【課題】 発光層部の裏面側に、切欠部を介して吸収性の基板が残されている構造を採用し、かつ、該切り欠き部側に放出される発光光束の取り出し効率をより高めることができる発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子１００の素子チップ１００Ｃにおいて、光吸収性のベース半導体層１が、切り欠き部１ｊの内側面を形成する本体部１ｍと、該本体部１ｍの第二主表面側端部に一体化された鍔状部１ｇとを有する。該鍔状部１ｇの第二主表面は金属ステージ５２に対し金属ペースト層１１７により接着される。該金属ペースト層１１７は、鍔状部１ｇの第二主表面面内方向において、該鍔状部１ｇの周側面よりも外側にはみ出した部分が、該周側面を経て該鍔状部１ｇの第一主表面側に回り込む回り込み肉盛部１１７ｍを形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子の安定した発光及び長寿命化を図る光源装置を提供する。
【解決手段】 リードフレームは、複数の半導体発光素子１０を載置する載置リードフレーム３と、載置リードフレーム３とは別に各半導体発光素子１０を電気接続するボンディングワイヤ１１を中継する中継リードフレーム４とを有する。載置リードフレーム３を反射性樹脂からなる本体２から外部に露出したり、電極とすることにより半導体発光素子１０からのジュール熱を露出した載置リードフレーム３から放出する。これにより、ボンディングワイヤ１１の破損を回避し、半導体発光素子１０の安定した発光および寿命の延命を図り、より多くの電流を流して放出輝度を高めることができる。 （もっと読む）

本発明は、チップから放射される一次ビームの少なくとも一部がルミネセンス変換によって変換される、例えば混合色発光ダイオード光源を製造するための方法に関する。ここでチップは表側（すなわち放射方向に向いている側）において電気的なコンタクトを備えており、このチップの表面にはルミネセンス変換材料が薄い層の形状で被着される。このために表側の電気的なコンタクトはコーティングの前に、この電気的なコンタクトへの導電性材料の被着によって高くされる。本方法は色位置（ＩＥＣカラーチャート）の制御およびルミネセンス変換材料からなる層の薄層化によって、所定の色位置の所期の調節を可能にする。さらに本方法はウェハ結合体における複数の同種のチップからなる複数の発光ダイオード光源を同時に製造することに適している。
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【課題】光反射層を備えた半導体発光素子において、当該光反射層を第一光反射層と第二光反射層とから構成し、従来よりもその光反射帯域を広く備えることによって高輝度な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】導電性の半導体基板１と、該半導体基板１の主面上に設けられた光反射層（３、１０）と、該光反射層の上に成長されたｐｎ接合を有する活性層５を含む発光部（４、５、６）とを少なくとも具備する半導体発光素子において、前記光反射層が、前記発光部から放射される光の発光スペクトルの中心波長に一致するか、若しくはそれよりも短波長に反射スペクトルの中心波長が設定された第一光反射層３を備え、且つ前記第一光反射層の有する反射スペクトルの中心波長以外の可視波長域において異なる反射スペクトルの中心波長を有する第二光反射層１０を備えた構造とする。 （もっと読む）

【課題】順方向電圧が２Ｖ以下と低く、且つ電流分散層の表面の凸状欠陥を低減して、逆方向電圧やリーク電流等による不良を低減し、またプロセス上での問題も解決し得る半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型半導体基板１と、ｎ型クラッド層４とｐ型クラッド層６との間に活性層５が設けられた発光部と、該発光部上に形成されたｐ型接続層７と、該ｐ型接続層７上に積層されたｐ型電流分散層８と、該ｐ型電流分散層８の表面の一部と、前記半導体基板の裏面の全面又は部分的に電極が形成された半導体発光素子の製造方法において、前記ｐ型接続層７の成長温度Ｔ２が前記発光部の成長温度Ｔ１よりも低く、且つ前記ｐ型電流分散層８の成長開始温度Ｔ３が該ｐ型接続層７の成長温度Ｔ２であり、更に該ｐ型電流分散層８の成長終了温度Ｔ３が、前記発光部の成長温度Ｔ１よりも高い温度履歴となるように設定する。 （もっと読む）

最大５０００Ｋまでの低い色温度を有するＬＥＤ。青色発光ＬＥＤと該青色発光ＬＥＤの前に接続された２つの蛍光体とから成り、第１の蛍光体はクロロシリケートの群に属し、第２の蛍光体は化学式（Ｃａ，Ｓｒ）_２Ｓｉ_５Ｎ_８：Ｅｕによるニトリドシリケートの群に属する。
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本発明は、電磁放射を放射主方向（１５）へ発光する活性ゾーン（７）が設けられており、放射主方向で見て活性ゾーンの後方に反射低減層列（１６）が配置されている、ルミネセンスダイオード（１）に関する。本発明の反射低減層列（１６）は、少なくとも１つの層対（１１，１２）から成るＤＢＲミラー（１３）、放射主方向で見てＤＢＲミラー（１３）の後方に配置されたコーティング層（９）、および、ＤＢＲミラー（１３）とコーティング層（９）とのあいだに配置された中間層（１４）を有する。
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【課題】 光源ユニットの間隔や光源装置全体の長さ（大きさ）を変えることができ、半導体発光素子チップからのジュール熱を放出する。
【解決手段】 光源ユニット２Ａは、半導体発光素子チップ４をリードフレーム３上の載置面に載置し、半導体発光素子チップ４からの放射光を載置面に対向する出光部５から出射する。この光源ユニット２Ａは、リードフレーム３上に複数並設され、隣接するもの同士が互いに露出して長さが可動なリードフレーム３の露出部分３ａによって連結される。リードフレーム３の露出部分３ａの長さを可変することによって光源ユニット２Ａの間隔や光源装置１Ａ全体の長さ（大きさ）を変える。半導体発光素子チップ４からのジュール熱は、リードフレーム３の露出部分３ａから放出される。 （もっと読む）

一つ以上のＩＩＩ族窒化物材料領域（例えば、窒化ガリウム物材料領域）を含む半導体構造、及びこのような構造に関連する方法が提供される。ＩＩＩ族窒化物材料領域は転位密度が低いので、特にらせん転位密度が低いので有利である。或る実施形態では、ＩＩＩ族窒化物材料領域のらせん転位をほぼ無くすことができる。ＩＩＩ族窒化物材料領域下での歪吸収層の形成、及び／又は処理条件によってらせん転位を低くすることができる。或る実施形態では、らせん転位が低いＩＩＩ族窒化物材料領域は窒化ガリウム物材料領域を含み、この窒化ガリウム物材料領域は素子の活性領域として機能する。活性領域（例えば、窒化ガリウム物材料領域）のらせん転位を低くすることにより、種々の効果の中でもとりわけ、電子輸送能が高くなり、非放射性再結合が少なくなり、そして組成／成長に関する均一性が高くなって特性（例えば、電気特性及び光学特性）が向上する。
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【課題】順方向電圧が２Ｖ以下と低く、且つＧａＰから成る電流分散層の表面の凸状欠陥を低減して、逆方向電圧やリーク電流等による不良を低減し、またプロセス上での問題も解決し得る半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型半導体基板１と、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層４との間に活性層５が設けられた発光部と、該発光部上に形成されたｐ型電流分散層８と、該ｐ型電流分散層８の表面側の一部と、前記ｎ型半導体基板１の裏面の全面又は部分的に電極９、１０が形成された半導体発光素子の製造方法において、前記ｐ型電流分散層８の成長温度Ｔ２を前記発光部の成長温度Ｔ１よりも高くし、且つ該ｐ型電流分散層８の成長開始温度Ｔ２に達するまでの過程（区間Ｂ）にｐ型不純物を流し続ける。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系発光素子と蛍光体とによってカスケード励起を行うよう構成された発光装置に対して、出力光に含まれる主要波長成分毎の強度の比率を、製品毎に、より安定させ得る構造を提供すること。
【解決手段】原励起光Ｌを発するＧａＮ系発光素子Ｓと、一次蛍光体部材１と、二次蛍光体部材２とを有して構成される発光装置である。一次蛍光体部材１は、原励起光によって励起されて一次蛍光Ｌ１を発する一次蛍光体１０を含んでおり、二次蛍光体部材２は、一次蛍光Ｌ１によって励起されて二次蛍光Ｌ２を発する二次蛍光体２０を含んでいる。一次蛍光体１０と二次蛍光体２０とが互いに混合されることなく互いに異なる空間領域に分かれて独立的に存在するように、一次蛍光体部材１と二次蛍光体部材２とが、互いに別の部材として配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】逆方向耐電圧の信頼性（通電時の経時的安定性）に優れた半導体発光素子の製造方法を提供し、更には、それに伴って生ずる電流分散特性の低下を補う為の対策を有した半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に、ＭＯＶＰＥ法によって、少なくとも活性層５をそれぞれ異なる導電性を示すクラッド層４、６で挟んだ発光部と、その上に高濃度に導電型決定不純物が添加されたウインドウ層８を形成する半導体発光素子の製造方法において、前記ウインドウ層８における、少なくとも前記発光部に近い側（１１）を高Ｖ／III比で成長することとし、更にそれ以外の部分１２において少なくとも一部分以上を高Ｖ／III比成長部１１よりも低いＶ／III比で成長し、これによってウインドウ層中にＶ／III比の異なる領域（１１、１２）を設ける。 （もっと読む）

【課題】 発光素子内部に傾斜側面を有する凹凸構造を形成するための簡便かつ信頼性の高い方法を提供し、その方法によって製造された光取り出し効率の優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 基板上に形成されたＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光素子に於いて、表面にピットを有するＧｅドープＩＩＩ族窒化物半導体からなる第１層および該第１層上に接する該第１層と屈折率の異なる第２層を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】 ｎ型ＧａＮ系半導体層とのオーミック性を損なうことなく、接触抵抗を低下させるための熱処理時の表面荒れが抑制されたｎ側電極、その製造方法およびそれを有する発光素子を提供すること。
【解決手段】 ｎ型ＧａＮ系半導体層１の表面に形成されたオーミック接触用の電極であって、当該電極のうちの、少なくともｎ型ＧａＮ系半導体層１に接する領域は、実質的にアルミニウムとネオジムの２元素からなるＡｌ−Ｎｄ合金で形成される、ｎ型窒化物半導体層用の電極Ｐ１。上記電極Ｐ１の好ましい製造方法は、ｎ型ＧａＮ系半導体層１の表面に、実質的にアルミニウムとネオジムの２元素からなり、アルミニウムにネオジムが固溶されたアルミニウム合金からなる薄膜を形成する工程と、上記薄膜を熱処理して析出強化させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 結晶品質の高いＧａＮ系化合物薄膜を得ることにより発光効率を高めた発光素子を提供する。
【解決手段】 この発光素子１０は、β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶からなるｎ型導電性を示すＧａ_２Ｏ_３基板１１の上にＧａＮからなるＧａＮバッファ層１２を形成し、このＧａＮバッファ層１２の上にＧａＮ系化合物薄膜を成長させる。Ｇａ_２Ｏ_３基板１１の下面は、Ｇａ_２Ｏ_３基板１１に接してｎ電極１８が設けられ、最下層には、Ｇａ_２Ｏ_３基板１１およびｎ電極１８を通過した発光光を発光層１４側に反射する反射層１９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】逆方向耐電圧の信頼性（通電時の経時的安定性）に優れた半導体発光素子の製造方法を提供し、更には、それに伴って生ずる電流分散特性の低下を補う為の対策を有した半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に、ＭＯＶＰＥ法によって、少なくとも活性層５を上部クラッド層６及び下部クラッド層４で挟んだ発光部と、その上に高濃度に導電型決定不純物が添加されたウインドウ層８を形成する半導体発光素子の製造方法において、前記ウインドウ層８における、少なくとも前記発光部に近い側の部分（高温成長部）１１を高い成長温度で成長し、更にそれ以外の部分における少なくとも一部分以上を低温成長部１２として前記高温成長部１１よりも低い成長温度で成長し、これによってウインドウ層８中に成長温度の異なる領域を設ける。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードにおいての反射層の反射率を高める。
【解決手段】発光ダイオードの反射率を高めるために、透明層と金属製の反射層との間に形成され密着層により両者の密着性を改善した。具体的にはＩＴＯ／密着層／Ａｌ又はＩＴＯ／密着層／Ａｇとすることで、波長４３０ｎｍにおいて反射率０．７５を得た。密着層はＳｉＯ２，ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等を用いることができる。また、反射層はＡｌ及びＡｇなどからなる。さらに、金属反射層と基板の間に粘着層を設け特性の安定を図った。本発明は発光ダイオードの発光効率を増大できる。 （もっと読む）

【課題】 短絡による不具合発生を抑えることと、絶縁性保護膜を剥離無く形成させるといったトレードオフの現象を両立させ得る窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 基板の上面側に順次形成されたｎ型ＧａＮ系半導体層３１、発光層ｐ型ＧａＮ系半導体層３２、ｐ電極２２と、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層および発光層、およびｎ型ＧａＮ系半導体層の一部を除去して露出させた前記ｎ型ＧａＮ系半導体層３１の上に形成されたｎ電極２１とを有し、
ｐ電極２２の周囲にはｐ型ＧａＮ系半導体層３２が露出していて、ｎ電極２１の周囲にはｎ型ＧａＮ系半導体層３１が露出していて、露出したｎ型ＧａＮ系半導体層３１の周囲にはｐ型ＧａＮ系半導体層３２が露出しており、ｐ電極２２およびｐ型ＧａＮ系半導体層３２の所定部分の上に絶縁性保護膜１が形成されてなる半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード及びバックライトモジュールの色バランスを向上させる。
【解決手段】発光ダイオード５は、活性化されたときに青色を発生するために用いられる青色ダイ５１及び活性化されたときに黄色を発生するために用いられる蛍光材料層５５を有する。発光ダイオードは、発光ダイオードの出力光の赤色成分を増大させるため、活性化されたときに赤色を発生するために用いられる赤色ダイ５７をさらに有する。バックライトモジュールは、液晶表示装置または液晶表示テレビジョンの光源のために用いられた場合に、色バランスのよい発光ダイオードを有する。 （もっと読む）

【課題】サイリスタ特性を示さない半導体発光素子を得る。
【解決手段】GaP基板１００上に第１の接着層１０１を介して接着される第１のトラップ緩和層１０２と、第１のトラップ緩和層１０２上に積層形成された第１のクラッド層１０３と、第１のクラッド層１０３上に積層形成された発光層１０４と、発光層１０４上に積層形成された第２のクラッド層１０５と、第２のクラッド層１０５上に積層形成された第２のトラップ緩和層１０６と、第２のトラップ緩和層１０６に第２の接着層１０７を介して接着され、発光層１０４の表面側に設けられるGaP窓層１０８と、電極１０９，１１０とを備えている。 （もっと読む）