【課題】サファイア基板の主面に効率良く量産に適した方法で凹部を形成した半導体発光素子用サファイア基板およびその製造方法を提供し、また、同時にこの方法で作成されたサファイア基板を用いて作製された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】鏡面研磨を行った主面に乾式または湿式のブラスト加工を施した後、熱リン酸または熱リン酸と熱硫酸の混酸または熱溶融水酸化カリウム中に浸漬し、エッチピットを有する半導体発光素子に適した単結晶サファイア基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】 青色又は青紫色発光ダイオードを用い、高輝度でコンパクトな白色発光素子を提供しようとするものである。
【解決手段】 青色又は青紫色の発光ダイオードと、該発光ダイオードの発光を吸収して可視域に発光する１種又は２種類以上の蛍光体とを組み合わせた白色発光素子において、前記発光ダイオードと前記蛍光体の発光色が加色して互いに補色の関係になり、図１の色度座標中のＷで示した領域内の発光色度点を有する白色に発光するように、前記蛍光体を選択した白色発光素子である。 （もっと読む）

複数の半導体デバイスを有する電子的な基板を得るための方法および装置が、説明される。ナノワイヤ薄膜が、基板上に形成される。ナノワイヤ薄膜は、動作電流レベルを達成するのに十分なナノワイヤの密度を有するように形成される。複数の半導体領域が、ナノワイヤ薄膜に画定される。コンタクトが、半導体デバイス領域において形成され、それによって、電気的な接続を複数の半導体デバイスに提供する。さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、ｐ型ドーピングナノワイヤおよびｎ型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。
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【課題】輝度ムラが少なく、寿命の劣化を抑制し、そして間接光を照射するＬＥＤ照明装置を提供すること。
【解決手段】紫外線を発光するＬＥＤ素子１０と基板１１とから構成された紫外ＬＥＤモジュール２０と、紫外ＬＥＤモジュール２０の紫外線出射面２２と対向して配置された反射面３１を有し、反射面３１に蛍光体が形成された反射鏡３０とを備えたＬＥＤ照明装置１００である。反射鏡３０の開口部３２の一部には、紫外ＬＥＤモジュール２０が配置されており、さらに、反射鏡３０の開口部３２の他の部分のうちの少なくとも一部には、可視光を透過し且つ紫外光を減衰させるＵＶカットフィルタ３４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体発光素子をなす活性層の結晶性を向上させて、光出力及び信頼性を向上させることができる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体発光素子は、第１窒化物半導体層（Ｓｉ−Ｉｎ ｃｏ−ｄｏｐｅｄ ＧａＮ層）８と、前記第１窒化物半導体層８の上にＩｎＧａＮ井戸層と多層構造障壁層からなる単一または多重量子井戸構造の活性層１６と、前記活性層１６の上に形成された第２窒化物半導体層（ｐ−ＧａＮ層）１８と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

白色ＬＥＤのための新規な蛍光体システムが開示されている。その蛍光体システムは、約２５０〜４２０ｎｍの励起波長を有する不可視光〜近紫外線の放射源によって励起される。その蛍光体システムは、１つの蛍光体または２つの蛍光体を含むことができ、場合により、第３の蛍光体、さらには第４の蛍光体を含むことができる。本発明の１つの実施形態における蛍光体は、青色蛍光体と黄色蛍光体を有する２−蛍光体システムであり、青色蛍光体の長波長端と黄色蛍光体の短波長端は実質的に同じ波長である。あるいは、黄色蛍光体と青色蛍光体の間に波長差があることができる。黄色蛍光体は、リン系またはシリケート系であることができ、青色蛍光体は、シリケート系またはアルミネート系であることができる。不可視放射で励起される単一蛍光体システムも開示される。本発明の別の実施形態では、単一蛍光体が白色光照明を提供するために使用され、その単一蛍光体は約５２０〜５６０ｎｍの波長範囲にピーク強度を有するブロードな放出スペクトルを有する。
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第ＩＩＩ属窒化物ベースの発光デバイスおよび第ＩＩＩ属窒化物ベースの発光デバイスを製造する方法が提供される。発光デバイスは、ｎ型第ＩＩＩ属窒化物層と、少なくとも１つの量子井戸構造を有する、ｎ型第ＩＩＩ属窒化物層上の第ＩＩＩ属窒化物ベースの活性領域と、活性領域上のインジウムを含む第ＩＩＩ属窒化物層と、インジウムを含む第ＩＩＩ属窒化物層上のアルミニウムを含むｐ型第ＩＩＩ属窒化物層と、ｎ型第ＩＩＩ属窒化物層上の第１の接点と、ｐ型第ＩＩＩ属窒化物層上の第２の接点とを含む。インジウムを含む第ＩＩＩ属窒化物は、アルミニウムを含むこともできる。
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【課題】異種基板を剥離する工程を含む窒化物半導体ウエハ又は窒化物半導体素子の製造方法において、異種基板剥離時の窒化物半導体層の破断を抑制する方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体と異なる異種基板１６上に成長された窒化物半導体層１８から、前記異種基板１６−窒化物半導体層１８界面に酸又はアルカリであるエッチング溶液を供給しながら、異種基板１６側から前記窒化物半導体層１８のバンドギャップ波長よりも短波長のレーザ光を照射することによって異種基板１６の剥離を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、任意の波長の光を発生させる発光素子を提供するか、該発光素子を作製するか、或いは該発光素子に備わる半導体結晶の微粒子を作製することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、半導体結晶からなる微粒子を、微粒子よりもエネルギーギャップの大きな導電性媒質で充填した構造となっている。本発明の発光素子に備わる微粒子層は、微粒子のエネルギーギャップに比べて大きなエネルギーギャップを有する導電性媒質で微粒子の周囲を包囲している。これにより、微粒子内に効率よく正孔と電子を閉じ込めることが可能になる。このような状態の微粒子が導電性媒質内に複数分布しており、導電性媒質に供給された正孔と電子を微粒子内に閉じ込める。これにより、効率よく再結合発光させることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の使用温度において、半導体素子用基板の内部に各層の熱膨張係数差に起因する応力が発生しないようにすること。
【解決手段】 サファイア元基板１の主面１Ａ、１Ｂの少なくとも一方に３族窒化物半導体の熱膨張係数Ｋ４より小さい熱膨張係数Ｋ２を有する材料であるシリコン単結晶からなる補助層２を半導体素子の許容動作温度範囲内の温度下で形成して補助層付基板を作製した後、サファイア元基板１の主面又は補助層の表面に少なくとも１つの３族窒化物半導体層である化合物半導体層４を成長させることにより３族窒化物半導体素子用基板を製造する。補助層付基板と化合物半導体層４とは同じ熱膨張係数を有するので熱膨張差に起因する応力はこの２者の間には発生せず、しかも、補助層２は室温で形成されているので、サファイア元基板１と補助層２の間にも熱膨張差に起因する応力は発生ない。 （もっと読む）

この発明は、半導体本体（１）と基板（２）とを備え、半導体本体（１）がエミッタ領域（３）とベ−ス領域（４）とコレクタ領域（５）とを有する縦型バイポーラトランジスタを備え、領域の各々には接続領域（６，７，８）が設けられ、ベ−ス領域（４）とコレクタ領域（５）との間の境界にｐｎ結合が形成され、そして、動作中、ｐｎ結合に逆バイアスが加わり、又は、十分に大きなコレクタ電流が流れると、電荷キャリアのなだれ現象が起こり、コレクタ領域（５）に発光が生じる発光半導体素子に関する。この発明によれば、コレクタ領域（５）は生じた発光が伝送されるような厚みを有し、そして、コレクタ領域（５）は半導体本体（１）の自由面上に境界を成す。このようにして、生じた発光の吸収によるロスが少なくなり、生じた発光をより簡単に、例えば、素子（１０）の他の部分又は他の素子（１０）のための光信号として用いることができる。コレクタ領域（５）内に第二のサブ領域（５Ｂ）が、例えば、半導体本体（１）内に導電チャネルを誘起させるゲート電極（１１）をもって形成されてもよい。半導体本体（１）の表面に発光導体（１４）が存在すると好ましい。この発明は、さらに、この発明の素子（１０）を製造する方法を備える。
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【課題】電流分散効果を向上させると同時に優れた反射率を有するようｐ側電極構造が改善されたフリップチップ用窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体成長のための透光性基板３１と、透光性基板３１上に形成されたｎ型窒化物半導体層３２と、ｎ型窒化物半導体層３２上に形成された活性層３３と、活性層３３上に形成されたｐ型窒化物半導体層３４と、ｐ型窒化物半導体層３４上に形成され、Ａｌ含量が異なる第１及び第２窒化物層が複数回交互に積層されて成るメッシュ型ＤＢＲ反射層３５と、メッシュ型ＤＢＲ反射層３５とメッシュ型ＤＢＲ反射層３５のオープン領域に露出されたｐ型窒化物半導体層３４上に形成されたオーミックコンタクト層３６とを備える。 （もっと読む）

【課題】 光取出し効率の向上を図ることの可能な光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 光取出し面側に球状曲面を有する基板３と、活性層１ｂ及びこれを挟むクラッド層１ａ、１ｂを備え、その表面側において基板３と接する半導体層１と、半導体層１の中心及び／又は放射状に配置されたトレンチ内に充填形成される第1の電極４と、半導体層の裏面側に形成される第2の電極６を備える。 （もっと読む）

【課題】チップ型発光素子に用いられたときに、発せられた光を効率よく外部に取り出すことができる発光ダイオードチップを提供する。
【解決手段】この発光ダイオードチップ４は、半導体基板１１の上に下クラッド層１２、活性層１３、電流遮断層１５、および上クラッド層が順に積層されてなる。電流遮断層１５は、ＬＥＤチップ４の中央部から側面の１つに至る領域に形成されており、ＬＥＤチップ４の他の３つの側面の近傍（非遮断領域１６）を回避して設けられている。 （もっと読む）

【課題】 高い光束と高い演色性とを両立する発光装置、特に暖色系の白色光を放つ発光装置を提供する。
【解決手段】
窒化物蛍光体を含む蛍光体層３と発光素子１とを備え、発光素子１は３６０ｎｍ以上５００ｎｍ未満の波長領域に発光ピークを有し、窒化物蛍光体は発光素子１が放つ光によって励起されて発光し、窒化物蛍光体が放つ発光成分を出力光として含み、窒化物蛍光体は、Ｅｕ²⁺で付活され、かつ、組成式（Ｍ_1-xＥｕ_x）ＡｌＳｉＮ₃で表される蛍光体であり、ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ及びＺｎから選ばれる少なくとも１つの元素であり、ｘは式０．００５≦ｘ≦０．３を満たす数値である発光装置である。 （もっと読む）

【課題】 成長点の位置制御を安定して行いつつ、格子定数の異なる基材上にナノレベルの結晶成長を行わせる。
【解決手段】 サンプルＳ上に金属針２３ａの先端を配置した後、金属針２３ａの先端を昇温させることにより、サンプルＳと金属との合金融液を生成し、合金融液が生成され状態で、気相状の有機金属化合物を合金融液に接触させることにより、触媒反応により合金融液中に元素の形で取り込ませ、合金融液中で有機金属化合物の構成元素の過飽和現象を生じさせて、合金融液とサンプルＳとの界面に過剰の元素を析出させることで、ワイヤ状の単結晶を成長させる。 （もっと読む）

InPまたは他のII-VIもしくはIII-V材料からなる化合物ナノチューブは、極めて大きな青色シフトを示す。従ってそのようなナノチューブを含有することによって、電磁スペクトルの可視領域において光ルミネッセント性およびエレクトロルミネッセント性を示す装置が提供される。
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【課題】 亀裂やピットの発生が少ない平坦性に優れた低抵抗のｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体層を提供し、それを用いて順方向電圧が低く、かつ発光効率が優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 ｎ型不純物原子高濃度層とｎ型不純物原子低濃度層とを相互に積層したことを特徴とするｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体、および基板とＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層との間に前記ｎ型ＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】 発光及び光取出し効率が高く、製造コストの低減が可能な半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 発光ダイオード層２０と、発光ダイオード層２０の一面に設けられ、第１の貫通孔４４を有する第１の絶縁性透明材４１と、第１の絶縁性透明材４１の発光ダイオード層２０と反対側面に設けられた第１の外部電極４５と、第１の貫通孔４４内に設けられ、第１の外部電極４５と発光ダイオード層２０とを電気的に接続する第１の導電性材料４７と、発光ダイオード層２０の他面に設けられ、第２の貫通孔５４を有する第２の絶縁性透明材５１と、第２の絶縁性透明材５１の発光ダイオード層２０と反対側面に設けられた第２の外部電極５５と、第２の貫通孔５４内に設けられ、第２の外部電極５５と発光ダイオード層２０とを電気的に接続する第２の導電性材料５７とを具備する。 （もっと読む）

横型接合半導体デバイスおよびこれを製作する方法であって、一連の実質的に平行な平面をなして配置された半導体材料の複数の層によって形成されたスタックを有する半導体構造２を取るステップであって、第１層４の中の半導体材料は第１濃度での第１極性の過剰電荷キャリアを有するステップと、第１方向に沿ってアクティブ層８の中の第１極性の電荷キャリアの濃度の漸次的変化を提供するために、半導体材料を第１層４から、構造体の中の層の平面と実質的に平行な第１方向に沿って変わる深さまで選択的に除去するステップとを備える方法。前記横型接合半導体デバイスを備える光子源。
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