導電性または高抵抗の単結晶基板の表面上に、順次、ｎ形の化合物半導体からなるｎ形下部クラッド層と、ｎ形のＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ形発光層と、該発光層上に設けたｐ形のリン化硼素系半導体からなるｐ形上部クラッド層とから構成される異種接合構造の発光部を備え、該ｐ形上部クラッド層に接触させてｐ形のオーミック電極とが形成されてなるリン化硼素系半導体発光素子であって、ｐ形上部クラッド層が、該ｎ形発光層との中間に設けた、リン化硼素系半導体から成る非晶質層を介して設けられていることを特徴とする。このリン化硼素系半導体発光素子は、順方向電圧或いは閾値が低く、耐逆方向電圧に優れる。
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集積回路は、積層された複数の層群を含む超格子を有する少なくとも１つの能動光デバイスを含んでいる。超格子の層群の各々は、ベース半導体部分を形作る積層された複数のベース半導体モノレイヤーと、その上のエネルギー帯修正層とを有する。エネルギー帯修正層は隣接するベース半導体部分の結晶格子内に拘束された少なくとも１つの非半導体モノレイヤーを有する。この集積回路は更に上記の少なくとも１つの能動光デバイスに結合された導波路を有していてもよい。
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【課題】ｐ型窒化物半導体と良好なオーミック接触を形成する金属以外の金属をｐ側電極として用いる、新規なｐｎ接合型の窒化物半導体発光素子の構造を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、ｐ型窒化物半導体層に正孔を注入するためのｐ側電極に、ｎ型窒化物半導体とオーミック接触する金属を用いるとともに、かかるｐ側電極を形成するコンタクト層をｎ型窒化物半導体で形成する。Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ（タングステン）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｖ（バナジウム）といった金属が、ｐ側電極の材料として使用可能となる。
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オプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板は、Ａ）アルカリ金属（Ｉ族元素、IUPAC 1989）の少なくとも１種を含有する窒化物バルク単結晶層、及びＢ）気相エピタキシャル成長法で形成した窒化物層を備え、層Ａ）及びＢ）は層Ａ）の非Ｎ極性面及び層Ｂ）のＮ極性面で結合する。ゆえに、
形成したテンプレート型基板は良好な欠陥密度を有し、（０００２）面からのＸ線ロッキングカーブの半値幅が８０以下という良好な値であり、形成した基板は、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥおよびＨＶＰＥといった気相から形成するエピタキシ基板に非常に有用であり、レーザダイオードや高出力ＬＥＤといった良好なオプトエレクトロニクス機器やＭＯＳＦＥＴといった良好なエレクトロニクス機器を製造できる。
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【課題】制御性及び安定性が高く、更に高精度且つ高アスペクト比の加工が可能な窒化物半導体のエッチング方法及び該エッチング方法を利用した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体層であるｐ型ＧａＮ層１０３を電解液１１０中に浸すと主に、紫外線防止膜１１２等によってｐ型ＧａＮ層１０３に対する紫外線の照射を抑制しながら、ｐ型ＧａＮ層１０３に対してバイアス源１０８を用いてバイアスを印加することによりエッチングを行なう。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高輝度化と均一発光及び高混色性を高度にバランスをとった面状光源に関する。
【解決手段】
本発明は筐体内に、少なくとも第一の発光色を発光する第一の発光素子と、第一の発光色とは異なる第二の発光色を発光する第二の発光素子を有するバックライトと、該バックライト上に配してなる光拡散フィルムとを有する面状光源であって、前記光拡散フィルムはバックライトと対向する第一の面側にハーフミラーと、バックライトと反対側の第二の面側に光拡散層とを有することを特徴とする面状光源である。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極であって、オーミック接触および電流の拡散が良好であって、かつボンディングパッドの接合強度が大きい透光性の電極を提供することである。
【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性電極であって、ｐ型半導体層上にオーミック接触により形成されたコンタクトメタル層と、該コンタクトメタル層上に形成され、コンタクトメタルよりも電極平面での単位距離あたりの抵抗値が低い電流拡散層と、該電流拡散層上に形成されたボンディングパッドと、からなる透光性電極。 （もっと読む）

【課題】 電灯や蛍光管などの代りに用いることができる半導体発光装置を１つの基板上に複数個の発光部を形成してモノリシックにより形成する場合において、配線の断線などが生じないで信頼性の高い半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 基板１上に発光層を形成するように積層された半導体積層部１７が複数個に電気的に分離されることにより、複数個の発光部１が形成され、この複数個の発光部１が、配線膜３によりそれぞれ直並列に接続されている。この複数個の発光部１をそれぞれ電気的に分離する構造が、半導体積層部１７に形成される分離溝１７ａおよびその分離溝１７ａ内に埋め込まれる絶縁膜２１により形成され、その分離溝１７ａは、分離溝１７ａを挟んだ半導体積層部１７の表面が実質的に同一面になる場所に形成され、その分離溝１７ａ上に絶縁膜２１を介して配線膜３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 従来のＭＯＣＶＤ装置はＧａＮ等の薄膜の形成に用いられるが、基板温度は１０００℃〜１１００℃程度までしか上げられない。１８００℃程度まで基板を加熱して薄膜成長できるような高温気相成長装置を与えることが目的である。
【解決手段】 フローチャネルをカーボン（Ｃ）、モリブデン（Ｍｏ）、パイロリティックグラファイト（ＰＧ）、ＰＧコートカーボン、ＴａＣコートカーボン或いは導電性ＢＮによって作製し、フローチャネルの上側壁に基板を保持するための窓を開けておき、穴開き基板ホルダーによって窓に基板を下向きに保持し、フローチャネル窓の上方に昇降可能に抵抗加熱ヒータを設け上から下に向けて輻射熱を発生して基板とフローチャネルを加熱し、冷却した二つの原料ガスノズルからアンモニアとＴＭＡなどの有機金属ガスの原料ガスを供給して、基板の上にＡｌＮ薄膜を成長させるようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、窒素化合物半導体をベースとする量子井戸構造の放射放出性のオプトエレクトロニック構成素子を改善することである。
【解決手段】前記課題は、少なくとも第２の窒素化合物半導体材料を含む非プレーナ構造体の少なくとも１つの側部ファセット上に量子井戸構造体が形成されたオプトエレクトロニック構成素子によって解決される。 （もっと読む）

【課題】 ＡＣループを有し、チップ上に少なくとも１つのＡＣ ＬＥＤマイクロダイユニットを有した、ＡＣ ＬＥＤダイの構成体を提供すること。
【解決手段】 ＡＣ ＬＥＤマイクロダイのユニットは、相互逆方向に配置し、夫々を平行に接続した、２つのＬＥＤマイクロダイを有し、ＡＣパワーサプライ供給時に、正半波電圧（positive-half wave voltage）と不半波電圧（negative-half wave voltage）に反応して、ＬＥＤユニットが継続的にライトを放つことが可能である。各ＡＣ ＬＥＤマイクロダイが前方向に作動するので、ＡＣ ＬＥＤダイの構成体もまた静電放電を回避することができ、更に高い電圧化での作動が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 光取出し効率を向上させることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 発光層構成部３０と、発光層構成部３０のｐ型の主面に一体的に接合し、発光層構成部３０に近い側で幅が広く遠い側で狭くなるように傾斜した外側面を有し、電流を流せる透明なｐ型ＧａＰウェーハ１１と、ｐ型ＧａＰウェーハ１１の発光層構成部３０に接合した面とは異なる面に配設されたｐ側電極４１と、発光層構成部３０のｎ型の主面に一体的に接合し、発光層構成部３０に近い側で幅が広く遠い側で狭くなるように傾斜した外側面を有し、電流を流せる透明なｎ型ＧａＰウェーハ１２と、ｎ型ＧａＰウェーハ１２の発光層構成部３０に接合した面とは異なる面に配設されたｎ側電極４２と、ｐ型ＧａＰウェーハ１１に、ｐ側電極４１とｎ側電極４２とを介して発光層構成部３０の接合した面の中央部に集中的に電流を流すように形成された反転層２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】 格子定数マッチング技術を利用して製造した窒化ガリウム系発光ダイオードの提供。
【解決手段】 窒化アルミニウムインジウム（Ａｌ_x Ｉｎ_1-x Ｎ）をクラッド層材料としてその格子定数と窒化ガリウム（ＧａＮ）材料の相互マッチング目的を達成し、エピタキシャル成長時の応力過大によるエピタキシャル結晶の不良な特性の形成を防止する。並びにｐ型クラッド層に窒化アルミニウムインジウム（Ａｌ_x Ｉｎ_1-x Ｎ）材料を使用し、そのエネルギーギャップが窒化ガリウム（ＧａＮ）材料より大きいことにより、電子オーバーフローを防止し、これにより電子正孔対の発光層での結合の確率を増し、並びに有効に光子を閉じ込め（ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）る。さらに、窒化アルミニウムインジウム（Ａｌ_x Ｉｎ_1-x Ｎ）クラッド層の成長温度が低いことにより、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）活性発光層を保護し、最終的に発光効率を高める。 （もっと読む）

本発明は、それぞれが少なくとも1つの動作可能な面を備える各光デバイスの機能性を拡張する方法に関する。この方法は、上記の動作可能な各面のそれぞれの位置を揃えて1つの複合面を形成するようにこの光デバイスを積み重ねることと、複製を受け入れるように構成された膜を上記複合面に被覆することと、この加えられた膜にナノ構造のパターンを複製することとを含んでいる。実質上、動作可能な各面のそれぞれの面が十分な分の上記複製されたナノ構造パターンで複製されて、上記ナノ構造に伴うある機能を遂行することによりデバイスの動作を拡張する。
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【課題】 発光波長２００ｎｍ付近で発光出力が極めて高い発光素子を提供し、またｎ型ＡｌＮを用いた高出力電子素子を提供すること。
【解決手段】 半導体または絶縁体基板上に、アンドープＡｌＮ層、ｎ型ＡｌＮ層、ｐ型ＡｌＮ層をエピタキシャル成長し、ＡｌＮのｐｎ接合を形成する。これにより、欠陥の少ないアンドープＡｌＮ層によって電気的特性の優れたｎ型ＡｌＮ層、ｐ型ＡｌＮ層が得られ、発光波長２００ｎｍ付近において発光出力を大幅に増加できる。また、電子素子に適用した場合は、欠陥の少ないアンドープＡｌＮ層により電気伝導性が極めて優れたｎ型ＡｌＮ層が得られるので、ショットキーバリア高さや絶縁破壊電圧を大幅に増加することができる。 （もっと読む）

【課題】 活性層から放出される光の取り出し効率を改善した半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光層と金属電極との間にコンタクト層を選択的に設けることにより、オーミック接触と光反射とを両立させる。また、基板と電極との界面に反応抑制膜を選択的に設けることより、オーミック接触と光反射とを両立させる。また、基板の裏面に段差を設け、その側面において電極を接触させることにより、オーミック接触と光反射とを両立させる。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板の主面に効率良く量産に適した方法で凹部を形成した半導体発光素子用サファイア基板およびその製造方法を提供し、また、同時にこの方法で作成されたサファイア基板を用いて作製された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】鏡面研磨を行った主面に乾式または湿式のブラスト加工を施した後、熱リン酸または熱リン酸と熱硫酸の混酸または熱溶融水酸化カリウム中に浸漬し、エッチピットを有する半導体発光素子に適した単結晶サファイア基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】 紫外や青色の発光ダイオードや半導体レーザなどとして実現され、サファイア基板上に、格子定数の差を緩和するためのバッファ層を介して、窒化ガリウム系化合物半導体層を積層して成る半導体素子において、結晶性を向上させる。
【解決手段】 サファイア基板１上にバッファ層２が気相成長され、その上にｎ型ドーパントとしてＳｉを含むＡｌ_０．５Ｇａ_０．５Ｎから成るｎ型窒化ガリウム化合物半導体層３、Ａｌ_０．６Ｇａ_０．４Ｎから成る発光層４、ｐ型の電気伝導を示すドーパントＭｇを含むＡｌ_０．６Ｇａ_０．４Ｎから成るｐ型窒化ガリウム化合物半導体層５が順次気相成長されて成る半導体発光素子１０において、前記バッファ層２をＡｌＮとＧａＮとが交互に積層された複数のペア層から形成する。したがって、積層に伴う格子欠陥によるクラックがＡｌＮ層に生じ、それ以上に伸びてゆくことを抑えることができ、貫通転移を減少することができる。 （もっと読む）

【課題】 個別の量子ドットに対する局所的なキャリアの注入、取り出しを可能にする量子半導体装置を提供する。
【解決手段】 量子半導体装置は、半導体基板(11)と、半導体基板上に位置する第１の量子ドット(13)と、第１の量子ドットを埋め込む第１の半導体結晶層(14)と、第１の半導体結晶層上に位置するコンタクト用の第２の量子ドット(15)と、第２の量子ドットを埋め込む第２の半導体結晶層(16)と、前記第２の半導体結晶層において、第２の量子ドットに接続する自己形成ナノホール(17)内に形成されるナノホール電極(18)とを有する。 （もっと読む）

発光特性の向上が可能な半導体発光素子は、低抵抗のシリコン基板の上にバッファ層、ｎ型半導体層、多重井戸構造活性層４、ｐ型半導体層を有する。多重井戸構造活性層４は、複数のＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＮからなる障壁層７と複数のＡｌ_ａＧａ_ｂＩｎ_{１−ａ−ｂ}Ｎからなる第１の補助層９と複数のＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮからなる井戸層８と複数のＡｌ_ａ′Ｇａ_ｂ′Ｉｎ_{１−ａ′−ｂ′}Ｎからなる第２の補助層１０とから成る。第１の補助層９及び第２の補助層１０はＩｎの蒸発又は拡散を防止する。
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