【課題】シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の高いエッチング選択比と、シリコン窒化膜の高いエッチングレートとを両立しうる技術を提供する。
【解決手段】エッチング方法は、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜が表面に露出した基板に、加熱されたＨ_２ＳＯ_４を供給して基板を加熱するプリヒート工程と、その後、前記基板に、加熱されたＨ_２ＳＯ_４と、ＨＦ、ＮＨ_４ＦおよびＮＨ_４ＨＦ_２のうちの少なくともいずれか一つと、Ｈ_２Ｏとの混合液体を供給するエッチング工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】カップに付着した汚れにより処理室内の基板が汚れてしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、基板Ｗを保持する基板保持部２１および基板保持部２１の周囲に配設されるカップ４２が内部に設けられた処理室２０と、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して処理液を供給するためのノズル８２ａと、カップ４２の上部に洗浄液を供給することにより当該カップ４２の洗浄を行うカップ洗浄部４９、４９ａと、を備えている。カップ４２の上部には凹部４２ａが形成されており、カップ洗浄部４９、４９ａは、カップ４２の上部の凹部４２ａに洗浄液を供給するようになっている。 （もっと読む）

【課題】エッチング残渣を良好に除去することが可能なウエットエッチング方法及びウエットエッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明のウエットエッチング方法は、基板Ａ上に形成された少なくとも１層の膜をウエットエッチングする処理工程と、処理工程を終えた基板Ａを水洗する水洗工程と、水洗工程を終えた基板Ａを乾燥する乾燥工程とを含み、処理工程と水洗工程との間に、超音波を印加したエッチング液ＥＬを基板Ａに噴射する超音波液噴射工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮなどの窒化物半導体材料の酸化皮膜形成処理、エッチング処理を半導体材料にダメージを与えることなく効率よく行うことを可能にする。
【解決手段】硫酸濃度が５６〜９０質量％の硫酸溶液を電解して生成した過硫酸含有硫酸溶液を、窒化物半導体材料に接触させて、前記半導体表面に酸化皮膜を生成する。該処理は、表面処理部２と、電解装置３と、硫酸溶液を表面処理部と電解装置とを含む経路で循環させる循環路１０，２０，３０，３１と、表面処理部に供給される過硫酸を含む硫酸溶液を加熱する加熱部２２と、電解装置に供給される硫酸溶液を冷却する冷却部３２とを備える表面処理システム１で行う。半導体材料のダメージを抑えつつ、酸化が困難であった素材の半導体に安定した酸化膜を形成でき、酸化処理後に安定したエッチングを行うこともできる。 （もっと読む）

【課題】確実な基板保持を実現しつつ、基板表面を効率的に液処理可能な液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】開示される液処理装置は、基板を裏面から支持する基板支持部材と、前記基板支持部材を回転する回転機構と、前記基板支持部材に支持される前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板支持部材に支持される前記基板に対して気体を噴出し、前記基板を前記基板支持部材に押圧する気体噴出部であって、前記基板支持部材を介して前記回転機構により回転される前記基板の回転方向における前記処理液供給部の上流側に配置される当該気体噴出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】選択エッチングの選択比を向上させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シリル化剤が基板Ｗに供給されることにより、基板Ｗがシリル化される。その後、エッチング剤が基板Ｗに供給されることにより、シリル化された基板Ｗがエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の洗浄均一性を向上できる流体供給部材、液処理装置、および液処理方法を提供する。
【解決手段】開示される流体供給部材は、第１の点から第２の点まで第１の方向に延在する本体部と、前記本体部に設けられ、前記第１の方向に交差する第２の方向に開口し、前記第１の方向に配列される複数の流体吐出部とを備える。前記複数の流体吐出部のうち、前記第１の点側の前記流体吐出部の開口角度は、前記第２の点側の前記流体吐出部の開口角度よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】薬液用噴射部材からウエハの下面に噴射された薬液がリンス処理用噴射部材に付着することを防止低減する液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板Ｗを水平に保持する基板保持部２２と、基板保持部を回転させる回転駆動部と、基板保持部に保持された基板の下面に薬液を吐出する複数の第１の吐出口６１が設けられた第１の部分６０Ａと、基板保持部により保持された基板の下面にリンス処理用流体を吐出する複数の第２の吐出口６２が設けられた第２の部分６０Ｂとを有するノズル備え、ノズルの第１の部分６０Ａは、基板保持部により保持された基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間で延びており、ノズルの第２の部分６０Ｂは、基板保持部２２により保持された基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間で延びており、第１の部分と前記２の部分とはＶ字を成すように配置されている。 （もっと読む）

【課題】エッチング速度が大きく、シリコン酸化物に対するシリコン窒化物のエッチング選択比が高い液処理方法、液処理装置及び前記方法を記憶した記憶媒体を提供する。
【解決手段】シリコン窒化物とシリコン酸化物とが露出した基板をエッチング溶液によりエッチングするにあたり、フッ素イオン源と、水と、沸点調節剤とを混合してエッチング溶液を調製し、このエッチング溶液により前記基板をエッチングしたときにシリコン窒化物のエッチング速度が１００Å／分以上となり、シリコン酸化物のエッチング速度に対するシリコン窒化物のエッチング速度の比が７５以上となるように、当該エッチング溶液の温度を予め設定した時間１４０℃以上の温度に維持してから、当該エッチング溶液により前記基板をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】基板の処理対象面を下向きにして基板を処理する際に、基板下面に付着した純水をＩＰＡに効率よく置換すること。
【解決手段】基板処理方法は、処理対象面が下面となるように基板Ｗを保持して回転させる工程と、基板の下面にＤＩＷ（純水）を供給して基板にリンス処理を施す工程と、その後、基板の下面にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）とＮ_２ガスとを含むミストを供給してＤＩＷをＩＰＡで置換する工程と、を備える。ミストの供給は、基板の中心部に対向する位置と基板の周縁部に対向する位置の間に配列された複数の吐出口６２を有する、基板の下方に設けられたノズル６０により行われる。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に発生しうる薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、基板を加熱しながら加熱流体により基板のパターン形成面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置は、基板Ｗの周縁部を保持する保持部材を有し、基板を水平に保持する基板保持部２２，３０と、基板保持部を回転させる回転駆動部３９と、基板保持部に保持された基板の下面の下方に位置するように設けられ、基板保持部により保持された基板の下面に薬液を吐出する、吐出口を有するノズル６０と、ノズルに加熱した薬液を供給する薬液供給機構７０ａ，７０ｂと、基板保持部により保持された基板の上面を覆うカバー部材８０と、カバー部材に設けられ、カバー部材が基板の上面を覆っているときに基板の上面側から基板を加熱するヒーター８３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板の下面に薬液を吐出するノズルと、基板の下面に処理液とガスを混合した二流体を吐出するノズルとを有する液処理装置において、ガス吐出用のラインに薬液が侵入することを防止する。
【解決手段】装置は、基板の下面に薬液を含む処理流体を吐出するための第１の吐出口６１と、基板の下面に処理液とガスとを混合した二流体を吐出するための第２の吐出口６２と、を有するノズル６０とを備える。ノズルの第２の吐出口の部分において第２の吐出口に処理液を導くための処理液吐出路６７ｂと第２の吐出口にガスを導くためのガス吐出路６８ｂが合流している。二流体スプレー処理を実行する際は、二流体スプレー処理の実行に必要な第１の流量でガスが第２の吐出口に流され、二流体スプレー処理を実行しない場合には、少なくとも第１の吐出口から第１の薬液が吐出されているときには、第１の流量よりも少ない第２の流量でガスが第２の吐出口に流される。 （もっと読む）

【課題】基板の下面に効率良く液体洗浄および二流体洗浄を行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置（１０）は、基板保持部に保持された基板（Ｗ）の下方に位置して基板の下面に液体と気体とを混合してなる二流体を吐出することができるように構成されたノズル（６０）を備える。ノズルは、液体を吐出するための複数の液体吐出路（６７ａ）と、気体を吐出するための複数の気体吐出路（６７ｂ）とを有している。ノズルは、複数の液体吐出路にそれぞれ対応する複数の液体吐出口（６１）を有している。液体吐出口は、基板保持部に保持された基板の周縁部から内方に向かうように基板の下方に延びる水平線上に形成されている。液体吐出口は、気体吐出路に気体が供給されずに液体吐出路に液体が供給されているときに、液体吐出口から基板の下面に向けて吐出される液体の吐出方向が、基板の下面を含む平面に対して前記回転駆動部により回転させられる基板の回転方向に或る角度を成して傾斜するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】処理室とアーム待機部とを区画する壁に、ノズル支持アームが通過可能な開口が設けられているときに、この壁の開口をノズル支持アームにより塞ぐことにより処理室内の領域とアーム待機部の領域とを隔離することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０において、処理室２０とアーム待機部８０とを区画する壁９０が設けられており、この壁９０のアーム洗浄部８８にはノズル支持アーム８２が通過可能な開口８８ａが設けられている。ノズル支持アーム８２は、アーム待機部８０で待機しているときにこの壁９０のアーム洗浄部８８の開口８８ａを塞ぐようになっている。 （もっと読む）

【課題】基板の下面を効率良く洗浄することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置（１０）は、基板保持機構に保持された基板（Ｗ）の下面の下方に位置して基板の下面に処理液を吐出するノズル（６０）を備える。ノズルは基板の中央部に対向する位置から基板の周縁部に対向する位置の間に配列された複数の第１の吐出口（６１）を有している。第１吐出口は、基板の下面に向けて吐出される処理液の吐出方向が基板の回転方向の成分を持つように形成されている。 （もっと読む）

【課題】処理室内に複数のノズル支持アームを進出させることができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、処理室２０と、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して流体を供給するためのノズル８２ａと、ノズル８２ａを支持するノズル支持アーム８２と、処理室２０に隣接して設けられ、当該処理室２０から退避したノズル支持アーム８２が待機するためのアーム待機部８０と、を備えている。液処理装置１０において、ノズル支持アーム８２ｐ〜８２ｕは複数設けられており、ノズル支持アーム８２ｐ、８２ｒ、８２ｔはノズル支持アーム８２ｑ、８２ｓ、８２ｕと高さレベルが異なるようになっている。 （もっと読む）

【課題】処理時間の短縮が可能なエッチング装置及びエッチング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】水平面に対して傾斜した方向を第１方向とし、水平面と略平行であって且つ第１方向に対して略直交する方向を第２方向としたとき、処理基板を第１方向に傾斜させた状態で第２方向に沿って搬送する送りローラと、第１方向に沿って配置され、第２方向に沿った前方及び後方に向かって揺動しながら、前記送りローラによって搬送されている処理基板に向けてエッチングに必要な薬液を吐出する揺動ノズルと、前記送りローラによって傾斜した状態で搬送されている処理基板の傾斜上方に位置する一端部に対向するとともに第２方向に沿って配置され、前記揺動ノズルが前方端または後方端に到達したタイミングで処理基板に向けてエッチングに必要な薬液を吐出する間欠ノズルと、を備えたことを特徴とするエッチング装置。 （もっと読む）

【課題】臭気の発生及び装置や被エッチング基材等の腐食劣化の問題が抑制された、特に酸化インジウム系被膜に対し、充分なエッチング速度とエッチングの選択性を示すエッチング液組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）２−ヒドロキシエタンスルホン酸又はその塩を、２−ヒドロキシエタンスルホン酸換算で５〜２０質量％と、（Ｂ）フッ化水素、フッ化アンモニウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム及びフッ化リチウムから選ばれる少なくとも１種類のフッ化化合物０．０５〜５質量％とを含む水溶液からなることを特徴とする金属酸化物被膜のエッチング液組成物。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体の表面特性を向上できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、以下の工程を備えている。ＳｉＣ半導体の表面にイオン注入する。表面に酸化膜を形成する。酸化膜を除去する。形成する工程では、１５０ｐｐｍ以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、ＳｉＣ半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板を支持するスピンヘッドを提供する。
【解決手段】スピンヘッドは、回転可能なボディと、上部に突出し、かつ回転時ボディに置かれた基板の側部を支持するチャックピンとを有する。チャックピンは、上下方向にボディに提供された垂直ロッドを有する。基板が回転する時、垂直ロッドは基板から側方向に離隔するように位置される。支持ロッドは、流線型に提供された側面を有する。支持ロッドは、上部から見る時、幅が漸進的に減少する接触部を有することを特徴とする。 （もっと読む）