当該電子回路が形成された領域を囲繞し且つ層間絶縁材料として低誘電率を有する絶縁材料を用いて構成された多層配線構造を貫通する溝を形成し、当該溝内に電子回路が形成された領域から延在して配設された有機絶縁材が充填される構成が提案されている。
【００１２】
かかる溝の配設によって、前記電子回路が形成された領域に対する水分の浸入経路を実質的に長くしている。
【００１３】
当該特許文献１に示される構成と同様の構成について、特許文献２ならびに特許文献３などに於いても提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００７−３２９３９６号公報
【特許文献２】特開２００８−１３０８８０号公報
【特許文献３】特開２００８−１６６３５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
前述の如き、配線層間の絶縁材料即ち層間絶縁材料として低誘電率を有する絶縁材料を用いて構成された多層配線構造に於ける溝は、例えばレーザービームの照射により形成される。
【００１６】
そして、当該溝の外側、即ち電子回路が形成された領域とは反対側に於いて、スクライブ領域に対しダイシングブレードを用いてのダイシング処理が行われる。
【００１７】
即ち、スクライブ領域に於いては、前記多層配線構造に於ける低誘電率絶縁材料層及びその下に位置する半導体基板に対して、機械的なダイシング処理が施される。
【００１８】
この為、前記先行技術に開示される構成にあっても、ダイシング部と溝部との間に於ける比較的細幅の低誘電率絶縁材料層の剥離、或いは当該低誘電率絶縁材料層下に在る半導体基板の欠けなどを生じ易い。
【００１９】
また、当該先行技術に開示される構成にあっては、溝内に充填される有機絶縁材は、半導体素子形成領域から延在して配設されている。
【００２０】
この為、当該有機絶縁材と低誘電率絶縁材料層との界面に沿って、水分が半導体素子形成領域に浸入する可能性がある。
【００２１】
この様に、層間絶縁材料として低誘電率を有する絶縁材料を用いて構成された多層配線構造を有し、また電子回路が形成された領域とスクライブ領域との間に溝を配設し、当該溝内に有機絶縁材料が充填された半導体装置に於いて、前記低誘電率絶縁材料層の剥離、ならびに半導体基板の欠けなどを防止すると共に、電子回路が形成された領域への水分の浸透を防止することができる構造、ならびにその製造方法を得ることが必要である。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
実施形態の一観点によれば、複数の機能素子が配設された半導体素子領域が主面に形成された半導体基板と、前記半導体基板の前記主面上に配設された多層配線層と、前記多層配線層上に配設された第１の有機絶縁物層と、前記半導体素子領域を囲繞するスクライブ領域上の前記多層配線層を貫通した溝と、前記第１の有機絶縁物層とは離間して、前記溝内に配設された有機絶縁物とを有する半導体装置が提供される。
【００２３】
実施形態の他の観点によれば、半導体基板の主面上の複数の半導体素子領域のそれぞれに機能素子を形成する工程と、前記半導体基板の前記主面上に多層配線層を形成する工程と、前記半導体素子領域の周囲のスクライブ領域上の前記多層配線層に、前記半導体素子領域を囲繞し且つ前記多層配線層を貫く溝を形成する工程と、前記多層配線層上及び前記溝の中に有機絶縁物層を形成する工程と、前記半導体素子領域上の前記多層配線層を覆う有機絶縁物層と前記溝内に形成された有機絶縁物を分離する工程と、前記スクライブ領域に於いて前記半導体基板を切断する工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００２４】
本発明による半導体装置にあっては、半導体素子領域から離間し、且つ当該半導体素子領域を囲繞して、多層配線層を貫通する溝が配設され、当該溝内に前記半導体素子領域に配設された有機絶縁材とは離間して有機絶縁材が充填・配設されている。
【００２５】
また、前記多層配線層の側端部は、前記有機絶縁材により被覆されている。
【００２６】
これにより、半導体装置の周囲側面から半導体素子領域に至る沿面距離が増加し、当該半導体素子領域への水分の浸透が効果的に防止される。
【００２７】
また本発明による半導体装置の製造方法にあっては、前記溝内に充填された有機絶縁材部とその下方に在る半導体基板に対してダイシング処理を施すことから、前記多層配線層を構成する絶縁層の剥離・脱落などを生じない。
【００２８】
また、前記溝の存在により、スクライブ領域に対する視認性が高まり、ダイシング処理の際ダンシングブレードの位置合わせを容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第１の実施形態に於ける半導体装置の構造を示す平面図である。
【図２】第１の実施形態に於ける半導体装置の構造を示す断面図である。
【図３】第１の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図４】第１の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図５】第１の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図６】第１の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図７】第１の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その５）である。
【図８】第１の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その６）である。
【図９】第１の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その７）である。
【図１０】第１の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その８）である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に於ける半導体装置の構造を示す断面図である。
【図１２】第２の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図１３】第２の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図１４】第２の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図１５】第２の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図１６】本発明の第３の実施形態に於ける半導体装置の構造を示す断面図である。
【図１７】第３の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図１８】第３の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図１９】第３の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図２０】第３の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図２１】本発明の第４の実施形態に於ける半導体装置の構造を示す断面図である。
【図２２】第４の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図２３】第４の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図２４】第４の実施形態に於ける半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図２５】本発明の第５の実施形態に於ける半導体装置の構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
［第１の実施形態］
本発明による半導体装置の第１の実施形態について、その製造方法と共に説明する。
【００３１】
＜半導体装置＞
本発明の第１の実施の形態に於ける半導体装置１００を、図１及び図２に示す。
【００３２】
図１は、当該半導体装置１００の外部接続用端子が配設された面を示し、図２は、図１に於けるＸ−Ｘ断面を示している。
【００３３】
当該半導体装置１００に於いて、半導体基板１の一方の主面（上面）に於ける半導体素子領域（電子回路形成領域）Ｉには、トランジスタなどの能動素子、ならびに抵抗素子、容量素子などの受動素子が複数形成されている（図示せず）。
【００３４】
これらの能動素子ならびに受動素子などの機能素子は、当該半導体基板１上に形成された多層配線層２により相互に接続され、論理回路、増幅回路或いは記憶回路などの電子回路（図示せず）を形成している。
【００３５】
前記半導体基板１として、シリコン（Ｓｉ）或いはガリウム砒素（ＧａＡｓ）が適用される。そして、前記機能素子は、所謂ウエハープロセスにより、当該半導体基板１の一方の主面（上面）近傍に形成されている。
【００３６】
そして、かかる機能素子は、当該半導体基板１の一方の主面上に形成された多層配線層２によって相互に接続されている。
【００３７】
当該多層配線層２は、銅（Ｃｕ）或いはアルミニウム（Ａｌ）を主体とする導体からなる配線層３と、当該配線層３の間に配設される有機絶縁物或いは無機絶縁物からなる層間絶縁層４をもって形成されている。配線層の層数により異なるが、当該多層配線層２の厚さは、１０μｍ程度に及ぶ。
【００３８】
尚、図２に於いては、複数の配線層３が、それぞれ一本の実線をもって描かれているが、個々の配線層３は、絶縁層上に於いて、それぞれ電源線、接地線、ならびに信号線などに分割され、前記機能素子の部位に対応して、延在・配設されている（図示せず）。
【００３９】
ここで、多層配線層２は、配線層を流れる電気信号の高速化のため、銅（Ｃｕ）を主体とする導電層からなる配線層３と、有機絶縁物層からなる低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁層４を主体として形成されている。
【００４０】
当該低誘電率層間絶縁層４を構成する絶縁物としては、比誘電率が２．０〜４．０程の誘電体が用いられ、ＳｉＯＣ或いはＳｉＯＣＨなどが適用される。
【００４１】
尚、当該低誘電率層間絶縁層４を構成する絶縁物として、多孔質絶縁物或いは低誘電率無機絶縁物を適用することもできる。
【００４２】
積層配置された配線層３は、当該配線層材料と同様の材料から形成された導電性プラグにより相互に且つ選択的に接続されており、また前記機能素子と配線層との間も同様に導電性プラグにより接続されている（図示せず）。
【００４３】
そして、当該多層配線層２上には、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）膜からなる表面保護層（パッシベーション層）５ならびに有機絶縁物層６上に、所謂再配線層７が配設されている。
【００４４】
再配線層７は、当該有機絶縁物層６に設けられた開口８を介して、前記多層配線層２の表面部に配設された電極パッド９に接続されている。
【００４５】
更に、当該再配線層７上を覆って有機絶縁物層１０が配設され、当該有機絶縁物層１０上には当該有機絶縁物層１０に設けられた開口１１を介して、前記再配線層７に接続された外部接続用端子１２が配設されている。
【００４６】
前記有機絶縁物層６ならびに有機絶縁物層１０は、それぞれ厚さ４〜８μｍ程の感光性ポリイミドから形成され、有機絶縁物層１０は、半導体素子領域Ｉの周縁部に於いて、有機絶縁物層６の端部を被覆している。
【００４７】
また外部接続用端子１２はハンダ（半田）ボールからなり、高さ５０〜１５０μｍ程のバンプ形態を呈する。
【００４８】
そして、本第１の実施形態にあっては、有機絶縁物層６及び有機絶縁物層１０は、前記表面保護層５上にあって、当該半導体装置１００の周囲端部、即ちスクライブ領域II迄は延在して配設されていない。
【００４９】
即ち、前記有機絶縁物層に被覆された半導体素子領域Ｉの周囲に於けるスクライブ領域IIにあっては、当該有機絶縁物層６及び有機絶縁物層１０が被覆されず、前記低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁層４を含む多層配線層２の延在部を覆う表面保護層５が表出されている。
【００５０】
そして、当該スクライブ領域IIにあっては、表面保護層５及び低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁層４を貫通し、前記半導体基板１に至る深さを有する溝１３が二列に配設されている。
【００５１】
それぞれの溝１３内には、有機絶縁物が充填されている。
【００５２】
内側に、即ち半導体素子領域Ｉ側に位置する第１の溝１３ａは、当該半導体素子領域Ｉから離間し、且つ当該半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞して配設されている。
【００５３】
当該第１の溝１３ａは、５〜１５μｍ程の幅、ならびに２０〜３０μｍ程の深さを有し、多層配線層２を貫通して半導体基板１に達している。
【００５４】
そして、当該第１の溝１３ａ内には、感光性ポリイミドからなる有機絶縁物６ａが充填されている。
【００５５】
一方、第２の溝１３ｂは、前記第１の溝１３ａの外側に、即ち前記半導体素子領域Ｉからはより離間し、且つ当該半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞して配設されており、その一部が半導体基板１の側面と一致している。
【００５６】
そして、当該第２の溝１３ｂに充填された、感光性ポリイミドからなる有機絶縁物６ｂは、半導体基板１の側面に表出している。
【００５７】
即ち、当該半導体装置１００の側面に於いて、第２の溝１３ｂ及び当該第２の溝１３ｂに充填された有機絶縁物６ｂが表出している。
【００５８】
当該第２の溝１３ｂも、前記第１の溝１３ａと同様、２０〜３０μｍ程の深さを有し、多層配線層３を貫通して半導体基板１に達しているが、その一部が半導体素子１００の側面と一致することから、その幅（半導体装置１００の周縁に垂直な方向の幅）は、第１の溝１１ｂの幅よりも狭い。
【００５９】
そして、当該有機絶縁物６ａならびに有機絶縁物６ｂの上面は、前記表面保護層５の上面とほぼ同じ平面に位置している。
【００６０】
即ち、本第１の実施形態に於ける半導体装置１００にあっては、半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞し、且つ多層配線層２に於ける層間絶縁層４を貫通して半導体基板１に至る深さを有する溝１３が二重に配設され、更にそれぞれの溝１３内に有機絶縁物６が充填されている。
【００６１】
しかも、溝１３内に充填された有機絶縁物６は、前記半導体素子領域Ｉに於ける有機絶縁物層１０からは分離されている。
【００６２】
これにより、当該半導体装置１００の側面或いは縁部から半導体素子領域Ｉへの、半導体基板表面の沿面距離が大きく形成され、また溝１３内に充填された有機絶縁物６と層間絶縁層１０との界面が連続していないことから、当該半導体装置１００の側面或いは縁部から半導体素子領域Ｉへの水分の浸透が有効に防止・抑制される。
【００６３】
尚、第１の溝１３ａと第２の溝１３ｂは、その形成方法に起因して、半導体装置１００の四隅部では連続している。
【００６４】
しかしながら、その連続する部位は、溝１３の幅に対応する幅に限られ、当該連続する部位からの水分の浸透の可能性は極めて低い。
【００６５】
また、半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞し、且つ多層配線層２を貫通して半導体基板１に至る深さを有する溝１３が、二重に配設され、且つそれぞれの溝１３内に有機絶縁物６が充填されていることにより、ダイシング処理の際、機械的ストレスが半導体素子領域Ｉに加わることが防止・緩和される。
【００６６】
これにより、当該半導体素子領域Ｉに於いて多層配線構造を形成している低誘電率層間絶縁層４の剥離などを防止することができる。
【００６７】
更に、この様に、半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞する溝１３が二重に配設されることによって、ダイシング処理の対象となるスクライブ領域IIの確認が容易となる。
【００６８】
尚、かかる半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞する溝１３は、本第１の実施形態に於ける如く、二重に配設されることに限られるものではない。
【００６９】
当該半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞し、且つ多層配線層２を貫通して半導体基板１に至る深さを有する一つの溝を設けることによっても、半導体素子領域Ｉと半導体装置１００の側面或いは縁部との間に於いて層間絶縁層４が分離される。
【００７０】
そして、当該溝１３内に、半導体素子領域Ｉに於ける有機絶縁物層１０からは分離して有機絶縁物６を充填して配置する。
【００７１】
これにより、ダイシング処理の際、機械的ストレスが半導体素子領域Ｉへ加わることを緩和・抑制することができ、また半導体素子領域Ｉへの水分の浸透を防止・抑制することができる。
【００７２】
勿論、本発明思想にあっては、前記溝１３が三重以上に配設されることを制限するものではない。
【００７３】
＜半導体装置の製造方法＞
前記本第１の実施形態に於ける半導体装置１００の製造方法について、図３乃至図１０を用いて説明する。
【００７４】
当該図３乃至図１０にあっては、一つの半導体基板１に於いて、当該半導体基板１に形成された二つの半導体素子領域Ｉと、当該二つの半導体素子領域Ｉの間に設けられるスクライブ領域IIの断面を示している。
【００７５】
即ち、此処では、スクライブ領域IIと、その両側に位置する二つの半導体素子領域Ｉ−Ａ，I−Ｂそれぞれの一部を示している。
【００７６】
尚、図３乃至図１０に於いても、複数の配線層３が、それぞれ一本の実線をもって描かれているが、個々の配線層３は、各半導体素子領域Ｉの絶縁層上にあって、それぞれ電源線、接地線、ならびに信号線などに分割され、前記機能素子の部位に対応して、延在・配設される。
【００７７】
また、各配線層間は、図示されていない層間接続部を介して相互に接続される。
【００７８】
前述の如く、当該半導体基板１にあっては、所謂ウエハープロセス工程が適用されて、当該半導体基板１の一方の主面（上面）に於ける複数個の半導体素子領域（電子回路形成領域）Ｉに、それぞれ、トランジスタなどの能動素子ならびに抵抗素子、容量素子などの受動素子が複数形成される（図示せず）。
【００７９】
そして、当該能動素子ならびに受動素子などの機能素子は、半導体基板１上に形成された多層配線層２により相互に接続され、論理回路、増幅回路、或いは記憶回路などの電子回路（図示せず）が形成される。
【００８０】
当該多層配線層２は、導電層を流れる電気信号の高速化のため、銅（Ｃｕ）を主体とする導電層からなる配線層３と、有機絶縁層からなる低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁層４を主体として形成されている。
【００８１】
当該低誘電率層間絶縁層４を構成する絶縁層としては、比誘電率が２．０〜４．０程の誘電体である、ＳｉＯＣ或いはＳｉＯＣＨなどが適用される。
【００８２】
尚、当該低誘電率層間絶縁層４を構成する絶縁物として、多孔質絶縁物或いは低誘電率無機絶縁物を適用することもできる。
【００８３】
積層された配線層３の間は、当該配線層材料と同様の材料から形成された導電性プラグにより相互に且つ選択的に接続されており、また前記機能素子と配線層との間も同様に導電性プラグにより接続されている（図示せず）。
【００８４】
そして、前記多層配線層２上に、例えばＣＶＤ法（化学的気相成長法）により、無機絶縁材料からなる表面保護層５が形成される。
【００８５】
当該表面保護層５としては、厚さ１μｍ程の、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）膜を適用する。
【００８６】
しかる後、所謂フォトリソグラフィ技術を適用して、前記表面保護層５に、多層配線層２に於いて最上層に配置された電極パッド９を表出する開口２１が形成される（図３（ａ）参照）。
【００８７】
かかる工程は、通常、前記ウエハープロセス工程に於いて実施される。
【００８８】
本第１の実施形態にあっては、次いで、前記開口２１を含む表面保護層５上に、フォトレジスト層３１を形成する（図３（ｂ）参照）。
【００８９】
当該フォトレジスト層３１は、回転塗布法により被着される。
【００９０】
当該フォトレジスト層３１は、後述する如く、レーザービームの照射により溝を形成する際に、半導体素子領域Ｉなどへの異物の付着を防止する。
【００９１】
本第１の実施形態にあっては、次いで、選択的にレーザービーム（図示せず）を照射することにより、前記スクライブ領域IIに於ける多層配線層２に、溝１３を複数本形成する。
【００９２】
当該レーザービームは、スクライブ領域IIの幅方向の両端側近傍に於いて、各半導体素子領域Ｉの周縁に沿って、直線状に２条（２行）照射される。
【００９３】
即ち、当該レーザービームは、半導体基板１の一方の主面に於いて、横方向（Ｘ方向）ならび縦方向（Ｙ方向）に直線状に並ぶ複数の半導体素子領域Ｉに沿って、スクライブ領域IIの幅方向の両端側近傍に直線状に照射される。
【００９４】
当該レーザービームにより形成される溝１３は、前記表面保護層５、多層配線層２を貫き、半導体基板１に迄至る深さに形成される。
【００９５】
当該多層配線層２の有する厚さにより異なるが、その深さは２０μを越えるものとなる。
【００９６】
また当該溝１３それぞれの幅は、１５μｍ以下、例えば７μｍ程とされる。
【００９７】
かかるレーザービームの照射の際、前記表面保護層５を構成する部材或いは多層配線層２を構成する部材などが溶融し、飛散するが、これらは前記フォトレジスト層３１の表面に飛着し固定される。
【００９８】
しかる後、当該フォトレジスト層３１を除去することにより、前記スクライブ領域Ｂに於ける多層配線層２に複数の溝１３（１３ａ、１３ｂ）が配設された状態が得られる（図４（ａ）参照）。
【００９９】
即ち、個々の半導体素子領域Ｉは、それぞれ、その周囲が二重の溝１３ａ、１３ｂにより囲繞される。
【０１００】
尚、当該溝１３の形成の際、フォトレジスト層３１の表面に飛着した飛散物は、当該フォトレジスト層３１と共に除去される。
【０１０１】
本第１の実施形態にあっては、次いで、前記溝１３（１３ａ、１３ｂ）内、及び開口２１内を含む表面保護層５上に、有機絶縁物層６を形成する。
【０１０２】
即ち、当該有機絶縁物層６は、半導体素子領域Ｉならびにスクライブ領域II上を被覆して、配設される。
【０１０３】
当該有機絶縁物層６は、回転塗布法により被着される。
【０１０４】
当該有機絶縁物層６は、ポジ型の感光性を有するポリイミドから形成され、前記表面保護層５上に於いて、４μｍ〜８μｍの厚さをもって形成されると共に、前記二つの溝１３ａ、１３ｂ内に充填される（図４（ｂ）参照）。
【０１０５】
次いで、前記有機絶縁物層６上に、露光用マスク４１を配置する。
【０１０６】
当該露光用マスク４１に於けるマスク層には、前記スクライブ領域Ｂに対応する開口部４１ａと、半導体素子領域Ａに於ける電極パッド９に対応する開口部４１ｂが配設されている。
【０１０７】
尚、ここでは当該露光用マスク４１に於けるマスク層のみを示しているが、当該マスク層は図示されない透明基板の表面に配設され、支持されている。
【０１０８】
そして、当該露光用マスク４１を通して前記有機絶縁物層６に露光処理を行う（図５（ａ）参照）。
【０１０９】
当該露光処理の後、現像処理を行うことにより、前記スクライブ領域II上の有機絶縁物層６が選択的に除去されると共に、半導体素子領域Ｉに於ける電極パッド９に対応する開口８が形成される。
【０１１０】
スクライブ領域II上の有機絶縁物層６が除去されるが、当該スクライブ領域II内に配設されているところの溝１３ａ、１３ｂ内に充填された有機絶縁物６ａ，６ｂは、当該溝１３ａ、１３ｂを埋めた状態をもって残存する（図５（ｂ）参照）。
【０１１１】
当該溝１３ａ、１３ｂ内に充填された有機絶縁物６ａ，６ｂは、当該溝１３ａ、１３ｂ内へ照射される光の強度が低下して、十分な露光がなされないことにより残される。
【０１１２】
即ち、溝１３ａ、１３ｂ内への有機絶縁物６ａ，６ｂの残存を可能とする為に、表面保護層５上に於ける有機絶縁物層６の厚さ、露出している多層配線構造部の厚さ、ならびに露光量などが選択される。
【０１１３】
しかる後、前記表面保護層５、露出している多層配線層２、ならびに露出している有機絶縁物層６を覆って、チタン（Ｔｉ）層を形成する。
【０１１４】
当該チタン（Ｔｉ）層は、スパッタリッグ法により、厚さ５０ｎｍ〜１００ｎｍ程に被着される。
【０１１５】
そして、当該チタン（Ｔｉ）層上に、銅（Ｃｕ）層を形成する。
【０１１６】
当該銅（Ｃｕ）層は、スパッタリッグ法により、厚さ４００ｎｍ〜７００ｎｍ程に被着される。
【０１１７】
これにより、銅（Ｃｕ）層／チタン（Ｔｉ）層からなる金属層１４が形成される。（図６（ａ）参照）
しかる後、前記金属層１４に於ける銅（Ｃｕ）層上に、フォトレジスト層３２を形成する。
【０１１８】
当該フォトレジスト層３２は、回転塗布法により被着される。
【０１１９】
そして、当該フォトレジスト層３２に対し、前記半導体素子領域Ｉに於ける電極パッド９に対応して有機絶縁物層６に形成された開口８に対応する領域を含む開口３３を形成する。
【０１２０】
当該フォトレジスト層３２に対する開口３３の形成は、所謂フォトリソグラフィ技術をもって実施される。
【０１２１】
尚、此処では、当該開口３３を形成するための露光用マスクを示すことを省略する。
【０１２２】
そして、当該フォトレジスト層３２をマスクとし、前記銅（Ｃｕ）層／チタン（Ｔｉ）層からなる金属層１４を負電極とする電気めっき（電解めっき）法によって、当該フォトレジスト層３２に被覆されていない銅（Ｃｕ）層上に、銅（Ｃｕ）配線層７を形成する（図６（ｂ）参照）。
【０１２３】
当該銅（Ｃｕ）配線層７は、再配線層とも称せられ、厚さ３〜５μｍ程に形成される。
【０１２４】
しかる後、前記フォトレジスト層３２を除去する。
【０１２５】
次いで、前記銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７をマスクとして、前記銅（Ｃｕ）層／チタン（Ｔｉ）層からなる金属層１４をエッチング除去し、各銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を独立せしめる（図７（ａ）参照）。
【０１２６】
かかるエッチング処理の際、銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７も若干エッチングされるが、その厚さは当該銅（Ｃｕ）層／チタン（Ｔｉ）層からなる金属層１４の厚さに比べ十分厚く、特段の問題は生じない。
【０１２７】
しかる後、前記表面保護層５上、露出している多層配線層２上、露出している有機絶縁物層６ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を覆って、第２の有機絶縁物層１０を形成する。
【０１２８】
当該第２の有機絶縁物層１０も、ポジ型の感光性を有するポリイミドから形成され、その厚さは４μｍ〜８μｍとされる（図７（ｂ）参照）。
【０１２９】
当該有第２の有機絶縁物層１０も、回転塗布法によって被着される。
【０１３０】
当該第２の有機絶縁物層１０は、半導体装置１００に於いて、半導体素子形成領域Ｉを封止する部材となる。
【０１３１】
次いで、前記第２の有機絶縁物層１０上に、露光用マスク４２を配置する。
【０１３２】
当該露光用マスク４２に於けるマスク層には、前記スクライブ領域IIに対応する開口部４２ａと、銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）に於ける電極パッドに対応する開口部４２ｂが設けられている。
【０１３３】
尚、ここでは当該露光用マスク４２に於けるマスク層のみを示しているが、当該マスク層は図示されない透明基板の表面に配設され、支持されている。
【０１３４】
そして、当該露光用マスク４２を介して、第２の有機絶縁物層１０に対し露光処理を行う（図８（ａ）参照）。
【０１３５】
当該露光処理の後、現像処理を行うことにより、前記第２の有機絶縁物層１０は選択的に除去され、前記銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７に於ける電極パッド上に開口１１が形成される。
【０１３６】
また、前記スクライブ領域II上の第２の有機絶縁物層１０も除去される。
【０１３７】
この時、当該スクライブ領域II内に配設されている溝１３ａ、１３ｂ内に充填されている有機絶縁物６ａ，６ｂは、当該溝１３内を埋めた状態をもって残存する。
【０１３８】
また、当該有機絶縁層１０は、半導体素子領域Ｉの周縁部に於いて、有機絶縁物層６の端部を被覆した状態に残される（図８（ｂ）参照）。
【０１３９】
次いで、前記表面保護層５上、露出している多層配線層２上、露出している有機絶縁物層６、第２の有機絶縁物層１０、ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を覆って、チタン（Ｔｉ）層を形成する。
【０１４０】
当該チタン（Ｔｉ）層は、スパッタリッグ法により、厚さ５０ｎｍ〜１００ｎｍ程に被着される。
【０１４１】
そして、当該チタン（Ｔｉ）層上に、銅（Ｃｕ）層を形成する。
【０１４２】
当該銅（Ｃｕ）層は、スパッタリッグ法により、厚さ１５０ｎｍ〜３５０ｎｍ程に被着される。
【０１４３】
更に、当該銅（Ｃｕ）層上に、ニッケル（Ｎｉ）層を形成する。
【０１４４】
当該ニッケル（Ｎｉ）層は、スパッタリッグ法により、厚さ５μｍ程に被着される。
【０１４５】
即ち、ニッケル（Ｎｉ）層／銅（Ｃｕ）層／チタン（Ｔｉ）層の積層体からなる金属層１５が形成される（図９（ａ）参照）。
【０１４６】
次いで、当該金属層１５上にフォトレジスト層３４を形成する。
【０１４７】
そして、フォトリソグラフィ技術により、前記銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）に於ける電極パッドに対応する開口部１１に対応して、開口３５を形成する（図９（ｂ）参照）。
【０１４８】
当該フォトレジスト層３４に対する開口３５の形成は、所謂フォトリソグラフィ技術をもって実施される。
【０１４９】
尚、此処では、当該開口３５を形成するための露光用マスクを示すことを省略する。
【０１５０】
次いで、前記金属層１５を負電極とする電気めっき（電解めっき）法によって、当該フォトレジスト層３４に被覆されていない金属層１５上に、はんだ層１２ｓを比較的厚く被着する（図９（ｂ）参照）。
【０１５１】
図示される様に、当該はんだ層１２ｓは、その一部がフォトレジスト層３４上にまで延在して被着される。
【０１５２】
当該はんだ層１２ｓを構成するはんだ材としては、所謂無鉛はんだ（鉛フリーはんだ）を適用する。
【０１５３】
当該めっき処理後、前記フォトレジスト層３４を除去する。
【０１５４】
しかる後、前記はんだ層１２ｓをマスクとして、表出している前記金属層（ニッケル（Ｎｉ）層／銅（Ｃｕ）層／チタン（Ｔｉ）層の積層体）１５を選択的に除去する。
【０１５５】
次いで、当該はんだ層１２ｓに対し再溶融（リフロー）処理を施して、当該はんだ層１２ｓをほぼ球状を呈するものに変換し、外部接続用端子１２を形成する（図１０（ａ）参照）。
【０１５６】
当該リフロー処理は、半導体基板１をリフロー炉と称される加熱炉（図示せず）に収容して、実施される。
【０１５７】
次いで、当該半導体基板１をダイシング装置のテーブル上に載置・固定し、回転するダイシングブレード５１を適用したダイシング処理（個片化処理）を実施する。
【０１５８】
尚、かかるダイシング処理に先立って、半導体基板１の裏面（電子回路非形成面）には、所謂ダイシングテープが貼り付けられる（図示せず）。
【０１５９】
かかるダイシング処理に於いて、ダイシングブレード５１の板厚（刃厚）ｔは、スクライブ領域IIに於ける外側の溝、即ち二つの半導体素子領域間に於けるスクライブ領域IIの中央からみて内側に配設されている二つの溝１３ｂに対し、それぞれの溝１３ｂの略中央部の間に跨がる厚さが選択される（図１０（ｂ）参照）。
【０１６０】
尚、当該図１０（ｂ）に於いては、ダイシングブレード５１の要部断面形状を、破線をもって示している。
【０１６１】
従って、当該ダイシングブレード５１は、スクライブ領域IIの中央からみて内側に配設されている二つの溝１３ｂの内部に配設された有機絶縁物層６ｂと、当該溝１３ｂの下部に在る半導体基板１とを切断する。
【０１６２】
かかるダイシング処理の結果、個片化された半導体装置１００に於ける半導体基板１の周囲側面には、第２の溝１３ｂに充填された感光性ポリイミドからなる有機絶縁物６ｂが表出される。
【０１６３】
即ち、当該半導体装置１００の側面に於いて、第２の溝１３ｂ及び当該第２の溝１３ｂに充填された有機絶縁物６ｂが表出する。
【０１６４】
そして、かかるダイシング処理にあっては、スクライブ領域IIに於ける低誘電率絶縁体を含む多層配線構造部が、当該ダイシングブレード５１によって切断されることが生ぜず、従って、当該多層配線層２に於ける層間絶縁層４の剥離などが生じない。
【０１６５】
かかるダイシング処理の際、スクライブ領域IIには平行する４本の溝１３があり、それぞれの溝１３内には有機絶縁物６が充填されていることから、当該スクライブ領域IIの視認性は高く、ダイシングブレード５１の位置合わせを容易に、且つ高い精度をもって行うことができる。
【０１６６】
また、当該ダイシング処理の際、ダイシングブレード５１により大きな圧力が加わるが、当該圧力は、二つの溝１３ａ，１３ｂ内に充填されている有機絶縁物６ａ，６ｂによって吸収・緩和され、半導体素子領域Ｉに対して大きな圧力が加えられることがない。
【０１６７】
かかるダイシング処理によって個片化された半導体装置１００は、前記図２に示す断面構造を有する。
【０１６８】
当該半導体装置１００に於いて、その周囲側面には、半導体素子領域Ｉからみて外側に配設されている溝１３ｂの内部に配設された有機絶縁物層６ｂと、当該有機絶縁物層６ｂの下部に在る半導体基板１が表出されている。
【０１６９】
即ち、かかる構造にあっては、半導体装置１００の周囲側面には低誘電率絶縁体を含む多層配線構造部は表出されておらず、もって当該多層配線構造部に於ける層間絶縁層４の剥離などを招来しない。
【０１７０】
また、これにより、半導体装置の周囲側面から半導体素子領域に至る沿面距離が増加し、当該半導体素子領域への水分の浸透が効果的に防止される。
［第２実施形態］
本発明による半導体装置の第２の実施形態について、その製造方法と共に説明する。
【０１７１】
＜半導体装置＞
本発明の第２の実施の形態に於ける半導体装置２００を、図１１に示す。尚、図１１は、前記図２に示す部位に対応する箇所の断面を示している。
【０１７２】
図示される如く、半導体装置２００に於いても、複数の配線層３が、それぞれ一本の実線をもって描かれているが、個々の配線層３は、半導体素子領域Ｉの絶縁層上に於いて、それぞれ電源線、接地線、ならびに信号線などに分割され、前記機能素子の部位に対応して、延在・配設されている。
【０１７３】
また、各配線層間は、図示されていない層間接続部を介して相互に接続されている。
【０１７４】
当該第２の実施の形態に於ける半導体装置２００は、半導体素子領域Ｉを囲繞する溝部に配設される有機絶縁物層の配設形態が、前記第１の実施の形態に於ける半導体装置１００と異なっている。
【０１７５】
従って、第２の実施の形態に於ける半導体装置２００に於いて、前記第１の実施の形態に於ける半導体装置１００に対応する部位には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【０１７６】
本第２の実施の形態に於ける半導体装置２００にあっては、半導体素子領域Ｉの周囲に配設された第１の溝１３ａ内に充填された有機絶縁物６ａならびに第２の溝１３ｂ内に充填された有機絶縁物６ｂ上に、積層された有機絶縁物からなる有機絶縁物層２６が配設されている。
【０１７７】
そして、両溝上に於ける有機絶縁物層２６は、当該第１の溝１３ａと第２の溝１３ｂとの間に位置する多層配線層２上を被覆して、即ち所定の幅をもって帯状に一体化されて、半導体素子領域Ｉを囲繞している。
【０１７８】
当該有機絶縁物層２６は、前記半導体素子領域Ｉ上に配設された有機絶縁物層１０からは離間し、且つ当該半導体素子領域Ｉを囲繞して配設されている。
【０１７９】
そして、半導体基板１の側面と連続する側面を有している。
【０１８０】
即ち、本第２の実施形態に於ける半導体装置２００にあっても、半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞し、且つ多層配線層２を貫通して半導体基板１に至る深さを有する溝１３が、二重に配設され、更に当該溝１３内に有機絶縁物が充填されている。
【０１８１】
当該二重の溝１３ａ，溝１３ｂは、それぞれ多層配線層２を貫通して半導体基板１に達している。
【０１８２】
これにより、当該半導体装置２００の側面或いは縁部から半導体素子領域Ｉへの、半導体基板表面の沿面距離が大きく形成され、また有機絶縁物６と層間絶縁層２との界面が連続しておらず、当該側面或いは縁部から半導体素子領域Ｉへの水分の浸透を有効に抑制・防止することができる。
【０１８３】
また、半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞し、且つ多層配線層２を貫通して半導体基板１に至る深さを有する溝１３が二重に配設され、当該溝１３ａ内に有機絶縁物６ａが、溝１３ｂ内に有機絶縁物６ｂが充填されていることにより、ダイシング処理の際、機械的ストレスが半導体素子領域Ｉへ加わることが緩和・防止される。
【０１８４】
これにより、当該半導体素子領域Ｉに於いて多層配線構造を形成している低誘電率層間絶縁層４の剥離などを防止することができる。
【０１８５】
更に、半導体素子領域上に配設された有機絶縁物層からは離間して配設され、帯状に一体化された有機絶縁物層２６の存在により、スクライブ領域IIを容易に確認することができる。
【０１８６】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、本第２の実施形態に於ける半導体装置２００の製造方法について、図１２乃至図１５を用いて説明する。
【０１８７】
此処では、スクライブ領域IIと、その両側に位置する二つの半導体素子領域Ｉ−Ａ，I−Ｂそれぞれの一部を示している。
【０１８８】
本第２の実施形態に於ける半導体装置２００の製造方法に於いては、二つの溝１３ａ、１３ｂの間を含む幅をもってマスクを配置し、有機絶縁物層６に対して露光処理を行う。
【０１８９】
半導体基板１の一方の主面に、複数個の半導体素子領域Ｉを形成し、当該半導体素子領域Ｉ間に在るスクライブ領域IIに於ける多層配線構造部に対し複数の溝を形成する工程は、前記第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。
【０１９０】
当該溝は、スクライブ領域の幅方向の両端側近傍に於いて、各半導体素子領域の周縁に沿って、線状に２条（２行）形成される。
【０１９１】
次いで、前記溝１３、開口８を含む表面保護層５上に、有機絶縁物層６を形成する。
【０１９２】
当該有機絶縁物層６は、回転塗布法により被着される。
【０１９３】
当該有機絶縁物層６は、ポジ型の感光性を有するポリイミドから形成され、前記溝１３内に充填されると共に、表面保護層５上に於いて、４μｍ〜８μｍの厚さをもって形成される。
【０１９４】
しかる後、前記有機絶縁物層６上に露光用マスク４３を配置する。
【０１９５】
当該露光用マスク４３に於けるマスク層には、前記スクライブ領域IIに対応する開口部４３ａと、二つの溝と半導体素子領域Ｉとの間に跨がる開口部４３ｂ、ならびに当該半導体素子領域Ｉに於ける電極パッド９に対応する開口部４３ｃが設けられている。
【０１９６】
尚、ここでは当該露光用マスク４３に於けるマスク層のみを示しているが、当該マスク層は図示されない透明基板の表面に配設され、支持されている。
【０１９７】
そして、当該露光用マスク４３を通して、前記有機絶縁物層６に露光処理を行う（図１２（ａ）参照）。
【０１９８】
当該露光処理の後、現像処理を行うことにより、前記有機絶縁物層６は選択的に除去され、前記スクライブ領域II上の有機絶縁物層６も除去される。
【０１９９】
この時、当該スクライブ領域II内に配設されているところの二つの溝１３ａ，１３ｂ内に充填された有機絶縁物層６は、当該溝を埋めた状態をもって残されると共に、当該二つの溝の間に在る多層配線構造部上にも残され、帯状に一体化されて、半導体素子領域Ｉを囲繞する。
【０２００】
当該帯状に一体化された有機絶縁物層６ｓは、半導体素子領域Ｉに於ける有機絶縁物層６から離間して配設される。
【０２０１】
また、半導体素子領域Ｉに於いて、電極パッド９を覆う有機絶縁物層６には、開口８が形成される（図１２（ｂ）参照）。
【０２０２】
しかる後、前記第１の実施の形態に於ける製造方法と同様の方法により、当該有機絶縁物層６上に、銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を形成する（図１３（ａ）参照）。
【０２０３】
次いで、前記第１の実施の形態に於ける製造方法と同様の方法により、前記表面保護層５上、露出している多層配線構造部上、露出している有機絶縁物層６上ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７上を覆って、第２の有機絶縁物層１０を形成する（図１３（ｂ）参照）。
【０２０４】
当該第２の有機絶縁物層１０も、ポジ型の感光性を有するポリイミド層から構成される。
【０２０５】
しかる後、前記有機絶縁物層１０上に、露光用マスク４４を配置する。
【０２０６】
当該露光用マスク４４に於けるマスク層には、前記スクライブ領域IIに対応する開口部４４ａ、当該スクライブ領域と半導体素子領域Ｉの間に於ける開口部４４ｂ、ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７に於ける電極パッドに対応する開口部４４ｃが設けられている。
【０２０７】
尚、ここでは当該露光用マスク４４に於けるマスク層のみを示しているが、当該マスク層は図示されない透明基板の表面に配設され、支持されている。
【０２０８】
そして、当該露光用マスク４４を通して、第２の有機絶縁物層１０に露光処理を行う（図１４（ａ）参照）。
【０２０９】
当該露光処理の後、現像処理を行うことにより、前記第２の有機絶縁物層１０は選択的に除去され、前記銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７に於ける電極パッド上に開口１１が形成される。
【０２１０】
前記スクライブ領域II上の有機絶縁物層も除去されるが、当該スクライブ領域IIに内に配設されているところの溝１３内に充填され、二つの溝の間に在る多層配線構造部上にも残されて帯状に一体化された有機絶縁物層６ｓ、ならびに当該有機絶縁物層６ｓ上に配設された第２の有機絶縁物層１０ｓは積層状態をもって残存する。
【０２１１】
一方、半導体素子領域Ｉにあっては、有機絶縁物層６の端部を覆って、第２の有機絶縁物層１０が配設される。
【０２１２】
当該半導体素子領域Ｉに於ける第２の有機絶縁物層１０と、スクライブ領域IIに於いて溝１３を充填して配設された有機絶縁物層６ｓと有機絶縁物層１０ｓの積層構造部２６とは離間している（図１４（ｂ）参照）。
【０２１３】
しかる後、前記表面保護層５上、露出している多層配線構造部上、露出している有機絶縁物層６、第２の有機絶縁物層１０ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を覆って、ニッケル（Ｎｉ）層／銅（Ｃｕ）層／チタン（Ｔｉ）層の積層体からなる金属層１５を形成する。
【０２１４】
そして、電気めっき（電解めっき）法を適用して、当該金属層１５上にはんだ層１２ｓを比較的厚く被着する。当該はんだ層１２ｓは、所謂無鉛はんだ（鉛フリーはんだ）をもって形成する。
【０２１５】
当該はんだ層１２ｓをリフローすることにより、その形状をほぼ球状を呈するものに変換して、外部接続用端子１２を形成する（図１５（ａ）参照）。
【０２１６】
しかる後、当該半導体基板１に対し、ダイシングブレード５１を適用したダイシング処理（個片化処理）を実施する。
【０２１７】
かかるダイシング処理に於いても、ダイシングブレード５１の板厚（刃厚）ｔは、前記半導体素子２００に於ける外側の溝１３ｂ、即ち二つの半導体素子領域Ｉの間に於けるスクライブ領域IIの中央からみて内側に配設されている二つの溝１３ｂに対し、それぞれの溝１３ｂの略中央部の間に跨がる厚さが選択される（図１５（ｂ）参照）。
【０２１８】
尚、当該図１５（ｂ）に於いては、ダイシングブレード５１の要部断面形状を、破線をもって示している。
【０２１９】
従って、当該ダイシングブレード５１は、有機絶縁物６ｓと無機絶縁層１０ｓとの積層部２６、スクライブ領域IIの中央からみて内側に配設されている二つの溝１３ｂの内部に配設された有機絶縁物層６ｂ、及び当該溝１３ｂの下部に在る半導体基板１とを切断することとなる。
【０２２０】
かかるダイシング処理の結果、個片化された半導体装置２００に於ける半導体基板１の周囲側面には、第２の溝１３ｂに充填された感光性ポリイミドからなる有機絶縁物６ｂ，有機絶縁物１０ｓの積層部が表出される。
【０２２１】
即ち、当該半導体装置２００の側面に於いて、第２の溝１３ｂ及び当該第２の溝１３ｂに充填された有機絶縁物６ｂと有機絶縁物１０ｓとの積層部２６が表出する。
【０２２２】
この時、当該スクライブ領域IIに於ける低誘電率絶縁体を含む多層配線構造部が、当該ダイシングブレード５１によって切断されることが生ぜず、従って、当該多層配線構造部に於ける層間絶縁層４の剥離などは生じない。
【０２２３】
かかるダイシング処理の際、スクライブ領域IIには、半導体基板１に於いて帯状に一体化された有機絶縁物層２６が存在することから、当該スクライブ領域IIの視認性は高く、ダイシングブレード５１の位置合わせを容易に、高い精度をもって行うことができる。
【０２２４】
また、当該ダイシング処理の際、ダイシングブレード５１により大きな圧力が加わるが、当該圧力は、二つの溝１３ａ，１３ｂのそれぞれに充填された有機絶縁物６ｂ、ならびに積層された有機絶縁物層２６によって吸収・緩和され、半導体素子領域Ｉに対して大きな圧力が加えられることはない。
【０２２５】
かかるダイシング処理によって個片化された半導体装置２００は、前記図１１に示す断面構造を有する。
【０２２６】
この様な製造方法に於いては、スクライブ領域II内に配設されているところの二つの溝内に充填された有機絶縁物層６ａ，６ｂは、当該溝を埋めた状態をもって残される。
【０２２７】
また当該溝を埋めた有機絶縁物層６上には、当該二つの溝間の多層配線構造部上に延在する有機絶縁物層２６が一体に残され、帯状に半導体素子領域を囲繞する。
【０２２８】
かかる構造に於いても、ダイシングブレードを適用したダイシング処理の際、半導体装置の周囲側面には低誘電率絶縁体を含む多層配線構造体は表出されず、当該多層配線構造体に於ける層間絶縁層の剥離などを招来しない。
［第３実施形態］
本発明による半導体装置の第３の実施形態について、その製造方法と共に説明する。
【０２２９】
＜半導体装置＞
本発明の第３の実施の形態に於ける半導体装置３００を、図１６に示す。尚、図１６は、前記図２に対応する箇所の断面を示している。
【０２３０】
図示される如く、半導体装置３００に於いても、複数の配線層３が、それぞれ一本の実線をもって描かれているが、個々の配線層３は、半導体素子領域Ｉの絶縁層上に於いて、それぞれ電源線、接地線、ならびに信号線などに分割され、前記機能素子の部位に対応して、延在・配設されている。
【０２３１】
また、各配線層間は、図示されていない層間接続部を介して相互に接続されている。
【０２３２】
当該第３の実施の形態に於ける半導体装置３００も、半導体素子領域Ｉを囲繞する溝部に配設される有機絶縁物層の配設形態が、前記第１の実施の形態に於ける半導体装置１００と異なっている。
【０２３３】
従って、第３の実施の形態に於ける半導体装置３００に於いて、前記第１の実施の形態に於ける半導体装置１００に対応する部位には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【０２３４】
本第３の実施の形態に於ける半導体装置３００にあっては、前記第１の溝１３ａ内ならびに第２の溝１３ｂ内に充填された有機絶縁物６ａ，６ｂ上に、有機絶縁物層６ｓ，有機絶縁物層１０ｓが積層状態をもって配設されている。
【０２３５】
そして、溝１３ａならびに溝１３ｂ上に於ける有機絶縁物層６ｓと有機絶縁物層１０ｓの積層体は、当該溝１３の有する幅に対応する幅をもって帯状に配設され、半導体素子領域Ｉを二重に囲繞している。
【０２３６】
即ち、半導体素子領域Ｉ側の溝１３ａ上に配設された積層有機絶縁物層２６ａは、当該半導体素子領域Ｉ上に配設された有機絶縁物層からは離間し、且つ当該半導体素子領域Ｉを囲繞して配設されている。
【０２３７】
一方、他方の溝１３ｂ上に配設された積層有機絶縁物層２６ｂは、半導体素子領域側Ｉに配設された積層有機絶縁物層２６ａからは離間し、且つ半導体素子領域Ｉを囲繞して配設されている。
【０２３８】
そして、当該半導体基板１の側面と連続する側面を有している。
【０２３９】
即ち、本第３の実施形態に於ける半導体装置３００にあっても、半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞し、且つ多層配線層２に於ける層間絶縁層４を貫通して半導体基板１に至る深さを有する溝１３が、二重に配設され、更に当該溝１３内に有機絶縁物６が充填されている。
【０２４０】
当該二重の溝１３ａ，溝１３ｂは、それぞれ多層配線層２を貫通して半導体基板１に達している。
【０２４１】
そして、当該溝１３ａ，１３ｂ内には、感光性ポリイミドからなる有機絶縁物６ａが充填されている。
【０２４２】
溝１３ａ内に充填された有機絶縁物６ａは、所定の高さをもって多層配線層２から突出して有機絶縁物層６ｓを構成し、その上面に有機絶縁物層１０ｓが積層配置され、積層有機絶縁物層２６ａが形成されている。
【０２４３】
当該積層有機絶縁物層２６ａは、前記半導体素子領域Ｉに於ける有機絶縁物層１０からは離間している。
【０２４４】
一方、溝１３ｂ内に充填された有機絶縁物６ｂも所定の高さをもって多層配線層２から突出して有機絶縁物層６ｓを構成し、当該有機絶縁物層６ｓと有機絶縁物層１０ｓとの積層有機絶縁物層２６ｂは、前記積層有機絶縁物層２６ａからは離間している。
【０２４５】
これにより、当該半導体基板１の側面或いは縁部から半導体素子領域Ｉへの、半導体基板表面の沿面距離が大きく形成され、また有機絶縁物と層間絶縁層との界面が連続しておらず、当該側面或いは縁部から半導体素子領域Ｉへの水分の浸透を有効に抑制・防止することができる。
【０２４６】
また、半導体素子領域Ｉの周囲を囲繞し、且つ多層配線層２を貫通して半導体基板１に至る深さを有する溝１３が二重に配設され、当該溝１３内に有機絶縁物６が充填されていることにより、ダイシング処理の際、機械的ストレスが半導体素子領域Ｉへ加わることが緩和・防止される。
【０２４７】
これにより、当該半導体素子領域Ｉに於いて多層配線構造を形成している低誘電率層間絶縁層４の剥離などを防止することができる。
【０２４８】
更に、半導体素子領域Ｉ上に配設された有機絶縁物層１０からは離間して、二条の帯状に配設された有機絶縁物層の存在により、スクライブ領域IIを容易に確認することができる。
【０２４９】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、本第３の実施形態に於ける半導体装置３００の製造方法について、図１７乃至図２０を用いて説明する。
【０２５０】
此処では、スクライブ領域IIと、その両側に位置する二つの半導体素子領域Ｉ−Ａ，I−Ｂそれぞれの一部を示している。
【０２５１】
本第３の実施形態に於ける半導体装置３００の製造方法に於いては、二つの溝１３ａ、１３ｂの間を表出するマスクを配置し、有機絶縁物層６に対して露光処理を行う。
【０２５２】
半導体基板１の一方の主面に、複数個の半導体素子領域Ｉを形成し、当該半導体素子領域Ｉ間に在るスクライブ領域IIに於ける多層配線構造部に対し複数の溝を形成する工程は、前記第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。
【０２５３】
当該溝１３は、スクライブ領域IIの幅方向の両端側近傍に於いて、各半導体素子領域Ｉの周縁に沿って、線状に２条（２行）形成される。
【０２５４】
次いで、前記溝１３、開口８を含む表面保護層５上に、有機絶縁物層６を形成する。
【０２５５】
当該有機絶縁物層６は、回転塗布法により被着される。
【０２５６】
当該有機絶縁物層６は、ポジ型の感光性を有するポリイミドから形成され、前記溝１３内に充填されると共に、表面保護層５上に於いて、４μｍ〜８μｍの厚さをもって形成される。
【０２５７】
次いで、前記有機絶縁物層６上に露光用マスク４５を配置する。
【０２５８】
当該露光用マスク４５に於けるマスク層には、前記スクライブ領域IIに対応する開口部４５ａ、前記二つの溝間に対応する開口４５ｂ、当該溝部と半導体素子領域Ｉとの間に於ける開口部４５ｃ、ならびに半導体素子領域に於ける電極パッド９に対応する開口部４５ｄが設けられている。
【０２５９】
尚、ここでは当該露光用マスク４５に於けるマスク層のみを示しているが、当該マスク層は図示されない透明基板の表面に配設され、支持されている。
【０２６０】
そして、当該露光用マスク４５を通して前記有機絶縁物層６に露光処理を行う（図１７（ａ）参照）。
【０２６１】
当該露光処理の後、現像処理を行うことにより、前記有機絶縁物層６は選択的に除去され、前記スクライブ領域II上の有機絶縁物層６も選択的に除去される。
【０２６２】
この時、スクライブ領域II内に配設されているところの溝１３ａ及び溝１３ｂ内に充填された有機絶縁物層６は、当該溝１３を埋めた状態をもって残されると共に、当該溝１３ａ，溝１３ｂそれぞれの上に、多層配線層上面からある高さ（厚さ）をもって帯状に残され、半導体素子領域Ｉを囲繞する。
【０２６３】
当該帯状に残された有機絶縁物層６は、半導体素子領域Ｉを覆う有機絶縁物層６から離間して配設される。
【０２６４】
また、半導体素子領域Ｉに於いて電極パッド９を覆う有機絶縁物層６には、開口８が形成される（図１７（ｂ）参照）。
【０２６５】
しかる後、前記第１の実施の形態に於ける製造方法と同様な方法により、当該有機絶縁物層６上に、銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を選択的に形成する（図１８（ａ）参照）。
【０２６６】
次いで、前記第１の実施の形態に於ける製造方法と同様な方法により、前記表面保護層５上、露出している多層配線構造部、露出している有機絶縁物層６ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を覆って、第２の有機絶縁物層１０を形成する（図１８（ｂ）参照）。
【０２６７】
当該第２の有機絶縁物層１０も、ポジ型の感光性を有するポリイミド層から構成される。
【０２６８】
しかる後、前記有機絶縁物層１０上に、露光用マスク４６配置する。
【０２６９】
当該露光用マスク４６に於けるマスク層には、前記スクライブ領域IIに対応する開口部４６ａ、前記二つの溝間に対応する開口４６ｂ、当該溝部と半導体素子領域Ｉとの間に於ける開口部４６ｃ、ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７に於ける電極パッドに対応する開口部４６ｄが設けられている。
【０２７０】
尚、ここでは当該露光用マスク４６に於けるマスク層のみを示しているが、当該マスク層は図示されない透明基板の表面に配設され、支持されている。
【０２７１】
そして、当該露光用マスク４６を通して、第２の有機絶縁物層１０に露光処理を行う（図１９（ａ）参照）。
【０２７２】
当該露光処理の後、現像処理を行うことにより、前記第２の有機絶縁物層１０は選択的に除去され、前記銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７に於ける電極パッド上に開口１１が形成される。
【０２７３】
また、前記スクライブ領域II上の有機絶縁物層も除去されるが、当該スクライブ領域II内に配設されているところの溝１３内に充填された有機絶縁物の上部６ｓ、ならびにその上に形成された第２の有機絶縁物層１０ｓは積層状態をもって残存する。
【０２７４】
一方、半導体素子領域Ｉにあっては、有機絶縁物層６の端部を覆って、第２の有機絶縁物層１０が配設される。
【０２７５】
当該半導体素子領域Ｉに於ける第２の有機絶縁物層１０は、前記スクライブ領域IIに於いて溝１３ａを覆って配設された無機絶縁物層６ｓと無機絶縁物層１０ｓとの積層有機絶縁物層２６ａから離間している（図１９（ｂ）参照）。
【０２７６】
次いで、前記表面保護層５上、露出している多層配線構造部上、露出している有機絶縁物層６、第２の有機絶縁物層１０ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を覆って、ニッケル（Ｎｉ）層／銅（Ｃｕ）層／チタン（Ｔｉ）層の積層体からなる金属層１５を形成する。
【０２７７】
そして、電気めっき（電解めっき）法を適用して、当該金属層１５上にはんだ層１２ｓを比較的厚く被着する。当該はんだ層１２ｓは、所謂無鉛はんだ（鉛フリーはんだ）をもって形成する。
【０２７８】
当該はんだ層１２ｓをリフローすることにより、その形状をほぼ球状を呈するものに変換して、外部接続用端子１２を形成する（図２０（ａ）参照）。
【０２７９】
しかる後、当該半導体基板１に対しダイシングブレード５１を適用したダイシング処理（個片化処理）を実施する。
【０２８０】
かかるダイシング処理に於いても、ダイシングブレード５１の板厚（刃厚）ｔは、前記半導体素子に於ける外側の溝、即ち二つの半導体素子領域Ｉ間に於けるスクライブ領域IIの中央からみて内側に配設されている二つの溝１３ｂに対し、それぞれの溝１３ｂの略中央部の間に跨がる厚さが選択される（図２０（ｂ）参照）。
【０２８１】
尚、当該図２０（ｂ）に於いては、ダイシングブレード５１の要部断面形状を、破線をもって示している。
【０２８２】
従って、当該ダイシングブレード５１は、スクライブ領域IIの中央からみて内側に配設されている二つの溝１３ｂの内部に配設された有機絶縁物層６ｂと、有機絶縁物層６ｓと第２の有機絶縁物層１０ｓとの積層有機絶縁物層２６ｂ、ならびに当該溝１３ｂの下部に在る半導体基板１とを切断することとなる。
【０２８３】
かかるダイシング処理の結果、個片化された半導体装置３００に於ける半導体基板１の周囲側面には、第２の溝１３ｂに充填された感光性ポリイミドからなる有機絶縁物６ｂ，有機絶縁物１０ｂの積層構造体２６ｂが表出される。
【０２８４】
即ち、当該半導体装置３００の側面に於いて、第２の溝１３ｂ及び当該第２の溝１３ｂに充填された有機絶縁物６ｂと有機絶縁物１０ｂとの積層構造部２６ｂが表出する。
【０２８５】
即ち、かかる製造方法によれば、スクライブ領域IIに於ける低誘電率絶縁体を含む多層配線構造部が、ダイシングブレード５１によって切断されることが生ぜず、従って、当該多層配線構造部に於ける層間絶縁層４の剥離などは生じない。
【０２８６】
また、かかるダイシング処理の際、スクライブ領域IIには、帯状に平行する４本（４条）の有機絶縁物層があることから、当該スクライブ領域IIの視認性は高く、ダイシングブレード５１の位置合わせを容易に、且つ高い精度をもって行うことができる。
【０２８７】
そして、当該ダイシング処理の際、ダイシングブレード５１により大きな圧力が加わるが、当該圧力は、二つの溝１３ｂ内に充填されている有機絶縁物６、ならびに有機絶縁物層６ｓ，有機絶縁物層１０からなる積層有機絶縁物層２６によって吸収・緩和され、半導体素子領域Ｉに対して大きな圧力が加えられることはない。
【０２８８】
かかるダイシング処理によって個片化された半導体装置３００は、前記図１６に示す断面構造を有する。
【０２８９】
この様な製造方法に於いては、スクライブ領域II内に配設されているところの二つの溝内に充填された有機絶縁物層は、当該溝を埋め且つ多層配線層２上に、相当の高さ（厚さ）をもって残される。
【０２９０】
かかる構造に於いても、ダイシングブレード５１を適用したダイシング処理の際、半導体装置３００の周囲側面には、低誘電率絶縁体を含む多層配線構造体は表出されず、当該多層配線構造体に於ける層間絶縁層４の剥離などを招来しない。
［第４実施形態］
本発明による半導体装置の第４の実施形態について、その製造方法と共に説明する。
【０２９１】
＜半導体装置＞
本発明の第４の実施の形態に於ける半導体装置４００を、図２１に示す。尚、図２１は、前記図２に示す部位に対応する箇所の断面を示している。
【０２９２】
図示される如く、半導体装置４００に於いても、複数の配線層３が、それぞれ一本の実線をもって描かれているが、個々の配線層３は、半導体素子領域Ｉの絶縁層上に於いて、それぞれ電源線、接地線、ならびに信号線などに分割され、前記機能素子の部位に対応して、延在・配設されている。
【０２９３】
また、各配線層間は、図示されていない層間接続部を介して相互に接続されている。
【０２９４】
当該第４の実施の形態に於ける半導体装置４００も、半導体素子領域Ｉを囲繞する溝部に配設される有機絶縁物層の配設形態が、前記第１の実施の形態に於ける半導体装置１００と異なっている。
【０２９５】
従って、第４の実施の形態に於ける半導体装置４００に於いて、前記第１の実施の形態に於ける半導体装置１００に対応する部位には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【０２９６】
即ち、本第４の実施の形態に於ける半導体装置４００にあっては、前記第１の溝１３ａ内、ならびに第２の溝１３ｂ内に、有機絶縁物が二重に積層された状態をもって充填されている。
【０２９７】
そして、両溝内に於いて二重に積層された有機絶縁物層は、半導体素子領域Ｉを囲繞している。
【０２９８】
即ち、半導体素子領域Ｉ側の溝１３ａ内に於いて二重に充填された有機絶縁物層は、当該半導体素子領域Ｉ上に配設された有機絶縁物層からは離間し、且つ当該半導体素子領域Ｉを囲繞して配設されている。
【０２９９】
他方の溝１３ｂ内に二重に充填された有機絶縁物層は、前記溝１３ａから離間し、且つ前記半導体素子領域Ｉを囲繞して配設されている。
【０３００】
そして、当該半導体基板１の側面と連続する側面を有している。
【０３０１】
本第４の実施の形態による半導体装置４００にあっては、溝１３ａ、溝１３ｂの下部に有機絶縁物層６ｎが埋め込まれ、当該溝１３ａ、溝１３ｂの上部に第２の有機絶縁物層１０ｐが埋め込まれている。
【０３０２】
即ち、溝１３ａ、溝１３ｂに於いて、その下部には、それぞれ有機絶縁物６ａ，６ｂが充填さている。
【０３０３】
当該有機絶縁物６ａ，６ｂは、半導体素子領域Ｉ上の有機絶縁物層６と同様の有機絶縁物により形成されている。
【０３０４】
当該二重の溝１３ａ，溝１３ｂは、それぞれ多層配線層２を貫通して半導体基板１に達している。
【０３０５】
そして、当該有機絶縁物６ａ，有機絶縁物６ｂそれぞれの上部に形成された凹部１６には、当該凹部１６内を埋めて有機絶縁物１０ａ，有機絶縁物１０ｂが充填されている。
【０３０６】
当該有機絶縁物１０ａ，１０ｂは、半導体素子領域Ｉ上の有機絶縁物層１０と同様の有機絶縁物により形成されている。
【０３０７】
本第４の実施形態において、溝１３の下部に配置された有機絶縁６の上部に凹部１６が形成され、当該凹部１６内を埋めて有機絶縁物１０が充填されるのは、以下の様な理由による。
【０３０８】
即ち、有機絶縁層６に対する選択的露光処理工程に於いて、その露光条件及び／或いは溝の形状、寸法などによりにより、溝１３ａ、溝１３ｂ内に充填された有機絶縁物層６の上部が感光してしまう場合、現像処理により、当該溝内に充填された有機絶縁物６の上部が除去されて、凹部１６が生じる。
【０３０９】
かかる場合、後工程において形成される有機絶縁物層１０が、当該凹部１６内を埋めて溝内に充填される。
【０３１０】
この様な理由により、本第４の実施形態に於いては、溝１３ａ、溝１３ｂそれぞれの下部には有機絶縁物６が充填され、当該溝１３ａ、溝１３ｂの上部には有機絶縁物６に形成された凹部１６を埋めて有機絶縁物１０が充填されている。
【０３１１】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、本第４の実施形態に於ける半導体装置の製造方法について、図２２乃至図２５を用いて説明する。
【０３１２】
此処では、スクライブ領域IIと、その両側に位置する二つの半導体素子領域Ｉ−Ａ，I−Ｂそれぞれの一部を示している。
【０３１３】
本第４の実施形態による半導体装置４００の製造方法に於いては、溝１３ａ、１３ｂ内に充填されて形成された有機絶縁物層６に対して過剰な露光処理を行う。
【０３１４】
半導体基板１の一方の主面に、複数個の半導体素子領域Ｉを形成し、当該半導体素子領域Ｉ間に在るスクライブ領域IIに於ける多層配線構造部に対し複数の溝を形成する工程は、前記第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。
【０３１５】
当該溝１３は、スクライブ領域IIの幅方向の両端側近傍に於いて、各半導体素子領域Ｉの周縁に沿って、線状に２条（２行）形成される。
【０３１６】
次いで、前記溝、開口２０を含む表面保護層５上に、有機絶縁物層６を形成する。
【０３１７】
当該有機絶縁物層６は、回転塗布法により被着される。
【０３１８】
当該有機絶縁物層６は、ポジ型の感光性を有するポリイミドから形成され、前記溝内に充填されると共に表面保護層５上に於いて、４μｍ〜８μｍの厚さをもって形成される。
【０３１９】
次いで、前記有機絶縁物層６上に露光用マスク４７を配置する。
【０３２０】
当該露光用マスク４７に於けるマスク層には、前記スクライブ領域IIに対応する開口部４７ａ、ならびに半導体素子領域Ｉに於ける電極パッド９に対応する開口部４７ｄが設けられている。
【０３２１】
尚、ここでは当該露光用マスク４７に於けるマスク層のみを示しているが、当該マスク層は図示されない透明基板の表面に配設され、支持されている。
【０３２２】
そして、当該露光用マスク４７を通して前記有機絶縁物層６に露光処理を行う（図２２（ａ）参照）。
【０３２３】
この時、少なくともスクライブ領域II内に配設されているところの二つの溝内に充填された有機絶縁物層６に対して、過剰な露光量を与える。
【０３２４】
当該露光処理の後、現像処理を行うことにより、前記有機絶縁物層６は選択的に除去され、前記スクライブ領域II上の有機絶縁物層６も除去される。
【０３２５】
この時、当該有機絶縁物層６は、溝１３ａ，溝１３ｂの底部に残された状態をもって溝内に帯状に残され、前記半導体素子領域Ｉを囲繞する。
【０３２６】
また、半導体素子領域Ｉに於いて電極パッド９を覆う有機絶縁物層６には、開口８が形成される（図２２（ｂ）参照）。
【０３２７】
溝１３ａの底部に帯状に残された有機絶縁物層６ａは、半導体素子領域Ｉを覆う有機絶縁物層６から離間して配設される。
【０３２８】
当該溝１３ａ、ならびに溝１３ｂ内に帯状に残された有機絶縁物層６ｂの上面には、それぞれ凹部１６が形成されている。
【０３２９】
尚、二つの溝１３ａ，１３ｂの形状或いは寸法によっても、有機絶縁物層６は、当該溝の底部を埋めた状態をもって帯状に残される。
【０３３０】
しかる後、前記第１の実施の形態に於ける製造方法と同様な方法により、当該有機絶縁物層６上に、銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を形成する。
【０３３１】
そして、前記第１の実施の形態に於ける製造方法と同様な方法により、前記表面保護層５上、露出している多層配線構造部上、露出している有機絶縁物層６ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を覆って、第２の有機絶縁物層１０を形成する。
【０３３２】
当該第２の有機絶縁物層１０も、ポジ型の感光性を有するポリイミド層から構成される。
【０３３３】
しかる後、前記有機絶縁物層１０上に、露光用マスク４８配置する。
【０３３４】
当該露光用マスク４８に於けるマスク層には、前記スクライブ領域IIに対応する開口部４８ａ、ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７に於ける電極パッドに対応する開口部４８ｂが設けられている。
【０３３５】
尚、ここでは当該露光用マスク４８に於けるマスク層のみを示しているが、当該マスク層は図示されない透明基板の表面に配設され、支持されている。
【０３３６】
そして、当該露光用マスク４８を通して、第２の有機絶縁物層１０に露光処理を行う（図２３（ａ）参照）。
【０３３７】
当該露光処理の後、現像処理を行うことにより、前記第２の有機絶縁物層１０は選択的に除去され、前記銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７に於ける電極パッド上に開口１１が形成される。
【０３３８】
また、前記スクライブ領域II上の有機絶縁物層１０も除去されるが、当該スクライブ領域II内に配設されているところの溝１３の底部に充填された有機絶縁物層６ａ，６ｂ、ならびにその上に充填された第２の有機絶縁物層１０ａ，１０ｂは、それぞれ積層状態をもって残存する。
【０３３９】
一方、半導体素子領域Ｉにあっては、有機絶縁物層６の端部を覆って、第２の有機絶縁物層１０が配設される。
【０３４０】
当該半導体素子領域Ｉに於ける第２の有機絶縁物層１０は、スクライブ領域IIに於いて溝１３ａ内に配設された有機絶縁物層１０ａから離間している（図２３（ｂ）参照）。
【０３４１】
しかる後、前記表面保護層５上、露出している多層配線構造部上、露出している有機絶縁物層６、第２の有機絶縁物層１０ならびに銅（Ｃｕ）配線層（再配線層）７を覆って、ニッケル（Ｎｉ）層／銅（Ｃｕ）層／チタン（Ｔｉ）層の積層体からなる金属層１５を形成する。
【０３４２】
そして、電気めっき（電解めっき）法を適用して、当該金属層１５上にはんだ層１２ｓを比較的厚く被着する。当該はんだ層１２ｓは、所謂無鉛はんだ（鉛フリーはんだ）をもって形成する。
【０３４３】
当該はんだ層１２ｓをリフローすることにより、その形状をほぼ球状を呈するものに変換して、外部接続用端子１２を形成する（図２４（ａ）参照）。
【０３４４】
しかる後、当該半導体基板１に対しダイシングブレード５１を適用したダイシング処理（個片化処理）を実施する。
【０３４５】
かかるダイシング処理に於いても、ダイシングブレード５１の板厚（刃厚）ｔは、前記半導体素子に於ける外側の溝、即ち二つの半導体素子領域間に於けるスクライブ領域IIの中央からみて内側に配設されている二つの溝１３ｂに対し、それぞれの溝の略中央部の間に跨がる厚さが選択される（図２４（ｂ）参照）。
【０３４６】
尚、当該図２４（ｂ）に於いては、ダイシングブレード５１の要部断面形状を、破線をもって示している。
【０３４７】
従って、当該ダイシングブレード５１は、スクライブ領域IIの中央からみて内側に配設されている二つの溝１３ｂの内部に配設された有機絶縁物（有機絶縁物６ｂと有機絶縁物１０ｂとの積層構造体）と、当該溝１３ｂの下部に在る半導体基板１とを切断する。
【０３４８】
かかるダイシング処理の結果、個片化された半導体装置４００に於ける半導体基板１の周囲側面には、第２の溝１３ｂに充填された感光性ポリイミドからなる有機絶縁物６ｂ，有機絶縁物１０ｂの積層構造が表出される。
【０３４９】
即ち、当該半導体装置４００の側面に於いて、第２の溝１３ｂ及び当該第２の溝１３ｂに充填された有機絶縁物６ｂと有機絶縁物１０ｂとの積層構造部が表出する。
【０３５０】
即ち、かかる製造方法によれば、スクライブ領域IIに於ける低誘電率絶縁体を含む多層配線構造部が、ダイシングブレード５１によって切断されることが生ぜず、従って、当該多層配線構造部に於ける層間絶縁層４の剥離などは生じない。
【０３５１】
かかるダイシング処理によって個片化された半導体装置４００は、前記図２１に示す断面構造を有する。
【０３５２】
かかるダイシング処理の際、スクライブ領域IIには、帯状に平行する４本（４条）の有機絶縁物層があることから、当該スクライブ領域IIの視認性は高く、ダイシングブレード５１の位置合わせを容易に、高い精度をもって行うことができる。
【０３５３】
また、当該ダイシング処理の際、ダイシングブレード５１により大きな圧力が加わるが、当該圧力は、二つの溝１３ａ，溝１３ｂ内に積層されて充填されている有機絶縁物層によって吸収・緩和され、半導体素子領域Ｉに対して大きな圧力が加えられることはない。
［第５実施形態］
本発明による半導体装置の第５の実施形態について説明する。
【０３５４】
＜半導体装置＞
本発明の第５の実施の形態に於ける半導体装置５００を、図２５に示す。尚、図２５は、前記図２に示す部位に対応する箇所の断面を示している。
【０３５５】
図示される如く、半導体装置５００に於いても、複数の配線層３が、それぞれ一本の実線をもって描かれているが、個々の配線層３は、半導体素子領域Ｉの絶縁層上に於いて、それぞれ電源線、接地線、ならびに信号線などに分割され、前記機能素子の部位に対応して、延在・配設されている。
【０３５６】
また、各配線層間は、図示されていない層間接続部を介して相互に接続されている。
【０３５７】
当該第５の実施の形態に於ける半導体装置５００も、半導体素子領域Ｉを囲繞する溝部に配設される有機絶縁物層の配設形態が、前記第１の実施の形態に於ける半導体装置１００と異なっている。
【０３５８】
従って、第５の実施の形態に於ける半導体装置５００に於いて、前記第１の実施の形態に於ける半導体装置１００に対応する部位には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【０３５９】
本第５の実施の形態に於ける半導体装置５００にあっては、半導体素子領域Ｉを囲繞する第１の溝１３ａ内ならびに第２の溝１３ｂ内に於いて、有機絶縁物が二重に積層された状態をもって充填され、且つ当該有機絶縁層は所定の高さをもって多層配線層２から突出している。
【０３６０】
そして、両溝内に於いて積層された有機絶縁物層は、半導体素子領域Ｉを囲繞している。
【０３６１】
即ち、半導体素子領域Ｉ側の溝１３ａ内に二重に充填された有機絶縁物は、当該半導体素子領域Ｉ上に配設された有機絶縁物層からは離間し、且つ当該半導体素子領域Ｉを囲繞して配設されている。
【０３６２】
他方の溝１３ｂ内に二重に充填された有機絶縁物は、半導体素子領域Ｉ側に配設された溝１３ａに充填された有機絶縁物層からは離間し、且つ前記半導体素子領域Ｉを囲繞して配設されている。
【０３６３】
そして、半導体基板１の側面と連続する側面を有している。
【０３６４】
本第５の実施の形態による半導体装置５００にあっては、溝１３ａ、１３ｂの下部に有機絶縁物６ａ，６ｂが埋め込まれ、当該溝１３ａ、溝１３ｂの上部に有機絶縁物１０ａ，１０ｂが埋め込まれて、更に当該有機絶縁物１０ａ，１０ｂは所定の高さをもって多層配線層２から突出している。
【０３６５】
かかる有機絶縁層を、多層配線層２から突出する厚さとすることは、前記第３の実施の形態に於ける構造と対応するものである。
【０３６６】
即ち、溝１３ａ、溝１３ｂの下部には、有機絶縁物６ａ，６ｂが充填さている。有機絶縁物層６ｎは、半導体素子領域Ｉに於ける有機絶縁物層６と同様の有機絶縁物により形成されている。
【０３６７】
そして、当該有機絶縁物６ａ，６ｂの上面に形成された凹部１６内を埋めて、有機絶縁物層１０ａ，１０ｂが配設されている。
【０３６８】
当該有機絶縁物１０ａ，１０ｂは、半導体素子領域Ｉ上の有機絶縁物層（封止有機絶縁物層）１０と同様の有機絶縁物から形成されている。
【０３６９】
本第５の実施形態において、有機絶縁層６ｎの上面に凹部１６が形成され、当該凹部１６内を埋めて有機絶縁物１０ａ，１０ｂが配設されるのは、前記第４の実施形態に於いて示したと同様の理由による。
【０３７０】
即ち、有機絶縁層６に対する選択的露光工程に於いて、露光条件及び／或いは溝の形状、寸法などを選択することにより、溝１３ａ、溝１３ｂ内に充填された有機絶縁物６ａ，６ｂの上部の感光量を増大させて、現像処理によって当該有機絶縁物６ａ，６ｂの上部が除去されて凹部１６が形成される。
【０３７１】
そして、後工程において被着される有機絶縁物層１０が、当該凹部１６を埋めて溝１３内に充填され、有機絶縁物１０ａ，１０ｂを形成する。
【０３７２】
本第５の実施形態に於ける半導体装置５００の製造は、前述の実施態様１乃至実施の態様４に於ける製造方法を適宜組み合わせて適用することにより、実施することが可能である。
【０３７３】
＜変形実施形態＞
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【０３７４】
上記の実施形態にあっては、有機絶縁物材料として感光性ポリイミドを掲げたが、有機絶縁物は当該ポリイミドに限定されるものではない。
【０３７５】
当該有機絶縁物材料として、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、ビスマレイミド樹脂等を用いることができる。
【０３７６】
また、上記の実施形態にあっては、ポリイミドとして、所謂ポジ型感光性を有するポリイミドを適用したが、当該ポリイミドとして、ネガ型感光性を有するポリイミドを適用することもできる。
【０３７７】
そして、半導体基板上に配設される二重のポリイミド層の一方をポジ型感光性を有するポリイミドから形成し、他方をネガ型感光性を有するポリイミドをもって形成することもできる。
【０３７８】
更に、上記の実施形態にあっては、多層配線層２の層間絶縁膜４として低誘電率膜を用いることを掲げたが、層間絶縁膜は低誘電率膜に限定されるものではない。
【０３７９】
層間絶縁膜として、シリコン酸化膜を用いてもよい。層間絶縁膜としてシリコン酸化膜が用いられる場合にも、ダイシングの際に脱落片が生じるのを防止し得る。
【０３８０】
上記実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０３８１】
（付記１）
複数の機能素子が配設された半導体素子領域が主面に形成された半導体基板と、
前記半導体基板の前記主面上に配設された多層配線層と、
前記多層配線層上に配設された第１の有機絶縁物層と、
前記半導体素子領域を囲繞するスクライブ領域上の前記多層配線層を貫通した溝と、
前記第１の有機絶縁物層とは離間して、前記溝内に配設された有機絶縁物と
を有することを特徴とする半導体装置。
【０３８２】
（付記２）
さらに、前記第１の有機絶縁物層上に配設された配線層と、
前記配線層を覆って配設された第２の有機絶縁物層と
を有することを特徴とする付記１記載の半導体装置。
【０３８３】
（付記３）
前記溝内に配設された有機絶縁物は、前記第１の有機絶縁物層を形成する有機絶縁物と同一の材料からなる
ことを特徴とする付記１の半導体装置。
【０３８４】
（付記４）
前記溝は、前記スクライブ領域上の前記多層配線層に並行して複数本設けられている
ことを特徴とする付記１記載の半導体装置。
【０３８５】
（付記５）
前記溝は、第１の溝と、
前記第１の溝から離間して、且つ前記半導体素子領域を囲繞する第２の溝と
からなり、
前記第２の溝内に配設された有機絶縁物は、前記半導体基板の側面に表出されている
ことを特徴とする付記１記載の半導体装置。
【０３８６】
（付記６）
前記多層配線層に含まれる層間絶縁層は、低誘電率絶縁物からなる
ことを特徴とする付記１記載の半導体装置。
【０３８７】
（付記７）
付記１乃至７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記有機絶縁物層、前記溝内の有機絶縁物は、
ポリイミド、ベンゾシクロブテン、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール、又は、ビスマレイミド樹脂を含む
ことを特徴とする半導体装置。
【０３８８】
（付記８）
半導体基板の主面上の複数の半導体素子領域のそれぞれに機能素子を形成する工程と、
前記半導体基板の前記主面上に多層配線層を形成する工程と、
前記半導体素子領域の周囲のスクライブ領域上の前記多層配線層に、前記半導体素子領域を囲繞し且つ前記多層配線層を貫く溝を形成する工程と、
前記多層配線層上及び前記溝の中に有機絶縁物層を形成する工程と、
前記半導体素子領域上の前記多層配線層を覆う有機絶縁物層と前記溝内に形成された有機絶縁物を分離する工程と、
前記スクライブ領域に於いて前記半導体基板を切断する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０３８９】
（付記９）
前記半導体素子領域の周囲のスクライブ領域上の前記多層配線層に、前記半導体素子領域を囲繞し且つ前記多層配線層を貫く溝を形成する工程において、
複数の溝を形成する
ことを特徴とする付記８記載の半導体装置の製造方法。
【０３９０】
（付記１０）
付記８記載の半導体装置の製造方法において、
前記有機絶縁物層は、ポジ型の感光性の有機絶縁物層であり、
前記半導体素子領域上の前記多層配線層を覆う前記有機絶縁物層と前記溝内に形成された前記有機絶縁物を分離する工程は、前記スクライブ領域内の前記第１の有機絶縁物層のうちの前記溝内を除く部分の前記有機絶縁物層を感光させる工程と、感光した部分の前記有機絶縁物層を現像により除去する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０３９１】
（付記１１）
付記８記載の半導体装置の製造方法において、
前記有機絶縁物層は、ポジ型の感光性の有機絶縁物層であり、
前記半導体素子領域上の前記多層配線層を覆う前記有機絶縁物層と前記溝内に形成された前記有機絶縁物を分離する工程は、前記スクライブ領域のうちの前記溝が形成された領域を除く領域を感光させる工程と、感光した部分の前記有機絶縁物層を現像により除去する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０３９２】
（付記１２）
付記８記載の半導体装置の製造方法において、
前記有機絶縁物層は、ネガ型の感光性の有機絶縁物層であり、
前記半導体素子領域上の前記多層配線層を覆う前記有機絶縁物層と前記溝内に形成された前記有機絶縁物を分離する工程は、前記スクライブ領域のうちの前記溝が形成された領域を感光させる工程と、未感光の部分の前記有機絶縁物層を現像により除去する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０３９３】
（付記１３）
付記８記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体素子領域上の前記多層配線層を覆う前記有機絶縁物層と前記溝内に形成された前記有機絶縁物を分離する工程の後、前記半導体基板を切断する工程の前に、
前記半導体素子領域内の前記有機絶縁物層上に、前記多層配線層に電気的に接続された配線層を形成する工程と、
前記半導体基板上に、前記配線層を覆うように他の有機絶縁物層を形成する工程と、
前記スクライブ領域内の少なくとも一部の前記他の有機絶縁物層を除去する工程とを更に有し、
前記溝を形成する工程では、各々の前記スクライブ領域内に複数の前記溝を並行するように形成し、
前記スクライブ領域内の少なくとも一部の前記他の有機絶縁物層を除去する工程では、前記他の有機絶縁物層の周縁部が、前記複数の溝のうちの最も前記半導体素子領域に近接している溝よりも前記半導体素子領域側に位置するように、前記スクライブ領域内の前記他の有機絶縁物層を除去する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０３９４】
（付記１４）
付記８記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体素子領域上の前記多層配線層を覆う前記有機絶縁物層と前記溝内に形成された前記有機絶縁物を分離する工程の後、前記半導体基板を切断する工程の前に、
前記半導体素子領域内の前記有機絶縁物層上に、前記多層配線層に電気的に接続された配線層を形成する工程と、
前記半導体基板上に、前記配線層を覆うように他の有機絶縁物層を形成する工程と、
前記スクライブ領域内の少なくとも一部の前記他の有機絶縁物層を除去する工程とを更に有し、
前記半導体素子領域上の前記多層配線層を覆う前記有機絶縁物層と前記溝内に形成された前記有機絶縁物を分離する工程では、前記溝内の前記有機絶縁物層のうちの上部が除去され、
前記スクライブ領域内の少なくとも一部の前記他の有機絶縁物層を除去する工程では、前記溝内のうちの前記有機絶縁物層上の部分に前記他の有機絶縁物層が残存する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【０３９５】
１００，２００，３００，４００，５００…半導体装置
Ｉ…半導体素子領域
II…スクライブ領域
１…半導体基板
２…多層配線層
３…配線層
４…層間絶縁膜
５…表面保護層
６…有機絶縁物層
７…再配線層
１０…有機絶縁物層
１２…外部接続用端子
１３…溝
３１，３２，３４…フォトレジスト層
４１，４２，４３，４４，４５，４６，４７…露光用マスク
５１…ダイシングブレード
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の機能素子が配設された半導体素子領域が主面に形成された半導体基板と、
前記半導体基板の前記主面上に配設された多層配線層と、
前記多層配線層上に配設された第１の有機絶縁物層と、
前記半導体素子領域を囲繞するスクライブ領域上の前記多層配線層を貫通した溝と、
前記第１の有機絶縁物層とは離間して、前記溝内に配設された有機絶縁物と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
さらに、前記第１の有機絶縁物層上に配設された配線層と、
前記配線層を覆って配設された第２の有機絶縁物層と
を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記溝内に配設された有機絶縁物は、前記第１の有機絶縁物層を形成する有機絶縁物と同一の材料からなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記溝は、前記スクライブ領域上の前記多層配線層に並行して複数本設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記溝は、第１の溝と、
前記第１の溝から離間して、且つ前記半導体素子領域を囲繞する第２の溝と
からなり、
前記第２の溝内に配設された有機絶縁物は、前記半導体基板の側面に表出されている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記多層配線層に含まれる層間絶縁層は、低誘電率絶縁物からなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体基板の主面上の複数の半導体素子領域のそれぞれに機能素子を形成する工程と、
前記半導体基板の前記主面上に多層配線層を形成する工程と、
前記半導体素子領域の周囲のスクライブ領域上の前記多層配線層に、前記半導体素子領域を囲繞し且つ前記多層配線層を貫く溝を形成する工程と、
前記多層配線層上及び前記溝の中に有機絶縁物層を形成する工程と、
前記半導体素子領域上の前記多層配線層を覆う有機絶縁物層と前記溝内に形成された有機絶縁物を分離する工程と、
前記スクライブ領域に於いて前記半導体基板を切断する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体素子領域の周囲のスクライブ領域上の前記多層配線層に、前記半導体素子領域を囲繞し且つ前記多層配線層を貫く溝を形成する工程において、
複数の溝を形成する
ことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
複数の機能素子が配設された半導体素子領域が主面に形成された半導体基板と、
前記半導体基板の前記主面上に配設された多層配線層と、
前記多層配線層上に配設された第１の有機絶縁物層と、
前記半導体素子領域を囲繞するスクライブ領域上の前記多層配線層を貫通した溝と、
前記第１の有機絶縁物層とは離間して、前記溝内に配設された有機絶縁物と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
さらに、前記第１の有機絶縁物層上に配設された配線層と、
前記配線層を覆って配設された第２の有機絶縁物層と
を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記溝内に配設された有機絶縁物は、前記第１の有機絶縁物層を形成する有機絶縁物と同一の材料からなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記溝は、前記スクライブ領域上の前記多層配線層に並行して複数本設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記溝は、第１の溝と、
前記第１の溝から離間して、且つ前記半導体素子領域を囲繞する第２の溝と
からなり、
前記第２の溝内に配設された有機絶縁物は、前記半導体基板の側面に表出されている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記多層配線層に含まれる層間絶縁層は、低誘電率絶縁物からなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体基板の主面上の複数の半導体素子領域のそれぞれに機能素子を形成する工程と、
前記半導体基板の前記主面上に多層配線層を形成する工程と、
前記半導体素子領域の周囲のスクライブ領域上の前記多層配線層に、前記半導体素子領域を囲繞し且つ前記多層配線層を貫く溝を形成する工程と、
前記多層配線層上及び前記溝の中に有機絶縁物層を形成する工程と、
前記半導体素子領域上の前記多層配線層を覆う有機絶縁物層と前記溝内に形成された有機絶縁物を分離する工程と、
前記スクライブ領域に於いて前記半導体基板を切断する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体素子領域の周囲のスクライブ領域上の前記多層配線層に、前記半導体素子領域を囲繞し且つ前記多層配線層を貫く溝を形成する工程において、
複数の溝を形成する
ことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【公開番号】特開２０１１−１１９３２４（Ｐ２０１１−１１９３２４Ａ）
【公開日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２７３１４８（Ｐ２００９−２７３１４８）
【出願日】平成２１年１２月１日（２００９．１２．１）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通セミコンダクター株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月１日（２００９．１２．１）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通セミコンダクター株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
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