【課題】基板上に形成されたパターンの破損を回避しつつ、基板に対する洗浄能力を低下させずに洗浄を行うことができる。
【解決手段】基板上を複数の領域に区切り、領域毎にその位置情報とパターン情報を取得する情報取得部１１と、位置情報とパターン情報に基づいて、領域毎に基板に薬液を吐出するときの処理条件を決定する条件決定部１２と、基板に薬液を吐出する吐出部１５と、吐出部１５を基板の一端から他端への第１方向に向かって基板に対して相対的に移動する位置制御部１３と、位置制御部１３により移動される吐出部１５が基板上の領域の上方を通過するとき、前記処理条件に従って吐出部１５から吐出される薬液の圧力を調整する吐出調整部１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】広範囲にわたる基板の処理を行うことができるとともに、設置面積を削減することができる基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム及び基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板を収容する基板処理室内で気体と液体とを混合した２流体を基板に向けて吐出して基板の処理を行う基板処理装置において、前記基板処理室内に、ノズルの内部で２流体を混合して外部に吐出する内部混合手段と、ノズルの外部に２流体をそれぞれ吐出して外部で混合する外部混合手段とを設け、前記基板の表面側に前記外部混合手段を配置するとともに、前記基板の裏面側に前記内部混合手段を配置することにした。 （もっと読む）

【課題】基板を均一にエッチングするために有利な技術を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、第１面および第２面を有する基板の前記第１面をフッ化水素および硝酸を含むエッチング液によってエッチングするように構成され、前記基板の前記第２面を保持するチャックと、前記チャックを回転させることによって前記基板を回転させる回転機構と、フッ化水素および硝酸を含むエッチング液を前記回転機構によって回転させられている前記基板の前記第１面の中央部分に供給する第１供給部と、前記回転機構によって回転させられている前記基板の前記第１面の前記中央部分より外側の外側部分に補充液を供給する第２供給部とを含む。前記補充液は、フッ化水素および硝酸のうちの一方の酸を含み他方の酸を含まない。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板のエッチング方法であって、Ｓｉ基板を高速かつ平坦にウェットエッチングすることのできるエッチング方法を提供すること。
【解決手段】フッ硝酸は、一般にＨＦ（ａ）ＨＮＯ₃（ｂ）Ｈ₂Ｏ（ｃ）（ここで、ａ、ｂ及びｃの単位はｗｔ％、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００）と書ける。本発明者らは、組成を適切に選択することで、高濃度フッ硝酸によるＳｉＯ₂層のエッチングレートがＳｉ基板と比較して著しく低くなることに見出し、Ｓｉ基板を、ＳｉＯ₂層が露出するまでエッチングを行う。このようにすることで、Ｓｉ基板を高速にエッチングすることができ、かつ、エッチングされた表面の平坦性を従来に比して顕著に向上することができる。高濃度フッ硝酸の組成が僅かにＳｉＯ₂層をエッチングするものであっても、Ｓｉ基板のエッチングが高速に終了するため、実質的にＳｉＯ₂層のエッチングはほとんど進まず、平坦な表面を有するＳｉＯ₂層が露出する。 （もっと読む）

【課題】エッチング後のウェーハにおいて、残留エッチング液による再反応を、コストを増大することなくかつ簡便に抑制できるウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウェーハＷを浸漬可能なリンス槽３１に満たされた洗浄液Ｌの液面Ｌ１より上方に上方ノズル３４を設け、ウェーハＷを立てた状態で洗浄液Ｌに浸漬し、上方ノズル３４からリンス槽３１の底部に向かって噴射液Ｆを噴射して、空気を巻き込みながら噴射液Ｆをリンス槽３１内に導入することでウェーハＷを洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 周縁部９８１に凝固対象液としてのＤＩＷが付着した基板Ｗを略水平に保持しながら回転し、基板Ｗの周縁部９８１に、凝固手段３５から凝固用気体である窒素ガスを供給して基板Ｗの周縁部９８１に付着するＤＩＷを凝固し、凝固手段３５から窒素ガスが供給されているとは離間した位置に、融解手段４１から融解液であるＤＩＷを供給してＤＩＷの凝固体を融解する。これにより、基板Ｗを回転しながら連続して凝固対象液の凝固と融解を行うことが可能となり、処理に要する時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】処理液の消費量を低減しつつ、基板の主面全域に処理液を供給することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗの上面および下面に非接触で当該基板Ｗを水平に保持するスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板Ｗの上面および下面に処理液を供給する処理液供給機構と、スピンチャックに保持された基板Ｗを取り囲む環状部材４とを備えている。環状部材４は、基板Ｗの上面周縁部を取り囲む上側環状親水面２９と、基板Ｗの下面周縁部を取り囲む下側環状親水面３０とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板の中心部付近であってもムラの無い表面処理を可能にする。
【解決手段】基板１２の被処理面を水平に支持した状態でテーブル１０の中央部表面に、当該テーブル１０の回転軸をその中心軸とする突起部１３を形成しておく。表面処理時には、突起部１３の基端からテーブル１０の外周端部方向に所定距離だけ離れ、且つ、それぞれ突起部１３の先端から等距離となるテーブル１０上の複数の部位に、基板１２をその被処理面が水平になるように支持した状態でテーブル１０を回転させる。そして、回転中のテーブル１０の突起部１３の先端から鉛直下方にノズル１４から処理液を供給して拡散させた後、各基板１２の被処理面に到達した処理液を、遠心力によってテーブル１０の外部に払拭させる。 （もっと読む）

【課題】短時間で被処理基板の周縁部の温度を上げて薬液による処理効率を高めることが可能な液処理装置などを提供する。
【解決手段】鉛直軸周りに回転する被処理基板Ｗに、薬液供給部６２から薬液を供給して液処理を行う液処理装置１において、被処理基板Ｗの上面に空間を介して対向するように設けられたカバー部材５には、ガス供給口５１が設けられており、このガス供給口５１から空間に向けてガスを供給する。このガスはカバー部材５１の周縁部に下方側に突出して設けられた突出部と被処理基板Ｗとの隙間を介して当該空間から流出する。さらにこの空間には被処理基板Ｗの周縁部を加熱するランプヒーター６１が被処理基板Ｗの周方向に沿って配置されており、薬液供給部６２から供給される薬液はこのランプヒーター６１の配置位置よりも周縁部寄りに供給される。 （もっと読む）

【課題】流体メニスカス内の活性空洞によってウェハ表面を処理可能である基板処理装置を提供する。
【解決手段】該装置は、作動時に基板１０８の表面に近接するプロキシミティヘッド１０６ａ,１０６ｂを有する。装置は、また、プロキシミティヘッド１０６ａ,１０６ｂの表面に、プロキシミティヘッド１０６ａ,１０６ｂ内に形成された空洞に通じる開口を有し、空洞は、開口を通じて基板１０８の表面に活性剤を送る。装置は、更に、プロキシミティヘッド１０６ａ,１０６ｂの表面に、開口を取り囲む流体メニスカスを基板１０８の表面上に生成するように構成された複数の導管を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の全域に対して、薬液による処理を均一に施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】高温エッチング液供給工程では、高温（約６０℃）のエッチング液がウエハの表面に供給される。このエッチング液の供給と並行して、ウエハが回転される。高温エッチング液供給工程の後、ウエハＷの回転速度が所定の低回転速度（たとえば１０ｒｐｍ）まで減速される。また、ＤＩＷノズル６からＤＩＷ、回転中のウエハＷの表面の中央部に供給される。ウエハＷ表面に供給されたＤＩＷにウエハＷの回転による遠心力はほとんど作用せず、ウエハＷ表面の中央部に供給されたＤＩＷは当該中央部に留まり、ウエハＷ表面の周縁部にエッチング液が残留する。この残留エッチング液により、ウエハＷ表面の周縁部がエッチング処理される。 （もっと読む）

【課題】処理液消費量の低減を実現できるとともに、基板の広範囲に処理液を行き渡らせることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ノズル３の対向面２３には吐出口２６が形成されている。対向面２３を、水平姿勢のウエハＷ表面に微小間隔Ｓを隔てて対向配置させる。ウエハＷの回転開始後、ウエハＷ表面の対向領域Ａ１と対向面２３との間の空間にＤＩＷを供給し、当該空間を液密状態とするとともにＤＩＷの供給を停止して、当該空間にＤＩＷの液溜まりＤＬを形成する。液溜まりＤＬの形成後、吐出口２６からＤＩＷが吐出される。ウエハＷの表面にＤＩＷの液膜が形成された後、吐出口２６からＤＩＷに代えて薬液が吐出される。ウエハＷの表面を覆う液膜が、ＤＩＷから薬液へと置換される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のエッチング時において被処理基板のエッチング量の面内均一性を向上させることが可能な基板の処理装置を提供する。
【解決手段】ガスの供給部および排気部を有する処理チャンバ；処理チャンバ内に配置され、被処理基板を回転可能および上下動可能に保持する保持部材；チャンバに供給するガスの温度調整を行うための第１温度調整器；被処理基板にエッチング液を供給してエッチング処理を行うためのエッチング液供給部材；エッチング液供給部材とチャンバの外部で接続されたエッチング液供給タンク；タンク内のエッチング液の温度調整を行うための第２温度調整器；および第１、第２の温度調整器によるガスの温度調整およびエッチング液の温度調整をチャンバ内の温度がタンク内のエッチング液の温度より高く、かつそれらの温度差を一定になるように制御するための制御機構；を具備した基板の処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板主面の全面に亙るウェット処理の均一化を図り、処理の歩留まりの向上や品質改善を達成することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】スプレーパイプ部２２と、スプレーパイプ部２２の長手方向に一列に互いに近接して形設され薬液をその吐出口２６から基板Ｗの表面１０２へ吐出する複数のノズル部２４から構成される複数のスプレーノズル１４とを備え、基板Ｗの表面１０２に対する複数のノズル部２４の吐出口２６の対向角度を、傾斜させた姿勢で搬送される基板Ｗの表面１０２の傾斜下端方向に向けて、基板Ｗの表面１０２の傾斜上端部付近から傾斜下端部付近にかけて、基板Ｗの表面１０２の法線３００に対して漸次小さくなるように、複数のノズル部２４を複数のスプレーパイプ部２２に形設することにより、基板Ｗの表面１０２上において吐出後の薬液の流速を傾斜上端部付近では相対的に小さく傾斜下端部付近では相対的に大きくする。 （もっと読む）

【課題】表面及び裏面にチタン含有膜が形成された基板の裏面からチタン含有膜を除去するときに、基板の裏面に残留するチタン元素を従来より短い時間で除去することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の裏面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を支持する支持部により、表面及び裏面にチタン含有膜が形成されている基板を支持し、支持部に支持されている基板を、支持部とともに回転させ、回転する基板の裏面にフッ酸を含む第１の処理液を供給し、供給した第１の処理液により基板の裏面を処理する第１の工程Ｓ１１と、第１の工程Ｓ１１の後に、回転する基板の裏面にアンモニア過水を含む第２の処理液を供給し、供給した第２の処理液により基板の裏面を処理する第２の工程Ｓ１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ／Ｍｏ積層金属膜、Ｃｕ／Ｍｏ合金積層金属膜、Ｃｕ合金／Ｍｏ合金積層金属膜のような、銅又は銅合金の１層以上の銅層と、モリブデン又はモリブデン合金の１層以上のモリブデン層とを含む多重膜を、効率的で優秀に同時に一括してエッチングすることができるエッチング液組成物及びこれを用いた多重膜のエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング液組成物は、総重量に対して、リン酸５０〜８０ｗｔ％；硝酸０．５〜１０ｗｔ％；酢酸５〜３０ｗｔ％；イミダゾール０．０１〜５ｗｔ％；及び残量の水を含む。添加剤イミダゾールは、銅／モリブデンガルバニック反応調節剤として機能する。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチング装置において、処理能力を高く、設置面積を小さく、装置価格を低く、かつ、エッチングレートの安定性及び均一性を良くすることが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】ウエットエッチング装置は、複数のウエハ７を起立状態で載置するウエハカセット２０４に保持された複数のウエハ７それぞれの主面７ａに噴射面１ａを対向させて配置される複数の平面ノズル１を備える。そして、各噴射面１ａは、対応するウエハ７の主面７ａに対しエッチング液を放出可能となっている。 （もっと読む）

【課題】全てのチャックピンが基板との接触を高速回転時にも維持でき、スピンヘッド本体の熱変形によるチャックピンの設定位置のずれを防止できるスピンヘッドを提供する。
【解決手段】本体と、本体から上方に突出して設置されるチャックピンと、本体上に置かれた基板の側部を支持する支持位置及び本体の中心から支持位置より離れた待機位置の間でチャックピンを移動させ、且つチャックピンが待機位置にある場合には本体上に基板を着脱可能に置く余地を与えるように、チャックピンと固定結合される移動ロッド６２０、回転可能で支持位置に位置したチャックピンが待機位置に移動できるように外側面に突起７２０を有するカム７２０、及びチャックピン各々が互いに独立して待機位置から支持位置に向かう方向へ移動できるように、移動ロッド６２０各々に独立して復元力を印加するチャックピン復元器７８０を有するチャックピン移動ユニットと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 基板の上部面と下部面を効率的に洗浄またはエッチングできる基板加工装置を提供する。
【解決手段】 基板加工装置は、基板を支持し、支持された基板を回転させる。薬液、洗浄液、及びガスのうち、少なくとも１つを回転する基板の下部面に選択的に噴射する。基板の下部面に噴射される薬液、洗浄液、及びガスと同一の薬液、洗浄液、及びガスのうち、少なくとも１つを回転する基板の上部面に選択的に噴射する。従って、基板の下部面を洗浄またはエッチングするために基板の下部で薬液、洗浄液、及びガスを噴射することで、基板の上部面と下部面に対する工程を同時に進行することができる。 （もっと読む）

【課題】加熱浴技術に伴う問題を解決する新たな窒化シリコンをエッチングする装置及び方法。
【解決手段】シリコンウエハ上の窒化シリコン層を除去するために、リン酸を密封チャンバ内でウエハに塗布する。リン酸を、ミスト又はエアロゾル状としてウエハに噴霧又は吹付してもよい。ウエハを、処理温度まで加熱した後に、ウエハ上にリン酸を被覆した状態で、処理温度で又は処理温度付近で維持する。次に、リン酸の加熱と塗布を停止し、ウエハを冷却し、処理チャンバから取除く。処理チャンバの上にある赤外線放射組立体により、赤外線放射をチャンバに投じて、ウエハを加熱してもよい。任意には脱イオン水及び／又は窒素ガスを被加工物に吹付して、ウエハを冷却してもよい。冷却用組立体を使用して、赤外線放射組立体を冷却してもよい。窒化シリコンを、極少量のリン酸を使用して、従来の高温リン酸浴技術のリスクや短所なしに、迅速に除去できる。 （もっと読む）