【課題】半導体基板が厚い場合においても貫通電極を高生産性、高品質で低コストで実現できる半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板（１０１）にアクティブ面が露出する開口部（１０４）を有する電極パッド（１０２）を形成し、開口部（１０４）からアクティブ面の反対側の面に向かって凹部（１０５ａ）を形成し、凹部（１０５ａ）の内側に絶縁膜（１０６）を形成し、絶縁膜（１０６）と電極パッド（１０２）の表面に導電経路（１０７）を形成し、アクティブ面の反対側の面から半導体基板（１０１）を薄型化して凹部（１０５ａ）の底部を貫通させる。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の膜強度を十分に確保する。
【解決手段】第１の配線層絶縁膜と、第１の配線層絶縁膜に埋め込み形成されている複数の第１の銅配線８と、第１の銅配線８上及び第１の配線層絶縁膜上に形成されている層間絶縁膜（第２の低誘電率膜１０）と、を有する。層間絶縁膜上に形成されている第２の配線層絶縁膜と、第２の配線層絶縁膜に埋め込み形成されている複数の第２の銅配線１６と、を有する。第１、第２の配線層絶縁膜は、第１、第２の低誘電率膜（第１の低誘電率膜４、第３の低誘電率膜１１）を含む。層間絶縁膜は、第１及び第２の配線層絶縁膜よりも高強度である。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンド接続の信頼性を低下させることなくダイをプローブ検査でき、小さいボンドパッドおよびボンドパッド間の微細なピッチ間隔でダイについての確実なプローブ検査が行える技術の提供。
【解決手段】ボンドパッド３６が、実質的に重なりのないプローブ３７領域およびワイヤボンド３８領域を有する。ボンドパッド３６は最終金属層パッド１６に接続されている。ボンドパッド３６はアルミニウム製であり、最終金属層パッド１６は銅製である。プローブ３７領域をワイヤボンド３８領域から分離することで、最終金属層パッド１６がプローブ検査によって損傷を受けることが防止され、より信頼性の高いワイヤボンドが可能となる。 （もっと読む）

【課題】誘電率の比較的低い誘電体膜に、累積的に紫外線を含む光が照射されることに起因する不良の発生が抑制される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜５上にＬｏｗ−ｋ膜９が形成される。次に、Ｌｏｗ−ｋ膜９に、所定のランプから発せられる紫外線を含む光が照射される。次に、Ｌｏｗ−ｋ膜９の開口部９ａ内にＴｉＯ₂からなるバリア膜１１と銅配線１３が形成される。Ｌｏｗ−ｋ膜９上にＳｉＣＮ膜１５およびＳｉＯＮ膜１７が形成される。次に、ＳｉＯＮ膜１７の上にＬｏｗ−ｋ膜１９が形成される。そのＬｏｗ−ｋ膜１９に、所定のランプから発せられる紫外線を含む光が照射される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ単位でＡＰＣを行う場合の運用性を向上可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】例えば、今回ロット（＃１）を対象として露光処理後にレジストパターン寸法の計測が行われ、この計測値を反映して次回ロット（＃２）における各半導体ウェハ単位の露光条件が算出される際に、今回ロット（＃１）の露光着工枚数が足りないような状況や、今回ロット（＃１）内の計測枚数が不足するような状況が生じる。そこで、露光着工枚数が足りない状況（例えば、スロット１〜１２内の１１，１２が存在しない状況）では、近似式による外挿計算を利用して１２枚分の計測値を導出し、計測枚数が不足する状況（例えば、スロット１〜１２内の１，６，１２の分しか得られない状況）では、近似式による内挿計算を用いて１２枚分の計測値を導出する。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、半導体基板が樹脂層により被覆されない構造のため、半導体基板端部が欠け易い問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置１では、シリコン基板２上面に配線層１３が形成され、配線層１３を被覆するように樹脂層１４が形成される。配線層１３上には樹脂層１４の開口領域１５を介してバンプ電極１８が形成される。また、保護シート１９は、シリコン基板２の裏面及びシリコン基板２の側面２０の一部を被覆する。この構造により、シリコン基板２の裏面側では、保護シート１９が緩衝材として機能し、シリコン基板２のチッピングが防止される。 （もっと読む）

【課題】AlCuプロセスのCMOSイメージセンサーの大ビアボンディングパッドのアプリケーションを提供する。
【解決手段】集積回路は、ボンディングパッド領域と非ボンディングパッド領域とを有する基板からなる。“大ビア”と称される相対して大きいビアが、ボンディング領域の基板上に形成される。大ビアは、基板向きの上面図にて、第一寸法を有する。集積回路は、非ボンディング領域の基板上に形成された複数のビアも有する。複数のビアは、それぞれ、上面図にて、第二寸法を有し、第二寸法は、第一寸法より相当小さい。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線層上にＣｕバンプを形成可能とする半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、シリコン基板１上に形成される保護層６と、前記保護層６に形成され、前記シリコン基板１に形成される半導体素子と電気的に接続するＣｕ配線層９と、前記Ｃｕ配線層９を被覆し、前記保護層６上に形成される樹脂膜１０と、前記樹脂膜１０に形成される開口領域を介して前記Ｃｕ配線層９と接続するパッド電極１２と、前記パッド電極１２上に形成されるＣｕから成るスタッドバンプ２６とを有する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率誘電体を使用するＩＣの歩留り損失及び初期故障を抑止する。
【解決手段】半導体デバイスは基板２１０及びダイ縁部を有する個片化されたダイ１１０を備える。相互接続誘電体層２２０ａ、２２０ｂ、２２０ｃ、２２０ｄが基板上に配置され、集積回路がその相互接続誘電体層内に配置された相互接続部２３０を有する。トレンチ２５０が、相互接続誘電体層内で、かつシール・リング２７０と相互接続誘電体層の残部との間に配置される。シール・リングは、相互接続誘電体層内で、かつトレンチと集積回路の間に配置され、相互接続誘電体層の残部はトレンチとダイの縁部との間に配置される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線層上にＣｕワイヤを実装可能とする半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置は、シリコン基板１上に形成される保護層６と、前記保護層６に形成され、前記シリコン基板１に形成される半導体素子と電気的に接続するＣｕ配線層９と、前記Ｃｕ配線層９を被覆し、前記保護層６上に形成される樹脂膜１０と、前記樹脂膜１０に形成される開口領域１１を介して前記Ｃｕ配線層９と接続するパッド電極１２と、前記パッド電極１２上にワイヤボンディングされるＣｕワイヤ１４とを有し、前記Ｃｕワイヤ１４と前記Ｃｕ配線層９との間には合金層１３が配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パッドに荷重がかかった場合でも、層間絶縁膜の膜剥がれやパッドの剥離の発生率を低くする。
【解決手段】ボンディングパッド７２を含む半導体装置１００において、ボンディングパッド７２と平面視で重なる領域（９４）に下部多層配線構造９０、中間ビア用層間絶縁膜４８、上部多層配線構造９２をこの順で積層し、パッド配置領域９４において、上部多層配線構造９２の上部配線およびビアは、ボンディングパッド７２と接続して形成し、中間ビア用層間絶縁膜４８には、上部多層配線構造９２の配線またはビアと下部多層配線構造９０の配線またはビアとを接続する導電材料が形成されず、下部多層配線構造９０に含まれるビア用層間絶縁膜中のビアが占める面積率が、上部多層配線構造９２に含まれるビア用層間絶縁膜中のビアが占める面積率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】半導体基板１上に積層された複数の層間絶縁膜１６、１９、２２と、複数の層間絶縁膜１６、１９、２２の最上面の上に形成され、外部からプローブが当てられるプローブ接触領域を有するパッド２５と、複数の層間絶縁膜１６、１９、２２の間に形成される複数層の配線１２，１５、１８と、パッド２５のプローブ接触領域の直下の領域に形成され、前記層間絶縁膜２２が充填される非直線状スリットか孔の少なくとも一方を有する導電性パターンを有する応力緩和部４２とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置においてクラックによるシールリング破壊をより効率良く強力に防止する。
【解決手段】比誘電率が３．５未満の低誘電率膜を含む半導体装置であって、平面的に見て閉ループ形となる水分遮蔽壁であるシールリング１２３を１本以上備え、シールリング１２３のうち少なくとも１本は、チップコーナー４近傍においてシールリング凸形部１０を含み、シールリング凸形部１０は前記閉ループ形の内側に凸形状となっており、平面的に見て閉ループ形となる水分遮蔽壁でありかつシールリング１２３を取り囲む外部シールリング２５をさらに備え、シールリング１２３と外部シールリング２５とは平面的に見て分離されている。 （もっと読む）

【課題】高速動作可能な半導体装置を歩留まりよく製造する。
【解決手段】エアギャップを形成させない領域１、及び、エアギャップを形成させる領域２がそれぞれ設けられた絶縁膜１０２を用意し、領域１の表面をレジスト１０４で覆い、領域１がレジスト１０４で覆われた絶縁膜１０２の領域２をプラズマ処理し、プラズマ処理された絶縁膜１０２からレジスト１０４を除去し、レジスト１０４を除去した絶縁膜１０２の領域１、２にＣｕ配線１０５を埋め込み、プラズマ処理された領域２の絶縁膜１０２を除去してＣｕ配線１０５の側面にエアギャップ１０８を形成して半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】デジタル領域とアナログ領域とが混載された半導体装置におけるデジタル領域からアナログ領域へのノイズ伝搬を効果的に抑制する。
【解決手段】デジタル領域１２０とアナログ領域１３０とが混載された半導体装置１００は、平面視でデジタル領域１２０およびアナログ領域１３０の外周を取り囲む環状のシールリング１４０と、シールリング１４０で囲まれた領域内で、デジタル領域１２０とアナログ領域１３０との間に設けられ、アナログ領域１３０をデジタル領域１２０から隔離するとともに、シールリング１４０に電気的に接続されたガードリング１５０と、ガードリング１５０と当該ガードリング近傍で電気的に接続された電極パッド１６０ａとを含む。電極パッド１６０ａは、外部の接地端子（１８０ａ）に接続されて接地電位とされている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の外部端子に加わる外力により外部端子下の絶縁膜にクラックが生じるのを抑制または防止する。
【解決手段】シリコン基板１の主面ｓ１上に形成された配線層のうちの最上の配線層ＭＨは、アルミニウムからなる導体パターン３によって形成されたパッドＰＤ１を有し、パッドＰＤ１の下面には、下層から順に積層された第１バリア導体膜ｂｍ１および第２バリア導体膜ｂｍ２からなるバリア導体膜ＢＭａが配置されている。最上の配線層ＭＨの一つ下の第５配線層Ｍ５のうち、パッドＰＤ１のプローブ接触領域ＰＡと平面的に重なる領域には導体パターン３は配置されていない。また、第１バリア導体膜ｂｍ１はチタン、第２バリア導体膜ｂｍ２は窒化チタンをそれぞれ主体とする導体膜であり、第１バリア導体膜ｂｍ１の方が、第２バリア導体膜ｂｍ２よりも厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】ダイシング性の低下を抑制することと、ダイシングの際における半導体ウェハのチッピングの拡大を抑制することとを両立させる。
【解決手段】半導体ウェハ１に、複数の配線層を形成し、それぞれ複数の配線層の一部を含む半導体チップとなるチップ構成部２を複数形成し、相互に隣り合うチップ構成部２を何れかの配線層に含まれる接続配線３を介して相互に電気的に接続する。複数のダミーメタル５からなるダミーメタルパターン６を、複数の配線層のうち、接続配線３の上層と下層とのうちの少なくとも何れか１つの配線層において、接続配線３の配置領域及びその近傍と対応する範囲にのみ形成する。相互に隣り合うチップ構成部２の間において接続配線３と交差するように延伸するスクライブ線４に沿って、半導体ウェハ１を切断することによって、チップ構成部２の各々を相互に分離させて半導体チップを形成する。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極を各チップ領域に形成した半導体ウェハを個々の半導体チップに個片化する際、個片化された半導体チップにクラックが発生することを抑制できる技術を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷＦの主面に接着テープＡＴを貼り付けた状態で、半導体ウェハＷＦの裏面に溝ＤＴを形成する。半導体ウェハＷＦの裏面に溝ＤＴを形成するには、半導体ウェハＷＦの裏面にレジスト膜を塗布した後、フォトリソグラフィ技術を使用することにより、レジスト膜をパターニングする。レジスト膜のパターニングは、溝ＤＴを形成する領域にレジスト膜が残らないように行なわれる。そして、パターニングしたレジスト膜をマスクにしたドライエッチング技術により、半導体ウェハＷＦの所定領域に溝ＤＴを形成する。具体的に、ダイシングラインＤＬの近傍領域に溝ＤＴを形成する。 （もっと読む）

有機誘電体材料（１１０）中に埋め込まれた第２構造（９１）への金属相互接続（１８１）を提供する方法であって、有機誘電体材料（１１０）中に埋め込まれた、例えば金属ピラー（９１）のような第２構造を有する第１構造を得る工程と、少なくとも第１構造のいくつかの位置で、有機誘電体材料（１１０）の上に硬い層（１３０）を提供する工程であって、硬い層（１３０）は有機誘電体材料（１１０）の剛性より高い剛性を有する工程とを含む方法。この方法は、第１構造（９１）と有機誘電体材料（１１０）との間の界面でクラックの無い相互接続構造を提供する。
（もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を実現する構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板（半導体基板１）上に、シラン化合物およびポロジェンを含む膜（有機シリコンポリマー膜２）を設ける工程と、選択的エッチングにより有機シリコンポリマー膜２に孔（配線溝３）を設けるとともに、配線溝３の内部に金属膜（バリア膜４および銅配線５）を設ける工程と、還元ガス雰囲気中で、上記ポロジェンの沸点または分解温度以上の温度で加熱しつつ、有機シリコンポリマー膜２に紫外線６を照射して、多孔質膜７を得る工程と、を含むものである。 （もっと読む）