【課題】 半導体素子の半導体積層構造を出来る限りシンプルにする。
【解決手段】 金属窒化層からなる下地層の上に低温成長バッファ層を介在させることなくIII族窒化物系化合物半導体層が形成されている半導体素子であって、前記金属窒化物層が赤茶色の窒化チタンからなる。この赤茶色の窒化チタンは、窒化チタンにおいて窒素をリッチにすることにより得られる。
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本発明によるオプトエレクトロニクス素子は、半導体チップ（１）と支持本体（１０）とを備えており、半導体チップ（１）および支持本体（１０）に、透明で電気的に絶縁性の封止層（３）が設けられており、封止層（３）は、コンタクト面（６）と支持本体の接続領域（８）とを露出させるための２つの凹部（１１，１２）を備えており、導電層（１４）は、コンタクト面（６）から封止層（３）の部分領域を介して支持本体（１０）の電気的な接続領域（８）にガイドされており、これによりコンタクト面（６）と電気的な接続領域（８）とが、電気的に互いに接続される。半導体チップ（１）から主放射方向（１３）で放出される放射は、封止層（３）を通って出力結合され、封止層（３）は、有利には放出される放射の波長変換のためのルミネセンス変換材料を含有する。
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【課題】本発明の課題は、ｐ側電極の材料として、可視（緑色）〜近紫外波長領域の光に対する反射性の良好な金属を使用する、発光効率の改善された窒化物ＬＥＤを提供することである。
【解決手段】本発明の窒化物ＬＥＤは、ｐ型窒化物半導体層の表面に、ｎ型窒化物半導体からなる厚さ１５ｎｍ以下のｐ側コンタクト層が形成され、その上に、Ａｌからなる反射層で該ｐ側コンタクト層と接するｐ側電極が設けられるという、特徴的な構成を有する。このように形成されたｐ側電極は、窒化物ＬＥＤのｐ側電極として実用可能な程度に低い接触抵抗を示すうえに、Ａｌが可視〜近紫外波長において高い反射率を有していることから（例えば、波長４００ｎｍの光に対して、Ａｌからなる理想的なミラーの反射率は９０％を超える）、活性層で生じる光を効率的に反射して、窒化物ＬＥＤの発光効率を改善する効果を有する。 （もっと読む）

本発明はオプトエレクトロニクス薄膜チップに関しており、本発明によれば、薄膜チップは薄膜層列（２）の活性ゾーン（７）内に少なくとも１つの発光領域（８）を有し、この発光領域の後方にレンズ（１０，１２）が配置されており、このレンズは薄膜層列（２）の少なくとも１つの部分領域から成り、レンズのラテラル方向の広がり（Φ）は発光領域のラテラル方向の広がり（δ）よりも大きい。さらに本発明はオプトエレクトロニクス薄膜チップの製造方法に関する。
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【課題】 半導体素子を封止する封止体の量を常に一定にした発光装置を提供すること。
【解決手段】 半導体素子と、半導体素子を載置するステムと、半導体素子を覆う封止体と、を有し、ステムは半導体素子が載置される底面と側面を持つ第１の凹部が形成されており、さらに第１の凹部の外側に第２の凹部が形成されており、第１の凹部と第２の凹部は、第１の凹部の側壁により互いに分離されている半導体装置に関する。ステムの第１の凹部内に樹脂を注入すると余分な樹脂が溢れ出て、第２の凹部内に溜まり、第１の凹部内には常に一定量の封止体が配置されることとなる。 （もっと読む）

成長用基板（例えばＩｎＰ基板）を基板支持具により保持し、有機金属気相成長法により前記成長用基板上に３元素または４元素からなる化合物半導体層（例えばＩｎＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＡｌＩｎＡｓ層、ＡｌＩｎＧａＡｓ層等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層）を成長させるエピタキシャル成長方法において、基板の有効利用領域全体にわたって、（１００）方向からの傾斜角度が０．００°〜０．０３°、または０．０４°〜０．２４°となるように研磨し、該成長用基板を用いて基板上に前記化合物半導体層を０．５μｍ以上の厚さで形成するようにした。
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単位面積当たり有利な出力を有する発光ダイオードを開示する。このダイオードは、１００，０００平方ミクロン未満の面積を含み、４．０ボルト未満の順方向電圧で動作し、２０ミリアンペアの駆動電流において少なくとも２４ミリワットの放射束を生成し、約３９５及び５４０ナノメートルの間の主波長において発光する。
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【課題】 低電気抵抗値と厚いｎ型窒化ガリウム系コンタクト層を具えた窒化ガリウム系発光ダイオードの提供。
【解決手段】 基板、ダブルバッファ層、ｎ型窒化ガリウム層、短周期超格子デジタルコンタクト層、活性発光層、ｐ型クラッド層、及びコンタクト層を具え、高ドープ濃度で低電気抵抗の厚いｎ型窒化ガリウムコンタクト層が形成され、厚いｎ型窒化ガリウム層内に亀裂或いはピンホール現象が発生しない。シリコン短周期ヘビードープの窒化アルミニウムガリウムインジウム成長超格子構造は窒化インジウムガリウム／窒化ガリウム多重量子井戸構造発光ダイオードの低電気抵抗値のｎ型コンタクト層とされる短周期超格子デジタルコンタクト層を具備する。その後のステップでｎ型オームコンタクト電極層を形成しやすく、並びに全体の電気特性を良好とし、全体装置の操作電圧を下げる。 （もっと読む）

【課題】 基板等への実装面に対して斜め方向に光を出射できるようにした発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 パッケージ１１は、基板実装面１１ｃに対してＬＥＤチップ１２の光軸が斜めになるように、ＬＥＤチップ１２を搭載する面に傾斜が設けられ、ＬＥＤチップ１２からの発光光が、基板実装面１１ｃに対して斜め方向に出射できるようにしている。更に、ＬＥＤチップ１２に電源を供給するためのリード１３Ａ，１３Ｂは、その中間部がパッケージ１１の側壁面に沿うとともに、先端部が基板実装面１１ｃに到達し且つ露出するように曲げ加工が施されている。 （もっと読む）

高いフィルファクターを有するテクスチャード発光ダイオード構造体は、エピタキシャル横方向成長（ＥＬＯＧ）によってパターニングされた基板（１）に成膜されたドープＩＩＩ−Ｖ族若しくはドープＩＩ−ＶＩ族化合物半導体又はその合金を含む第１のテクスチャードクラッド／コンタクト層（２）と、ＩＩＩ−Ｖ族若しくはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体又はその合金を含み、電子と正孔の放射再結合又はサブバンド間遷移が発生するテクスチャード非ドープ又はテクスチャードドープ活性層（３）と、ドープＩＩＩ−Ｖ族若しくはドープＩＩ−ＶＩ族化合物半導体又はその合金を含む第２のテクスチャードクラッド／コンタクト層（４）と、を含む。
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【課題】 レーザー光を利用した基板と窒化物半導体層の剥離を図ると共に、その剥離時に発生する損傷層の効果的な除去を実現する。
【解決手段】半導体薄膜の表面処理を行う際に、基体上に半導体薄膜を形成した後、レーザーアブレーションなどを用いて半導体薄膜を基体から剥離し、その半導体薄膜をケミカルメカニカルポリッシング法により研磨することで半導体薄膜の平滑化及び前記半導体薄膜に含まれる損傷部の除去を行う。ケミカルメカニカルポリッシング法を用いることで微小なマイクロクラック層を発生させることなく研磨をすることができる。
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基板に対して垂直な側壁を備えた複数の半導体フィンガー部材を有する固体発光装置。多量子井戸が側壁上に基板に対して垂直に形成される。各多量子井戸は、フィンガー部材の側壁とフィンガー部材の導電型とは反対の第２半導体部材との間に挟まれる。電圧を受け入れるために、オーミックコンタクトが、フィンガー部材及び第２半導体部材に取り付けられる。装置は、放出された光がＵＶ領域となるようにＧａＮベースである。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子の過電圧保護を容易に達成することができなかった。
【解決手段】 ｐ型半導体層１３、活性層１４、ｎ型半導体層１５を含む発光用半導体領域１の一方の主面１７に第１の電極２を配置する。発光用半導体領域１の他方の主面１８に導電性を有する光反射層３を配置する。光反射層３に貼合せ金属層６を介して保護素子用の半導体基板５を貼合せる。半導体基板５に保護素子としてのツェナーダイオードを構成するためのｎ型半導体領域２１とp型半導体領域２２とを設ける。導体９によってツェナーダイオードを発光素子に並列接続する。 （もっと読む）

【課題】 疑似点灯が抑制され光学特性に優れた発光装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、光源と、該光源からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光物質を含有する光変換部材とを備える発光装置において、上記光源は、複数の半導体発光素子１０４からなり、それらの半導体発光素子１０４のうち少なくとも一部が光変換部材１０１により被覆されており、上記光変換部材１０１が被覆する半導体発光素子１０４ａと、該半導体発光素子１０４ａに隣接する半導体発光素子１０４ｂとの間に遮光部材１０２が介されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】３回回転対称性を有する半導体成長用基板において、切断方向を明示し、基板の切断を容易化し、チッピングや割れなどの不具合が無く、半導体装置を効率的に製造することが出来る半導体成長用基板を提供する。
【解決手段】３回回転対称である３方向のうち、２または３方向に識別マークを有する半導体成長用基板とする。 （もっと読む）

【課題】 高品質の半導体素子を提供する。
【解決手段】 基板と、基板上方に形成された複合接合層と、複合接合層上方に形成された第１の電極と、第１の電極上を含む領域に形成された半導体層と、半導体層上の一部の領域に形成された第２の電極とを有し、複合接合層は、基板、及び第１の接合層を含む支持基板と、半導体層、第１の電極、及び第２の接合層を含む半導体積層構造とを接合するときに形成され、第１または第２の接合層は共晶成分を含み、支持基板及び半導体積層構造の少なくとも一方は、拡散材料を含む拡散材料層を含み、複合接合層は、第１または第２の接合層の一方に含まれる共晶成分が他方の接合層と混合して第１の混合体を形成し、更に第１の混合体と拡散材料層に含まれる拡散材料とが混合し、第１の混合体の溶融温度より高い溶融温度を有する第２の混合体を形成することにより形成される半導体素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】 簡便な製造方法で発光効率が高く信頼性に優れた蛍光体およびその製造方法ならびに発光装置を提供する。
【解決手段】 ＩＩＩ族窒化物半導体からなる母体半導体１１が、ＩＩＩ族窒化物半導体のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する酸化物からなる外層１３により被覆されている蛍光体。ここで、上記母体半導体１１には、発光中心１２を添加することができる。 （もっと読む）

【課題】 発光チップの高輝度化を実現することができ、作業性良く製造可能な発光装置を提供する。
【解決手段】 発光装置１は、第１電極６及び第２電極５を有し、第１電極６と第２電極５とを介して通電されることによって、上面４に設けられた発光領域３より光を射出する発光チップ２と、発光領域３より射出された光を所定方向に反射する反射面１１を有するリフレクタ部材１０とを備え、リフレクタ部材１０に、第１電極６と電気的に接続する第１導電部８が設けられている。 （もっと読む）

導電性または高抵抗の単結晶基板の表面上に、順次、ｎ形の化合物半導体からなるｎ形下部クラッド層と、ｎ形のＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ形発光層と、該発光層上に設けたｐ形のリン化硼素系半導体からなるｐ形上部クラッド層とから構成される異種接合構造の発光部を備え、該ｐ形上部クラッド層に接触させてｐ形のオーミック電極とが形成されてなるリン化硼素系半導体発光素子であって、ｐ形上部クラッド層が、該ｎ形発光層との中間に設けた、リン化硼素系半導体から成る非晶質層を介して設けられていることを特徴とする。このリン化硼素系半導体発光素子は、順方向電圧或いは閾値が低く、耐逆方向電圧に優れる。
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集積回路は、積層された複数の層群を含む超格子を有する少なくとも１つの能動光デバイスを含んでいる。超格子の層群の各々は、ベース半導体部分を形作る積層された複数のベース半導体モノレイヤーと、その上のエネルギー帯修正層とを有する。エネルギー帯修正層は隣接するベース半導体部分の結晶格子内に拘束された少なくとも１つの非半導体モノレイヤーを有する。この集積回路は更に上記の少なくとも１つの能動光デバイスに結合された導波路を有していてもよい。
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