【課題】光源を一個使用する場合でも導光板の輝度ムラを低減して均一な発光を得ると共に、光源と導光板の界面近傍における漏れ光を低減し、光の取り出し効率を改善する。
【解決手段】面発光装置は、導光板の主面におけるいずれかの隅部であって、かつ導光板の主面と略直交する端面に対向するように配置された一の光源を備える。導光板の光源を配置する隅部を面取り状にカットした光源配置面２３とし、導光板の発光面２１の内、所定の領域を発光領域２４とし、該発光領域２４に向かう発光成分を多くするように、導光板の光源配置面２３を挟む２辺の少なくとも一方の側面は、傾斜角度が光源配置面２３から離れるに従って大きくなるように連続的に傾斜された曲面に形成しており、これによって、光源配置面２３から離れるに従って発光面２１の中心側に向かって反射される成分が多くでき、少ない光源でも効率よく発光できる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子の光抽出効率（ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）を高めると共に発光素子の寿命及び動作信頼性を向上させることができる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は表面が所定のパターンにエッチングされた基板４０１と、前記基板４０１のエッチングされない領域上に設けられ、第１バッファー層４０３と第１窒化物半導体層４０５とが積層形成される突出部と、前記基板のエッチングされた領域に形成される第２バッファー層４０９と、前記第２バッファー層４０９及び前記突出部の上に形成された第２窒化物半導体層４１１と、前記第２窒化物半導体層４１１上に形成された第３窒化物半導体層４１３と、前記第３窒化物半導体層４１３上に形成されて光を放出する活性層４１７と、及び前記活性層４１７上に形成された第４窒化物半導体層４１９を含む窒化物半導体発光素子を開示する。 （もっと読む）

【課題】発光効率の高いＩＩＩ族窒化物半導体発光素子発光素子を提供すること。
【解決手段】基板上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型層、発光層およびｐ型層が、発光層をｎ型層とｐ型層が挟むように配置されたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、下式（Ｉ）で表わされる、発光層と基板との間にある層のａ軸格子定数ａ₁と発光層のａ軸格子定数ａ₂との差の割合Δａの範囲が、−０．０５≦Δa≦０．０５（単位：％）であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
Δａ＝１００（ａ₁−ａ₂）／ａ₁ ・・・・・・（Ｉ） （もっと読む）

【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体の成長性を大幅に改善することができる単結晶基板を提供すること。
【解決手段】 基板１の主面１ａ上にＺｒ_１−ｘＴｉ_ｘＢ_２（ただし、０＜ｘ≦１）から成る層である硼化ジルコニウム・チタン層２をエピタキシャル成長して新たな表面２ａを（０００１）面とした単結晶基板である。チタン（Ｔｉ）が介在することにより、基板１への硼化ジルコニウム・チタン層２の成長性および硼化ジルコニウム・チタン層２への窒化ガリウム系化合物半導体の成長性が改善される。 （もっと読む）

【課題】発光素子の外囲器における放熱効率を改善する。
【解決手段】リードフレーム１１に発光素子１ａの下面の電極を接続し、別のリードフレーム１２に発光素子１ａ’の下面の電極を接続する。この構成により、発光素子１ａの発する熱はリードフレーム１１を通じて放熱され、発光素子１ａ’が発する熱はリードフレーム１２を通じて放熱されるようになり、放熱効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】高い発光効率によって明るい光を供給できる固体発光素子等を提供すること。
【解決手段】電流を供給することにより発光する発光部２０２と、発光部２０２に電流を供給する第１の電極２０１及び第２の電極２０６と、を有し、第１の電極２０１は、発光部２０２からの光を第２の電極２０６の方向へ反射し、第２の電極２０６は、発光部２０２からの光を出射するための開口部２０８を備え、開口部２０８が設けられている部分以外の部分で、発光部２０２からの光を第１の電極２０１の方向へ反射する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層と、該エピタキシャル層と境界面を形成する反射層とを有する従来の発光ダイオード素子において、エピタキシャル層と反射膜との剥離、及び反射層の形状に起因する素子内部でのクラックの発生があった。
【解決手段】エピタキシャル層の一方の面に選択的に凹部を形成し、反射層を、該反射層の上面を凹部の開口縁部と略面一に露出させて凹部に埋設するように形成して解決した。 （もっと読む）

【課題】 複数の発光部で発光された光を効率よく取り出すことができるようにする。
【解決手段】 本発明に係る光半導体装置は、GaAs基板１上に互いに分離して形成される複数のLED２と、これら複数のLED２のそれぞれに対応して設けられる複数の光取り出し部３とを備えている。基板上に縦横に複数の光セル１０を配置し、個々の光セル１０に対応させて半球状の光取り出し部３を設けるため、基板の全面で発光させる場合と比べて、光セル１０で発光された光を効率よく外部に取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率を向上させた信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、凹部を有する支持部材と、該支持部材に配される正負一対の導体配線と、該導体配線と電気的に接続し凹部に載置される半導体素子と、少なくとも該半導体素子を封止する被覆部材とを有する半導体装置であって、凹部の側壁は、半導体素子１０３を包囲する第一の側壁１０５と、該第一の側壁から突出される第二の側壁１０６とからなり、該第二の側壁１０６の壁面のうち、少なくとも凹部の底面側の第一の壁面１０６ａは、金属材料により被覆されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 応答速度が改善される内部狭窄型の半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 第１導電型クラッド層と、第２導電型クラッド層と、前記第１導電型クラッド層と前記第２導電型クラッド層との間に設けられた活性層と、前記第２クラッド層の上に設けられた第２導電型の半導体層と、前記第２導電型の半導体層の上に設けられた光取り出し側電極と、を備え、前記第２導電型の半導体層と、前記第２導電型クラッド層と、前記活性層と、前記第１導電型クラッド層と、は、電気抵抗を上昇させる不純物がイオン打ち込みにより導入されたイオン打ち込み領域を有し、前記光取り出し側電極の輪郭の少なくとも一部は、前記イオン打ち込み領域の輪郭と同一であることを特徴とする半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】殊に小さくて小型であり、また高い効率を備えるように構成することができる、改善された発光半導体素子を提供する。
【解決手段】第１のミラー７は金属層４と、金属層のアクティブ領域２側とは反対側に配置されているビーム透過性で導電性の材料からなる中間層３とを包含し、発光半導体素子は、ＲＣＬＥＤとして光学的な共振器を用いて動作し且つ非コヒーレントなビームを形成するために設けられている、またはＶＥＣＳＥＬとして外部の光学的な共振器を用いて動作し且つコヒーレントなビームを形成するために設けられている。 （もっと読む）

半導体発光素子は、発光機能を有する半導体基板（２）とアノード電極（３）とオーミックコンタクト領域（４）と合金化阻止用の光透過層（２０）と金属光反射層（５）と導電性支持基板（８）とを有する。前記光透過層（２０）は絶縁性を有する材料から成り、前記半導体基板（２）と前記金属光反射層（５）との合金化を阻止する機能を有する。オーミックコンタクト領域（４）は光透過可能な厚みに形成される。前記半導体基板（２）から発生した光は前記光透過層（２０）を通って前記金属光反射層（５）で反射し、且つ前記オーミックコンタクト領域（４）を通って前記金属光反射層（５）で反射する。この結果、半導体発光素子の発光効率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム基板（ＧａＮ基板）を利用した半導体素子の製造性を向上しつつ、ＧａＮ基板上に平坦性及び結晶性に優れた窒化物系半導体層を形成することが可能な技術を提供する。
【解決手段】上面１０ａが（０００１）面に対して＜１−１００＞方向に０．１°以上１．０°以下のオフ角度θを有する窒化ガリウム基板１０を準備する。そして、窒化ガリウム基板１０の上面１０ａ上にｎ型半導体層１１を含む複数の窒化物系半導体層を積層して、半導体レーザ等の半導体素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】
Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ（０＜ｘ＜１）半導体結晶１中に５Ｅ１８個／ｃｍ³以下のＺｎ濃度を有するＺｎ拡散領域７を提供する。
【解決手段】
Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ（０＜ｘ＜１）半導体結晶１上に、Ａｌ_yＧａ_1-yＡｓ膜２、ＧａＩｎＰ膜３、ＺｎＯ膜４及びアニーリングキャップ膜５を順次積層する工程と、熱処理を行うことにより、Ａｌ_yＧａ_1-yＡｓ膜（０≦ｙ≦１）２、ＧａＩｎＰ膜３及びＺｎＯ膜４を反応させて、Ａｌ_yＧａ_1-yＡｓ膜／ＧａＩｎＰ膜／ＺｎＯ反応膜６を形成し、そのＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ膜／ＧａＩｎＰ膜／ＺｎＯ反応膜６を拡散源として、Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ結晶１中にＺｎを拡散させる。 （もっと読む）

【課題】 サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を結晶成長させる際に、反りの発生状態を的確に把握し、これに対処する。
【解決手段】 サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体からなる結晶層を結晶成長させるに際し、サファイア基板を表面を鏡面研磨した支持具上に載置し、ニュートンリングを観察することにより反りを把握する。また、サファイア基板上での窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長に際しては、結晶成長させる結晶層の厚さに対してサファイア基板の厚さを厚くする。具体的には、サファイア基板の厚さをｄ、サファイア基板の直径をｒ（インチで表した時の数値）、結晶層の厚さをｔとしたときに、ｄ≧５０×ｒ×ｔとなるようにサファイア基板の厚さを選定する。 （もっと読む）

【課題】内部損失を減らして光量を多く取り出すことができ、さらに高出力を発生した時も長い寿命を確保する発光素子を提供する。
【解決手段】正極端子１２及び負極端子１３と、負極端子１３に形成された凹部１３ａの底面上に配置した発光ダイオード部１４と、発光した光を受光し、蛍光を発生する蛍光体１７と、発光ダイオード部１４と蛍光体１７とを密封する透明性容器１８とを有し、発光ダイオード部１４は、素子形成用基板２１／ｎ型窒化ガリウム系半導体層／窒化ガリウム系半導体活性層／ｐ型窒化ガリウム系半導体層なる積層体であり、基板２１は、凹部１３ａ底面との電気的接続部を有し、ＣｒとＰｔとＡｕとの固溶体からなる正極用接合電極をｐ型窒化ガリウム系半導体層の最上部表面に形成し、正極端子１２と電極２１０とを電気的に接続し、電極２１０の周囲に、導電性透明電極層２１１を形成し、発光素子１１と導電性透明電極層２１１の側面とを、透明性パッシベーション層２１２で外部遮断した。 （もっと読む）

照明システムは、複数の発光ダイオードＲ、Ａ、Ｇ、Ｂを実装する及び電気的に接触させるための実装基板４を有している。第１の種類の発光ダイオードＧ，Ｂは、実装基板４に面している自身の外面１３上に活性層１を備えている第１の半透明基板１１を有しており、電気的接触が、前記実装基板に面している側に設けられている。第２の種類の発光ダイオードＲ，Ａは、第２の半透明基板１２上に配されている活性層２を有しており、少なくとも１つの電気的接触が、前記実装基板から外方に向いている側に設けられている。前記第１の種類の各発光ダイオードは、第１サブマウント２１上に設けられている。前記第２の種類の各発光ダイオードは、第２サブマウント２２上に設けられている。前記第１及び第２サブマウントは、前記実装基板上に設けられている。
（もっと読む）

【課題】 発光強度を向上させた窒化物半導体発光素子とその製造方法とを提供する。
【解決手段】 半導体基板上に形成された、ｐ型窒化物半導体層と、量子井戸構造を含む活性層と、ｎ型窒化物半導体層と、を含み、活性層は、互いに組成の異なる、第１の窒化物半導体層と、第２の窒化物半導体層と、第３の窒化物半導体層と、を含んでいる窒化物半導体発光素子とその窒化物半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 温度上昇に伴う色合いの変化及び輝度変化を抑制し、消費電力の低減を図る。
【解決手段】 少なくともＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体発光素子１１Ｒを含む複数種類の発光素子１１と、発光素子１１の発熱を放散させるヒートシンク１２とを備え、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体発光素子１１Ｒに対応するヒートシンクを、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体発光素子１１Ｒより発熱量の大きい他の発光素子１１Ｇ、１１Ｂに対応するヒートシンクから熱的に独立させる。他の発光素子１１Ｇ，１１Ｂは例えばＡｌＧａＩｎＮ系化合物半導体発光素子である。ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体発光素子１１Ｒに対応するヒートシンク１２ａと他の発光素子１１Ｇ，１１Ｂに対応するヒートシンク１２ｂとは分離している。 （もっと読む）

放射線源と、この放射線源によって放射された光の一部を吸収して、その吸収した光の波長と異なる波長の光を放射できる少なくとも１種のリン光体を含む蛍光材料とを含む照明システムであって、前記少なくとも１種のリン光体が、一般式(Sr_1-x-y-zCa_xBa_y)_aSi_bAl_cN_dO_e:Yb_z（式中、0≦x≦1；0≦y≦1；0.001＜z＜0.2；0＜a＜2；0＜b≦2；0＜c≦2；0＜d＜7；0＜e＜2）の黄色-赤色発光イッテルビウム(II)-活性化オキソニトリドシリケートである照明システムは、特に放射線源としての発光ダイオードに関連して高い光度と演色評価数を有する光源を提供することができる。一般式(Sr_1-x-y-zCa_xBa_y)_aSi_bAl_cN_dO_e:Yb_z（式中、0≦x≦1；0≦y≦1；0.001＜z＜0.2；0＜a≦2；0＜b≦2；0＜c＜2；0＜d＜7；0＜e＜2）の赤色から黄色を発光するイッテルビウム(II)-活性化オキソニトリドシリケートは、電磁スペクトルの近UVから青色範囲の一次放射線によって効率的に励起しうる。 （もっと読む）