【課題】半導体ウェーハのエッチングに際して、半導体ウェーハにより起こる回転流を調整するとともに、半導体ウェーハの外周付近における３次元乱流の発生を抑制し、半導体ウェーハの外周部も含めた平坦度を向上させることができる半導体ウェーハのエッチング装置を提供すること。
【解決手段】エッチング装置１の構成として、エッチング槽２と、エッチング槽２に対して出し入れされ、複数枚の半導体ウェーハＷを収納するウェーハマガジン１０を備え、ウェーハマガジン１０の内部に収納された半導体ウェーハＷを回転させてエッチングを行うにあたり、このウェーハマガジン１０内に、半導体ウェーハＷの前後または略直下に位置するように整流部材５を配設している。これにより、ウェーハマガジン１０内部で回転する半導体ウェーハＷの間で発生する３次元乱流を抑制し、半導体ウェーハＷの外周部の平坦度を良好なものにすることができる。 （もっと読む）

【課題】 蓚酸含有エッチング液の全量交換の頻度を低減させることが可能な蓚酸含有エッチング液再生方法及び蓚酸含有エッチング液再生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明では、ＩＴＯのエッチングに使用した蓚酸含有エッチング液をＮＦ膜２５によりろ過して透過液と非透過液とに分離するろ過工程を備える。 （もっと読む）

本発明は、一般的に、基板表面の処理または加工に関する。とりわけ、本発明は、シリコンウエハの表面を改質するための方法に関する。
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酸化ケイ素のエッチング速度を安定させつつ高い選択性を提供する、酸化ケイ素に対する窒化ケイ素の選択エッチング装置（図５）及び方法。本発明は、プロセスチャンバ（１０）、注入ライン（２０、２１、２２）、供給ライン（３０、３１、３２）、再循環ライン（４０）、プロセス制御器（２００）、濃度センサー（５０）、粒子計数器（５５）、排出ライン（９０）、を含む。本発明は、少なくともひとつの基板の処理中に、使用されるエッチング液の構成要素の濃度比を動的制御し、および／または、エッチング液内の粒子数を動的制御する。結果として、エッチング液の液寿命は延び、エッチングプロセスパラメータは、よりしっかりと制御される。
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【課題】流れ攪拌器及び／又は複数電極を用いる微小特徴加工物を処理する方法及びシステムを提供する。
【解決手段】位置合せシステムを備えた装着モジュールを有するツール。装着モジュールは、反応装置と加工物を反応装置まで及び反応装置のために移動する加工物搬送装置とを正確に配置するための位置決め要素を含む。反応装置の位置決め要素間の相対位置は、反応装置が取り外されて別の反応装置と交換される時に加工物搬送装置を再較正する必要がないように固定されている。反応装置は、加工物の処理表面での処理流体を攪拌するための攪拌器を含む。攪拌器と、反応装置と、反応装置内の電極とは、攪拌器及び／又は加工物が互いに対して往復する時に加工物の表面で攪拌器によって生じる電気遮断の可能性を軽減し、電界に対する三次元の影響に対処するように構成されている。 （もっと読む）