【課題】 電子線照射や高温アニールまたは酸素雰囲気下での合金化熱処理等を必要とせず、かつ良好な透光性と低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用正極を提供すること。
【解決手段】 ｐ型半導体層に接するコンタクトメタル層、ボンディングパッドおよび該コンタクトメタル層上の一部に設けられ、その導電率がコンタクトメタル層以上の値である電流拡散層からなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用透光性正極。 （もっと読む）

【課題】３ｅＶ前後の禁止帯幅をもたらすＢＰ結晶層の形成方法が開示されていないため、リン化硼素（ＢＰ）及びＢＰ系混晶を利用した耐環境型半導体素子を提供できない問題を解決する。
【解決手段】気相成長法を用いて、室温での禁止帯幅を２．８ｅＶ以上で３．４ｅＶ以下とするリン化硼素（ＢＰ）層またはそのリン化硼素を含む一般式Ｂ_αＡｌ_βＧａ_γＩｎ_1-α-β-γＰ_δＡｓ_εＮ_1-δ-ε（０＜α≦１、０≦β＜１、０≦γ＜１、０＜α＋β＋γ≦１、０＜δ≦１、０≦ε＜１、０＜δ＋ε≦１）で表記されるリン化硼素（ＢＰ）系混晶層を具備する半導体素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は粘着層を有するＬＥＤの提供を目的とし、より詳細には、複数の熱経路が形成された粘着層を有するＬＥＤの提供を目的とする。
【解決手段】 本発明は、熱経路を設けた粘着層を有する発光ダイオードに関する。本発明では、粘着層は基板とＬＥＤスタックに結合するように形成される。ＬＥＤの安定性及び発光効率を高めるように、ＬＥＤの熱損失効果を改善する熱損失パスを形成するため、粘着層を通過する複数の金属製の突出又は半導体の突出がある。 （もっと読む）

【課題】 サファイア基板上に低温緩衝層を介してＧａＮ系ＩＩＩ族窒化物半導体層を形成しようとしても、画一的な配向性を有するＧａＮ系半導体層を充分に安定してもたらすことができない問題点を解決する。
【解決手段】 本発明では、サファイア基板１００上に設ける、基板１００と接合する領域に単結晶層を備えた低温緩衝層１０１にあって、その単結晶層を、サファイアの［２．−１．−１．０．］方向に、［１．０．−１．０．］方向を平行にして画一的な方向に配向したＧａをＡｌに比べて富裕に含む六方晶のＡｌ_ＸＧａ_ＹＮ（０．５＜Ｙ≦１、Ｘ＋Ｙ＝１）単結晶から構成する、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 フリップチップ接合により実装して半導体発光装置とするためのＧａＮ系化合物半導体を用いた発光素子であって、該素子内部で発生する光をより有効に活用し得る半導体発光素子と、その製造方法を提供する。
【解決手段】 透光性を有する支持基板の一方の面に、ｎ層、発光層、ｐ層が順次積層され、且つｎ型電極を前記ｎ層上に形成するための凹部を有するＧａＮ系化合物半導体層を含む半導体発光素子であって、前記凹部は、前記ｐ層側を広い開口、前記ｎ層側を狭い底面とする傾斜面を有し、少なくとも該傾斜面に前記発光層から放射される光を前記支持基板側へ反射するための反射層を有するものであり、前記反射層は、透明導電層を介して前記傾斜面に形成されてなり、該透明導電層を介して前記ｐ層と電気的に接続しているものであることを特徴とする半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓからなるｐ型キャップ層のＺｎをクラッド層や活性層に拡散させないようにした発光素子用エピタキシャルウェハ、従って、安定な高出力動作及び高温動作が可能で、且つ高信頼なＬＥＤ及びＬＤが得られる発光素子を提供すること。
【解決手段】ｎ型基板１上に、少なくともｎ型クラッド層４、活性層６、ｐ型クラッド層７、９、及びｐ型キャップ層１１を順次積層し、ｐ型クラッド層７、９のｐ型ドーパントがＭｇである半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、前記ｐ型キャップ層１１が、基板側から順に形成された、Ｍｇをドーピングした層１１ａとＺｎをドーピングした層１１ｂの少なくとも２つの層からなる形態とする。 （もっと読む）

【課題】成長後にあえて粗面化処理を行うことなく、既にウェハの段階で、凹凸に荒らされた最表面を持つ発光ダイオード用エピタキシャルウェハを提供すること。
【解決手段】導電性の基板１上に、ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層２、活性層３、ｐ型クラッド層４及びＡｌＧａＡｓもしくはＡｌＧａＩｎＰからなる電流分散層５を積層したダブルへテロ構造を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハにおいて、最表面の電流分散層５の成長中にＶ族ガスの供給を一定の間隔で入れたり、切ったりすることで、最表面の電流分散層５に故意に凸凹５ａを設ける。 （もっと読む）

【課題】 結晶基板と発光部との間の、ｎ型III族窒化物半導体からなる中間層の低抵抗化、表面の平坦化を可能とし、発光強度を向上させることができるようにする。
【解決手段】 本発明のIII族窒化物半導体発光素子１は、結晶基板２上に形成されたIII族窒化物半導体（組成式Ａｌ_XＧａ_YＩｎ_ZＮ_1-aＭ_a：０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１で且つ、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１。記号Ｍは窒素（Ｎ）とは別の第Ｖ族元素を表し、０≦ａ＜１である。）からなる結晶層を発光部４とするIII族窒化物半導体発光素子であり、結晶基板２は表面が鏡面研磨されているとともに面方位がジャスト方向よりわずかに傾斜させた状態で積層され、その結晶基板２と発光部４との中間に、ゲルマニウム（Ｇｅ）の原子濃度を周期的に変化させたｎ型III族窒化物半導体からなるゲルマニウム周期変化層３を有する、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子や半導体受光素子、又は半導体デバイス等の発熱体の放熱に用いられるヒートシンク、並びにこれを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 発熱体が熱的に接続される第１の面を有する第１の板状部材と、該第１の板状部材の第２の面と接続される第２の板状部材とから成る積層板状部材に、流体が供給される供給口と、該供給口と連通し流体が排出される排出口とを備えたヒートシンクにおいて、前記第１の板状部材の第２の面には凹凸を有する。前記凹凸は、発熱体の接続領域に対向した第２の面に有する。 （もっと読む）

【課題】 素子の操作電圧を降下させ、素子の使用寿命を高める垂直導通型の金属連結を利用した導電性基板の半導体素子の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 ｎ型か、もしくはp型の導電性の基板を選択し、該基板上に少なくとも一層以上のバッファ層を形成し、該バッファ層上に、ｎ型か、もしくはp型の窒化物である第１導電層を形成し、該導電層と該基板とを金属オーム接触で連結する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、熱損失の高い発光ダイオード及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 粘着層を有する発光ダイオード及びその製造方法が開示される。約０．１μｍ乃至１μｍの厚さを有する粘着層は、ＬＥＤスタックと熱損失が高い基板を接着するように使用され、ここで基板の熱伝導率は１００Ｗ／ｍｋ以上である。本発明は、発光ダイオードの安定性及び発光効率を改善するように、発光ダイオードの熱損失効果を増大する。 （もっと読む）

【課題】 発光層部を金属層で覆った発光素子において、金属層による実質的な反射率をより高めることができ、ひいては光取出し効率により優れた発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子１００は、発光層部２４を有した化合物半導体層５０の第一主表面を光取出面とし、該化合物半導体層５０の第二主表面側に、発光層部２４からの光を光取出面ＰＦ側に反射させる反射面を有した金属層１０が形成される。そして、金属層１０と発光層部２４との間には該金属層１０と接する形で、発光層部２４のピーク発光波長に対する屈折率が、自身の第一主表面側に接する化合物半導体よりも小さい化合物半導体よりなる反射調整層ＢＧが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 半導体薄膜、半導体素子の製造において、結晶方位のずれの発生を抑制するようにする。
【解決手段】 基板上に、選択成長によって複数のファセット１が配列された下地半導体層２を形成する工程と、この下地半導体層２を覆う選択成長埋込み半導体層を成長させる成長工程によるものであり、ファセット１は、下地半導体層２の配置面に対して傾斜する面に形成することによって低欠陥密度領域５を生じさせ、此処に半導体素子を構成するものである。 （もっと読む）

【課題】埋め込み構造作製のための再成長において、速やかに再成長表面が平坦な構造となり、薄層の３-５族化合物半導体を製造する方法を提供する。
【解決手段】一般式In_uGa_vAl_wN(０≦u≦1、０≦ｖ≦1、０≦ｗ≦1、u+v+w=1)で表される第１の３−５族化合物半導体からなる層の上に、後記の第２の３−５族化合物半導体の成長条件においても安定な絶縁性材料または金属材料からなるパターンを有し、該第1の３−５族化合物半導体と該パターンの上に、一般式In_xGa_yAl_zN(０≦ｘ≦1、０≦ｙ≦1、０≦ｚ≦1、ｘ+ｙ+ｚ=1)で表される第２の３−５族化合物半導体からなる層を有する３−５族化合物半導体において、該絶縁性材料または金属材料がSiO₂、SiN_x、タングステンのいずれかの材料であり、該パターンが第1の３−５族化合物半導体の[1-100]方向に概ね平行なラインパターンであり、該ラインパターンの幅が１μｍ以下であることを特徴とする３−５族化合物半導体。 （もっと読む）

式（Ｉ）、Ｓｒ_１−ｘ３Ｇａ_ｘ３Ｇａ_２Ｓ_４：Ｅｕ：ｘＧａ_２Ｓ_３（式中、ｘは０〜約０．２（又は約０．０００１〜約０．２）であり、ｘ３は０．０００１〜１である）を有する、ユーロピウム成分の微小量が、効率を高めるのに有効な量のプラセオジムで置換されている蛍光体を提供する。 （もっと読む）

【課題】
紫外〜可視の発光部と組合せて使用する際、人間の視感度の高い領域において自身の発光波長を任意に設定できることで、当該領域での輝度を向上させることができ、且つ、前記発光部から出る波長域の光に渡って励起帯を持つ蛍光体およびその製造方法、並びに、前記蛍光体を用いた照明およびＬＥＤを提供することを目的とする。
【解決方法】
原料として、例えばCa₃N₂、CaO、Al_２O₃、AlN、Si₃N₄、SiO₂、Eu₂O₃を準備し、各元素のモル比を、例えば(Ca,Eu) : Al : Si = 1 : 1 : 1となるように各原料を秤量し、素雰囲気下で混合して仕込み、窒素雰囲気中で1500℃焼成してCaAlSiN₃:Euで示される蛍光体の主たる生成相を得るが、原料仕込み時に各原料の配合量を制御することで、当該生成相の構造中の酸素濃度、Eu添加のモル濃度を制御し、当該生成相の発光波長を任意に設定する。 （もっと読む）

【課題】 サブマウント上に取り付けられた発光デバイスを提供する。
【解決手段】 デバイスは、そのデバイスの同じ側にある接点を持った半導体発光デバイスを含み、フリップチップ構造で接点に電気的に接続している伝導性ビアを持つ透明サブマウント上に取り付けられる。半導体発光デバイスの製造方法は成長基板上にある第一伝導型の第一域と第二伝導型の第二域間にある発光活性域を形成することを含む。接点域は第二域、活性域と部分的に第一域を通りエッチングされる。接点は第一域、すなわち、エッチングされた接点域、と第二域上に形成される。伝導ビアを持った透明サブマウントが準備され、成長基板が除去される前にアセンブリ−に結合される。サブマウントとアセンブリ−はその後一緒にさいの目状に切られ、ほぼ同じフットプリントを持つサブマウントとアセンブリ−が得られる。 （もっと読む）

【課題】 従来、サファイア基板を用いてＧａＮを成長させる以上、転位の発生は避けられない。マスク層を用いれば転位が横方向に流れるとはいえ、隣接する領域から横方向に成長してきた半導体層とがぶつかるため、転位を完全になくすことはできない。そのため、より転位が少なく形成された半導体層による優れた特性の窒化化合物系の半導体発光素子が望まれていた。
一方、この活性層は半導体層の表面全面に形成されるため、その面積は半導体層の表面面積よりも大きくすることができず、発光面積が限定されてしまう。そのため、より活性層の面積を大きくした半導体発光素子が望まれていた。
【解決手段】 上記課題を解決するために、本願発明は、二段の半導体層で選択横方向成長させることにより転位の少ない半導体層を得る。また、このような半導体層を利用して発光面積の拡大を図る。 （もっと読む）

【課題】 発光駆動用の電極として酸化物透明電極層を用いるとともに、酸化物透明電極層が形成する境界面での内部反射を抑制し、ひいては光取出し効率の良好な発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子１００は、発光層部２４を有した化合物半導体層５０と、該化合物半導体層５０に積層される、発光層部２４に発光駆動電圧を印加するための酸化物透明電極層３０とを有する。発光層部２４からの光は、酸化物透明電極層３０を透過させる形で取り出される。酸化物透明電極層３０と化合物半導体層５０との間に、それら酸化物透明電極層３０と化合物半導体層５０との中間の屈折率を有する中間屈折率層３１が配置される。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される窒化物半導体層の表面におけるピット状の結晶欠陥を低減することができ、基板表面の全面にわたって低欠陥の、高品質な窒化物半導体層を得ることができる窒化物半導体層の成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】（ａ）基板の上に、第１の結晶質窒化物半導体層を形成する工程と、（ｂ）該第１の結晶質窒化物半導体層上に、窒化物半導体バッファ層を形成する工程と、（ｃ）得られた窒化物半導体バッファ層を除去するとともに、第２の結晶質窒化物半導体層を形成する工程とを含む窒化物半導体層の成長方法。 （もっと読む）