【課題】プラグの上面の形状を工夫することにより、半導体装置の電気的特性において、信頼性の向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】本願発明におけるプラグＰＬＧは、上面がコンタクト層間絶縁膜ＣＩＬの表面（上面）よりも突出した上に凸のドーム形状をしている。つまり、プラグＰＬＧは、上面が上に凸のドーム形状となっており、コンタクト層間絶縁膜ＣＩＬの上面の高さよりもバリア導体膜ＢＦ１の上端部の高さが高く、かつ、タングステン膜ＷＦの上端部の高さはバリア導体膜ＢＦ１の上端部の高さよりも高くなっている。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプラグの断面に占めるバリア層の割合が比較的小さい半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１０１と、基板中に形成され、基板の表面に平行な第１方向に沿って交互に設けられた素子分離層及び活性層１１１，１１２と、素子分離層及び活性層上に形成され、個々の活性層上に、個々のコンタクトプラグ用の穴を有する層間絶縁膜１２１と、上記穴の内部に露出した活性層の上面、及び上記穴の上記第１方向に垂直な２つの側面のうちの片側の側面に形成されたバリア層１３１と、上記穴の内部のバリア層上に形成されたプラグ材層１３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】多層配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】シリコン基板１上に第１配線用絶縁膜ＩＭ１を形成し、第１配線用絶縁膜ＩＭ１に配線溝ＴＭ１を形成する。その後、配線溝ＴＭ１に銅を主体とする導体膜を埋め込むことで配線ＭＷ１を形成する。続いて、配線ＭＷ１上にキャップ導体膜ＭＣ１を形成した後、キャップ導体膜ＭＣ１に表面研磨を施す。特に、キャップ導体膜ＭＣ１はＡＬＤ法によって配線ＭＷ１上に選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲートコンタクトプラグとシリコン基板とのショートを防ぐ。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体基板１１と、半導体基板１１の主面に対して垂直な側面を有するシリコンピラー１４Ｂと、シリコンピラー１４Ｂの側面を覆うゲート絶縁膜１５Ｂと、半導体基板１１の主面に対して垂直な内周側面１６ａ及び外周側面１６ｂを有し、ゲート絶縁膜１５Ｂを介して内周側面１６ａとシリコンピラー１４Ｂの側面とが対向するよう、シリコンピラー１４Ｂの側面を覆うゲート電極１６と、ゲート電極１６の外周側面１６ｂの少なくとも一部を覆うゲート電極保護膜１７と、ゲート電極１６及びゲート電極保護膜１７の上方に設けられた層間絶縁膜３０と、層間絶縁膜３０に設けられたコンタクトホールに埋め込まれ、ゲート電極１６及びゲート電極保護膜１７に接するゲートコンタクトプラグＧＣとを備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いドレインコンタクトを有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１ドレインコンタクト１４を形成する工程と、第１ドレインコンタクト１４に接続された第２ドレインコンタクト１５を形成する工程と、第２ドレインコンタクト１５に接続された配線１６を形成する工程と、配線１６をマスクとして自己整合的に、少なくとも第２ドレインコンタクト１５の近傍の第２層間絶縁膜３３に、第１層間絶縁膜１３と第２層間絶縁膜３３との界面３４より深い位置まで不純物イオンを注入し、界面３４に残置されている異物３２をアモルファス化する工程と、不純物イオンが注入された第１および第２層間絶縁膜１３、３３をエッチングして異物３２を露出させ、異物３２を除去する工程と、第１絶縁膜１３上に配線１６を覆うように第３層間絶縁膜３６を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の増加と絶縁耐圧の劣化を抑制し、かつ配線容量の増加を抑制する、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１上の層間絶縁膜１１，１３に、第２の配線溝２０内の第２の銅配線２４、および第２の配線溝２０に接続したビアホール１５内のプラグとを設ける。ビアホール１５の側壁に設けられた第１のサイドウォール１７および第２のサイドウォール２２と、第２の配線溝２０の側壁に設けられた第２のサイドウォール２２とを備える。これによりビアホール１５のサイドウォールの膜厚を、第２の配線溝２０のサイドウォールの膜厚より厚くする。 （もっと読む）

【目的】キャップ成膜時に起因するｌｏｗ−ｋ膜の絶縁性劣化を低減する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、前記絶縁膜上に絶縁材料を用いたキャップ膜を形成する工程（Ｓ１０６）と、前記キャップ膜を形成した後に、前記キャップ膜を介して前記前記キャップ膜の下層のシリル化処理を行なう工程（Ｓ１０８）と、前記シリル化処理の後、エッチング法を用いて、前記キャップ膜上から前記絶縁膜内へと続く開口部を形成する工程（Ｓ１１４）と、前記開口部に導電性材料を堆積させる工程（Ｓ１２４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィーのプロセスマージンを確保すると共に、ゲート電極とコンタクトプラグとの短絡が生じにくい半導体装置の製造方法を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜１１４の上に第１の下部開口部１１５ａを有する第１のマスク層１１５を形成する工程と、第１のマスク層１１５の上に第１の下部開口部１１５ａを通して層間絶縁膜１１４を露出する第１の上部開口部１１６ａを有する第２のマスク層１１６を形成する工程とを備えている。第１の下部開口部１１５ａは、隣接するゲート電極１０２同士の間に形成され、ゲート電極１０２と平行な方向に延びる長辺と、ゲート電極１０２と交差する方向に延びる短辺とを有する平面方形状である。第１の上部開口部１１６ａは、各辺の長さが第１の下部開口部１１５ａの短辺よりも長い平面方形状である。 （もっと読む）

ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を有する半導体構造が形成される。ｎ型領域の一部上に第１のメタルコンタクトが形成され、ｐ型領域の一部上に第２のメタルコンタクトが形成される。第１及び第２のメタルコンタクトは半導体構造の同一面上に形成される。第１のメタルコンタクトと第２のメタルコンタクトとの間の誘電体材料が配置される。該誘電体材料は、半導体構造の一部、第１のメタルコンタクトの一部、及び第２のメタルコンタクトの一部と直接的に接触する。第１のメタルコンタクトの表面と、第２のメタルコンタクトの表面と、該誘電体材料の表面とを含む平坦面が形成される。
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【課題】絶縁膜の表面に対するダメージを防ぎ、配線膜厚を均一に制御することにより、配線間ショート及び信頼性劣化を防止できるようにする。
【解決手段】半導体基板１０１の上に絶縁膜１０２を形成し、絶縁膜１０２の内部にイオン注入法によりイオン注入層１０３を形成し、絶縁膜１０２に少なくともイオン注入層１０３に達する深さの配線溝１０４を形成し、配線溝１０４に導電膜１０７Ａを形成し、絶縁膜１０２及び導電膜１０７Ａにおけるイオン注入層１０３よりも上に形成されている領域を除去する。 （もっと読む）

【課題】導電層を自己整合的に形成する場合において、第１の拡散層コンタクトプラグのコンタクトマージンを比較的大きく取る。
【解決手段】半導体装置１０は、第１のシリコンピラー１４Ａと、第１のシリコンピラー１４Ａの上面に設けられ、導電性材料が充填されたスルーホール３０ａを有する層間絶縁膜３０と、スルーホール３０ａの上側開口部に設けられた第１の拡散層コンタクトプラグＤＣ１とを備え、スルーホール３０ａの下側開口部の面積は前記第１のシリコンピラー１４Ａの上面の面積に等しくなっているとともに、スルーホール３０ａの上側開口部の面積はスルーホール３０ａの下側開口部の面積より大きくなっており、それによって、スルーホール３０ａ内の導電性材料の第１の拡散層コンタクトプラグＤＣ１との接続面の面積が第１のシリコンピラー１４Ａの上面の面積より大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】高温環境下での絶縁膜の腐食を抑制して、絶縁不良を回避した半導体装置及びその製造方法を提供することことを課題とする。
【解決手段】半導体基板１１上にエピタキシャル成長により第１絶縁膜１２が積層形成され、この第１絶縁膜１２上には、耐熱性の電極１３が選択的に形成され、この電極１３の上部には、シリカガラスを主成分とする層間絶縁膜１４が形成され、この層間絶縁膜１４の表面には絶縁バリア膜１５が形成され、この絶縁バリア膜１５の上には、Ａｌの配線１６が形成され、絶縁バリア膜１５は、絶縁性の窒化物、炭化物、窒化炭化物の単層膜、多層膜、または混合膜で構成されている。 （もっと読む）

集積回路及び形成方法は、少なくとも１つの直線的に延在する導電配線の斜端に形成されたコンタクト領域を提供する。実施形態では、コンタクトランディングパッドを有する導電配線は、マスク材料に配線をパターン化することと、材料配線の延在方向に対して角度を形成するために少なくとも１つの材料配線を切断することと、マスク材料の斜端面から拡張部を形成することと、前記材料配線及び拡張部をマスクとして用いてエッチングすることによって基本的な半導体をパターン化することとによって形成される。他の実施形態では、少なくとも１つの導電配線は、斜端面を作るように導電配線の延在方向に対して角度を付けて切断されるとともに、電気的コンタクトランディングパッドは、斜端面にコンタクトして形成される。 （もっと読む）

【課題】配線の微細構造の維持、ＴＤＤＢ寿命の確保および低抵抗を実現する。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０２と、基板１０２上に形成された層間絶縁膜１０４と、層間絶縁膜１０４中に形成された配線１２０と、を含み、配線１２０は、断面視において、最上面から下方にかけて幅が広くなる領域を有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極部と容量コンタクトプラグとのショートを防止する。
【解決手段】複数のゲート電極部１０と該ゲート電極部１０間を接続する配線部との上に、耐エッチング膜１７を備えたゲートハードマスク２０を形成後、前記配線部上の前記耐エッチング膜１７を除去する。これにより、ＣＭＰ処理を経てコンタクトプラグ２２を形成し、さらに、エッチングにより容量コンタクトホール２４を開口して容量コンタクトプラグ２５を形成した場合に、ゲート電極部１０と容量コンタクトプラグ２５とのショートを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】外部から侵入する水分に起因した再配線どうしのショートが防止された半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、半導体基板１２と、半導体基板１２上に形成された第１樹脂層３０と、第１樹脂層３０の上面に形成されてパッド部４４を構成する再配線４８と、この再配線４８および第１樹脂層３０の上面を被覆する第２樹脂層３２とを備えている。そして、パッド部４４は、第２樹脂層の開口部１３から露出する露出領域４４Ａと、第２樹脂層３２により被覆される被覆領域４４Ｂとから成り、この被覆領域４４Ｂの幅（Ｌ１）を１０μｍ以上としている。 （もっと読む）

【課題】高価な露光装置や高価なマスクを用いることなく、配線等のピッチを狭くすることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の導電パターン４２と、第１の導電パターンに隣接して形成された第２の導電パターン４２と、第１の導電パターンの所定領域下に形成された第１の導体プラグと、第１の導電パターンの所定領域上に形成された第２の導体プラグ６２_ｎと、第２の導電パターンのうちの、第１の導電パターンの所定領域に隣接する所定領域下に形成された第３の導体プラグと、第２の導電パターンの所定領域上に形成された第４の導体プラグ６２_ｎ＋１と、第１の導電パターン４２の上方に形成され、第２の導体プラグに接続された第３の導電パターン６２と、第２の導電パターンの上方に形成され、第４の導体プラグに接続された第４の導電パターン６４とを有し、第４の導体プラグは、第２の導体プラグに対して、ずれた位置に配されている。 （もっと読む）

【課題】製造工程の増加を抑えて、通常のコンタクトとシェアードコンタクトとをそれぞれ良好なコンタクト特性を有するようにする。
【解決手段】半導体装置１００は、第１の不純物拡散領域１０６ａに接続するとともに、第１のゲート電極１１２ａとは接続しないように形成された第１のコンタクト１２４と、第２のゲート電極１１２ｂおよび第２の不純物拡散領域１０６ｂに共通して接続するように形成された第２のコンタクト１２６とを含む。第１のコンタクト１２４および第２のコンタクト１２６は、それぞれ、層間絶縁膜１２２の表面から基板１０１に向かう途中の位置でテーパー角度が小さくなるように変化する形状を有し、第２のコンタクト１２６においてテーパー角度が変化する位置が、第１のコンタクト１２４においてテーパー角度が変化する位置よりも基板１０１に近い。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の貫通電極を有する半導体基板と半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１絶縁層（２）を介して第１配線層（３）が形成され、貫通孔（４）の内周に第２配線層（５）を形成し、貫通孔（４）は、第１の開口部（４ａ）と、第１の開口部（４ａ）よりも開口面積が小さい第２の開口部（４ｂ）で形成され、第２の開口部（４ｂ）に第３配線層（１０３ａ）を形成するとともに、第３配線層（１０３ａ）を第１の開口部（４ａ）よりも先に形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加工マージンの大きい半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、主面を有する半導体基板と、半導体基板上に形成された第１絶縁膜と、第１絶縁膜に形成された複数のコンタクト孔と、複数のコンタクト孔内にそれぞれ形成された複数の第１コンタクトプラグと、第１絶縁膜上に形成され、該第１絶縁膜の複数の第１コンタクトプラグが形成された領域を含む所定領域を露出させる開口部を有する第２絶縁膜と、第１絶縁膜のうち開口部で露出した部分に形成され、半導体基板の主面に対して垂直方向に見て、開口部が形成されていない第１絶縁膜の上面の位置よりも低い上面の位置を有する凹部と、開口部を横切り、かつ複数の第１コンタクトプラグのそれぞれの上面に接続されるように、第１絶縁膜の凹部から第２絶縁膜の開口部を経て第２絶縁膜の上面にかけて形成された第２導電膜から成る複数の配線と、を有している。 （もっと読む）