【課題】ダイヤモンドの剥離プロセスで必要なイオン注入工程を改善してより安価に剥離を実現するダイヤモンドの剥離方法を提供すること。
【解決手段】 ダイヤモンド基板（０３）の主面にイオンを注入してダイヤモンド基板にイオン注入層を形成するイオン注入工程と、該イオン注入層（０４）を形成した側の基板表面にダイヤモンド膜（０２）を成長させて、イオン注入層が、ダイヤモンド層（０２、０３）に挟まれた構造を有する構造体を形成する工程とを含む工程によって得られた前記構造体をエッチング液に浸漬して電圧を印加し、イオン注入層を電気化学的にエッチングすることで、該ダイヤモンド層を分離する剥離工程を含むダイヤモンドの剥離方法であって、該イオン注入工程において、該イオン注入層として注入エネルギー１０ｋｅＶ以上１ＭｅＶ未満且つ２段以上の多段注入で９．０μｍ未満の層厚を形成することを特徴とするダイヤモンドの剥離方法。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体ウエハ等といった複数の被処理物を処理液に浸漬するに際して、これら被処理物の間で処理具合にばらつきが生じないようにする。
【解決手段】処理装置１が、処理液３０が貯留される処理槽２と、処理槽２内に配置され、処理槽２内で回転する回転車４と、被処理物３２をそれぞれ保持し、回転車４に取り付けられ、回転車４の第１の回転軸６を中心にした円周方向に沿って配列された複数の保持具１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンからなる太陽電池ウエハに均一なテクスチャー構造を形成する。
【解決手段】フッ化水素を含む薬液３１中で、ピラミッドのテクスチャー構造が形成された型１を、ウエハ１０に接触させる。アクチュエータ２２は、制御装置８からの駆動信号を受けて上下方向に周期的に伸縮する。これにより、アクチュエータ２２は、本体部２３に対して取付部２１を周期的に上下動させ、型１とウエハ１０との接触と離間とを周期的に繰り返させる。 （もっと読む）

【課題】基板の上面側からガスを供給するとともに基板の下面側から処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する液処理装置において、トッププレートの位置を精度良く位置決めすることができる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの上面側からガスを供給するとともに基板Ｗの下面側から処理液を供給し、供給された処理液により基板Ｗの下面を処理する液処理装置２２において、上面に開口１０５を有する処理容器１００と、処理容器１００内に設けられ、基板Ｗの周縁部ＷＥを支持する支持部７０、７２と、昇降可能に設けられ、下降した状態で開口１０５を塞ぐ天板部１１０と、天板部１１０が下降する際に、処理容器１００に対する天板部１１０の相対位置を所定の位置に位置決めする位置決め機構１３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】テクスチャの密度や大きさを制御してより光反射率の低い半導体ウェハや半導体薄膜を得ることができる太陽光発電装置の製造方法を得ること。
【解決手段】有機物とハロゲン酸塩とを含むエッチング液を用いて、第１導電型の半導体ウェハの第１の主面をエッチングしてテクスチャを形成する工程と、テクスチャを形成した半導体ウェハの表面に第２導電型の拡散層を形成する工程と、半導体ウェハの端面に形成された拡散層を除去する工程と、半導体ウェハの第１の主面上に反射防止膜を形成する工程と、半導体ウェハの第１の主面および第１の主面に対向する第２の主面上に、所定の形状の電極を印刷し、焼成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工される被加工層の全面を、均一にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明のエッチング方法は、水晶基板（基板）２に形成されたＡｕ膜（被加工層）５を所定の形状に加工するための方法であって、Ａｕ膜５は、所定の形状である複数のＳＡＷパターン３にエッチング加工され、このエッチング加工時において、水晶基板２をエッチング液２１に浸漬した状態では、水晶基板２のＡｕ膜５の側が下方へ向いて配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水平搬送方式の基板表面処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板表面処理装置を得ること。
【解決手段】基板表面処理装置１は、基板１０６の表面処理を行う薬液を収容する薬液槽１０１と、薬液槽内に回転自在に設けられて基板を搬送する複数の搬送ローラー１０３と、を有し、基板を搬送しながら薬液で基板を表面処理する基板表面処理装置であって、薬液槽内に配置されるとともに、薬液の通過可能な開口１０７が形成されて開口を通して薬液の移送を行う薬液移送手段１２２をさらに有し、薬液移送手段は、隣接する搬送ローラー同士の間に開口が位置するように配置される。 （もっと読む）

【課題】水平搬送方式の基板処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板処理装置を得ること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板１０６の表面処理を行う薬液１０２を収容する薬液槽１０１と、薬液槽１０１内に回転自在に設けられて基板１０６を搬送する複数の搬送ローラー１０３と、搬送ローラーの間に設けられて、薬液槽１０１に収容された薬液１０２を攪拌する攪拌手段１０７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理をウェーハの被処理面に対して均一に、且つ、処理の長時間化を抑制しながら行うことができる。
【解決手段】内部に処理液３を貯留し、処理液３によりウェーハ４の被処理面４ａに対する処理が行われる処理槽２を備える。処理槽２内の処理液３に被処理面４ａが浸漬されるように、被処理面４ａを下向きにしてウェーハ４を保持する保持部５を備える。処理液３を処理槽２内へ供給する供給手段（例えば、循環ポンプ６及び供給配管７）と、回転することによって処理槽２内の処理液３を撹拌する回転部材（例えば、スターラ２１）を備える。供給手段は、ウェーハ４の被処理面４ａに向かう上向きの噴流２０が処理槽２内に形成され、且つ、処理槽２の上端２ａから処理液３がオーバーフローするように、処理液３を処理槽２内へ供給する。回転部材は、噴流２０の経路を避けて配置されている。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対する熱の影響を抑制することができ、エッチング速度の低下を防止することができ、かつ高精度にエッチングを行うことができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】光Ｌの照射を受けて化学的に活性化するエッチング媒体（エッチング液Ｑ）を被処理体（基板Ｓ）上に配置する媒体配置工程と、被処理体とエッチング媒体との界面Ｆの一部の照射領域Ｒに光を照射する光照射工程と、を含み、光照射工程では、照射領域Ｒの近傍においてエッチング媒体を吸引することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対する熱の影響を抑制することができ、複数のエッチング箇所の各々に照射する光の面積を制御することができ、一つの光源で複数のエッチング箇所を一括して加工することができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】光Ｌの照射を受けて化学的に活性化するエッチング液Ｑを被処理体（基板Ｓ）上に配置する液配置工程と、被処理体とエッチング液Ｑとの界面Ｆに光Ｌを照射する光照射工程と、を含み、光照射工程では、光Ｌを部分的に遮蔽して界面Ｆの複数の照射領域Ｒに光Ｌを照射することを特徴とする。 （もっと読む）

光電（ＰＶ）ソーラーセル装置アーキテクチュアの大量生産のための高生産性で且つ所有コストが低い製造装置を提供することが、本開示の目的である。気相原料シリコンを使用することによって、現存する技術と比較して、材料処理ステップ及び材料コストを低減することが、本開示のさらなる目的である。本開示は、気相基板成長プロセスに適合する犠牲基板ベース層の製造を教示する。多孔質シリコンが、本開示で犠牲層として使用される。さらに、本開示は、犠牲多孔質シリコンＰＶセル基板ベース層を製造する装置を提供する。
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【課題】金属等による汚染の心配がなく、簡便な工程にてＰ型シリコンウェーハ表面に多孔質層が形成でき、ウェーハ全面に形成される孔深さがより均一化されたＰ型シリコンウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】電解液で満たされた電解槽内に対向して配置された一対の陽極−陰極を有するバイポーラ型の電解槽を用い、該陽極と該陰極との間にシリコンウェーハを固定設置し、かつ、陽極側より光を照射しながら該陽極−陰極間に電流を流し電解酸化すると固定したシリコンウェーハ表面に多孔質シリコン層が極めて均一な孔深さを有してウェーハ全面に形成され、良好な多孔性シリコンウェーハが得られる。 （もっと読む）

【課題】貯留槽内の処理液の温度を槽内で一様にし、また、基板上に形成された膜の厚みが不均一であったり基板上の部位によって膜質の違いがあったりしても、基板面内における処理速度の不均一を緩和することでき、基板の主面全体における処理品質の均一性を向上させることができる装置を提供する。
【解決手段】処理液２０を貯留する貯留槽１０と、貯留槽の上部開口面を閉塞する覆蓋部２８と、貯留槽に貯留された処理液中で基板Ｗを搬送する搬送ローラ２６と、貯留槽の底部に設けられた供給口２２と、覆蓋部に設けられた補助供給口３０と、供給口および補助供給口に処理液を供給する処理液供給管２４、３２とを備えて、ディップ処理を行う装置を構成した。 （もっと読む）

【課題】熱拡散によって生じた半導体基板のシート抵抗の面内ばらつきを低減する。
【解決手段】半導体基板１を縦置きして、拡散炉で熱拡散を行うと、半導体基板１の上辺７のシート抵抗が下辺８のシート抵抗より低くなって、シート抵抗の面内ばらつきが生じる。熱拡散後、基板表面処理装置を使用して、ｐｎ接合分離をエッチングによって行うとき、半導体基板１の上辺７が搬送方向上流側に向くように、半導体基板１を搬送ローラ６に設置する。半導体基板１は搬送されながらエッチングされ、不要なｎ層が除去される。搬送するときに後端となる半導体基板１の上辺７は先端よりもエッチング量が多くなるので、半導体基板１の上辺７のシート抵抗が増加し、面内ばらつきが低減される。 （もっと読む）

【課題】基材に残留する微小導電性金属酸化物を除去する。
【解決手段】それぞれの対向面に絶縁膜１３ａａ，１３ｂａを形成した正負電極１３ａ，１３ｂを、基材１２との相対移動方向に順に配置した平板状電極体１３の外周部を絶縁体１３ｃで覆う。正負電極１３ａ，１３ｂと、両絶縁膜１３ａａ，１３ｂａの、それぞれの基材１２と対向する端面の面積Ｓ1、Ｓ2、Ｓ3の比を、Ｓ1／Ｓ2＝０．８〜１００、Ｓ2／Ｓ3＝０．０１〜１．１５とする。前記平板状電極体１３の端面を、基材１２に対向すべく，複数個隣接配置する。この平板状電極体１３と基材１２間に電解液１４を介在させた状態で、正負電極１３ａ，１３ｂに電圧を印加しつつ、平板状電極体１３と基材１２とを相対移動させ、基材１２の表面に残留する微小な導電性金属酸化物１２ａを還元反応により除去する。
【効果】微小導電性金属酸化物を、基材の全面に亘って効果的に除去できる。 （もっと読む）

【課題】基材に残留する微小金属、微小導電性金属酸化物を除去する。
【解決手段】円筒形状の絶縁体１２ｃと、この絶縁体１２ｃの内外周面側に設けられた正電極１２ａ及び負電極１２ｂとで構成された円筒状電極体１２を、基材１１に対向すべく、複数個、隣接して設ける。正電極１２ａと絶縁体１２ｃと負電極１２ｂの、それぞれの基材１１と対向する面の面積をＳ1、Ｓ2、Ｓ3とした場合、Ｓ1／Ｓ2＝０．８〜１００、Ｓ2／Ｓ3＝０．０１〜１．１５の範囲とする。円筒状電極体１２と基材１１間に電解液１３を介在させた状態で、正電極１２ａと負電極１２ｂに電圧を印加する。円筒状電極体１２と基材１１とを相対移動させることで、基材１１の表面に残留する微小な導電性金属酸化物１５を還元反応により除去する。
【効果】基材に残留する微小導電性金属酸化物を、基材の全面に亘って効果的に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの表面を研磨した際に表面に作用する応力により形成された凸状の欠陥を適切に除去可能な半導体ウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェハ表面１１をオゾンにより酸化して欠陥１２以外の部分にシリコン酸化膜１０Ａを形成する。その後フッ酸３を噴霧し、酸化膜１０Ａを溶解除去する。さらにこの後、洗浄ガス４をシリコンウェハ１の表面に噴射し、欠陥１２を溶解除去する。 （もっと読む）

【課題】基板を水平状態にして連続的に搬送しながら、基板表面に処理液を均一に塗布あるいは浸漬して、短時間で均一な液処理を行う液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】基板をベルト搬送して処理液に浸漬すると共に、前記基板を液処理槽内の処理液中に投入する第一搬送ベルト１と、該第一搬送ベルトから移送される前記基板を処理液中を水平に搬送して処理液に浸漬する第二搬送ベルト２と、該第二搬送ベルトから前記基板を受け取り液処理槽から排出する第三搬送ベルト３とを設け、前記、第一、第二、第三搬送ベルトの搬送速度をそれぞれ異ならせた構成の液処理装置および液処理方法とした。 （もっと読む）

【課題】加熱周期の間において流体に対する加熱の度合いが経時的に大きく変化することを抑制することができる加熱ユニット、基板処理装置および流体の加熱方法を提供する。
【解決手段】加熱ユニットにおいて、制御部５０は、要求出力量Ｑに基づいて、（Ａ）要求出力量Ｑが所定の設定値以下である場合には、加熱周期の全期間において常時オンとなる加熱器２４ａを設けることなく、全てまたは一部の加熱器２４ａを時分割制御するような制御を行い、（Ｂ）要求出力量Ｑが所定の設定値より大きい場合には、加熱周期の全期間において全てまたは一部の加熱器２４ａを常時オンとし、残りの加熱器２４ａのうち全てまたは一部の加熱器２４ａを時分割制御するような制御を行う。この際に、加熱周期における加熱器２４ａがオンとなる最大の数と最小の数との差が１以下になるようにする。 （もっと読む）