【課題】光学特性を向上可能な化合物半導体層構造の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体層２上に、化合物半導体層３Ａ，３Ｂを順次成長させる。ここで、化合物半導体層２はＡｌＮ、化合物半導体層３Ａ，３ＢはＡｌＧａＮからなるが、化合物半導体層３Ａを通常のＭＯＶＰＥ法で成長させると、Ａｌ組成比が目的の値よりも小さくなってしまう。そこで、化合物半導体層３Ｂを成長させるときのＡｌ組成比を決定する製造条件よりも、化合物半導体層３Ａを成長させるときの製造条件の方が、この条件で化合物半導体層３Ｂを形成する場合には、Ａｌ組成比が高くなる条件に設定されている。 （もっと読む）

【課題】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを混在させた結晶において少なくとも表面において極性Ａの単結晶としてデバイスをその上に製造するに適した単結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを持つ部分が混在する結晶において、一方の極性Ｂの部分をエッチングして表面部分を除去し、あるいは除去せずそのままに極性Ｂの上を異種物質(マスク）Ｍで被覆し、さらに同じ結晶の成長を行い極性Ａの結晶によって表面を覆うようにする。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体発光素子の製造方法において、ウェハーの反りを調整することにより、各素子への分割をより容易にする方法を提供する。
【解決手段】厚さ２５０〜１０００μｍのサファイア基板１上に膜厚が５μｍ以上のＩＩＩ族窒化物半導体層３を積層した化合物半導体素子ウェハーに、レーザー照射で割溝５０を形成して素子に分離する化合物半導体発光素子の製造方法であって、基板にＩＩＩ族窒化物半導体層がある状態で、半導体層側からウェハーにレーザーを照射して割溝を形成し、次に基板を１５０μｍ以下の厚さに研磨して薄板化する。研磨で基板背面の表面粗さＲａ（算術平均粗さ）を０．００１μｍ以上２μｍ以下とすることでウェハーは反りのない平坦状態になり、その後、ウェハーを素子に分離する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良好な窒化物系化合物半導体を備える基板を形成する。
【解決手段】窒化物系化合物半導体バルク基板１の一方の主表面から一定の深さの領域における結晶の成長状態の分布を検出し、その検出結果に基づいて、窒化物系化合物半導体バルク基板１があらかじめ決められた基準を満たすか否かを判別する。上記基準を満たすと判別された窒化物系化合物半導体バルク基板１の一方の主表面に対してイオン注入を行ない、下地基板１０の一方の主表面と接合した上で、イオン注入により形成される脆弱領域において分割することにより、窒化物系化合物半導体薄膜１ｄを備える基板１００を形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体薄膜を基板から効果的に分離できる発光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の実施例に係る発光素子の製造方法は、酸化ガリウム層を形成するステップと、前記酸化ガリウム層上に第１導電型半導体層、活性層、第２導電型半導体層を形成するステップと、前記第２導電型半導体層上に導電性基板を形成するステップと、前記酸化ガリウム層を分離させるステップと、前記第１導電型半導体層上に第１電極を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】非極性ＩＩＩ族窒化物層を有する多層構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に複数の核形成層を形成する工程と、該核形成層上に非極性ＩＩＩ族窒化物層を形成する工程とを備え、複数の核形成層がそれぞれ独立して下記式（Ｉ）で表される窒化物から選択される。


上記式において、ＡとＢは異なっており、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、ＩＮ又はＴｌから選択され、且つ０≦ｘ≦１である。該複数の核形成層によって、応力の緩和、格子不整合（ｍｉｓｍａｔｃｈ）の減少、転位延長の阻止、転位密度の低減に有利になるため、表面が平坦で且つ結晶品質の良いＩＩＩ族窒化物層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤによって半値全幅の広い発光スペクトルを得る。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、Ａｌ_XＩｎ_YＧａ_1-X-YＮ（０≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１、０≦Ｘ＋Ｙ＜１）結晶から形成され、結晶の｛１−１００｝面であるｍ面に平行な方向に広がるＡｌＩｎＧａＮ層１０１と、ＡｌＩｎＧａＮ層１０１上に位置し、Ｉｎ_ZＧａ_1-ZＮ（０＜Ｚ＜１）結晶から形成されたＩｎＧａＮ発光層１０２とを備える。ＡｌＩｎＧａＮ層１０１の上面は、ｍ面から［０００１］方向に傾斜した少なくとも１つの第１傾斜面１０１ａと、ｍ面から［０００−１］方向に傾斜した少なくとも１つの第２傾斜面１０１ｂとを有している。 （もっと読む）

改良された特性を備えた半導体材料、基板、およびデバイスの製造方法および構造が開示される。歪みが低減された構造を形成するための構造および方法が、複数の実質的に歪み緩和されたアイランド構造を形成し、半導体材料の歪み緩和された実質的に連続した層を引き続きさらに成長するために、このようなアイランド構造を利用することを含む。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率の向上を図れる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子Ａは、ＬＥＤ薄膜部２における透明結晶基板３側とは反対側の表面に全反射抑制用の微細凹凸構造２２ａが形成されている。また、角錘台状の透明結晶基板３の一表面３１側にＬＥＤ薄膜部２が形成され、当該透明結晶基板３の他表面３２と各斜面３３とにＬＥＤ薄膜部２から放射される光に対して透明な誘電体膜６が積層され、当該誘電体膜６にＬＥＤ薄膜部２から放射され当該誘電体膜６を透過した光を反射する反射用金属膜７が積層されている。 （もっと読む）

【課題】優れた光の取り出し効率を有し、廉価に製作することができる、窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】透光性基板１の上面に少なくとも発光層５を含む窒化物半導体層が形成されている。透光性基板１の上面には、凹部領域および凸部領域が形成され、凹部領域および凸部領域の一方は、平面的に見て、１８０°以上の内角を有する頂点を少なくとも一つ以上含む複数の多角形が配置されることにより形成される。凹部領域および凸部領域の他方は、平面的に見て、直線状につながらないように形成される。 （もっと読む）

【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約２００ｎｍ未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも２つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 （もっと読む）

【課題】メルト析出物によるエピタキシャル層の表面欠陥の低減を図った発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面側に基板２を保持した基板ホルダー３上に、前記一方の面側に対向して原料溶液Ｌａ，Ｌｂを収納した原料ホルダー５を設け、基板ホルダー３をスライドして原料溶液Ｌａ，Ｌｂに基板２を接触させ、基板２上にエピタキシャル層を成長させる発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法において、基板ホルダー３の前記一方の面側であり基板ホルダー３に保持した基板２のスライド方向に、原料溶液Ｌａ，Ｌｂが降温中に基板ホルダー３との界面に析出した析出物を除去する析出物除去溝７ａ，７ｂを形成し、降温を開始した後、基板ホルダー３をスライドし、析出物除去溝７ａ，７ｂに析出物を落として除去した後、基板２上にエピタキシャル層を成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物の混入を防ぎ、高温でもｐ型不純物を十分ドープすることができる酸化亜鉛系半導体、酸化亜鉛系半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入し、また、基板１上にｐ型不純物原料ガスとしてＶ族の水素化物ガスを導入する。このようにして、基板１上にｐ型不純物がドープされた酸化亜鉛系半導体層２を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】１．３μｍよりも長波長側の波長帯で発光する光半導体素子及び集積素子を実現する。
【解決手段】光半導体素子を、ＩｎＡｓ量子ドット５と、ＩｎＡｓ量子ドット５の上下に接する一対のＩｎＧａＡｓバリア層４，６と、一対のＩｎＧａＡｓバリア層４，６のＩｎＡｓ量子ドット５に接する側の反対側に接し、ＩｎＧａＡｓバリア層４，６よりも直接遷移バンドギャップが狭いＳｉＧｅ層３，７とを備えるものとし、ＳｉＧｅ層３，７が接するＩｎＧａＡｓバリア層４，６の厚さを、ＩｎＡｓ量子ドット５と一対のＩｎＧａＡｓバリア層４，６とによって決まる量子準位のバンドギャップよりも量子準位のバンドギャップが狭くなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】ダブルヘテロ構造中にキャリアが拡散することを抑制して面内キャリア濃度分布を均一なものとでき、これによって発光寿命のバラツキが小さく、かつ長寿命な発光素子を製造することのできる化合物半導体基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＧａＡｓ基板上に（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１、０＜ｙ＜１）からなるダブルヘテロ構造およびＧａＰからなる窓層がこの順に形成された化合物半導体基板であって、前記ダブルヘテロ構造は、少なくとも下クラッド層と活性層と上クラッド層からなり、前記活性層と前記ＧａＰ窓層との間に、少なくとも２以上の界面を有するセットバック層を有するものであることを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】ダブルヘテロ構造での欠陥を減少させることで、ダブルヘテロ構造中にキャリアが拡散することを抑制して面内キャリア濃度分布を均一なものとでき、これによって発光寿命のバラツキが小さく、かつ長寿命な発光素子を製造することのできる化合物半導体基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＧａＡｓ基板上に（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）からなるダブルヘテロ構造が形成された化合物半導体基板であって、前記ＧａＡｓ基板と前記ダブルヘテロ構造との間に、組成の異なる層同士が接する成長界面を少なくとも５以上有するものであることを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】輝度およびライフ等の諸特性が優れた高品質の化合物半導体基板および発光素子ならびに化合物半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＧａＡｓ基板上に（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）からなるダブルへテロ構造が形成された化合物半導体基板であって、前記ダブルへテロ構造を構成する各層は、前記ＧａＡｓ基板に対して、室温での格子不整合率が０％以上０．０２％以下であるように格子定数が整合され、かつ前記ＧａＡｓ基板のキャリア濃度が１〜２．５×１０^１８／ｃｍ^３であることを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】高品位で且つ低コストな発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型基板２上に、少なくともｎ型クラッド層６、活性層８、ｐ型クラッド層を順次積層する化合物半導体発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｎ型基板２として、ほぼ円形であるｎ型基板の直径を（ａ）、ｎ型基板の厚さを（ｂ）としたとき、（ｂ）／（ａ）が０．００４７以下であるｎ型基板を用いて作製したものである。 （もっと読む）

【課題】その上に存在する改良エピタキシャル堆積のために且つ発光ダイオードのようなデバイスを製造する場合に前駆体として用いるために炭化珪素基板を処理する方法の提供。
【解決手段】１つ以上の所定のドーパント濃度及び注入エネルギーで、注入イオンと同じ導電型を有する導電性炭化珪素ウェーハの第一表面中に第一導電型のドーパント原子を注入して、ドーパントプロファイルを形成する工程、その注入されたウェーハをアニールする工程、及びそのウェーハの注入第一表面上にエピタキシャル層を成長させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスに好適に用いられるＩＩＩ族窒化物結晶基板ならびにその基板を含む発光デバイスおよびその発光デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板は、面積が１０ｃｍ²以上の主面を有し、主面の外周からの距離が５ｍｍ以下の外周領域を除く主領域において、総転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以上５×１０⁵ｃｍ^-2以下であり、総転位密度に対する螺旋転位密度の比が０．５以上である。 （もっと読む）