【課題】ＩＰＡ等の乾燥用流体の使用量を抑えつつ、基板を効率的に乾燥させる。
【解決手段】純水リンス工程の後、純水が付着した基板を回転させながら、乾燥用流体および不活性ガスを基板に供給する乾燥工程を行う。このとき、基板に対する不活性ガスの供給位置が乾燥用流体の供給位置よりも基板回転中心（Ｐｏ）に近くなるように保ちつつ、流体ノズル（１２）及び不活性ガスノズル（１３）の位置を基板回転中心に対して半径方向外側へ向かって移動させる。乾燥工程の開始時には、まず不活性ガスノズルを基板回転中心より手前側に位置させた状態で流体ノズル及び不活性ガスノズルの移動を開始すると共に乾燥用流体の供給を開始し、次いで、不活性ガスノズルが基板回転中心にきたときに不活性ガスの供給を開始する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ厚さを正確に測定できるウェーハの加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物である半導体ウェーハ１１を実質的に水平に載置する基台１２と、前記半導体ウェーハに加工用流体１４を供給するべく前記半導体ウェーハの加工面に対向する供給口２６ａ，２７ａを有するノズル２６，２７と、前記ノズル内部に配置され、前記供給口を介して前記半導体ウェーハの加工面に音波または電磁波を出射して前記半導体ウェーハの厚さを測定する厚さ測定手段４１ａ，４２ａと、を備える。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布が均一なＳＯＩウェーハを製造する。
【解決手段】支持基板上に埋込み酸化膜とＳＯＩ層をこの順に有するＳＯＩウェーハの製造方法において、ＳＯＩウェーハはその表裏面に熱酸化膜を形成する熱処理工程と、熱酸化膜を除去する工程とを経て製造され、熱酸化膜を除去する工程に続いて、、熱酸化膜を除去したウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を測定し、ＳＯＩ層の厚み分布のうち厚い部分をオゾン水及びフッ酸を用いて除去し、ウェーハ面内におけるＳＯＩ層の厚み分布を均一化する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で、基板の表面を液滴で処理する基板処理方法と基板処理装置と液滴保持治具とを提供しようとする。
【解決手段】
従来の基板を液滴で処理する基板処理方法にかわって、環状の開口を形成され前記開口から気体を噴き出すことをできる治具を準備する準備工程と、基板の表面に液滴を付着させる付着工程と、基板の表面の直交方向から基板を見て基板の表面に付着した前記液滴を前記開口で囲う様に治具を保持して前記開口から基板の表面に気体を吹き付けながら前記治具を基板の表面に沿って相対移動させる走査工程と、を備える、ものとした。 （もっと読む）

【課題】比較的少量の処理液で基板全体をより均一かつ適正に処理する。
【解決手段】処理液供給装置は、傾斜姿勢で搬送される基板Ｓに対してエッチング液を供給するノズル部材２０を有する。ノズル部材２０は、液収容部２２と、基板Ｓの幅方向に延びかつ基板Ｓとの間に一定隙間を隔てて対向する対向面２０ａと、この対向面２０ａに沿って並ぶ複数の位置にそれぞれ設けられる液吐出口２４と、液収容部２２に収容されるエッチング液を各液吐出口２４にそれぞれ案内する通路２６とを備え、かつ、各液吐出口２４から基板上に吐出される処理液が対向面２０ａに沿って連なりその表面張力により対向面２０ａと基板Ｓとの間に前記幅方向に連続する液膜を形成するように前記対向面２０ａと基板Ｓとの間隔および各液吐出口２４の間隔が設定されている。 （もっと読む）

【課題】被処理体近傍の処理液雰囲気を効率よく排出すること。
【解決手段】液処理装置は被処理体Ｗを処理する。液処理装置は、外容器１と、外容器１内に配置され、被処理体Ｗを支持する支持部３０ａと、支持部３０ａによって支持された被処理体Ｗを回転させる回転駆動機構６０と、被処理体Ｗに処理液を供給する処理液供給機構と、被処理体Ｗの周縁外方に配置され、支持部３０ａとともに回転可能な回転カップ１１と、を備えている。回転カップ１１の上方には、回転カップ１１とともに回転する回転排気カップ１０が設けられている。排出機構は、回転カップ１１と回転排気カップ１０によって案内された処理液雰囲気を排出する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハをベルヌーイチャックで保持した状態でウェーハの片面をエッチングする際に、エッチング液の巻上げを防止すること。
【解決手段】エッチング液を貯留する円筒状の内槽１と、この内槽１の底面７の中央からエッチング液の液面の中央に向けてエッチング液を供給する吹き出しノズル１３と、半導体ウェーハＷの一方の面を非接触で保持するベルヌーイチャック４１と、半導体ウェーハＷの他方のエッチング面が液面と接触する設定高さまで半導体ウェーハＷを水平に保ちながら下降可能な昇降手段５１を備え、内槽１は、この内槽１の外径が半導体ウェーハＷの外径以下に形成されていること。 （もっと読む）

【課題】処理液の取り替えサイクルを長くしたり、基板処理効率の低下を防止したり、基板処理コストを抑えることができる基板処理装置などを提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、貯留槽１１と基板処理機構１２と間で処理液を循環させる第１処理液循環機構２０と、基板処理機構１２における基板処理によって処理液中に含まれるようになった金属イオンを吸着する２つの吸着塔３２，３３と、貯留槽１１内の処理液を吸着塔３２，３３のいずれか一方に選択的に供給して循環させる第２処理液循環機構３４と、処理液の供給される吸着塔３２，３３が所定時間間隔で交互に切り換わるように第２処理液循環機構３４の作動を制御する制御装置２８とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウェーハを固定することなく洗浄して、ウェーハを把持し直す作業を省略してウェーハの洗浄時間を十分に短縮する。
【解決手段】ウェーハの洗浄方法は、ウェーハ１１径よりも小さな外径を有する水平に設置される円盤状のベース１２からベース全面にわたって純水を均一な高さに噴出させて噴出した純水によりベース上方にベースと同心に置かれる円板状のウェーハを水平に浮上させ、ベースから噴出する純水によりウェーハの下面を洗浄する。洗浄装置１０は、ウェーハ径よりも小さな外径を有し全面に複数の同一径の噴出孔１３ｄが形成されベース内部に噴出孔に連通する中空部１２ａが形成された水平に設置される円盤状のベース１２と、中空部を介して複数の噴出孔から純水をベース全面にわたって均一な高さに噴出させる純水供給手段２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】ノズルの稼働率を向上させて処理ユニットのスループットを向上させる。
【解決手段】現像処理ユニット１においては、ノズル２１を共用する複数個の現像処理セット１０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対する現像処理が行われる。進入領域Ｋ（現像処理ユニット１に対する基板Ｗの搬出入を行う搬送機構のハンドが現像処理ユニット１内に進入する領域）の上方には、現像処理セット１０間にわたって移動経路Ｌ２１が形成されている。制御部９１は、移動経路Ｌ２１に沿ってノズル２１を移動させることによって、ノズル２１を現像処理セット１０の間で移動させる。この構成によると、搬送機構が現像処理ユニット１に対する基板の搬出入を行っている間であってもそのハンドとの干渉を考慮せずにノズル２１を現像処理セット１０間で自由に移動させることができるので、ノズルの稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】この発明は立位状態で搬送される基板を処理液によって均一に処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を処理液によって処理する処理装置において、
基板を立位状態で所定方向に搬送する搬送手段と、この搬送手段によって立位状態で搬送される基板に処理液を噴射するエッチング処理部１８とを有し、
エッチング処理部は、基板の板面に処理液を噴射する複数のノズル２１ａ〜２１ｄを有し、これら複数のノズルは基板の高さ方向に所定間隔で、かつ高さ方向上方に位置するノズルが下方に位置するノズルよりも基板の搬送方向後方に位置するよう配置されている。 （もっと読む）

【課題】ノズルの移動に係るオーバーヘッドタイムを短くするとともに、基板間でのこの時間にばらつきが生じることを防止できる技術を提供する。
【解決手段】現像処理ユニット１においては、ノズル２１を共用する複数個の現像処理セット１０のそれぞれにおいて１枚の基板Ｗに対する現像処理が行われる。制御部９１は、ノズル２１がある基板Ｗ１に対する現像液の吐出供給処理を終えると（ＡＲ２）、当該ノズル２１を次に処理すべき基板Ｗ２について特定された待機位置ＰＷ２まで先行移動させて当該位置で待機させておく（ＡＲ３）。基板Ｗ２が現像処理ユニット１内に搬入されると、制御部９１は、待機位置ＰＷ２に位置しているノズル２１を吐出開始位置ＰＳ２まで移動させ（ＡＲ４）、スリット２０１から現像液を吐出させながら基板Ｗ２上を走査させる（ＡＲ５）。 （もっと読む）

【課題】基板保持部に保持される複数の基板に対してそれぞれ処理液を供給可能な複数のノズルを備えることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを水平姿勢で保持する複数のスピンチャックと、基板Ｗに処理液を供給する複数のノズル２１と、選択ノズル２１ｓを準備位置から処理位置Ｐａ、Ｐｂへ移動させる選択ノズル移動機構５１と、各準備位置の間で複数のノズル２１を一体に移動させるノズル群搬送機構４１と、を備えている。ノズル群搬送機構４１は複数のノズル２１を各準備位置間で移動させる。選択ノズル移動機構５１は、複数のノズル２１から任意に選択される選択ノズル２１ｓを、処理位置Ｐに移動させる。処理位置Ｐに移動した選択ノズル２１ｓは処理液を基板に供給する。 （もっと読む）

【課題】被処理体を処理した処理液を排出機構へと導く回転カップを被処理体に近接した位置に設け、かつ、支持された被処理体と回転カップとの間の間隙を均一にすること。
【解決手段】液処理装置は、被処理体Ｗの下面と側面を処理する。液処理装置は、被処理体Ｗに処理液を供給する処理液供給機構３７，３９と、被処理体Ｗを処理した処理液を排出する排出機構２０，２１と、被処理体Ｗの周縁外方に設けられ、被処理体Ｗを処理した処理液を排出機構２０，２１へと導く回転カップ１０と、回転カップ１０を回転させる回転駆動部６０と、を備えている。回転カップ１０には、周縁内方に突出し、被処理体Ｗの周縁部を支持する支持部１５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】被処理体を処理している間にトッププレートに処理液が付着したとしても、当該処理液が処理済みの被処理体上に落ちたり、当該処理液によって次回以降に処理される被処理体に悪影響を及ぼしたりすることを防止すること。
【解決手段】液処理装置は、被処理体Ｗを支持する支持部１５と、支持部１５によって支持された被処理体Ｗを回転させる回転駆動部６０と、被処理体Ｗに処理液を供給する処理液供給機構３７，３９と、被処理体Ｗを処理した処理液を排出する排出機構２０，２１と、被処理体Ｗを処理した処理液を排出機構２０，２１へと導く回転カップ１０と、被処理体Ｗの上面側を覆うトッププレート４０と、を備えている。トッププレート４０は、回転カップ１０の上方まで延びた周縁外方突出部４０ｐを有している。周縁外方突出部４０ｐには、周縁外方突出部４０ｐに付着した処理液を吸引する吸引機構７０，７１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】被処理体の裏面に供給された処理液が、被処理体の周縁部で、処理液の表面張力によって被処理体の表面側に回り込むことを防止し、このことによって、被処理体の周縁部の表面を精度良く処理すること。
【解決手段】液処理装置は、被処理体Ｗを支持する支持部４０と、支持部４０を回転させる回転駆動部６０と、支持部４０によって支持された被処理体Ｗの表面の周縁部に向かって処理液を供給する表面処理液供給機構３５と、支持部４１によって支持された被処理体Ｗの裏面に処理液を供給する裏面処理液供給機構３０と、を備えている。被処理体Ｗの周縁外方には、間隙Ｇ_０を介して、第一ガイド部材２１が配置されている。被処理体Ｗの裏面を経て周縁部に達した処理液の流速は、被処理体Ｗの表面を経て周縁部に達した処理液の流速よりも速くなっている。 （もっと読む）

【課題】薬液の使用量を抑えつつ基板表面を良好に処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】初期薬液処理では、基板表面Ｗｆにシリコン酸化膜が形成されており、基板表面Ｗｆは親水面となっている。そこで、初期薬液処理（時刻０から時間Ｔ1が経過するまでの間）においてはフッ酸溶液の流量を５１０（ｍＬ／ｍｉｎ）に抑えてフッ酸の使用量を抑制している。一方、初期薬液処理により基板Ｗのシリコン層の少なくとも一部が露出してくるタイミングでフッ酸溶液の流量を１５３０（ｍＬ／ｍｉｎ）に増大させて連続薬液処理中を実行しているため、基板表面Ｗｆの一部にシリコン層が露出して疎水面が形成されたとしてもフッ酸溶液が基板表面Ｗｆ全体をカバレッジしてシリコン酸化膜のエッチング除去を継続させることができる。 （もっと読む）

【課題】
基板表面を選択的にエッチングするための基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】
本発明による基板処理方法は、第１ノズルが回転する基板の中心にエッチング液を供給し、第２ノズルが基板の中心から離れた位置で前記エッチング液の濃度を希釈するエッチング妨害流体を供給する。 （もっと読む）

【課題】基板に供給される複数種の処理液を分離して回収することができるスピン処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板に複数種の処理液を順次供給して処理するスピン処理装置であって、カップ体１と、カップ体内に設けられ基板を保持して回転駆動される回転テーブル８と、上面が開口したリング状をなしていて、カップ体の内周と回転テーブルの外周との間に上下方向に駆動可能に設けられ回転する基板から飛散する処理液を受ける処理液受け体１６と、基板に供給される処理液の種類に応じて処理液受け体を上下方向に駆動してその高さを設定するリニアモータ２１と、カップ体に設けられ処理液受け体が受けた処理液を処理液受け体がリニアモータによって設定された高さに応じて分離して回収する第１乃至第３の分離流路２７ａ〜２７ｃを具備する。 （もっと読む）

【課題】非拡散層及び拡散層を有する拡散ウェーハに対してスピンエッチングを施し、非拡散層の一部を除去して非拡散層の厚みを略均一とできる拡散ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】非拡散層２１及び拡散層２２を有する拡散ウェーハ２０における非拡散層２１の一部２３を、枚葉式でスピンエッチングにより除去するスピンエッチング工程を備え、スピンエッチング工程は、拡散ウェーハ２０の面内方向Ｄ２に移動可能であり且つエッチング液を拡散ウェーハ２０における非拡散層２１に供給する液供給口を備えるスピンエッチング装置を用い、液供給口を拡散ウェーハ２０における面内方向周辺部２０ｃ及び面内方向中心部２０ｄにそれぞれ位置させて液供給口からエッチング液を非拡散層２１に供給することにより、非拡散層２１における厚み方向の形状に基づいてスピンエッチングの際の非拡散層２１のエッチング除去量のウェーハ面内分布を制御する。 （もっと読む）