【課題】変調度の小さい搬送波であっても、安定して動作させる復調信号生成回路を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、アンテナ回路に接続された第１の復調回路と、アンテナ回路に接続された、第１の復調回路とは逆の極性の電気信号を復調する第２の復調回路と、第１の復調回路の出力部に接続された入力部を有する第１のバイアス回路と、第２の復調回路の出力部に接続された入力部を有する第２のバイアス回路と、第１の入力部と第２の入力部を有するコンパレータと、コンパレータの出力部に接続されたアナログバッファ回路と、アナログバッファ回路の出力部に接続されたパルス検出回路を有し、第１のバイアス回路の出力部は第１の入力部に接続され、第２のバイアス回路の出力部は第２の入力部に接続され、パルス検出回路は第１のバイアス回路及び第２のバイアス回路に接続されている復調信号生成回路を有する。 （もっと読む）

【課題】平坦な表面を有する層間絶縁膜を短時間で形成することができ、また、層間絶縁膜の厚さの増大を招くことなく、金属イオンによる半導体基板の汚染に対する長期信頼性を保証することができる、半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板２と、半導体基板２上に形成された層間絶縁膜８とを備えている。そして、層間絶縁膜８は、半導体基板２側から順に、ＨＤＰ膜１０、ゲッタリング層１２およびＮＳＧ膜１１が積層された構造を有している。ゲッタリング層１２は、金属イオン、とくに可動イオンを捕獲する性質を有している。 （もっと読む）

【課題】特性の劣化を効果的に抑制することのできる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ＧａＮを含む半導体層１と、電極とを備えている。電極は、電極本体６と、半導体層１から見て電極本体６よりも離れた位置に形成され、かつＡｌを含む接続用電極８と、電極本体６と接続用電極８との間に形成されたＷ、ＴｉＷ、ＷＮ、ＴｉＮ、Ｔａ、およびＴａＮよりなる群から選ばれる少なくとも１種を含むバリア層７とを含んでいる。バリア層７の表面粗さＲＭＳが３．０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】内部回路の誤動作を誘発させない保護回路を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｐ型Ｓｉ基板１０１と、ＥＳＤ保護素子１Ａと、被保護素子１Ｂとを備えた半導体装置１であって、ＥＳＤ保護素子１Ａは、ソースＮ型拡散領域１０７Ａと、Ｐ型Ｓｉ基板１０１内においてソースＮ型拡散領域１０７Ａを覆い、ソースＮ型拡散領域１０７Ａの下方から少なくともゲート電極１０６Ａの下方の一部まで形成され、Ｐ型Ｓｉ基板１０１の基本領域よりもＰ型不純物濃度が高い高濃度Ｐ型拡散領域１０３とを備え、被保護素子１Ｂは、ドレインＮ型拡散領域１０８Ｂと、Ｐ型Ｓｉ基板１０１内においてドレインＮ型拡散領域１０８Ｂと接する低濃度Ｐ型拡散領域１０４とを備え、ＥＳＤ保護素子１Ａのドレイン電極１１２Ａと被保護素子１Ｂのドレイン電極１１２Ｂとが接続され、高濃度Ｐ型拡散領域１０３は、低濃度Ｐ型拡散領域１０４よりもＰ型不純物濃度が高い。 （もっと読む）

【課題】従来の強誘電体薄膜よりも低いリーク電流密度、かつ、高い絶縁耐圧が得られる、薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｓｉを含む複合酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、複合金属酸化物Ａを構成するための原料並びに複合金属酸化物Ｂを構成するための原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細化した抵抗アレイ及びそれを用いた集積回路において、局所的な温度分布の影響を軽減して相対精度を向上する。
【解決手段】抵抗アレイは、素子分離膜１０２を有する半導体基板１０１上に形成された複数の抵抗素子１０３を含む。それぞれの抵抗素子１０３は、少なくともシリコンを含む多結晶体からなる抵抗部と、シリサイド層を含むコンタクト部１０４とを備える。それぞれの抵抗素子１０３の少なくとも一部が、素子分離膜１０２よりも膜厚の薄い絶縁膜３０１を介して半導体基板１０１上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】
回路部とセンサ部を同一基板上に形成した半導体集積装置において、非鉛材料を使用した半導体集積装置を提供するとともに、その作製方法を提供する。
【解決手段】
半導体集積装置は、回路部２は、表面に保護層４４〜４６が成膜されており、センサ部３は、回路部の保護層表面を含む半導体基板表面の全体に成膜された非鉛強誘電体材料３１のうち該回路部に成膜された部分を除去した残余部により構成されている。作製方法は、回路部を形成する工程と、半導体基板の表面全体に、シリコン窒化膜を主とする保護層を構築する工程と、センサ部形成領域に積層された保護層を除去する工程と、半導体基板の全体に下部電極層を形成する工程と、下部電極層の表面に非鉛強誘電体材料層を形成する工程と、回路部形成領域に積層される非鉛強誘電体材料層および下部電極層を順次除去する工程と、センサ部に上部電極を形成する工程と、配線電極を形成する工程とを順次実施する。 （もっと読む）

上部ポストパッシベーション技術および底部構造技術を使用する、集積回路チップの頂部にオーバーパッシベーションスキームを、集積回路チップの底部に底部スキームを備える集積回路チップおよびチップパッケージが開示される。集積回路チップは、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）基板、プリント回路基板、半導体チップ、金属基板、ガラス基板、またはセラミック基板などの外部回路もしくは構造に、オーバーパッシベーションスキームまたは底部スキームを通じて接続することができる。関係する加工技術も説明されている。 （もっと読む）

【課題】欠陥の発生を防止し且つ電気的特性に優れた強誘電体キャパシタを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の導電層４０を形成し、第１の導電層４０の表面に酸化膜１０を形成し、酸化膜１０を大気にさらし、酸化膜１０を、減圧下且つ第１の温度で減圧加熱処理し、減圧加熱処理された酸化膜１０を大気にさらすことなく、減圧下且つ第１の温度よりも低い第２の温度で、非晶質の第１の誘電体層４１を酸化膜１０上に形成し、第１の温度よりも高い第３の温度で、非晶質の第１の誘電体層４１を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】周辺環境の水分を吸湿することもなく、良好な信頼性を有する耐湿性の向上した薄膜キャパシタを実現する。
【解決手段】キャパシタ部８は、誘電体薄膜５の下面に第１の電極膜４が形成されると共に前記誘電体薄膜５の上面に第２の電極膜５が形成され、さらに第２の電極膜５の上面に誘電体薄膜５と同一材料からなる絶縁体薄膜７が形成されている。キャパシタ部８、密着層３、及びＳｉＯ２からなる酸化物層１は、二層の絶縁膜９、すなわち無機保護膜１０及び有機保護膜１１で被覆されている。第１及び第２の引出電極１２、１３は、互いに電気的に絶縁されると共に、保護膜１０を貫通して第１及び第２の電極膜４、５に電気的に接続されている。そして、外部接続電極１４、１５を除く部位が無機保護膜１６で被覆され、かつ無機保護膜１６は有機保護膜１７で被覆されている。 （もっと読む）

【課題】半導体の酸化物を安定化させることができる上、欠陥密度が低くて電子移動度が高い誘電体層を得て、デバイスの信頼性及び性能を大幅に改善することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０内に設け、第１のゲルマニウムドープト領域を含む第１の電極と、第１の電極上に設け、半導体酸化物及び安定金属を含む第１の誘電体層２３と、第１の誘電体層２３上に設ける第２の電極とを備える。第１の電極及び第２の電極によりキャパシタを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ保護素子が集積された回路全体の製造コストを低減する。
【解決手段】ＥＳＤ保護素子１００は、ｎチャネルＧＧＦＥＴ構造を有している。ＥＳＤ保護素子１００において、第１ｐ⁺低抵抗領域４１は、第１ｐウエル領域４の一部に、第１ｐ⁺⁺コンタクト領域５とその下の領域、ｎ⁺⁺ソース領域８とその下の領域、第１ＬＤＤ領域６とその下の領域、第１ゲート絶縁膜１２の下の領域、第２ＬＤＤ領域７とその下の領域、およびｎ⁺⁺ドレイン領域９の一部とその下の領域に設けられている。第１ｐ⁺低抵抗領域４１のｎ⁺⁺ドレイン領域９側の端部から、第１ゲート電極１３のｎ⁺⁺ドレイン領域９側の端部までの第１エクステンション距離（ＬＢＰ１）は、０〜０．３μｍの範囲内にある。ＥＳＤ保護素子１００の第１ｐ⁺低抵抗領域４１は、高耐圧デバイスの低抵抗領域と同時に形成される。 （もっと読む）

【課題】 薄膜化が可能で、低温で成膜でき、膜質の制御も容易なキャパシタの誘電体膜を有した半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 キャパシタの一方電極となる導電体１上に酸化膜２または酸窒化膜２’を形成する工程と、酸化膜２または酸窒化膜２’上に、キャパシタの誘電体膜となる酸化マンガン膜３を形成する工程と、酸化マンガン膜３上に、キャパシタの他方電極となる導電体膜４を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、保護回路専用の回路パタンや電極を設けることなく、静電気破壊を防止できる半導体装置並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、不純物が拡散された半導体層と、前記半導体層に設けられた電気回路と、前記半導体層上に設けられ、前記電気回路に接続された電極と、前記半導体層上に設けられ、接地又は一定電圧に維持された第１の定電圧導体と、を備え、前記電極及び前記第１の定電圧導体は前記半導体層にそれぞれオーミック接触し、前記半導体層は、トラップが導入されたトラップ導入領域を前記電極と前記第１の定電圧導体との間に有することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｎｄを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で、かつ、ＢとＡとのモル比Ｂ／Ａが０．００５≦Ｂ／Ａ＜０．０３の範囲内となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｓｎを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で、かつ、ＢとＡとのモル比Ｂ／Ａが０．００３≦Ｂ／Ａ≦０．０５の範囲内となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｓｍを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合で、かつ、ＢとＡとのモル比Ｂ／Ａが０．００５≦Ｂ／Ａ＜０．０３の範囲内となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＲＣスナバ回路の抵抗Ｒの値を任意に設計可能な半導体スナバ回路を用いた半導体装置、電力変換装置、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ユニポーラ動作をする還流ダイオード１００と、還流ダイオード１００に並列接続され、キャパシタ２１０及び抵抗２２０をモノリシックに集積化した半導体スナバ回路２００とを備える半導体装置において、抵抗２２０が、半導体スナバ回路２００の基材となる半導体基体の一部に形成され、半導体基体の比抵抗よりも高い比抵抗を有する高抵抗層を含む。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ対策をした保護回路および半導体装置を提供する。
【解決手段】集積回路と電気的に接続された信号線と、信号線と第１の電源線との間に設けられた第１のダイオード、及び第１のダイオードと並列に設けられた第２のダイオードと、第１の電源線と第２の電源線との間に設けられた第３のダイオードとを有し、第１のダイオードは、トランジスタをダイオード接続することによって形成されたダイオードであり、第２のダイオードはＰＩＮ接合又はＰＮ接合を有するダイオードである保護回路。上記保護回路は、特に薄膜トランジスタを用いて作製される半導体装置に用いられることで効果を発揮する。 （もっと読む）

【課題】従来の強誘電体薄膜と同程度の比誘電率を有し、かつ、低いリーク電流密度が得られる、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｃｅを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）