【課題】基板を片持ち状態でしか取り付けできない制約がある場合でも、基板の取り付け強度を向上させたＬＥＤ照明装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ発光部４０ａ及びＬＥＤ発光部４０ａから延びるリードピン４０ｄを有するＬＥＤ４０と、ＬＥＤ４０を配線するための導電性部材からなる配線部４１ｂが表面の一部に形成された基板４１と、ＬＥＤ４０が実装された基板４１を取り付けるための固定支持部４２とを備え、配線部４１ｂが固定支持部４２から離間するように基板４１の一端４１ｃ側を片持ち状態で固定支持部４２の基板取付面４３ａに取り付けるとともに、固定支持部４２のうち基板４１を取り付けた部位である基板取付面４３ａ以外の部位（挟持面４３ｂ１及び凹部４４ａ１）にリードピン４０ｄを引き延ばして固定した。 （もっと読む）

【課題】 銀及び銀合金の表面に優れた耐変色性を付与することができる銀及び銀合金の表面処理剤、耐変色性に優れた光反射膜付き基板、並びに、発光強度が低下しにくい発光装置を提供すること。
【解決手段】 本発明の銀及び銀合金の表面処理剤は、スメクタイト及び水溶性高分子を含有するＡ液、並びに、膜形成性を有する無機材料を含有するＢ液の２液からなる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性および耐光性に優れるリフレクタ材料、および、そのリフレクタ材料から形成されるリフレクタを備え、光の取出効率に優れる発光ダイオード装置を提供すること。
【解決手段】シラノール基両末端ポリシロキサンと、エチレン系ケイ素化合物と、エポキシ基含有ケイ素化合物と、オルガノハイドロジェンシロキサンと、縮合触媒と、付加触媒とから調製されるシリコーン樹脂組成物と、光反射成分とを含有することをリフレクタ材料から形成されるリフレクタ４を発光ダイオード装置１に設ける。 （もっと読む）

【課題】成長用基板に形成された窒化物半導体層を容易に剥離できる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子の製造方法では、第１のサイズｄ１を有する第１基板３１に窒化物半導体層１１を形成する。窒化物半導体層１１上に第１のサイズｄ１より小さい第２のサイズｄ２を有する第１接着層１２ａを形成し、第２基板３２上に第２接着層１２ｂ形成する。第１および第２接着層１２ａ、１２ｂを重ね合わせ、第１および第２基板３１、３２を張り合わせる。第２のサイズｄ２より大きいまたは等しい第３のサイズｄ３を有する凹部３１ａを生じるように第１基板３１を除去する。凹部３１ａに薬液を注入し、窒化物半導体層１１が露出するまで第１基板３１をエッチングする。薬液で、露出した窒化物半導体層１１を更にエッチングし、窒化物半導体層１１の露出面を粗面化する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の熱劣化を抑制する構成を具備することにより、高寿命および高信頼性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１が搭載される支持基板２であって、支持基板２の少なくとも一面２ｆに熱伝導部３が形成されており、熱伝導部３に半導体素子１が高熱伝導接着剤６を介して搭載されている。 （もっと読む）

【課題】
蛍光体及びその製造方法、それを用いる発光装置が提供される。
【解決手段】
前記蛍光体の組成式はＩ_ｉ−Ｍ_ｍ−Ａ_ａ−Ｂ_ｂ−Ｏ_ｔ−Ｎ_ｎ：Ｚ_ｒであり、ここで、Ｉは、Ｌｉ、Ｎａ、及びＫを含む群から選択され、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｂｅ及びＺｎを含む群から選択され、ＡはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、及びＬｕを含む群から選択され、ＢはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＨｆを含む群から選択され、ＺはＥｕ及びＣｅを含む群から選択され；ｍ＋ｒ＝１、０＜ｉ＜０.２５、０＜ａ＜１、０＜ｂ＜２、１.１５＜ｂ／ａ＜１.４、０≦ｔ≦０.７、２.１≦ｎ≦４.４、及び０.００１≦ｒ≦０.０９５である。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を保ちつつ輝度が高められた半導体発光素子および量産性に富むその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、発光層を含む半導体積層体と、反射層と、支持基板と、第１接合電極と、第２接合電極と、を有する。前記反射層は、前記半導体積層体の側の第１の面および前記第１の面の反対の側の第２の面を有し、金属からなる。前記第１接合電極は、前記第２の面と前記支持基板との間に設けられ、前記支持基板の側に突出した凸部と、平面視で前記凸部の周囲に設けられた底部と、を有する。前記第２接合電極は、前記第１接合電極の前記凸部と嵌合する凹部を有し、前記支持基板と、前記第１接合電極と、を接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の剥がれを抑制することが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】基板２上に、ｎ型層３ａ、発光層３ｂ、およびｐ型層３ｃを有する光半導体層３を形成する第１工程と、ｎ型層上の露出領域Ｓｐ内に第１電極４を形成する第２工程と、ｐ型層上に、発光層で発光した光を反射する第１金属層５ａ、および第１金属層を覆うとともに金を含む第２金属層５ｂを順次積層して第２電極５を形成する第３工程と、第２電極上に、チタンおよびシリコンの少なくとも一方を含む密着層６を形成する第４工程と、密着層を酸素雰囲気中で加熱して、密着層の表面を酸化させる第５工程と、表面を酸化させた密着層、第２電極、ｐ型層および発光層を被覆するようにシリコンを含む絶縁膜７を形成する第６工程と、第２電極と重なる領域の一部に位置する、絶縁膜および密着層をエッチングして、第２電極の一部を露出させる第７工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 光出力の低下を十分に抑制することができる光半導体装置を提供すること。
【解決手段】 底面及び壁面から構成される凹部２００を有し、凹部２００の底面が光半導体素子の搭載部であり、凹部２００の壁面の少なくとも一部が光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる光半導体素子搭載用基板１１０と、光半導体素子搭載用基板１１０に搭載された光半導体素子１００と、を備える光半導体装置であって、光反射用熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂成分と白色顔料とを含み、白色顔料は、Ｘ線光電子分光法により表面の構成元素を測定した場合に、ケイ素とチタンとの元素存在比（Ｓｉ／Ｔｉ）が１〜１４であり、ケイ素とアルミニウムとの元素存在比（Ｓｉ／Ａｌ）が１．３以上であり、且つ、ケイ素と炭素との元素存在比（Ｓｉ／Ｃ）が０．３以上である酸化チタンを含む、光半導体装置。 （もっと読む）

【課題】工程数が少なく生産性を向上する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、パッド電極層形成工程Ｓ１１で、窒化物半導体発光素子構造上に、ｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極となるパッド電極層を形成し、レジストパターン形成工程Ｓ１２で、パッド電極層上に、ｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極を形成する領域を被覆するレジストパターンを形成する。次に、パッド電極層エッチング工程Ｓ１３で、このレジストパターンをマスクとして、パッド電極層をエッチングしてｎ側パッド電極およびｐ側パッド電極を形成する。続いて、このレジストパターンを除去せずに、保護層形成工程Ｓ１４で、窒化物半導体発光素子構造の表面およびレジストパターン上に絶縁性の保護層を形成した後に、レジストパターン除去工程Ｓ１５で、レジストパターンを除去する。 （もっと読む）

【課題】耐熱、耐ＵＶ性、貯蔵安定性が良好な硬化物を与える樹脂組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）の構造を有するシリコーン変性エポキシ樹脂を含有するエポキシ樹脂組成物。


［式中、Ｒ¹、Ｒ²は特定の有機基、Ｙは環状エーテル基を含有する有機基。］ （もっと読む）

【課題】 紫外領域から可視領域において反射率が低下することなく、且つ耐熱性・耐光性・耐候性に優れる発光ダイオード用リフレクター及びこれを有するハウジングを提供する。
【解決手段】 平均粒径１μｍ未満の充填材を含むフッ素樹脂組成物を成形して得られ、波長２４０ｎｍ〜７００ｎｍにおける反射率の最大値と最小値の差が２５％以内である発光ダイオード用リフレクター。 （もっと読む）

【課題】放熱効率の高い発光ダイオードを低コストで製造する。
【解決手段】半導体層２０等がチップ間で分離された状態で金属板７０のウェットエッチングを行う（金属板切断工程）。このエッチングに際しては、放熱板３０の材料に応じたエッチング液を用いることができる。また、このウェットエッチングの際にフォトレジスト層５０が残存するような設定とされる。これにより、ダイシングシート１００上で放熱板３０も発光ダイオードチップ毎に分離され、図４（ｊ）の形態が得られる。分離後にフォトレジスト層５０を剥離液で除去することにより、最終的に図４（ｋ）のように、分離された個々の発光ダイオード１０が得られる。この製造方法において、最終的なチップの分離は、図４（ｊ）に示されるウェットエッチングにより行われる。 （もっと読む）

【課題】 シリコーン樹脂系の封止材を用いた半導体発光装置において、リード電極の経時的な変色を防止し、発光装置の輝度を維持する。
【解決手段】（Ａ）二官能熱硬化性シリコーン樹脂、（Ｂ）多官能熱硬化性シリコーン樹脂、及び（Ｃ）硬化触媒を含有してなるシリコーン系封止材組成物であって、以下の特徴を有するシリコーン系封止材組成物。
１）（Ａ）と（Ｂ）との合計量中に（Ｂ）が占める比率が（重量比）が、０．５／１００以上、１００／１００未満
２）（Ｂ）成分の官能数が２．５以上４．０以下
３）（Ｂ）成分の重量平均分子量が１０００〜１００００
４）８０℃において、（Ａ）と（Ｂ）とは非相溶かつ（Ｂ）の密度が（Ａ）の密度よりも０．０１ｇ／ｃｍ^３以上高い （もっと読む）

【課題】優れた耐熱性、耐熱変色性、及び透明性を有し、かつ、比較的低温環境下であっても硬化性に優れた封止材を提供する。
【解決手段】本発明の封止材は、下記一般式（Ｉ）で示される構造を有する（メタ）アクリロイル基含有ポリウレタン（Ａ）とラジカル重合性不飽和単量体（Ｂ）とを含有することを特徴とする。一般式（Ｉ）中、Ｚは、分子量６５〜２６５の脂肪族環式構造含有アルキレン基を表し、Ｔは、脂肪族環式構造含有アルキレン基又は鎖状アルキレン基を表し、前記Ｍは、（メタ）アクリロイル基を含む原子団を表す。
[化１]
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【課題】製造時の工数がかからず、電子基板およびこれに搭載される各種の電子素子、発光ダイオード等の周囲を該電子基板を含めて直接熱可塑性樹脂で成形、封止するようにした電子部品実装基板の樹脂封止方法および樹脂封止基板を有する電子機器並びに照明機器の提供。
【解決手段】ファインセラミック基板５に電子部品を実装した後、射出成形用金型１内に設置し、このファインセラミック基板５を包囲するように熱可塑性樹脂材で射出成形する。また、電子部品が実装されたファインセラミック基板と、電子部品を囲包するようにファインセラミック基板の外側に射出成形された熱可塑性樹脂部とを有する電子機器、および発光ダイオード素子６１，６２が実装されたファインセラミック基板１および発光ダイオード素子を囲包するようにファインセラミック基板の外側に射出成形する。 （もっと読む）

【課題】耐熱・耐光性に優れ、広い波長範囲において薄肉でも高い反射率を有し、成形性、放熱性、量産性に優れた半導体発光装置用パッケージを提供する。
【解決手段】第１のリードと、第２のリードと、第１のリード及び第２のリードと一体的に成形されてなる樹脂成形体とを有してなる半導体発光装置用樹脂パッケージであって、該樹脂パッケージは底面と側面とを有する凹部が形成されており、その凹部の底面から第１のリード及び第２のリードが露出しているとともに、該樹脂パッケージが半導体発光素子を載置するための基台を有しており、
かつ前記樹脂成形体は、（Ａ）ポリオルガノシロキサン、（Ｂ）一次粒子のアスペクト比が１．２以上４．０以下、一次粒子径が０．１μｍ以上２．０μｍ以下の白色顔料、および（Ｃ）硬化触媒を含有する組成物から形成されている半導体発光装置用樹脂パッケージ。 （もっと読む）

【課題】耐久性が高く、コストが低いＬＥＤパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係るＬＥＤパッケージは、相互に離隔した第１及び第２のリードフレームと、前記第１及び第２のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子が前記第１のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第２のリードフレームに接続されたＬＥＤチップと、前記第１及び第２のリードフレームのそれぞれの上面の全体、下面の一部及び端面の一部を覆い、前記ＬＥＤチップを覆い、前記下面の前記残部及び前記端面の前記残部を露出させた樹脂体と、を備える。そして、前記第１及び第２のリードフレームのそれぞれの前記下面の残部と前記端面の残部との間には凹部が形成されており、前記凹部の内面は前記樹脂体によって覆われていない。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子を気密性の高い外殻部材の内部に備えたランプであって、効率よく生産可能なランプを提供すること。
【解決手段】ランプ１００であって、ＬＥＤ１１２が配置された基体１１６と、内方に基体が配置され、透光性を備える外殻部材１２０と、外殻部材１２０の端部開口１２１が熱により封止されることで形成された封止端部２２５と基体１１６との間に配置された遮熱体１３５とを備える。 （もっと読む）

【課題】LED照明ユニット等の銅又は銅合金を基材として銀皮膜等の表面層が形成された材料において、基材に含まれる銅原子が表面層に拡散することを効果的に防止できる方法を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金を基材とする材料において、該基材上に、パラジウム皮膜又は銀皮膜と、ニッケル皮膜又はニッケル合金皮膜とが順次積層された構造の拡散防止層が形成されていることを特徴とする、銅の拡散防止層を有する銅系材料。 （もっと読む）