【課題】熱ナノインプリント法における熱可塑性高分子の剥がれや、ウェットエッチング液やめっき液の、レジスト内や金属層とレジストとの界面への浸入を抑制する基板を提供する。
【解決手段】基板層１、金属酸化物表面を有する金属層２、下記式に示す、紫外線照射により接着性を発現する感紫外線化合物層３、および熱可塑性高分子層４とをこの順で有する。


（Ｒ１〜Ｒ３：Ｈ、Ｃ１〜６の炭化水素基等、Ｘ：Ｏ、ＯＣＯ、ＣＯＯ、ＮＨ、ＮＨＣＯ、ｍ：１〜２０、Ｒ４：Ｃ１〜３の炭化水素基、Ｙ：Ｃ１〜３のアルコキシ基、ハロゲン原子、ｎ：１〜３。） （もっと読む）

【課題】吸引口から吸引しきれなかったエッチング液を受けることにより、エッチング液による装置の腐食を防止することのできるノズル、このノズルを備えたエッチング液供給装置およびエッチング方法を提供すること。
【解決手段】ワーク１０の被処理面１０１にエッチング液を供給するノズル４であって、エッチング液を送出する送出口４１２ａおよび送出口４１２ａから送出されたエッチング液を吸引する吸引口４１３ａを有し、送出口４１２ａおよび吸引口４１３ａが被処理面１０１の下方に位置されたノズル本体４１と、吸引口４１３ａから吸引しきれなかったエッチング液を受ける液受け部４２とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板に帯電した電荷が放電することによる静電破壊の発生を防止すること。
【解決手段】本発明では、基板（２）に液処理を施すための基板液処理装置（１）及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体（４８）において、基板（２）の回路形成面を基板処理薬液で液処理する液処理工程を行う前に、基板（２）の回路形成面とは反対面を除電処理液で処理することによって基板（２）に帯電した電荷を放出させる除電処理工程を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細半導体素子の加工方法にかかわり、特に、通常high-k/メタルゲートと呼ばれる構造の素子の微細化に適した加工方法に関する。
【解決手段】Si基板上に形成されたHfあるいはZrを含む絶縁膜とその上層あるいは下層あるいは膜中に存在するMg,YあるいはAlとを含む堆積膜の除去を、ドライエッチングとウエットエッチングを、ウエットエッチングを先にして少なくとも1回繰り返して行う。 （もっと読む）

Ｉｎ、Ａｌ及びＭｏを含む三重膜用のエッチング液組成物は、組成物の総重量に対し、４５〜７０重量％のリン酸、２〜１０重量％の硝酸、５〜２５重量％の酢酸、０．０１〜３重量％の含フッ素化合物、０．１〜５重量％のリン酸塩、及び残量の水を含む。
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平坦な基板の基板表面を基板下面においてプロセス媒質によって処理する方法において、プロセス媒質は、基板表面に対する除去又はエッチング効果を有する。基板は、水平に配置された方式により、下方からプロセス媒質によって湿潤される。上向きの基板上面は、基板上面に対して作用するプロセス媒質に対する保護として、水又は対応する保護液体により、大きなエリアにわたって又はエリアの全体にわたって、湿潤又はカバーされる。
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【課題】窒化物半導体基板から窒化物半導体エピタキシャル層を分離する際に窒化物半導体エピタキシャル層に与えるダメージが低く高品質な窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法を提供する。
【解決手段】本窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法は、転位密度が１×１０⁷ｃｍ^-2以下の窒化物半導体基板１０上に、ガスおよび電解液の少なくともいずれかにより化学的に分解する化学的分解層２０を介在させて、少なくとも１層の窒化物半導体エピタキシャル層３０を成長させる工程と、窒化物半導体エピタキシャル層３０を成長させる工程中およびこの工程後の少なくともいずれかにおいて、ガスおよび電解液の少なくともいずれかを用いて化学的分解層２０を分解させることにより、窒化物半導体基板１０から窒化物半導体エピタキシャル層３０を分離する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ティーチングのための作業者による作業を軽減することができ、かつ、より正確なティーチングを実現することができる基板処理装置およびティーチング方法を提供すること。
【解決手段】ティーチング時においては、制御部によって、ステッピングモータが駆動される。そして、処理液ノズルがホームポジションに位置することが第１センサによって検出された時、および処理液ノズルが第１周縁相当位置に位置することが第２センサによって検出された時に、それぞれ、ステッピングモータの回転量が取得される。それら取得された回転量に基づいて、第１教示情報および第２教示情報が演算され、これら第１教示情報および第２教示情報がモータ制御部２１に登録される。 （もっと読む）

【課題】基板の乾燥後にリフトピンに処理液が残ることを防止し、このことにより液処理後の基板の裏面に処理液が付着することを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１０には、基板Ｗを保持する保持プレート３０と、保持プレート３０の上方に設けられ、基板Ｗを下方から支持するリフトピン２２を有するリフトピンプレート２０と、保持プレート３０により保持された基板Ｗの裏面に処理液を供給する処理液供給部４０とが設けられている。処理液供給部４０は、リフトピンプレート２０の貫通穴２０ａを塞ぐよう設けられたヘッド部分４２を有している。処理液供給部４０およびリフトピンプレート２０は保持プレート３０に対して相対的に昇降するようになっている。 （もっと読む）

【課題】安定して基板上に処理液の液膜を保持させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板を水平に保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板の上面周縁部を選択的に疎水化させる疎水化手段と、前記基板保持手段に保持された基板の上面に処理液を供給する処理液供給手段と含む。この基板処理装置による基板の処理では、基板の主面の周縁部を選択的に疎水化させる疎水化工程（Ｓ１０１）と、前記疎水化工程が実行された後に、水平に保持された基板に処理液を供給して、当該基板の主面を覆う処理液の液膜を形成する液膜形成工程（Ｓ１０２）とが実行される。 （もっと読む）

【課題】 基板上にエッチング液を液膜状に供給した後に、この基板をリンス処理する場合においても、エッチング液とリンス液とを個別に回収することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置は、ガラス基板１００をその主面が水平方向となる状態で支持するとともに、このガラス基板１００を水平方向に搬送する複数の搬送ローラ９と、ガラス基板１００にエッチング液を供給する処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃと、ガラス基板１００にリンス液を供給する処理・洗浄ユニット１ｄと、各処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ毎に配設された回収トレー７１と、処理・洗浄ユニット１ｃと処理・洗浄ユニット１ｄとの間に配設されたエアナイフ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】 多量の処理液を消費することなく、基板の表面全域に有効に処理液を供給することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 液寄せ部材７１は、搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００における搬送方向の両側の、ガラス基板１００の端縁に近接する位置において、ガラス基板１００の搬送方向に沿って配設されている。搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の端縁と液寄せ部材７１との距離Ｄは２ｍｍ以下となっている。また、液寄せ部材７１の上面の高さ位置は、ガラス基板１００の表面の高さ位置より、Ｈだけ高くなっている。このＨの値は、処理液吐出ノズル２からガラス基板１００の表面に供給された処理液の膜厚以上とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板表面の全域に対して、処理液による処理を均一に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】この基板処理装置１は、スピンチャック４と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に向けて、高温（たとえば８０℃）のＳＣ１を供給するためのＳＣ１ノズル５と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に水蒸気を供給するための蒸気ノズル６と、スピンチャック４を収容するカップ８とを備えている。ＳＣ１ノズル５から吐出された高温のＳＣ１は、ウエハＷの中央部に供給される。蒸気ノズル６から吐出された水蒸気は、ウエハＷの中間位置Ｍに供給される。 （もっと読む）

【課題】基板に疎水性のポリシリコン膜が形成されているとともに、このポリシリコン膜に親水性の自然酸化膜が積層されている場合において、基板の周縁部においてエッチング不良が発生することなく、かつエッチング幅の精度を向上させることができる基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体を提供する。
【解決手段】まず、ポリシリコン膜が形成された基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗの周縁部にフッ酸を供給することにより基板Ｗの周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる。次に、ポリシリコン膜が露出された基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗの周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する。このような動作は、基板液処理装置１の制御部５０が回転駆動部２０、フッ酸供給部５４およびフッ硝酸供給部５２を制御することにより行われる。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部分の処理を行う場合において、基板の高温処理を十分に行うことができるとともに基板の表面にパーティクルが付着することを十分に抑制することができる基板の液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】基板の液処理装置１は、基板Ｗを保持する保持部１０と、保持部１０を回転させる回転駆動部２０と、遮蔽ユニット３９とを備えている。遮蔽ユニット３９は、保持部１０により保持された基板Ｗに対向する対向板３２と、対向板３２を介して基板Ｗを加熱する加熱部分３１と、加熱されたガスを保持された基板Ｗの表面に供給する加熱ガス供給部分３２ａとを備えている。 （もっと読む）

【課題】部材としてポリイミドを使用するインクジェットヘッドにより強アルカリ性のインクを出射しても、電気的な故障によるインクの不吐出を起こさないインクジェットヘッドを提供する。
【解決手段】電気的な接続手段として、ポリイミドを有する配線基板又はフレキシブルケーブル１０を備え、アルカリ溶液を吐出するインクジェットヘッドにおいて、酸性物質を含む保護材料２１を有する。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板の板面をノズル体によって噴射供給される処理液によって処理する際、全面を均一に処理できるようにした基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を所定方向に搬送する搬送ローラ５と、基板の搬送方向と交差する幅方向の両端部に処理液を隙間が生じることのない密の状態で均一に噴射供給する第１のノズル体２３と、基板の第１のノズル体によって処理液が供給された幅方向両端部を除く部分に処理液を基板の搬送方向及び搬送方向と交差する方向に対して隙間が生じる疎の状態で噴射供給する第２のノズル体２４を具備する。 （もっと読む）

【課題】調合物及び等方性銅エッチング調合物を利用して銅を等方的にエッチングして除去する方法を提供する。
【解決手段】銅をエッチングする調合物は、水溶液を含み、水溶液は、（ａ）ジアミン、トリアミン、および、テトラミンからなるグループから選択される二座配位子、三座配位子、四座配位子の錯化剤、および、（ｂ）酸化剤を含む。水溶液のｐＨは、５から１２である。一実施形態では、エッチ液は、ｐＨ約６から１０のエチレンジアミン（ＥＤＡ）および過酸化水素を含む。銅層の実質的な表面を粗くせずに高速で銅をエッチングすることができる（例えば少なくとも約１，０００Å／分）溶液が提供される。調合物は、半製品の半導体デバイスから銅を除去する（例えば銅積載部分をエッチングする）のに特に有益に用いられる。 （もっと読む）

【課題】被処理体の処理に用いられる液の温度変動を抑制することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、液供給機構１５と、液供給装置に接続され温度調節された液を吐出する吐出開口３０ａを有した供給ライン３０と、供給ラインの吐出開口を支持しする処理ユニット５０と、供給ラインに供給された液を液供給機構へ戻す戻しライン３５と、処理ユニットでの被処理体の処理に用いられる液の供給および供給停止を切り替える液供給切り替え弁３８ａと、を有する。液供給切り替え弁３８ａは、供給ライン３０上に設けられ、供給ライン３０から戻しライン３５を介して液供給機構１５へ戻る液の経路上に、位置している。 （もっと読む）

【課題】 基板を回転させながら所定の処理を施す基板処理装置において、基板を支持部材に均一に押圧させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 スピンベース３０の周縁部には、立設された支持ピン３１０が複数個設けられている。そして、支持ピン３１０に基板Ｗが略水平状態で支持されている。基板Ｗの表面Ｗｆに遮断部材５０を近接して対向配置された状態で、ガス吐出口５０２から所定の角度で基板Ｗにガスを吐出する。これにより、基板Ｗはその上面側に所定の角度で供給されるガスによって、支持ピン３１０に押圧されて確実にスピンベース３０に保持される。 （もっと読む）