【課題】流路抵抗が変動することに着目して、チェッキ弁の離脱を判断することができるベローズポンプ及びこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】ポンプ本体９のチェッキ弁２１〜２４が破損して離脱すると、ベローズ１９，２０へ吸引またはベローズ１９，２０から吐出される液体の流路抵抗が小さくなる。したがって、一対のベローズ１９，２０が収縮する際の動作時間が短くなる。これを一対の近接センサ３７で検出することができるので、チェッキ弁２１〜２４が破損して離脱したと制御部３９が判断することができる。 （もっと読む）

【課題】処理液により基板を処理する基板処理装置において、処理液の処理性能を維持し、基板処理装置の稼働率を向上させるとともに、処理液の消費量や排液量を低減できる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、処理液の循環経路の途中に、処理液を冷却する冷却機構２５と、処理液中の不純物を除去するフィルタ２６，２７とを備える。これにより、処理液中に溶解している不純物を析出させ、析出した不純物を除去する。このため、処理液の処理性能が維持され、処理液を再利用できる。また、処理液を新液に交換する頻度が低減されるため、基板処理装置の稼働率が向上するとともに、処理液の消費量や排液量が低減される。 （もっと読む）

【課題】エッチング槽の燐酸を液面を一定に保つための制御を行ない易い処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の処理装置は、半導体ウエハ１を熱燐酸によってエッチング処理する溢流部３ａ付のエッチング槽３と、前記溢流部３ａに溢流した燐酸をエッチング槽３外に導いて濾過、加熱および純水を添加してエッチング槽３内へ戻す循環濾過経路部５と、前記循環濾過経路部５から分岐配管６０を介し取り出された燐酸にフッ酸を加えて加熱処理する燐酸再生装置６と、前記燐酸再生装置６で再生された燐酸を前記エッチング槽３に補給する補給配管１４０ａと、新しい燐酸液を供給する新液供給部８とを含む。 （もっと読む）

【課題】超臨界状態の二酸化炭素を使用する製造方法であって、信頼性の高い半導体シリ
コン基板を与えることのできる半導体シリコン基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、超臨界状態の二
酸化炭素の存在下に、被処理基板に対し洗浄を行なう洗浄工程、
温度１５０〜３５０℃および圧力７．５〜１２ＭＰａの条件下、導電膜および絶縁膜か
らなる群より選ばれる少なくとも一つを形成する成膜工程、
温度３１〜１００℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、エッチングを行うエッチン
グ工程、ならびに
温度３１〜８０℃および圧力１８〜４０ＭＰａの条件下、レジストを除去するレジスト
剥離工程、
のうち少なくとも２つの工程を有することを特徴とする半導体シリコン基板の製造方法
。 （もっと読む）

【課題】 厚さが薄く、より均一な表面を有するガラス基板を処理するためのエッチング装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、エッチング液を収容する容器と、容器内に離隔、対向して複数個設置されるローラーと、を含み、離隔、対向するローラー間にガラス基板を挿入してエッチング液とローラーの回転によってエッチングを行い、各ローラーには、スポンジパッド、ブラシ、又は水流発生用部材を備えたパッドが設置され、各ローラーにスポンジパッド又はブラシが設置される場合には、スポンジパッド又はブラシは、ガラス基板と接触するように設置され、各ローラーに水流発生用部材を備えたパッドが設置される場合には、水流発生用部材を備えたパッドは、ガラス基板と接触しないように設置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 複数枚の基板を基板保持具に保持して処理槽内の処理液中に浸漬させて処理する場合において、高濃度のフッ酸、リン酸あるいは硫酸を処理液として使用するような場合であっても、構成部材が腐食される心配の無い基板保持具を提供する。
【解決手段】 処理液が貯留される処理槽１０の内部と外部との間で移動可能に支持されＳｉＣで形成された移動部材２６と、移動部材２６に固着され基板Ｗの配列方向に沿って水平方向に配置された複数の基板保持枠２８、３０と、基板保持枠２８、３０に設けられ基板Ｗの下端部に接触して基板Ｗを保持する保持部材３４ａ、３４ｂ、３６ａ、３６ｂとを備えて、基板保持具１２を構成した。 （もっと読む）

【課題】画像の表示品質を大きく増加させる駆動集積回路、駆動集積回路の製造方法、前記駆動集積回路を含む表示装置を提供する。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板のエッジと平行な方向に沿って前記半導体基板上に形成され、上面に表面積を増加させるために多様な寸法を有する表面積増加部を含む電極端子部と、前記表面積増加部を覆う導電性バンプとを有する。 （もっと読む）

【課題】 気体の巻き込みを抑制して基板表面から液体を効率良く吸引することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 吸引ノズル３１は基板表面ＷＳの法線方向に対して傾斜されながら移動方向Ｘに沿って上下方向に互いに対向配置された上側先端部位３２と下側先端部位３３とを有する。これら先端部位３２，３３の間に吸引経路３４が形成され、基板Ｗを搬送しながら該吸引経路３４の一方端３４ａより基板表面ＷＳに付着する処理液を吸引除去する。吸引経路３４の一方端３４ａは、Ｘ方向において下側先端部位３３の長さよりも長く形成された上側先端部位３２の延長領域３２１ｂによって上方より覆われるとともに、延長領域３２１ｂの下方側に広がる空間ＳＰが処理液によって満たされる。 （もっと読む）

【課題】エッチング槽中でシリコン基板を異方性エッチングして構造物を形成する際に行う異方性エッチングのエッチングレートを安定化し、得られる構造物の開口幅のばらつきを抑制する方法を提供すること。また、良好な吐出特性を有するインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供すること。
【解決手段】エッチング槽２中に存在するエッチング液の、ＰＨ電極１０により測定される電位差を一定にする制御を行う。また、この方法を利用してインクジェット記録ヘッドのインク供給口を形成する。 （もっと読む）

【課題】 単結晶シリコンウエハなどの結晶系半導体基板をエッチング液に接触させてエッチングする方法において、製造工程を簡略化し、生産性を高める。
【解決手段】 結晶系半導体基板をエッチング液に接触させてエッチングする方法であって、結晶系半導体基板１の下方面１ａを含む上方面１ｂ以外の部分または下方面１ａのみがエッチング液２に接触するように結晶系半導体基板１をエッチング液２の液面近傍に保持し、結晶系半導体基板１の下方面１ａを含む上方面１ｂ以外の部分または下方面１ａのみをエッチングすることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 排液による大気への連通を抑制することにより、減圧乾燥の効率を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理液供給部１６から処理槽１に処理液を供給し、昇降ユニット７を処理槽１内に移動して基板Ｗを処理液に浸漬させる。その後、昇降ユニット７を処理槽１内から空間ＳＰへ移動して減圧部３１による減圧を行っても、外槽５の排出配管６７には密閉容器６９が設けてあるので、排出配管６７の下流から乾燥位置に気体が流入することが抑制される。したがって、十分に空間ＳＰ内を減圧することができ、減圧乾燥の効率を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ保持部を装置本体から取り外すことなく、ウェハ保持部を洗浄できるようにする。
【解決手段】 半導体ウェハＷをウェハガイド４ａ、４ｂで支持させながら、半導体ウェハＷを薬液６内に浸漬させることにより、半導体ウェハの処理を行った後、ウェハアーム７を介して半導体ウェハＷを処理槽１外に搬出し、バルブＶ１を開くことにより、排出管Ｈ１を介して処理槽１内の薬液６を排出してから、バルブＶ３を開くことにより、配管Ｈ３を介してノズル５ａ、５ｂに洗浄液８を供給し、ノズル５ａ、５ｂから洗浄液８をウェハガイド４ａ、４ｂに向けて噴出させる。 （もっと読む）

【課題】 反射防止機能とハードマスク機能を兼備した多層構造のＳｉＣ系膜を効率良く、確実に除去し、併せてゲート電極形成プロセスにおける膜の除去工程を簡素化し、デバイスへの悪影響を極力低減できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成された高誘電体膜と、ポリシリコン膜と、反射防止機能とハードマスク機能とを有するＳｉＣ系膜と、を有する積層体に対し、ＳｉＣ系膜を、パターニングされたレジストをマスクとしてエッチングし、次にＳｉＣ系膜をマスクとして、ポリシリコン膜をエッチングした後、少なくとも、ＳｉＣ系膜および露出した高誘電体膜にプラズマを作用させて改質するプラズマ処理工程と、改質されたＳｉＣ系膜および高誘電体膜をウエット洗浄により除去する洗浄工程と、を行なう。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を略水平に保持してなる陽極化成方法及びその装置を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハを略水平置きにしてその浮力を利用して、電解質溶液上にシリコンウェーハを浮かべる。シリコンウェーハ外周に伸縮性、耐腐食性材料で縁を形成し、これを電解質溶液に浮かべる。さらに縁を作った内部にも液ためをつくり、その上に電極を浮かべて陽極側とする。この状態で陽極化成を行うことで液に接した面が化成され上面側が電流供給面として機能する。陽極、陰極ともに液体を介して電極材料の浮力を利用して配置され、電流供給と電極保持の役割を果たす。 （もっと読む）

【課題】 フィルタの目詰まりを紫外線の照射によって防止し、稼働率を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 フィルタ２５に流入する処理液には処理槽１で剥離された被膜のパーティクルや断片が存在しているので、フィルタ本体４１に吸着される。しかし、これはＵＶランプ４９，５１による紫外線照射によって分解される。したがって、被膜に起因するフィルタ２５の目詰まりが防止できるので、フィルタ２５の交換頻度を低くできて装置の稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 処理液の液流をコントロールすることにより、洗浄，エッチング処理の均一性の向上を図れるようにし、また、周辺部の洗浄，エッチング量の向上を図れるようにすること。
【解決手段】 半導体ウエハＷを起立状態に保持するウエハ保持体３０と、ウエハ保持体によって保持されたウエハを収容する処理容器１０と、処理容器内に処理液を供給する処理液供給ノズル４０とを具備し、処理液供給ノズルを、水平方向を軸に回転及び又は揺動可能に形成する。これにより、処理容器内に供給される処理液の液流をコントロールすることができる。 （もっと読む）

【課題】輸送や組み立て、メンテナンスを容易とした液処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置１は、基板が収納された容器の搬入出を行う容器搬入出部２と、基板に所定の液処理を施す液処理部３と、容器搬入出部２と液処理部３との間で基板を搬送する基板搬送部４と、液処理部３に供給する処理液の貯蔵および送液ならびに回収を行う処理液貯留部５とを具備し、容器搬入出部２と、液処理部３と、基板搬送部４と、処理液貯留部５は、複数のフレームに分けて配置され、複数のフレーム間で連結が可能な構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 単純な構造でかつ被処理膜内のエッチング量の均一性およびエッチングの異方性を向上させたエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】 エッチング液１１が満たされたエッチング槽１２と、エッチング槽１２の底部１２ａに設けられたホットプレート１３と、液面１１ａ付近に設けられた冷却器１４と、被処理面１５ａを下方に向けてエッチング液１１に浸漬された基板１５を保持する基板保持具１６等から構成される。ホットプレートによりエッチング液を第１液温に加熱し、冷却器１４により液面１１ａ付近のエッチング液１１を第１液温よりも低い第２液温に設定することで、エッチング液１１の対流を生ぜしめ、上昇する一様なエッチング液の流れを被処理面１５ａに接触させる。 （もっと読む）

【課題】 塩基性エッチング液を用いてシリコンの異方性エッチングを行うに際して、エッチング液を繰り返し使用してもエッチング速度が変動せず、上記のような対策を採ることなく安定してエッチングを行うことのできる方法を提供すること。
【解決手段】 内部に塩基性エッチング液が導入されるエッチング槽を有するエッチング装置を用い、ＴＭＡＨ等の塩基性エッチング液を当該装置内に滞在させて繰り返し使用することによりシリコンの異方性エッチングを行なう方法において、該エッチング装置内に導入された当初の塩基性エッチング液に含まれる炭酸イオンの濃度をＣ_０（ｍｏｌ／ｌ）としたときに、該塩基性エッチング液中に含まれる炭酸イオンの濃度Ｃ（ｍｏｌ／ｌ）をＣ_０±０．１（ｍｏｌ／ｌ）（但しＣは０以上の実数である）の範囲内に制御して、塩基性エッチング液をエッチング装置内に７２時間以上滞在させて使用する。 （もっと読む）

【課題】平坦度に優れており、しかも１バッチ内でのウェーハ同士の平坦度の均一化を図ることができることに加え、いわゆるナノトポグラフィーが向上するエッチング処理を実施することができる半導体ウェーハのエッチング装置を提供すること。
【解決手段】エッチング装置１が、エッチング槽２と、エッチング槽２に対して出し入れされ、その内部に複数枚の半導体ウェーハＷを収納するウェーハマガジン１０を備えて、半導体ウェーハＷを回転させてエッチングを行うにあたり、ウェーハマガジン１０の内部で回転される複数枚の半導体ウェーハＷのうち１枚おきの半導体ウェーハＷをその中心軸回りに正転回転させる正転部Ｘと、正転回転されない半導体ウェーハＷをその中心軸回りに反転回転させる反転部Ｙを備え、この正転部Ｘまたは反転部Ｙの回転運動が、もう一方の回転運動が直接伝達して行う構成をとっている。 （もっと読む）