【課題】 窒化物系半導体発光素子における外部光取出し効率を改善すること。
【解決手段】 発光ダイオード１の窒化物系半導体４の側面に、窒化物系半導体４の光取出し側主面Ｘの面積が対向主面Ｙの面積より大きくなるように傾斜した傾斜側面４Ａを形成し、傾斜側面４Ａに反射膜７を設けた。傾斜側面４Ａの傾斜角度αは、１０５°以上１６５°以下とするのが好ましい。光取出し側主面Ｘに反射防止膜６を設けるとともに、対向主面Ｙ側に接着／反射層３２を設けることにより、外部光取出し効率がさらに改善される。 （もっと読む）

【課題】 III族窒化物半導体の転位密度を低減するとともに、基板方向に向かう発光層からの光を有効に反射し光を取り出すことにより、発光効率を向上させた発光素子を提供することにある。
【解決手段】 III族窒化物半導体発光素子において、基板上にＡｌから成る反射金属層２１０とＳｉＯ₂膜２２１とＳｉＮ膜２２２から成る反射マスク層２２０を形成し、この層により基板上に選択成長でIII族窒化物半導体層を形成し半導体発光素子を形成する。この半導体層上にはＩＴＯからなる透明導電膜１０が形成されており、前記基板上に設けられた反射金属層２１０及び反射マスク層２２０に反射された光は、この透明導電膜１０を通し外部に出力される。
上記構成により、反射マスク層によりIII族窒化物半導体の転位密度が低減でき、また、反射金属層及び反射マスク層により光を有効に反射し取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】ｐ側電極として透明導電層膜材料からなる透光性の電極を用いた窒化物半導体発光素子における光取り出し効率を改善し、発光効率が向上された窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体発光素子は、第一の主面および第二の主面を有する窒化物半導体の積層体であって、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とで発光層を挟んだｐｎ接合ダイオード構造を、上記ｐ型窒化物半導体層が上記第一の主面側となるように含む積層体と、
上記積層体の第一の主面を覆うように形成された透明導電膜材料からなる透光性の電極とを有し、
上記透光性の電極の表面には上記発光層で発生される光を散乱または回折する凹凸が形成されることを特徴とする。。 （もっと読む）

【課題】光透過性電極と光取り出し面とのコンタクトを良好なものとしつつ、光の吸収を可能な限り抑え、光取り出し効率を向上させて、発光ダイオードの輝度向上を図ることを課題とする。
【解決手段】発光ダイオードの光取り出し面に光透過性電極を備え、該光透過性電極が、前記光取り出し面の一部を覆うようにパターニングされていることを特徴とする発光ダイオードにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】効率が良く、同時に優れた安定性を示す、カチオンＭを有しかつ実験式ＭＳｉ_２Ｏ_２Ｎ_２〔式中、Ｍは、成分として同時にＳｒおよびＣａならびに他の活性剤Ｄを含み、この場合Ｄは、少なくとも２価のユウロピウムで確保されている〕を有するオキシニトリドシリケートの種類からなると記載された発光物質を提供する。
【解決手段】Ｍ＝Ｓｒ_{１−ｘ−ｙ}Ｃａ_ｙＥｕ_ｘであり、但し、この場合ｘ＋ｙは、０．３以上で０．７２５以下であり、Ｃａ／Ｅｕの比は、１を上廻るものとし、この場合前記オキシニトリドシリケートは、５５５〜５６８ｎｍの範囲内の主波長を有する放出を示す。 （もっと読む）

【課題】 低コストで量産性に優れた発光素子用エピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】 第一導電型基板上に発光部９となる第一導電型クラッド層６と活性層５と第二導電型クラッド層４を順次形成し、前記第二導電型クラッド層４に支持基板２を貼り合わせた後、前記第一導電型基板を除去し、前記第一導電型基板が除去されたことで表れた前記第一導電型クラッド層６上に透明導電膜７を形成する。支持基板２を貼り合わせた後に、第一導電型基板を除去しているので、取り扱いがしやすくなり、その結果、低コストで量産性に優れる。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧を上昇させることなく、ｎ型コンタクト層の結晶性の高品質化により発光出力を上昇させ、且つ構造の簡略化によりスループットの向上でコストを下げる半導体発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】ｎ型コンタクト層１０の第１層として、ｎ型不純物濃度が２×１０¹⁹cm^-3以上の高キャリア濃度ｎ型半導体層１を形成し、その上に、ｎ型コンタクト層１０の第２層として、ｎ型不純物濃度が２×１０¹⁷cm^-3以下の低キャリア濃度ｎ型半導体層７を、成長時のＶ／III比が１５００以下、成長温度が１１５０℃以上で形成する。 （もっと読む）

本発明は、エネルギバンドギャップが可逆的に変化されることができる半導体装置に関する。本発明の発想は、例えば、相変化材料３０７のような、適切にアドレス指定された場合に体積の可逆的変化を呈する材料３０７と機械的に接触状態にある半導体材料３０６に基づく装置を提供することにある。前記装置は、例えば、発光、スイッチ及びメモリの用途において実施されることができる。前記半導体材料は、前記相変化材料に局所的な体積の変化を生じさせることにより、可逆的に歪まされることができる。前記半導体材料の得られるバンドギャップの変化は、例えばＬＥＤ又はレーザから、発せられる光の色を調整するのに利用されることができる。他の分野の用途においては、半導体接合における接触抵抗が制御されることができ、このフィーチャは、メモリ及びスイッチにおいて非常に有利である。
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ＬＥＤの効率は、トンネル接合ダイオードにより分離された、直列の複数の活性領域を組み込むことにより増大される。また、これにより、ＬＥＤが、より長い波長で動作することも可能になる。
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基板に物質を転写する方法が、アプリケータの表面上に物質を選択的に堆積するステップと、該アプリケータの表面を該基板に接触させるステップとを含む。物質は、アプリケータの表面上でパターンを成すことができる。パターンは、物質が基板に転写されるときに保たれる。物質は、インクジェット印刷によってアプリケータ上に塗布することができる。 （もっと読む）

本発明は、エネルギバンドギャップが電気的に変化されることができる半導体装置に関する。本発明の発想は、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）のような圧電材料のように、適切にアドレス指定された場合に変形を呈する材料３０７に埋め込まれたナノワイヤ３０６に基づく装置を提供することにある。ナノワイヤ３０６は、圧電材料３０７に電圧を印加することによって圧電材料３０７に局所的な変形を生じさせることにより、可逆的に歪まされることができる。得られるバンドギャップの変化は、例えばＬＥＤ又はレーザから、発せられる光の色を調整するのに利用されることができる。このことは、前記バンドギャップが、前記発せられる光の周波数に比例している事の結果である。他の分野の用途においては、半導体接合における接触抵抗が制御されることができ、このフィーチャは、メモリ及びスイッチにおいて非常に有利である。
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オプトエレクトロニクス構成素子が開示されている。当該オプトエレクトロニクス構成素子は、構成素子ケーシング（２）とボディ（１）を含んでいる。このボディは支持基板（１１）と放射送出層列（１２）を有する。このボディ（１）は構成素子ケーシング（２）の反射壁部（５）内に配置されており、構成素子ケーシング（２）の外部の電気的接続導体（４１、４２）と導電性接続されている。ここで反射壁部（５）は
・反射器領域（５１）を含み、当該反射器領域は内面（５３）を有しており、当該内面の断面は、放射放出ボディ（１）から見て、前記構成素子ケーシング（２）の前面へ向かって大きくなっており、当該内面（５３）に入射する、前記層列の放射は、構成素子の所望の光軸（３）の方向へ所期のように向きが変えられ、
・底部側で、前記反射器領域（５１）の前に配置されている基板凹部（５２）を含み、当該基板凹部内に前記放射送出ボディ（１）が配置されており、前記支持基板（１１）が少なくとも部分的に前記反射器領域（５１）に対して埋設されるように当該基板凹部（５２）の深さが選択されており、前記ボディ（１）の側面と前記基板凹部（５２）の間に僅かなすき間しか生じないように、前記ボディ（１）の長さおよび幅が調整されている。
有利な実施形態ではこの構成素子ケーシング（２）はさらにレンズ（７）を有しており、このレンズは放射円錐の所望の広がり角度を形成する。
さらにこの構成素子に対する使用が記載されている。
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【課題】 ハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物のガス体を用いたＨＶＰＥ法によるアルミニウム系III族窒化物を製造することを課題とし、長時間に渡って成長速度を維持したまま成長を続けて、効率良くアルミニウム系III族窒化物を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 三塩化アルミニウムなどのハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応域に保持された基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させてアルミニウム系III族窒化物を製造する方法において、該III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとの間にアルゴンなどのバリアガスを介在させて両反応ガスを反応域に流出せしめ、次いで基板上で両反応ガスを接触させて反応させる。 （もっと読む）

【課題】量子ドット層を多数層積層した場合であっても、良好なデバイス特性を実現し得る発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ形半導体より成る基板１０と、基板上に形成され、Ｓ−Ｋモードにより自己形成された三次元成長島より成る量子ドット層１８を複数層積層して成る活性層２０と、活性層上に形成されたｎ形半導体層２２とを有している。ｐ形半導体に活性層が形成されており、活性層上にｎ形半導体が形成されているため、活性層のうちで良質な量子ドットが形成される領域である下層側の領域は、活性層のうちのｐ形半導体に近い領域となる。このため、正孔と電子との発光再結合は、良質な量子ドットが形成されている領域において主に起こることとなる。このため、量子ドット層を多数層積層した場合であっても、良好なデバイス特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 亀裂やピットの発生が少ない表面平坦性に優れた低抵抗のｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を提供し、それを用いて順方向電圧が低くて優れた発光効率を有すると共に、逆方向電圧が高く、静電耐圧性にも優れるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 ｎ型不純物原子高濃度層およびｎ型不純物原子低濃度層からなる第１ｎ型層とｎ型不純物原子の平均濃度が該第１ｎ型層よりも小さい第２ｎ型層とからなり、第２ｎ型層が第１ｎ型層のｎ型不純物原子低濃度層に隣接していることを特徴とするｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体、および基板とＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層との間に前記ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤボンディングダメージをなくする発光ダイオードを提供する。
【解決手段】 活性層５を導電型が異なる第一導電型クラッド層４と第二導電型クラッド層６で挟んだ発光層１１を有し、該発光層１１の第二導電型クラッド層６側に第二導電型コンタクト層７、金属酸化物窓層８、パッド電極９が順に形成された発光ダイオードにおいて、前記発光層１１の上面から前記パッド電極９の上面までの距離が２．５μｍ以上であって、前記パッド電極９の厚さが２μｍ未満であることにより、ワイヤボンディングダメージを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】本発明は窒化ガリウム系ダイオードによって励起されて５００〜７００ｎｍ領域の波長帯を持ったストロンチウムシリケート系蛍光体及びその製造方法を提案することを目的とする。
【解決手段】本発明は Ｓｒ_3-xＳｉＯ₅：Ｅｕ²⁺_x （xは０＜x≦１）に表示されるストロンチウムシリケート系蛍光体を提案する。他の側面による本発明はストロンチウムカボネイト（ＳｒＣＯ₃），シリカ（ＳｉＯ₂），及びユーロピウムオキサイド（Ｅｕ₂Ｏ₃）を混合して混合物を形成する段階；前記混合物を乾燥する段階；及び前記乾燥した混合物を還元雰囲気で熱処理する段階が含まれるストロンチウムシリケート系蛍光体の製造方法を提案する。
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【課題】撮影時の補助光等の用途に適した波長スペクトラムを有する、光源にＬＥＤを用いた電子フラッシュを実現する。
【解決手段】電子フラッシュの光源として用いられるＬＥＤ１００は、可視光波長範囲および紫外波長範囲に発光波長スペクトラムを有するＬＥＤダイ１０２と、ＬＥＤダイ１０２から発せられる「元となる光」をより長い波長を有する光に変換する蛍光物質１１８とを有する。蛍光物質１１８を経てＬＥＤ１００から放射される出力光は、可視光波長範囲および赤外波長範囲に波長スペクトラムを有する。 （もっと読む）

本発明は、「アルカリ土類金属アンチモン酸塩の固体系及び固有発光を示すそれらから誘導された系、例えばフルオロアンチモン酸塩から形成された発光成分、又はＭｎ（１Ｖ）付活アンチモン酸塩、チタン酸塩、ケイ酸−ゲルマニウム酸塩及びアルミン酸塩から形成された発光成分、又はＥｕ付活ケイ酸塩−ゲルマニウム酸塩若しくはＥｕ（１１）及び二次付活剤としてのＭｎ（１１）からなる群から選ばれた増感剤を使用し且つ６００ｎｍを超えるスペクトル領域で橙色ないし濃赤色を示す系から形成された発光成分、又は異なる発光帯を有し、それらの重なりにより、約１００００Ｋ〜６５００Ｋの色温度及び約３０００Ｋ〜２０００Ｋの色温度を有する約３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの間の発光連続状態を形成する、８種以下の発光体成分の混合物から形成された発光成分を含む、発光要素の紫外又は青色発光を高い演色性を有する可視白色放射線に変更する発光体。」に関する。
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【課題】活性層近傍のｐ型半導体層中にドーパントとして亜鉛を用いても、活性層中への亜鉛拡散を少なくし、高輝度、高信頼性、且つ逆耐圧の経時劣化の少ない構造のＬＥＤ及びＬＤが得られる発光素子を提供すること。
【解決手段】ｎ型基板の上に活性層をｎ型とｐ型のクラッド層で挟んだ発光部を形成した構造の半導体発光素子において、少なくともマグネシウムがドーピングされたｐ型半導体層（Ｍｇドープｐ型電流拡散層８、Ｍｇドープｐ型コンタクト層９、Ｍｇドープｐ型クラッド層１１）と活性層４との間に、少なくとも亜鉛がドーピングされたｐ型半導体層（Ｚｎドープｐ型クラッド層５）を設置し、マグネシウムと亜鉛の相互拡散で亜鉛を活性層４より遠い側に拡散させる。 （もっと読む）