【課題】流動する燐酸溶液中に所望の量の珪素を簡単且つ、迅速に溶解させるエッチング液の調製方法、エッチング方法及びエッチング装置を提供すること。
【解決手段】液状のテトラエトキシシランを水または気体と混合した後、これを流動する燐酸溶液中に少量ずつ添加し、所望量のテトラエトキシシランを溶解させて燐酸溶液を調製することを特徴とするエッチング液の調製方法、エッチング方法及びエッチング装置を構成したことにある。 （もっと読む）

【課題】タングステン（Ｗ）を含む構造体の製造方法および構造体の製造装置を提供する。
【解決手段】構造体の製造方法は、タングステン（Ｗ）を含む導電性の材料１０１を準備する工程と、材料１０１にパターンを有するマスク層１０３を形成する工程と、溶融塩２０中でマスク層１０３が形成された材料１０１にアノード電流を流す工程とを備えている。溶融塩２０を構成するカチオンは、溶融塩２０中の標準電極電位がＷよりも卑である。マスク層１０３は、溶融塩２０中の標準電極電位がＷよりも貴な金属または絶縁体である。 （もっと読む）

【課題】高温酸化熱処理で基板裏面に付着した酸化異物を除去し、この付着酸化異物を起因として生じていたデバイス作製時のパターニング不良を低減できる。
【解決手段】ウェーハ内部に酸素イオンを注入する工程と、ウェーハをシリコンリング上に載置して熱処理を施し表面から所定深さ領域に埋込み酸化膜を形成することにより埋込み酸化膜上にＳＯＩ層を形成してＳＩＭＯＸ基板を作製し更に全面酸化膜を形成する工程と、熱処理したＳＩＭＯＸ基板をリングから降ろした後、基板全面をエッチング処理し、全面酸化膜を除去する工程とを含み、全面酸化膜を除去する工程の前、或いは後に、全面に酸化膜を有する基板裏面の熱処理工程時におけるリングとの接触部分を含むリング状領域をエッチングし、ウェーハとリングとの接触状態で熱処理したことに起因して生じた付着酸化異物を除去する工程を更に含むことを特徴とする。 （もっと読む）

電子デバイスを形成する方法は、基材、ディファレンシャルエッチング層、及び半導体層を含むワークピースのある面上に金属層を形成する工程を含むことができる。ディファレンシャルエッチング層は基材と半導体層の間に位置することができ、半導体層はワークピースのある面に沿って位置することができる。本方法は、基材と半導体層の間からディファレンシャルエッチング層の少なくとも大部分を選択的に除去する工程、及び基材から半導体層と金属層を分離する工程をさらに含むことができる。選択的な除去は、ウェットエッチング、ドライエッチング、又は電気化学的な技術を用いて実施することができる。特定の実施形態では、金属層のメッキ及びディファレンシャルエッチング層の選択的な除去に同じメッキ浴を使用してもよい。
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【課題】ラスタースキャン方式によりガラス基板等の被加工物の表面をエッチャントにより加工する際、加工ヘッドの副走査のピッチに合わせて大きなうねりが発生した。
【解決手段】加工ヘッド２のノズルをガラス基板の表面に液状のエッチャントを連続的に供給する供給口４４と、供給口４４のを取り囲む多数の排出孔４５により構成し、供給口４４から供給されたエッチャントを多数の排出孔４５より吸引して排出し、多数の排出孔４５の内側に流動するエッチャントにより形成されるエッチング領域により、ガラス基板の表面をラスタースキャン方式によりエッチング加工するための加工ヘッドであって、前記エッチング領域を、供給口４４を中心とする円周内に形成された第１のエッチング領域５３と、副走査方向の前後部にそれぞれ第１のエッチング領域５３から張り出した第２のエッチング領域５４とにより構成した。 （もっと読む）

【課題】熱の再利用ができ、配管の破損が生じても問題が生じることがなく、その上、装置のコストアップを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】二重容器２７における熱交換により、排出される燐酸と供給される燐酸との間で熱の再利用ができる。また、熱交換が燐酸同士であるので、二重容器２７の内容器２９が破損したとしても問題が生じない。その上、別体の予備温調ユニットを設けることなく、供給する燐酸に加温することができるので、装置のコストアップを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】温度測定手段が完全に破損する前に故障報知を行うことにより、温度測定手段の破損に起因する稼働率低下を防止することができる。
【解決手段】温度センサ４１及び温度制御部４３は、一般的に、故障の前にはある出力信号となる。しかも、故障モードによって出力信号が固有値を示すことが多い。そこで、故障モードごとに固有値を記憶部５９に予め記憶させておき、温度センサ４１及び温度制御部４３からの出力信号が一時的であっても実質的にその固有値と一致した場合には、報知部６１を介して故障報知を行う。完全に破損する前に故障報知を行うことで、完全に故障する前に修理準備を整えることができるので、温度センサ４１及び温度制御部４３の破損に起因する稼働率低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板保持手段の保持部の保持溝にパーティクルが蓄積することを防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理液を貯留する処理槽と、鉛直姿勢で水平方向に配列された複数の基板の最下端部および両側の各下端部をそれぞれ保持する第１保持部２０および第２、第３保持部を有し複数の基板を処理槽の内部に保持する基板保持具と、処理槽の底部近傍に設けられた吐出口から処理液を吐出する一対の吐出管とを備え、基板保持具の第１保持部２０および第２、第３保持部に、保持溝２０ａの溝底から保持部の側面に貫通する複数の貫通細孔２０ｂを、処理槽内に生じる処理液の流れに沿った方向に穿設する。 （もっと読む）

【課題】排気中の溶剤を回収することにより、排気中の溶剤濃度を低減して排気設備の負担を軽減できる。
【解決手段】処理槽１を囲うチャンバ１１内に溶剤ノズル１７を介して高濃度のイソプロピルアルコールの蒸気が供給される場合であっても、スタティックミキサ６３により排気が純水と混合される。したがって、気体にイソプロピルアルコールの蒸気が含まれていても、純水とともに気液分離部５３に送られるので、イソプロピルアルコールの蒸気は純水とともに排出される。その結果、気液分離部５３からの排気中のイソプロピルアルコールの濃度を低減できる。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板エッチング方法及びその装置を開示する。
【解決手段】 ガラス基板エッチング方法が開示される。まず、エッチング領域と洗浄領域を含むベースに収容されたエッチング液にガラス基板を沈積して、前記ガラス基板をエッチングする。前記ガラス基板を前記ベースの洗浄領域へ移送し、前記エッチング領域と前記洗浄領域を分離する。前記洗浄領域のエッチング液を排出する。前記ガラス基板に洗浄液を加える。従って、ガラス基板エッチング工程の効率を改善し、ガラス基板の品質低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度の低減処理を効率的に行うことにより、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部６７は、基板Ｗに対して処理液による処理を行わせた後、窒素ガスを供給させるとともに、排気ポンプ２８ｂを操作して排気を行わせてチャンバ２７内の酸素濃度を低減させ、所定時間が経過した時点で排気及び不活性ガスの供給を停止させ、溶剤ノズル３３から溶剤蒸気を供給させてチャンバ２７内を溶剤雰囲気にさせた後に乾燥処理を行わせる。窒素ガスでの酸素の追い出しだけでなく、排気ポンプ２８ｂでの気体の排出を併用するので、チャンバ２７内の酸素濃度を急速に低減させることができる。したがって、基板Ｗを乾燥位置へ引き上げるまでの時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の底部と上部との雰囲気を遮蔽することにより、処理中に生じたパーティクルによって基板が汚染されることを防止して、基板を清浄に処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置において基板Ｗに対する処理が行われるが、処理槽１の外側壁７５とチャンバ２７の内側壁との間にある空間には、遮蔽部材７９が設けられているので、処理槽１から溢れ、チャンバ２７の底部に処理液が落下することで飛散したパーティクルは、チャンバ２７底部から上部へ向かうことなくチャンバ２７底部に抑え込まれる。したがって、処理中に生じたパーティクルによって基板Ｗが汚染されることを防止することができ、基板Ｗを清浄に処理することができる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の板面内における処理の均一性を向上させることができるとともに複数の処理を効率的に行うことができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、整流部材２８が内部に設けられ、整流部材の上側に位置し被処理基板Ｗを収容する第１領域１２と整流部材の下側に位置する第２領域１２ｂとを含む処理槽１２ａを用いて被処理基板を処理する方法である。処理方法は、第１の薬液を第２領域に供給しながら被処理基板を処理する工程と、第２の薬液を第１領域に供給しながら被処理基板を処理する工程と、を有する。第１の薬液は、少なくともウエハの周囲で上昇流が形成されるよう、供給される。第２の薬液は、少なくともウエハの周囲の液体を攪拌するよう、供給される。 （もっと読む）

【課題】内槽の底面の幅方向および奥行き方向において当該底面からの気泡の離脱を中心線に対して対称的に行わせることにより、内槽内で処理される被処理基板について、当該内槽の幅方向および奥行き方向における処理の対称性を得ることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、液体を貯留する外槽１０と、外槽１０に貯留された液体に超音波を照射する超音波発生器１５と、外槽１０の内部に設けられた内槽２０と、外槽１０に液体を供給する純水供給部３０とを備えている。内槽２０の底面が幅方向および奥行き方向の両方向において当該内槽２０の中心線に対して対称形となっている。また、純水供給部３０は、外槽１０内における液体の流れが幅方向および奥行き方向の両方向において内槽２０の中心線に対して対称となるよう、外槽１０内に液体を供給する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の板面内における処理の均一性を向上させることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、整流部材２８が内部に設けられ、整流部材の上側に位置する第１領域１２ａと整流部材の下側に位置する第２領域１２ｂとを含む処理槽１２を用いて行われる。基板処理方法は、第１領域内に被処理基板Ｗを配置し、処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬する工程と、第２領域に薬液を供給して処理槽内の処理液を薬液で置換する工程と、第２領域に水を供給して処理槽内の薬液を水で置換する工程と、を備える。置換時に、第２領域に供給された液体は、整流部材を介して第１領域に流入し、第１領域内の少なくとも基板の近傍において上昇流が形成される。 （もっと読む）

【課題】乾燥用気体の供給を工夫することにより、基板の汚染を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部４５は、電動ダンパ３５を一般排気に切り換えさせておき、充分にリンスが行われた後は、電動ダンパ３５を気体供給部２３に切り換えさせるとともに、リフタ１５を上昇させてリンス液の液面から露出した基板Ｗに対して、乾燥用気体を気体供給部２３から供給させて基板Ｗを乾燥させる。したがって、薬液を含む処理液による処理中や、リンスの初期の状態では乾燥用気体が気体供給部２３から供給されることがなく、薬液を含む処理液によって発生したＳｉＯ_２パーティクルが巻き上げられることがない。したがって、基板Ｗの汚染を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ヒーター破損による生産性低下への影響を最小限に抑制することができるとともに、コストの削減を実現することができる石英ヒーター劣化検出方法を提供する。
【解決手段】石英インラインヒーター２０１の寿命を破損前に検出することにより、石英インラインヒーター２０１を破損前に交換することを可能とし、さらに石英インラインヒーター２０１の破損前の交換を計画的に実行することを可能として、石英インラインヒーター２０１の寿命による破損をなくす。 （もっと読む）

【課題】処理液の上部に保護液層を形成することにより、処理液の損耗を防止することができるとともに、処理液及び基板の汚染を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】噴出管７から処理液を処理槽１に供給させつつ回収槽１７から処理液を排出させるとともに、保護液供給部１９から純水を供給させつつ処理液排出孔１５及び回収槽１７から純水を排出させて、処理液の上面に純水による保護液層ＰＬを形成させる。保護液層ＰＬにより処理液の上面が塞がれた状態となるので、リフタ３３による基板Ｗの搬入出の際にオートカバー２７を開けても、処理液の蒸発が抑制できる。したがって、処理液の損耗を防止できるとともに、オートカバー２７への付着を防止でき処理液及び基板Ｗの汚染を防止できる。 （もっと読む）

【課題】複数枚のウエハを処理液により化学的にエッチングして薄化処理を行いつつも、複数枚のウエハ内における仕上がり厚さのバラツキを小さくできるウエハ処理システムを提供する。
【解決手段】グループ化装置３が各ウエハＷの厚さを測定し、収容部１１が同じグループのウエハＷだけを同じカセットＣに予め収容する。ウエハ薄化装置７が移載アームを操作し、載置台からカセットＣを処理槽に順次に搬送させ、各カセットＣに対して処理液による処理を行わせるが、そのときの浸漬時間をグループ毎に変える。一つのカセットＣには同じグループのウエハＷだけが収容してあるので、カセットＣ内における複数枚のウエハＷについての厚さのバラツキは所定範囲内に収まっている。したがって、複数枚のウエハＷを化学的にエッチングして薄化処理を行いつつも、複数枚のウエハＷ内における仕上がり厚さのバラツキを小さくできる。 （もっと読む）

【課題】流路抵抗が変動することに着目して、チェッキ弁の離脱を判断することができるベローズポンプ及びこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】ポンプ本体９のチェッキ弁２１〜２４が破損して離脱すると、ベローズ１９，２０へ吸引またはベローズ１９，２０から吐出される液体の流路抵抗が小さくなる。したがって、一対のベローズ１９，２０が収縮する際の動作時間が短くなる。これを一対の近接センサ３７で検出することができるので、チェッキ弁２１〜２４が破損して離脱したと制御部３９が判断することができる。 （もっと読む）