【課題】この発明は基板を処理する処理液の濃度を求めることができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】薬液を希釈液で希釈した処理液によって基板を処理する基板の処理装置であって、
基板に供給された処理液の厚さを測定する撮像カメラ７と、測定された処理液の厚さと処理時間の関係から処理液に含まれる薬液の濃度を判定する制御装置８を具備する。 （もっと読む）

【課題】処理液が供給される基板の下面側の雰囲気から、処理液が供給されない基板の上面側への雰囲気の周り込みを防止する共に、上下両面側の雰囲気を分離するために供給されるパージガスの消費量を抑制することが可能な液処理装置を提供する。
【解決手段】水平に保持した基板の下面に処理液を供給する液処理装置２において、囲み部部材４は基板Ｗから飛散した処理液を受け止め、天板部５は水平に保持された基板Ｗの上面に対向するように配置され、ガス供給部５３、５３１は天板部５と基板Ｗとの間に形成される空間に加圧されたガスを供給する。そして気体取り込み口５２は天板部５と基板Ｗとの間に形成される空間内の負圧により、この空間の外部の雰囲気の気体を当該空間内に取り込む。 （もっと読む）

【課題】装置が大型化および複雑化せず、処理液から発生する気泡を効果的に消泡することのできるエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】エッチング処理装置１Ａは、ガラス基板２００が搬送される搬送路を内部に含む処理槽１０と、搬送路の上方に位置し、搬送路上を搬送されるガラス基板２００に対してエッチング液１００を供給する吐出管２１と、搬送路よりも下方に位置する処理槽１０の底部および側部にて構成され、エッチング液１００を一時的に貯留するとともに、貯留されたエッチング液１００を処理槽１０の外部に排出する排出部１３と、搬送路よりも下方でかつ排出部１３の上方に位置し、排出部１３に一時的に貯留されたエッチング液１００の液面に生じた気泡１０２を加熱することで当該気泡１０２を破泡するヒータ３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の外周端部の膜をクラックや局部剥がれを生じることなく除去して、パーティクルの発生を防止する。
【解決手段】強誘電体薄膜形成用の有機金属化合物を含有するＣＳＤ溶液を基板２に塗布してゲル状塗膜１を形成する工程と、基板２を回転させながら外周端部に水Ｗを噴射又は滴下して、ゲル状塗膜１の外周端部を除去する工程と、外周端部について除去された後のゲル状塗膜１を加熱処理して強誘電体薄膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】新たな手法を用いて基板の表面から膜を除去する液処理装置等を提供する。
【解決手段】第１の膜の上層に第２の膜が形成された基板から、第１の膜及び第２の膜を除去する液処理装置３において、第１の薬液供給部５１は基板Ｗに第１の膜を溶解させるための前記第１の薬液を供給し、第２の薬液供給部５１は前記第２の膜の強度を低下させるための第２の薬液を供給し、衝撃供給部としての機能を兼ねる流体供給部５２は第２の膜に物理的衝撃を与えて当該第２の膜を破壊すると共に破壊された第２の膜の破片を流し去るための流体を供給する。制御部７は第２の薬液を供給し、次いで前記流体供給部５２から流体を供給した後、第１の薬液を供給するように各部を制御する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハアライナー機構の構成部品がウエーハ表面側に設置されることによって起こるクリーンエア気流の乱れによる処理室内からの汚染、もしくはウエーハライナー機構の構成部品そのものからの汚染による、ウエーハの二次汚染の発生を抑えるウエーハ薬液回収装置を提供する。
【解決手段】処理室３外としてクリーユニットチャンバー２内に設置されたレーザセンサ８（ノッチ検出手段）により、処理室内のウエーハ回転台６上のウエーハ１０を回転させてウエーハのノッチ１０ａとレーザ入射位置に一致させ、ウエーハの原点位置を設定する。このウエーハの原点位置に基づいて設定したウエーハ表面の走査開始位置から走査終了位置の回収領域で走査液回収アーム１６および走査液回収アーム１６の先端に設置した走査液回収冶具１６ａを動作させ、回収領域のウエーハ表面に薬液を接触させた状態でウエーハ回転台６を回転させて不純物を含む薬液を回収する。 （もっと読む）

【課題】基板の一方の面の被加工膜をエッチングして剥離するときに、薬液が基板の他方の面に飛散することを防止する。
【解決手段】基板８を支持する基板ホルダー３を洗浄槽内に回転可能に設け、基板上に形成された被加工膜１８の上に薬液を吐出するノズル５を基板ホルダーの上方で横方向に移動可能に設け、ノズルを基板の上方で横方向に移動させると共に、ノズルから基板上に薬液を吐出させる制御装置を備え、基板から跳ねた液滴状の薬液を検知する液滴センサ１０を備え、制御装置は、液滴センサから出力された検知信号に応じてノズルの横方向への移動を停止させるように制御した。 （もっと読む）

【課題】 簡単な装置構造により角形の半導体基板に対しても均一な裏面平坦化が可能な太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の受光面と反対側の裏面を湿式エッチングにより平坦化する裏面エッチング工程において、受光面を被覆して半導体基板をエッチング液中に浸漬させた状態で、半導体基板が浸漬している領域外にあるエッチング液を裏面に噴き付ける。 （もっと読む）

本発明の目的は、エッチャントを含む新規なインクジェット印刷可能なエッチング組成物であり、それは、第２の成分によって活性化される。したがって、他の目的は、この新規な組成物の、半導体デバイスの表面または太陽電池デバイスの表面のエッチングのための方法における使用である。 （もっと読む）

本発明は、エッチングすべき少なくとも１つの材料（４）を含む構造体（１）をエッチングするための方法に関し、この方法は、エッチングすべき前記材料（４）と反応できる少なくとも１つの化学種を選択するステップと、前記化学種を放出できる少なくとも１つの可溶性化合物を選択するステップと、前記化合物および懸濁状態にある粒子または固体の粒（１３）の粉体を含む溶液（１１）を製造するステップと、前記溶液内に前記エッチングすべき材料を入れるステップと、前記化学種を発生し、これら化学種がエッチングすべき前記材料と反応し、それによって可溶性化合物または沈殿物を生成するように活性キャビテーションバブルを発生できる、少なくとも１つの周波数の高周波超音波を前記溶液内に発生するステップとを備える。
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【課題】レジスト膜を剥離する際に、残すべきパターンの剥離や、バリ、ブリッジングなどの不良の発生を抑えて、歩留まり向上させる。
【解決手段】まず、基板１の一方の面にレジスト７１の膜を形成する（ステップＳ１）。次に、レジストが形成された基板上に金属、半導体および絶縁体から選択された薄膜７２を成膜する（ステップＳ２）。次に、薄膜７２が成膜された基板１を加熱する（ステップＳ３）。レジスト７１が付いた基板１をこのように加熱することにより、レジスト７１が軟化、変形し、レジスト７１上に付着した薄膜７２もそれに応じて変形し、薄膜表面には皺ＷやクラックＣが生じる。次に、高圧ジェットリフトオフ装置の高圧ジェットによりレジスト剥離液を吐出させて、レジスト７１の膜とそのレジスト７１上に成膜された薄膜７２を除去する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴを用いた半導体装置において、ＴＦＴ中の汚染不純物を低減し、信頼性のあるＴＦＴを得ることを課題とする。
【解決手段】ガラス基板上のＴＦＴの被膜に存在する汚染不純物を、フッ素を含有する酸性溶液を被膜表面に接触させ、酸性溶液を一定方向に流すことにより、被膜表面の汚染不純物を除去することにより、信頼性のあるＴＦＴを得ることができる。なお、酸性溶液は、フッ酸とフッ化アンモニウムの混合比が体積比で１：５０のバッファードフッ酸を用いる。 （もっと読む）

【課題】金属薄膜パターンの端部におけるバリ発生を確実に防止できる金属薄膜の製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、所定パターンの金属薄膜パターン８を形成するための方法であって、下地の上に、前記パターンのエッジに対応する位置近傍に壁面を有する段差パターン３を形成する工程と、段差パターン３を含む下地全体にレジスト４を塗布する工程と、塗布したレジスト４に対して、前記パターンの反転パターンとなるようにパターニングを施す工程と、レジスト４および段差パターン３を含む下地全体に金属薄膜５を形成する工程と、溶剤を塗布して、レジスト４および該レジスト４上に位置する金属薄膜５を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ｐ型非極性GaN面と電極との間に良好なオーミック接触を提供できる、電極を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体領域１３の非極性主面１３ａの酸化物１５上にニッケルを含む金属層１７及び金を含む金属層１９を順に堆積した後に、基板生産物Ｐ２の熱処理を行う。この熱処理によって、金属層１７のニッケルが非極性主面１３ａの自然酸化物中の酸素の少なくとも一部分が除かれる。第１の層２１ａはニッケルを含み、第２の層２１ｂは金を含む。第２の層２１ｂが半導体領域１３に接合を成す。第２の層２１ｂが第１の層２１ａと半導体領域１３との間に移動する。ニッケルと酸素の化合物２３は、基板生産物の表面近傍に形成される。ニッケルと酸素の化合物２３を除去して、基板生産物Ｐ３が得られる。ｐ型ドーパントを含む半導体領域１３に接触を成す金属電極２１を作製できる。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理中におけるエッチングレートの低下を抑制することにより、エッチング処理に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ふっ硝酸処理開始後、処理時間の経過に従って、ベース昇降用モータ２０が制御されて、吸着ベース１０が上昇される。この吸着ベース１０の上昇は、ウエハＷの上面とリング上面２８との間の間隔が一定範囲内に保たれるように行われる。ふっ硝酸処理の結果ウエハＷは薄くなるが、吸着ベース１０が上昇されるために、ウエハＷの上面に形成されるふっ硝酸の液膜の厚みをほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】基板の上面に極めて薄い処理液の液膜を保持しつつ、基板に処理液による処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】スピンチャック２により保持されたウエハＷの上面に対向棒１４が対向配置される。対向棒１４はアーム１５の支持ブラケットに、鉛直方向への移動が許容された状態で支持されている。対向棒１４が、スピンチャック２により回転されるウエハＷの上面に近接されて、ウエハＷの上面に保持される薬液の液膜に接触すると、薬液の液膜から対向棒１４に与えられる揚力により、対向棒１４に鉛直上向きの離反方向力が作用し、対向棒１４はアーム１５の支持ブラケットに対して鉛直上向きに相対変位する。対向棒１４は、その離反方向力と対向棒１４に働く重力とが釣り合う位置に保持される。 （もっと読む）

【課題】被加工物表面をより少ない回数の走査で所望のプロファイルに効率良く加工するエッチングノズル及びエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチングノズル４１は、被加工物に対して相対的に移動させながら、エッチング液を内側管４２の内側開口４４から被加工物表面に供給し、かつ外側管４３の外側開口４５から吸引回収することによりエッチング加工を行う。外側開口４５の外周縁形状は、エッチングノズルの移動方向に沿った第１方向の寸法と該移動方向に直交する第２方向の寸法とを有し、第１方向の寸法を第２方向に沿って、被加工物の加工前における断面プロファイルと目的の断面プロファイルとの差である加工プロファイルに対応するように変化させる。 （もっと読む）

【課題】精度の高い非拡散層の厚みに加えて、抵抗率のバラツキの範囲も狭い拡散ウェーハ群の製造方法を提供する。
【解決手段】従来は、１つのインゴット内での抵抗率のバラツキの範囲を把握することが出来ず、インゴット毎に抵抗率バラツキを規定し、非拡散層の厚みのみが規定可能であった。しかし、同一インゴット内であったとしても、抵抗率に対応した非拡散層の厚みを自在に製造可能な方法を提供する。また、異なるインゴットから得られる拡散ウェーハを組合せて、より好ましい抵抗率及び非拡散層の厚みを備える拡散ウェーハ群を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の面荒れを防止しつつ、シリコン基板を薄化させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】研削工程（図（ｂ）参照）では、研削装置８０の研削砥石によってウエハＷの裏面が研削される。ウエハＷの研削の進行に伴って、研削砥石が磨耗し、研削砥石から破砕された結合剤が、ウエハＷの裏面に付着するおそれがある。その後、ＵＶ照射工程が実行される。ＵＶ照射工程（図（ｃ）参照）では、紫外線ランプ３２からの紫外線がウエハＷの裏面に照射される。ウエハＷの裏面に有機付着物が付着していても、この紫外線の照射により、有機付着物の内部結合が切断されて、この有機付着物が分子レベルで破壊される。その後、ふっ硝酸供給工程（図（ｄ）参照）が実行され、ウエハＷの裏面がふっ硝酸を用いてエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】 多量の処理液を消費することなく、基板の表面全域に有効に処理液を供給することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１００を水平方向に搬送する搬送ローラ９と、処理液吐出口２１が形成され、この処理液吐出口２１とガラス基板１００の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズル２と、処理液保持面３１を備え、処理液吐出口２１と処理液保持面３１との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材３と、ガラス基板１００の裏面に洗浄液を供給する一対の裏面洗浄部４を備える。 （もっと読む）