【課題】発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）等の発光素子から出射された光を波長変換して外部に取り出す発光装置に関して、波長変換層の温度上昇を抑制し、発光効率を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板に配置された凹部と、凹部内に配置された反射層と、反射層上に形成された波長変換層と、凹部内でかつ波長変換層よりも上方に配置された発光素子とを備えた発光装置において、波長変換層と発光素子とは直接接しないようにすることにより、発光素子から波長変換層への熱伝導を低減する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップの温度上昇を抑制できて光出力の高出力化を図れ、且つ、複数のＬＥＤチップを直列接続して用いるＬＥＤユニットの低コスト化を図れるリードフレーム、配線板、ＬＥＤユニットを提供する。
【解決手段】リードフレーム３０は、１ピッチの外枠部３１の内側に支持片３２を介して支持されたパターン３３が、ＬＥＤチップを搭載するダイパッド３４と、ダイパッド３４からダイパッド３４を取り囲むように延設されたヒートシンク３５と、一方の電極１１がヒートシンク３５に電気的に接続されるＬＥＤチップの他方の電極と電気的に接続されるリード３６とを具備する単位ユニット３３ａを複数備え、互いに隣り合う単位ユニット３３ａの一方の単位ユニット３３ａのリード３６と他方の単位ユニット３３ａのヒートシンク３５とが連結され電気的に直列接続され、支持片３２の切断部３２ｂを、ダイパッド３４の裏面を含む仮想平面ＶＰから浮かせてある。 （もっと読む）

【課題】 半導体層と電極層との間に設けられた下地層および下地層と半導体層の界面の腐食の発生を防止した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子において、ｎ伝導型の半導体からなる半導体層（２）と、該半導体層（２）に設けられＮｉ、Ａｌから選ばれる金属を含む下地層（４）と、該下地層（４）の上面および側面を覆うように設けられＡｕからなる電極層（５）と、を備え、腐食を受け易いＮｉやＡｌ等の金属から構成される下地層（４）を腐食を受け難いＡｕ等から構成される電極層（５）により覆い、下地層（４）がむき出しにならないようにして腐食の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】ダイアタッチパッドや配線部等を構成する金属層が劣化し難い電子デバイスを提供することである。
【解決手段】本発明に係る電子デバイスは、セラミック製の基体２と電子素子１とを具え、基体２の表面21には金属層８が形成され、該金属層８の表面上に電子素子１が設置されることにより、該電子素子１と金属層８とが熱的又は電気的に接続されている。ここで、金属層８は、基体２の表面21の内、電子素子１によって覆われた領域Ｒ１の外周縁よりも内側の領域Ｒ２に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 反射膜の劣化を抑制することで高い光出力を維持し、かつ通電部位を保護し反射膜の劣化による断線を防止することができる発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 図１の発光装置１００は、凹部を有するパッケージ３と、凹部内に載置された発光素子１と、凹部内において部分的に露出した第１導電部材２−１及び第２導電部材２−２と、第１導電部材２−１の上面を被覆する保護膜５と、凹部内に充填された充填部材６と、を備える。第１導電部材２−１は、第１基材２−１ｂを有すると共に、上側から見て第１基材上に第１反射膜２−１ａが設けられた第１領域Ａと第１基材上に第１反射膜が設けられていない第２領域Ｂとを有する。さらに、発光素子１は、第１反射膜２−１ａと第１ワイヤ４−１で接続されている。 （もっと読む）

【課題】ガラスマトリクス中に無機蛍光体粉末が分散された波長変換部材であって、所望の色度範囲を有しつつ光拡散特性に優れ、かつ、全光束値の高い波長変換部材を提供する。
【解決手段】ガラス粉末と無機蛍光体粉末を含有する混合粉末の焼結体からなる波長変換部材であって、ガラス粉末の粒界に、ガラス粉末とは異なる組成からなる異質層を有することを特徴とする波長変換部材。異質層の厚さは０．００１〜５μｍであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子と光学素子との高い位置合わせ精度を有し、かつ、半導体発光素子の出射部へのダメージを抑制できる光源モジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係る光源モジュール１００は、出射部１１を有する半導体発光素子１０と、出射部１１から出射される光Ｌ１が入射する光学素子２０と、を含み、光学素子２０は、出射部１１を避けて、半導体発光素子１０に接合されている。 （もっと読む）

【課題】複雑な操作や時間のかかる処理によらず、効率的に、特に半導体発光装置用封止剤として有用な二官能のイソシアヌレート化合物の濃度を高めることができるイソシアヌレート化合物の精製方法、これを用いた半導体発光装置用封止剤の製造方法、半導体発光装置用封止剤、光半導体用封止材及び光半導体素子の提供を目的とする。
【手段】イソシアヌレート化合物を含有する半導体発光装置用封止剤の製造方法であって、
下記式（ＩＩ）で表される化合物と、下記式（Ｉ）で表される化合物と、下記式（ＩＩＩ）で表される化合物とを含有する原料混合物に対し、少なくとも特定の抽出工程を経ることにより、前記式（ＩＩ）で表される化合物の混合比を高める処理を含む半導体発光装置用封止剤の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップを封止する封止層の膜強度を高めて、ＬＥＤ装置の耐久性を向上させることを目的とする。
【解決手段】特定波長の光を出射するＬＥＤ発光素子と、前記ＬＥＤ発光素子からの特定波長の光を、他の特定波長の光に変換する波長変換部位とを有するＬＥＤ装置であって、前記波長変換部位は、蛍光体と、アルミニウムケイ酸塩と、バインダとを含む層である、ＬＥＤ装置を提供する。前記アルミニウムケイ酸塩は、好ましくはイモゴライトである。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりを向上させることができ耐久性の高いパッケージ成形体とその製造方法及びそのパッケージを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子チップを収納する凹部１４と正と負のリード電極２１，２２とを有し、凹部の底面において正のリード電極の一方の主面と負のリード電極の一方の主面がそれぞれ露出し、かつ正のリード電極の一端面と負のリード電極の一端面とが所定の間隔を隔てて対向して配置され、正のリード電極の一端面と負のリード電極の一端面の間に成形樹脂１０が充填されるように、正のリード電極と負のリード電極とが一体成形されてなるパッケージ成形体であって、正と負のリード電極はそれぞれ、一方の主面と一端面との交わる端部の角が鋭角になるように盛りあがっている。 （もっと読む）

【課題】エネルギー効率を向上させるとともに、単位面積当たりの発光強度を高くする。
【解決手段】発光装置１は、基体部３ａ、及び基体部３ａ上に形成され、複数の開口部３ｃを備えた光反射部３ｂを有する支持基板３と、複数の開口部３ｃ内に配置され、アノード電極１３及びカソード電極１５を有する発光素子５と、基体部３ａと光反射部３ｂとの間に帯状に延び、発光素子５に電流を供給するための複数の電極配線７と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低い線膨張係数を有し、かつ反射率が高く透過率が低い硬化物を与える硬化性組成物を提供する。
【解決手段】本発明の硬化性樹脂組成物は、（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有する化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、（Ｄ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも１個含有するシリコーン化合物、（Ｅ）無機充填材、（Ｆ）白色顔料を必須成分とし、４６０ｎｍ及び４８０ｎｍでの分光反射率が９０％以上で、硬化物の厚みが０．２ｍｍ以下のときの分光透過率が０．４％未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】暗輝度を引き下げることで、コントラスト比が高く、また、高精細な表示装置とすることが可能な発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光波長が異なる複数の発光素子と、発光素子が載置される複数の凹部を有する基体と、各凹部内に設けられる封止部材と、を有する発光装置であって、凹部は互いに離間するとともに、発光素子の発光波長と同系色の着色部材を含有する封止部材が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、常温でのハンドリング性と高温での溶融性が両立でき、反射率が高く、耐熱耐光性が良好な硬化物を与える熱硬化性組成物を提供する。
【解決手段】本発明の特徴は、（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有する化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、（Ｄ）白色顔料、（Ｅ）無機充填材、（Ｆ）ＳｉＨ基もしくはＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも１個含有するシリコーン化合物、（Ｇ）平均粒径１〜１００ｎｍのナノ粒子、を含有することを特徴とする熱硬化性樹脂組成物であって、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｆ）の少なくとも１成分が２３℃において液体であり、かつ熱硬化性樹脂組成物としては２３℃において固体であることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】
基板上の金属メッキが変色しにくい発光体およびこの発光体を具備する照明装置を提供する。
【解決手段】
発光体１は、金属メッキされた基板２と、基板２の金属メッキされた一面２ａ側に実装されたＬＥＤベアチップ３と、ＬＥＤベアチップ３を包囲するように基板２の一面２ａ側に設けられた枠部４と、ＬＥＤベアチップ３を封止するように枠部４内に充填された透光性樹脂５と、透光性樹脂５の表面５ａ上に充填された透光性樹脂５よりもガス透過率の低い透光性の保護層６とを具備している。 （もっと読む）

【課題】数種類の材料を組み合わせてＬＥＤ発光素子搭載用リードフレームを作製するにおいて、反りがないものを簡便に作製する。
【解決手段】ＬＥＤ発光素子用の素子搭載部、ＬＥＤ発光素子と電気的接続を行うための電気接続エリアを有するリード部を備えたベースとなる基板が、ＬＥＤ光源の高い光反射率を得るための樹脂製リフレクターを併設する場合において、該素子搭載部およびリード部を構成する層が金属材料で構成され、リフレクターは例えば熱硬化性樹脂などの絶縁材料を用いて数種類の材料が組み合わされて作製されており、使用する材料によって線膨張係数が異なっていたとしても、ＬＥＤパッケージを個片化する際に機械的に切断する部分にあらかじめ溝部が設けられており、それはリフレクター成型時に、一括で成型されている。 （もっと読む）

【課題】 成形性が優れ、熱や光による機械的強度の低下や変色が少なく、光反射率が高く、さらには、寸法安定性に優れた硬化物を形成する硬化性シリコーン組成物を提供する。
【解決手段】 （Ａ）平均単位式で表されるオルガノポリシロキサン、（Ｂ）ケイ素原子結合全有機基の３０〜６０モル％が炭素原子数２〜６のアルケニル基であり、ケイ素原子数が１０以下のオルガノポリシロキサン、（Ｃ）一般式で表されるオルガノポリシロキサン、（Ｄ）一分子中に２個以上のケイ素原子結合水素原子を有し、ケイ素原子結合全有機基の２０〜７０モル％がフェニル基であるオルガノポリシロキサン、（Ｅ）ヒドロシリル化反応用触媒、（Ｆ）白色顔料、（Ｇ）非球状シリカまたはガラスファイバー、および（Ｈ）球状シリカから少なくともなる硬化性シリコーン組成物。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した成形体を備える光半導体装置において成形体に接触している封止剤の変色を抑制し、光半導体装置から発せられる光度の低下を抑制できる光半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置１は、リードフレーム２と、リードフレーム２上に搭載された光半導体素子３と、リードフレーム２上に配置された成形体４とを備える。成形体４が、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られている。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、フェノール系酸化防止剤とを含む。該フェノール系酸化防止剤の分子量は６００以上、２０００未満であり、かつ融点は５０℃以上、３００℃未満である。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤパッケージが長期の使用によって劣化を起こし、封止樹脂が収縮した場合においても、封止樹脂と白色絶縁性樹脂の間で剥離が起こりにくくし、劣化が進みにくく、機械的強度，光学的性能の維持に優れたＬＥＤパッケージおよび、その製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともＬＥＤチップを搭載するための一つ乃至複数箇所のパッド部と、前記ＬＥＤチップと電気的接続を行なうための電気的接続エリアを有する金属薄板からなるリードフレーム部材に、前記パッド部および電気的接続エリアを囲むキャビティ構造を有する樹脂成型部を一体化してなる構成のＬＥＤパッケージにおいて、前記キャビティ構造の開口部を取り囲む位置に溝部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】封止部材の容量をできる限り小容量にすること。
【解決手段】この発明は、基板３と、半導体発光素子４０〜４４と、制御素子と、配線素子と、包囲壁部材１８と、基板３に包囲壁部材１８を接着する接着剤１８０Ａと、包囲壁部材１８内の半導体発光素子４０〜４４を封止する封止部材１８０と、を備える。配線素子は、実装パッド６０１〜６４１と、ワイヤパッド６０２〜６４２と、を有する。実装パッド６０１〜６４１とワイヤパッド６０２〜６４２のうち少なくともいずれか一方の辺であって、他方と対向する辺が、実装パッド６０１〜６４１の中心とワイヤパッド６０２〜６４２の中心とをそれぞれ結ぶ線分に対して、直交する。この結果、この発明は、封止部材１８０の容量をできる限り小容量にすることができる。 （もっと読む）