本発明は、≧550nm乃至≦750nm、好ましくは≧630nm乃至≦700nmの波長の光を発する少なくとも１つの赤色光発光及び／又は変換層、及び／又は≧400nm乃至≦550nm、好ましくは≧420nm乃至≦500nmの波長の光を発する少なくとも１つの青色光発光層、及び／又は≧530nm乃至≦610nmの波長の光を発する少なくとも１つの緑色及び／又は黄色発光ルミネセンス材料を有し、それによって、前記少なくとも１つの緑色及び／又は黄色発光ルミネセンス材料が、前記少なくとも１つの青色光発光層によって発せられる光を吸収することが出来るLEDであって、前記赤色光発光及び／又は変換層が、半導体材料でできていることを特徴とするLEDに関する。
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本発明は、ＰＮ接合を形成する半導体へテロ構造と導波路とを備えた超発光ダイオード（ＳＬＥＤ）に関する。半導体へテロ構造は、ゲイン領域であって、その活性ゾーンからの誘導放出を含む光放出を発生させるようにＰＮ接合にバイアスをかけるコンタクト手段を備えたゲイン領域、および活性ゾーン内に、それぞれが複数の量子ドットよりなる複数の量子ドット層と、それぞれが量子ドット層の１つに隣接する複数の隣接層とを備えている。少なくとも２つの隣接層の材料組成または堆積パラメータが異なる。これにより放出スペクトル幅が確実に向上する。
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導電性のＩＩＩ−Ｖ族半導体層（３）内に導電率が低減されている少なくとも１つの領域（８）を形成する方法においては、半導体層（３）の領域（８）上にＺｎＯ層（１）が被着され、続けて有利には３００℃〜５００℃の温度においてテンパリングされる。ＺｎＯ層（１）は有利には１５０℃以下の温度、有利には２５℃以上１２０℃以下の温度においてＩＩＩ−Ｖ族半導体層上に析出される。導電率が低減されている領域（８）は有利にはビーム放射型のオプトエレクトロニクス素子においてアクティブ領域（４）と接続コンタクト（７）との間に配置されており、アクティブ領域（４）のこの端子コンタクト（７）に対向する領域への電流の注入が回避される。
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本発明の白色発光ダイオードは、３７０ｎｍ〜４２０ｎｍの間の波長範囲の放射線の発光源、式Ｂａ_3(1-x)Ｅｕ_3xＭｇ_1-yＭｎ_yＳｉ₂Ｏ₈（１）（ここで、ｘは０＜ｘ≦０．３、ｙは０＜ｙ≦０．３である）の青色光及び赤色光を発する第１の蛍光体、並びに緑色光を発する第２の蛍光体を含むことを特徴とする。別の具体例において、前記ダイオードは、同じ発光源及び化学組成がＢａ_3(1-x)Ｅｕ_3xＭｇ_1-yＭｎ_yＳｉ₂Ｏ₈（ここで、ｘは０＜ｘ≦０．３、ｙは０＜ｙ≦０．３である）であり且つ少なくともＢａ₂ＳｉＯ₄、Ｂａ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇及びＢａ₃ＭｇＳｉ₂Ｏ₈の相の混合物の形にある単一の蛍光体を含む。本発明のダイオードは、照明装置に用いることができる。
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【課題】有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作方法を提供する。
【解決手段】
有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いる非極性窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）膜ならびに非極性ＩｎＧａＮを含んだデバイス構造物の製作のための方法。本方法は、非極性ＩｎＧａＮ／ＧａＮ紫色および近紫外発光ダイオードおよびレーザ・ダイオードを製作するために用いられる。 （もっと読む）

封止物内の雰囲気を調節する技術は、該封止物の雰囲気内にゲッターを供給することを含む。前記技術にしたがって製造されたＬＥＤは、ＬＥＤ装置の囲まれた容積内にゲッターを含んでもよい。 （もっと読む）

本発明は、薄膜発光ダイオードチップ用の半導体層列、例えば窒化物‐化合物半導体材料ベースの半導体層列の発光面のマイクロパターニング方法に関する。ここで本発明の方法は、（ａ）半導体層列を基板上に成長させるステップ、（ｂ）半導体層列内で駆動時に形成された放射の少なくとも一部を反射して半導体層列へ戻す鏡面層を半導体層列上に形成または被着するステップ、（ｃ）半導体層列の分離ゾーンを少なくとも部分的に破壊して基板の分離される半導体層列の分離面に分離ゾーンの成分である異方性残留物、例えば分離層の金属成分を残すことにより、半導体層列を基板からリフトオフプロセスによって分離するステップ、および、（ｄ）異方性残留物を少なくとも一時的にエッチングマスクとし、ガス状のエッチング剤を用いたドライエッチングプロセスまたはウェットケミカルエッチング剤を用いたエッチングプロセスにより半導体層列のうち残留物の残った分離面をエッチングするステップを有する。
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ＧａＮ系半導体を用いた発光装置。発光装置は、ｎ型クラッド層（１２４）、ｎ型第１障壁層（１２６）と井戸層（１２８）と第２障壁層（１３０）からなる活性層（１２９）、ｐ型ブロック層（１３２）、ｐ型クラッド層（１３４）
を有して構成される。ｐ型ブロック層（１３２）のバンドギャップエネルギＥｇｂ、第２障壁層（１３０）のバンドギャップエネルギＥｇ２、第１障壁層（１２６）のバンドギャップエネルギＥｇ１、ｎ型及びｐ型クラッド層（１２４），（１３４）のバンドギャップエネルギＥｇｃにおいて、Ｅｇｂ＞Ｅｇ２＞Ｅｇ１≧Ｅｇｃとすることでキャリアを効率的に閉じ込め発光強度が増大する。 （もっと読む）

【課題】蛍光体を発光ダイオード（ＬＥＤ）素子に層状化し、効率的な発光素子を生成して非線形効果を最小化する方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤと１つ又はそれよりも多くの蛍光体を含み、各蛍光体に対して（入射ＬＥＤ光束）×（蛍光体の励起断面積）×（蛍光体材料の減衰期間）の積として定義される性能指数（ＦＯＭ）が０．３よりも小さいＬＥＤランプ。そのような構成は、駆動電流のある一定の範囲にわたってルーメン出力及び色安定性の改善した発光素子を提供する。 （もっと読む）

本発明は、光電素子、多数の光電素子を有する装置および光電素子の製造方法に関する。アクティブゾーン（４００）およびラテラル方向のメイン延在方向を有する半導体機能領域（２）を含んでいる光電素子（１）を提示する。この半導体機能領域は、アクティブゾーンを通る少なくとも１つの孔部（９、２７、２９）を有しており、孔部の領域内に接続導体材料（８）が配置されている。この接続導体材料は、アクティブゾーンから、少なくとも孔部の部分領域において電気的に絶縁（１０）されている。さらにこのような光電素子の製造方法および多数の光電素子を有する装置を提示する。この素子および装置は完全にウェハ結合において製造される。
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非レージングスーパールミネッセント発光ダイオード（ＳＬＥＤ）は、ＰＮ接合部と光ビーム経路を規定する導波路とを形成する半導体ヘテロ構造を含む。ヘテロ構造は、光ビーム経路において、利得領域と、利得領域と直列の吸収領域とを含む。第１の接触手段によって利得領域におけるＰＮ接合部に電圧が印加されるので、活性領域から光ビーム経路に沿って光の放出が生じる。この発明に従って、第２の接触手段が設けられ、それが吸収領域におけるＰＮ接合部と接触し、吸収領域における吸収作用によって生じる電荷キャリアを除去する働きをする。第２の接触手段は、電圧源に接続されずに、金属面のような電荷キャリア貯蔵器に接続される。好ましい実施例に従って、導波路の２つの端面は、光ビーム経路に対して垂直である。
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エピタキシャル成長なしに実用的な発光特性を持つ発光素子を得る。 本発明の量子ドット分散発光素子は、基板１１と、電子注入用電極１２と、正孔注入用電極１４と、前記両電極に接触するように配置された無機発光層１３とを備え、前記無機発光層１３は、同時二極性無機半導体材料と、前記同時二極性無機半導体材料中に、発光中心として分散されたナノ結晶１５とを含み、前記電子注入用電極層または正孔注入用電極層との界面でこれらに対してエピタキシャル関係を有することなしに、発光しうるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 量子井戸混合（ＱＷＩ）方法に関し、光半導体デバイス生成時にエネルギーバンドギャップを変更して、ＱＷＩ処理を空間的に制御し、複数のバンドギャップをウエハ上と、デバイスと、基板表面に生成する。
【解決手段】 半導体基板表面の第１領域を、ＱＷＩ開始材料を利用してパターニングし、基板に第１の熱処理サイクルを行い、第１領域に第１のバンドギャップを生成し、基板の表面の、第１領域と異なる第２領域を、ＱＷＩ開始材料を利用してパターニングし、基板に第２の熱処理サイクルを行い、第２領域に第２のバンドギャップを生成し、累積バンドギャップを前記第１領域に生成し、累積バンドギャップでは前記第１および第２熱処理サイクルの結果が累積されている。
さらなる工程で累積バンドギャップを追加する。 （もっと読む）

放射線改質装置が、硬化させるか偏光によって整列を作ることなどによって第１の材料を改質する放射線を発生するための複数の固体放射線源を含む。固体放射線源は、アレイパターンで配置することができる。対応するアレイパターンで配列された光学集中装置が、対応する固体放射線源から放射線を受ける。集中された放射線は、また対応するアレイパターンで配列された複数の光導波路によって受けられる。各光導波路は、放射線を受けるための第１の端部と、放射線を出力するための第２の端部とを含む。放射線改質装置は、連続基板、シート、ピースパーツ、スポット硬化、および／または３Ｄ放射線硬化プロセスのために使用することができる。
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窒化物半導体発光素子は、対向する一対の主面を有する基板１１と、基板１１の一方の主面上に積層される第１の伝導型窒化物半導体層と、第１の伝導型窒化物半導体層上に積層される第２の伝導型窒化物半導体層と、第１の伝導型窒化物半導体層と第２の伝導型窒化物半導体層との間に形成される活性層１４と、第２の伝導型窒化物半導体層上に形成され、活性層１４から第２の伝導型窒化物半導体層に向かう光を反射させるための反射層１６とを備える。この窒化物半導体発光素子は、上記基板１１の他方の主面を主光取出し面として配線基板に実装可能である。さらに、反射層１６と第２の伝導型窒化物半導体層との間に透光性導電層１７が形成されており、透光性導電層１７と反射層１６との界面に凹凸面２２が形成されている。 （もっと読む）

１５ｃｍを超える大面積と、少なくとも１ｍｍの厚さと、５Ｅ５ｃｍ^−２を超えない平均転位密度と、２５％未満の転位密度標準偏差比率と、を有する大面積で均一な低転位密度単結晶ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料、たとえば窒化ガリウム。かかる材料は、（ｉ）たとえばＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料の成長表面の少なくとも５０％にわたってピットを形成するピット化成長条件下で、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を基板上に成長させる第１段階であって、成長表面上のピット密度が、成長表面において少なくとも１０^２ピット／ｃｍ^２である段階と、（ｉｉ）ピット充填条件下でＩＩＩ−Ｖ族窒化物材料を成長させる第２段階と、を含むプロセスによって基板上に形成することができる。
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空洞共振発光素子を製作する方法では、窒化ガリウム種結晶（１４）及び供給源材料（３０）を、多ゾーン炉（５０）内に配設される密封容器（１０）内に配設される窒素含有過熱流体（４４）内に配置する。窒化ガリウム種結晶（１４）上で窒化ガリウム材料を成長させて、単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）が得られる。成長は、窒化ガリウム種結晶（１４）と供給源材料（３０）の間に時間的に変化する熱勾配（１００、１００’、１０２、１０２’）を適用して、この成長の少なくとも一部の間、成長速度を速くすることを含む。単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）上に、第ＩＩＩ族窒化物層のスタック（１１２）を堆積させる。スタック（１１２）は、１以上の空洞共振発光素子（１０８、１５０、１６０、１７０、１８０）が製作されるように適合された第１ミラーサブスタック（１１６）及び活性領域（１２０）を含む。 （もっと読む）

本発明は、予め定めた波長λ_０に感度最大値を有している予め定めたスペクトル感度分布（１４）により放射を検出するための放射検出器に関し、その際放射検出器は有利にはＩＩＩ−Ｖ半導体材料を含んでおりかつ特別有利には少なくとも１つの半導体チップ（１）および少なくとも１つの、半導体チップ（１）に配属されている光学フィルタを有しており、半導体チップは少なくとも１つのＩＩＩ−Ｖ半導体材料を含んでおりかつ光学フィルタは、感度最大値の波長λ_０より大きい波長を有する放射を吸収する。
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発光素子１００は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と、該発光層部２４の少なくとも一方の主表面側に形成され、発光層部２４からの発光光束のピーク波長に相当する光量子エネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる厚さ４０μｍ以上の透明厚膜半導体層９０とを有する。透明厚膜半導体層９０は、側面部９０Ｓが化学エッチング面とされ、かつ、該透明厚膜半導体層９０のドーパント濃度が５×１０^１６／ｃｍ^３以上２×１０^１８／ｃｍ^３以下とされる。これにより、透明厚膜半導体層を有するとともに、その側面部からの光取り出し効率を飛躍的に高めることができる発光素子を提供する。
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二価のユーロピウムでドープされているカチオンＭを有し、かつ基本式Ｍ_{（１−ｃ）}Ｓｉ_２Ｏ_２Ｎ_２：Ｄ_ｃ（式中、Ｍ＝Ｓｒ、又はＭ＝Ｓｒ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｂａ_ｙＣａ_ｘ、ｘ＋ｙ＜０．５）で示されるオキシニトリドシリケートの種類からなる蛍光体が使用され、その際、前記オキシニトリドシリケートは完全に又はほとんど、高温安定性の変態ＨＴからなる。
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