【課題】 発光層が下部にある半導体発光素子を有する発光装置の発光効率及び発光強度を向上させるとともに半導体発光素子の固定強度を確保する。
【解決手段】固定用樹脂１０により発光ダイオード素子５の下部側面と、底面の銀ペースト９が塗布されていない部分とを被覆する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤにおいて用いられるコンタクトを改善して、光取り出しを低下させることなくこの偏流注入問題を低減させること。
【解決手段】発光デバイスは、基板、ドープされた基板層、ドープされた基板層の上にある第１導電型層、第１導電型層の上にある発光層、発光層の上にある第２導電型層を含む。例えば酸化インジウム・スズからなる透明導電層及び金属反射層は、第２導電型層の上あり、第２導電型層と電気的接触を形成する。複数のバイアは、金属反射層及び透明導電層、並びに第２導電型層、ドープされた基板層に至るまでの層内に形成することが可能である。複数のコンタクトがバイア内に形成され、ドープされた基板層と電気的接触を形成する。金属反射層の上に形成された絶縁層は、複数のコンタクトを透明導電層及び金属反射層から絶縁する。 （もっと読む）

【課題】多層発光ダイオード装置において、より良好な演色評価数を有する多層発光ダイオード装置を提供すること。
【解決手段】少なくとも１つの半導体のもとで、活性ゾーンの発光波長が所定の形式で変化し、それによって当該半導体から発せられる光のスペクトル帯域幅が高められるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 無機材料封止加工を具現化するための課題を抽出、解決し、ガラス封止を行うことで期待できる効果を実際に得ることができ、さらに固体素子デバイスが全て低膨張率材料で構成され、光学素子の密実装やラージサイズの固体素子にも対応できる固体素子デバイスを提供する。
【解決手段】 ＬＥＤ素子２とガラス封止部６の熱膨張率が同等であるので、Ａｌ_２Ｏ_３基板３を含めた部材の熱膨張率が同等となり、ガラス封止における高温加工においても内部応力の増大を抑えてクラックを生じることのない安定した加工性が得られる。また、内部応力を小にできるので、耐衝撃性が向上し、信頼性に優れるガラス封止型ＬＥＤとできる。 （もっと読む）

形成する際に格子歪を必要としない不均一な量子ドットを有する半導体積層構造（１）は、活性層（３）の両側に、活性層（３）よりも禁制帯幅の大きいクラッド層（５，６，１６）が積層されたダブルヘテロ接合構造であって、活性層（３）が、形成する際に格子歪を必要としない不均一な量子ドット（２）からなる層を少なくとも１層以上含む。不均一な量子ドット層（２）は、その大きさ及び組成の何れか一つまたは両者が異なる化合物半導体からなる不均一な量子ドットから形成されている。発光ダイオード（１５，１５’）、半導体レーザダイオード（２０）及び半導体光増幅器（３０）のそれぞれは、不均一な量子ドットを有する半導体積層構造（１、１’）を有して構成されている。波長範囲の広い発光や増幅ができる。
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【課題】 放射された光のスペクトルの広がりを狭くすることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 電極から活性層に電流が注入されることにより発光が生ずる。活性層を挟むように、活性層のバンドギャップよりも広いバンドギャップを有する一対のクラッド層が配置されている。一対のクラッド層のうち少なくとも一方のクラッド層よりも外側に、光吸収層が配置されている。光吸収層のバンドギャップは、活性層のバンドギャップよりも広く、クラッド層のバンドギャップよりも狭い。 （もっと読む）

【課題】幅広い用途に対応でき、しかも単体で白色からの色ずれが少ない発光素子及びそれを用いた発光ダイオードを提供することを目的とする。
【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体と、窒化ガリウム系化合物半導体の上面または下面の一方に形成されるｐ電極９及びｎ電極７と、ｐ電極及びｎ電極が外部に露呈するように窒化ガリウム系化合物半導体と一体的に形成され、かつ窒化ガリウム系化合物半導体が発する光に対して補色の関係にある光を発する蛍光物質を含む蛍光膜層１０、１１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】透光性が高く、低抵抗の透光性電極の製造方法。
【解決手段】半導体発光素子１００は、サファイア基板上にバッファ層１０２、ノンドープＧａＮ層１０３、高キャリヤ濃度ｎ⁺層１０４、ｎ型層１０５、発光層１０６、ｐ型層１０７、ｐ型コンタクト層１０８を順に積層して形成され、少なくとも酸素が存在する雰囲気下で電子線蒸着法又はイオンプレーティング法により形成され、後に焼成されて形成されたＩＴＯから成る透光性電極１１０を有する。 （もっと読む）

【課題】回路保護ユニットを備える発光装置を提供する。
【解決手段】回路保護ユニットは、低抵抗層および電位バリア層を備え、低抵抗層と電位バリア層の間の界面にはバリア電位が存在する。回路保護ユニットは、発光装置と電気的に接続される。発光装置に静電放電または過度の順方向電流が生じた場合、回路保護ユニットは、整流機能を発揮し、静電気または発光装置への過大な順方向電流によって生じる損傷が回避される。 （もっと読む）

【課題】所望の色位置スペクトルに関し改善された特性を有し、また十分に高められた均質性を持った色位置スペクトルを実現することが特に可能なルミネセンスダイオードチップを提供する。
【解決手段】電磁一次放射を放出するのに適した半導体層列５と、半導体層列５の少なくとも１つの主面１１上に設けられ、一次放射の一部分を一次放射に比し少なくとも部分的に異なる波長領域を有する二次放射に変換するのに適した少なくとも１つの発光物質を有する変換層２とを備え、二次放射の少なくとも一部分と変換されない一次放射の少なくとも一部分とが結果として生じる色位置を有する混合色に重なり、変換層２が結果として生じる色位置の観察角との関係を調整することを目標として構造化されている。 （もっと読む）

【課題】 発光効率と信頼性との両方が高い半導体発光素子を提供することが困難であった。
【解決手段】 ｎ型半導体層６と活性層７とｐ型半導体層８とｐ型補助半導体層９とを有する発光機能を有する半導体領域３と導電性を有する支持基板１との間にＡｇ又はＡｇ合金から光反射層２を設ける。光反射層２は半導体領域３の一方の主面に形成したＡｇ又はＡｇ合金から成る第１の貼合せ層と支持基板１の一方の主面に形成したＡｇ又はＡｇ合金から成る第２の貼合せ層との接合によって形成する。光反射層２の側面２２と半導体領域３の側面２３とのいずれか一方又は両方を保護層６で覆ってマイグレーションを抑制する。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ型のIII族窒化物系化合物半導体発光素子の光取出し効率向上。
【解決手段】半導体発光素子１００は、サファイア基板上にバッファ層１０２、ノンドープＧａＮ層１０３、高キャリヤ濃度ｎ⁺層１０４、ｎ型層１０５、発光層１０６、ｐ型層１０７、ノンドープのGaNとAlGaNとを積層したＤＢＲ層１０８、ｐ型コンタクト層１０９を順に積層して形成された。ＤＢＲ層１０８と正電極１２０とにより上方へ向かう光の反射率が80%に達し、ＤＢＲ層１０８がノンドープ層であることから、静電耐圧が向上した。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率を向上させることができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１のウインドウ層１５の上面には、島状に分散配置された多数の円筒状の突起部１６と窪み部１７とが形成されている。突起部１６の上面には、コンタクト電極２１が形成されている。窪み部１７内には、透明誘電体膜２２が形成されている。そして、透明誘電体膜２２と、コンタクト電極２１との上には、透明導体膜２３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板に厚いＩＩＩ−Ｖ半導体皮膜結晶を沈積させ、さらに基板上でＩＩＩ−Ｖ構造部品とシリコン構造部品を組み合わせる。
【解決手段】 本発明は、厚いＩＩＩ−Ｖ半導体皮膜を非ＩＩＩ−Ｖ基板、特にシリコン基板に、ガス状の初期物質を反応炉の処理室に導入することによって沈積する方法に関するものである。シリコン基板に厚いＩＩＩ−Ｖ半導体皮膜結晶を、欠点となる格子応力を生じさせることなく沈積するため、本発明は２つのＩＩＩ−Ｖ皮膜の間に薄い中間皮膜を、低下させた成長温度で沈積することを提案している。
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【課題】 板状基体の反りの低減と主半導体領域の結晶性改善との両方を得る。
【解決手段】 シリコン基板の上に窒化物半導体から成るバッファ領域３を介して半導体素子の主要部を形成するための主半導体領域が配置されている。バッファ領域３が多層構造の複数の第１のバッファ領域９と単層構造の複数の第２のバッファ領域１０との交互積層体で形成されている。第２のバッファ領域１０に空隙１５が含まれている。多層構造の第１のバッファ領域９の相互間に空隙１５を有する第２のバッファ領域１０が配置されることによって、半導体基体の反りが改善され且つ主半導体領域の結晶性が改善される。 （もっと読む）

【課題】外部量子効率の高い半導体発光素子の生産性や信頼性を確保すること。
【解決手段】ＭＱＷ構造の活性層５は膜厚約３．５ｎｍのＩｎ_0.30Ｇａ_0.70Ｎから成る井戸層５１と膜厚約７ｎｍのＧａＮから成るバリア層５２とが交互に合計５層積層することにより形成されている。この活性層５の上には、Ｍｇドープのｐ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎから成る膜厚約５０ｎｍのｐ型クラッド層６が形成されている。更に、ｐ型クラッド層６の上にはＭｇドープのｐ型Ｉｎ_0.03Ｇａ_0.97Ｎから成る膜厚約２００ｎｍのｐ型コンタクト層７が形成されている。このｐ型コンタクト層７の上面（ｃ面）には、所定の結晶成長条件下で実施されるｐ型コンタクト層７自身の結晶成長によって、凹凸形状が故意に形成されている。この凹部は６つのファセット面からなる逆六角錘形状の多数の穴（ピット）から形成されている。 （もっと読む）

本発明は、圧力Ｐで窒素を溶融金属中に混合して、第１温度範囲の第１温度Ｔ₁での析出によって、前記溶融金属中に配置されたＩＩＩ属窒化物の種結晶上に、または前記溶融金属中に配置された異質の基板上に、前記ＩＩＩ属を含む溶融金属から１つのＩＩＩ属窒化物のまたは異なる複数のＩＩＩ属窒化物の混合物の結晶層あるいはバルク結晶を製造する方法に関する。本法では、前記溶融金属中でＩＩＩ属窒化物へのＩＩＩ属金属の変換速度を増やす溶媒添加物を前記溶融金属に加える。前記溶融金属が、第１処理段階と第２処理段階とをもつ少なくとも１回の温度サイクルを通過し、前記温度サイクルにおいて、前記溶融金属が、前記第１処理段階の後で前記第１温度Ｔ₁から前記第１温度範囲より低い第２温度Ｔ₂まで冷却され、前記第２処理段階の終わりに前記第２温度Ｔ₂から前記第１温度範囲の温度まで加熱される。上記の方法は、１１００℃以下の温度と５×１０⁵Ｐａ以下の処理圧で、転位密度１０⁸ｃｍ^-2未満を有し、１０ｍｍより大きい直径を有するかなり大きな結晶と１０μｍより大きい厚さを有するＩＩＩ属窒化物結晶層を製造することを可能にする。
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【課題】 活性層で発光した光を電極で反射させて光を外部に効率よく取り出すタイプの半導体発光素子の電気的、光学的、信頼性に優れた電極材料及び電極構造を提供し、低駆動電圧化、発光の高反射率化、高信頼性化を図る。
【解決手段】 電極を、半導体層が部分的に露出するように形成されるオーミック特性に優れた第１の金属と、その上に形成される透光性の絶縁膜と、その上に形成され、第１の金属と電気的に接続せず、半導体素子で生ずる発光の波長に対して第１の金属に比較して高反射率の第２の金属を有する構造とする。 （もっと読む）

高いフィルファクターを有するテクスチャード発光ダイオード構造体は、エピタキシャル横方向成長（ＥＬＯＧ）によってパターニングされた基板（１）に成膜されたドープＩＩＩ−Ｖ族若しくはドープＩＩ−ＶＩ族化合物半導体又はその合金を含む第１のテクスチャードクラッド／コンタクト層（２）と、ＩＩＩ−Ｖ族若しくはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体又はその合金を含み、電子と正孔の放射再結合又はサブバンド間遷移が発生するテクスチャード非ドープ又はテクスチャードドープ活性層（３）と、ドープＩＩＩ−Ｖ族若しくはドープＩＩ−ＶＩ族化合物半導体又はその合金を含む第２のテクスチャードクラッド／コンタクト層（４）と、を含む。
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発光半導体基板２のＡｌＧａＩｎＰから成るｎ型半導体層１１の表面に遷移金属層を介してＡｕ層を設ける。ＧａとＡｕとの共晶点よりも低い温度の熱処理によってＡｕを遷移金属層１７を介してｎ型半導体層１１に拡散させ、２０〜１０００オングストロームの厚みを有し且つ光吸収率の小さいオーミックコンタクト領域４を形成する。遷移金属層及びＡｕ層を除去し、ｎ型半導体層１１及びオーミックコンタクト領域４の表面にＡｌから成る導電性を有する光反射層５を形成する。光反射層５に第１及び第２の接合金属層６，７を介して不純物がドープされたＳｉから成る導電性支持基板８を貼り合せる。
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