【課題】重合基板から剥離された被処理基板を適切に保持し、当該被処理基板の搬送又は処理を適切に行う。
【解決手段】剥離システムは、重合ウェハから剥離された被処理ウェハＷを搬送又は処理する際に、当該被処理ウェハＷを非接触状態で保持する保持部６０を有している。保持部６０の保持面６１には、気体を噴出する複数の噴出口６２と気体を吸引する複数の吸引口６３とが形成されている。複数の噴出口６２と複数の吸引口６３は、保持部６０に保持される被処理ウェハＷに対応する位置全体に亘って形成されている。剥離システムにおいて、保持部６０は、被処理ウェハＷを搬送する搬送装置、被処理ウェハＷの表裏面を反転する反転装置、重合ウェハを被処理ウェハＷと支持ウェハに剥離する剥離装置、被処理ウェハＷを洗浄する洗浄装置、被処理ウェハＷを検査する検査装置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】Ｔｉ等の特定の金属材料からなる層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｖ、Ａｌ、及びＧｅの少なくとも１種を含む金属材料層と、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、及びＳｉＯＮの少なくとも１種を含むケイ素化合物層とを有する半導体基板にエッチング液を適用し、前記金属材料層を選択的に溶解するエッチング方法であって、前記エッチング液として、フッ素化合物と、炭素数が８以上の疎水性基と１つ以上の親水性基とを有する特定有機化合物とを含み、ｐＨを３〜７に調整したものを使用するエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に発生しうる薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、ウエハのパターン形成面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、ウエハＷの上方に設けられ、ウエハＷに薬液を吐出する吐出口を有する処理流体ノズル６５と、処理流体ノズル６５に薬液を供給する処理流体供給機構７０と、処理流体ノズル６５によりウエハＷに薬液が吐出される際にウエハＷを上方から覆うことができるカバー機構６０と、を備えている。カバー機構６０は、カバー機構６０がウエハＷを上方から覆う下降位置と、下降位置よりも上方に位置する上昇位置との間で、昇降駆動機構７８により上下方向に駆動される。また液処理装置１０は、カバー機構６０が上昇位置にある時にウエハＷをカバー機構６０から上下方向において遮蔽することができ、清浄ガスのダウンフローを生成するエアフード３１をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子や回路基板など電子回路部に用いられる部材をエッチング加工にて製造するためのエッチング加工処理において、非リターン液の発生をできるだけ抑え、且つ、安定的なエッチング加工を行うことができるエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】 処理する際の前記基材の搬送方向、前記エッチング処理を処理槽内において行うエッチング処理部の後、前記洗浄処理を行なう洗浄処理部の前、前記処理槽の外において、エアを上側から基材およびコンベアに吹きつけて、エアの力により基材およびコンベアに残留しているエッチング液を、下側に落下させるエッチング液落下処理部と、落下させたエッチング液を受ける落下液受け部と、該受け部に落下させたエッチング液をリターン液として回収利用する回収経路とを有し、前記落下液受け部で受けたエッチング液をリターン液として回収利用するものである。 （もっと読む）

【課題】薬液の消費量を抑えながら、基板の処理を均一に行う。
【解決手段】基板１を移動しながら、薬液２が入った薬液タンク２３から、可変出力ポンプ２５及び制御弁８０が設けられた配管２４を介して、薬液ノズル２１へ薬液２を供給し、薬液ノズル２１から基板１へ薬液２を吐出する。薬液ノズル２１から基板１へ吐出した薬液２を回収して薬液タンク２３へ戻し、薬液タンク２３から薬液ノズル２１へ供給する薬液２の濃度を検出し、薬液２の濃度の検出結果に応じ、可変出力ポンプ２５を制御し又は制御弁８０を作動させて、薬液タンク２３から配管２４を介して薬液ノズル２１へ供給する薬液２の量を変更する。 （もっと読む）

【課題】パターンを含む薄膜を有するパターン形成面と、パターンを含まない薄膜を有するパターン非形成面とを有する基板Ｗに生じる反りを除去する。
【解決手段】基板反り除去装置１０は基板Ｗを保持する保持プレート３０と、基板Ｗのパターン非形成面Ｗ２側に設けられ、パターン非形成面Ｗ２に形成された薄膜Ｆ２を除去するためエッチング液を供給する処理液供給管４０と、基板Ｗの反りを検出する第１レーザ変位計４および第２レーザ変位計５とを備えている。第１レーザ変位計４および第２レーザ変位計５からの信号に基づいて、制御部３は基板Ｗの反りがなくなったことを確認する。制御部３が基板Ｗの反りがなくなったと判断した場合、制御部３は処理液供給管４０からのエッチング液の供給を停止する。 （もっと読む）

【課題】処理室内の付着物を洗浄可能な液処理装置および液処理装置の洗浄方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを液処理する液処理装置１において、ウエハＷを水平に支持し回転可能なウエハ支持部材１０と、ウエハ支持部材１０の上方を覆いウエハ支持部材１０と共にウエハＷを液処理するための処理室Ｓを形成するカバー２０と、カバー２０の外周部２３とウエハ支持部材１０の外周部１３との間を開放する開位置と、閉鎖する閉位置との間で、カバー２０を昇降させる昇降機構１３２と、処理室Ｓ内に配置され、回転するウエハＷに処理液を供給する液供給部材３０（４０）と、ウエハ支持部材１０によりウエハＷを支持していない状態で、カバー２０の位置を閉位置に設定し、液供給部材３０（４０）により処理室Ｓ内に所定量の洗浄液を供給した後、カバー２０の位置を開位置に変更する制御装置７０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 基板の表裏両面を均一に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 処理槽１１にエッチング液を貯留するエッチング液供給工程と、ガラス基板１００を搬送ローラ２１により搬送してエッチング液が貯留された処理槽１１内に進入させる基板搬入工程と、ガラス基板１００の下面からエッチング液を吐出することによりガラス基板１００を搬送ローラ２１より上方で、かつ、処理槽１１に貯留されたエッチング液の液面より下方の位置まで浮上させるエッチング液吐出工程と、エッチング液の吐出を停止してガラス基板１００を搬送ローラ２１と当接する位置まで下降させる基板下降工程と、処理槽２１に貯留されたエッチング液を排出するエッチング液排出工程と、ガラス基板１００を搬送ローラ２１により搬送して処理槽１１より退出させる基板搬出工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】貴金属粒子の残留を抑えながら、基板上に貴金属含有シリサイド膜を生産性良く形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１上、又は基板１上の導電膜５０上に、貴金属を含む金属膜を形成する工程（ａ）と、基板１に熱処理を加えて金属膜とシリコンとを反応させ、基板１上又は導電膜５０上に貴金属を含む金属シリサイド膜１１ａ、１１ｂを形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、金属膜のうち未反応の金属を第１の薬液を用いて溶解するとともに、金属シリサイド膜１１ａ、１１ｂの上面上に酸化膜１２を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後、第１の薬液と異なる第２の薬液を用いて基板１上及び導電膜上に残留する貴金属の表面に形成された第２の酸化膜１４を除去する工程（ｄ）と、工程（ｄ）の後、第１及び第２の薬液と異なる第３の薬液を用いて残留する貴金属を溶解する工程（ｅ）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 処理液による処理中の基板への処理液の飛沫の付着を防止して清浄に保つことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 気体吐出ノズル１１は中心に開口１１ｇを有する円環状で、本体１１ａの外側の側面１１ｂには上下２列に並んだ多数の外側気体吐出穴１１ｃが、開口１１ｇの側面１１ｄには１列に並んだ多数の内側気体吐出穴１１ｅが形成される。処理中に、基板Ｗは外側気体吐出穴１１ｃ、内側気体吐出穴１１ｅからの気体により覆われて液の飛沫が付着することがない。 （もっと読む）

【課題】基板処理に伴うパーティクルの再付着を抑制するとともに、基板処理の均一性を向上する。
【解決手段】処理槽内の液面レベルを、処理槽内に保持される基板よりも下の液面レベルに制御し、その処理液を、第１循環手段に備えられた第1吐出部から基板に向けて処理槽内で空中吐出する。そのため、基板は処理槽内に貯留された処理液と接触することがなく、基板処理に使用した後の処理液中に含まれるパーティクルが基板に再付着することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面の検査結果に応じて基板を適正に処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置における搬入部１１と、第１処理部１２と、第２処理部１３と、搬出部１４とは、昇降用モータ２０の駆動により、それらが水平面に対して平行に向く位置と水平面から傾斜した位置との間を、軸１５を中心に一体となって揺動する。制御部がエッチングすべき膜の膜厚が均一であると判断した場合には、第１処理部１２および第２処理部１３を、搬入部１１および搬出部１４とともに、水平面に対して傾斜させる。制御部がエッチングすべき膜の膜厚が不均一であると判断した場合には、第１処理部１２および第２処理部１３を、搬入部１１および搬出部１４とともに、水平面と平行に向く位置に配置する。 （もっと読む）

【課題】ハウジングの天井面などに処理液や蒸気などが付着しない枚葉式の基板処理装置を提供する。
【解決手段】ハウジング１と、前記ハウジング１内に基板３を保持する保持手段２と、前記基板３の処理面３ａに対して処理液を供給する供給手段８と、前記ハウジング１内に気体を取り込む取り込み口１ａと、前記ハウジング１内の処理液の蒸気を当該ハウジング１から排出する排出口１ｃとを備え、前記保持手段２は前記処理面３ａを前記ハウジング１の底部１ｂに向けて前記基板３を保持し、前記取り込み口１ａから前記排出口１ｃへ向かう気流を形成し、前記気流によって処理液の蒸気を当該ハウジング１から排出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液相処理をより均一に行うことができる処理装置等を提供する。
【解決手段】本発明に係る処理装置は底面と、前記底面に連続する側面と、前記側面と連続する第１開口と、前記側面に位置する第２開口と、を有する処理槽と、前記第２開口に設けられた導入部と、前記導入部から前記処理槽内に延び、末端部を有する配管と、前記配管に設けられた複数の吐出孔と、を含み、前記複数の吐出孔は、第１吐出孔と、第２吐出孔と、を含み、前記第２吐出孔は、前記第１吐出孔よりも前記末端部側に配置され、前記第１吐出孔の開口面積は前記第２吐出孔の開口面積より大きい。 （もっと読む）

【課題】電極を被覆している二酸化珪素膜をエッチングすることなく、また電極をエッチングすることなくシリコン基板の裏面から電極を露出させることができる加工方法を提供する。
【解決手段】ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、シリコン基板２１の裏面を電極２１４を露出させることなく研削する工程と、シリコン基板の裏面をエッチング液によってエッチングしシリコン基板の裏面に電極を露出させる工程とを含み、エッチング工程は、シリコンに対してエッチングレートが高いエッチング液を用いてシリコン基板をエッチングして二酸化珪素２１５膜が被覆された電極をシリコン基板の裏面に不完全に露出させる工程と、シリコンをエッチングするとともに二酸化珪素に対してエッチングレートが低いエッチング液を用いてシリコン基板をエッチングして二酸化珪素膜で被覆された電極をシリコン基板の裏面から突出させる工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置において処理液の飛散を抑制する。
【解決手段】基板処理装置では、回転する基板９の上面に向けてノズル３４から処理液を吐出することにより、基板９に対する洗浄処理が行われる。基板処理装置では、ノズル３４から吐出された処理液が基板９に接触する位置における処理液の接触方向の水平成分が、接触位置における基板９の回転の接線方向を向く、または、当該接線方向から径方向外側に傾斜する。これにより、基板９上の処理液の基板９の回転に伴う移動が、ノズル３４からの吐出される処理液により阻害されることが抑制される。その結果、基板９上を移動する処理液とノズル３４から吐出される処理液との衝突の勢いが低減され、基板９から上方へと処理液が飛散することをより抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の周端面への処理液の回り込みを制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平姿勢で保持して鉛直な回転軸線Ｃまわりに回転するスピンチャック１と、基板Ｗの上面に処理液を供給する処理液ノズル２，３と、リング部材１０とを含む。リング部材１０は、基板Ｗの周端面に回転半径外方から隙間を開けて対向する対向面を有し、この対向面に気体吐出口１１０を有している。スピンチャック１には、基板Ｗの周縁部下面に密接し、かつ気体吐出口１１０よりも下方においてリング部材１０に密接する周縁シール部材２１を有している。スピンチャック１は、センターチャック７と、回転ベース８とを有している。回転ベース８に形成された不活性ガス経路６８空、気体吐出口１１０への不活性ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】処理室内に溜まった処理液の泡を、簡単な設備を用いて効果的に除去する。
【解決手段】吸引口３０ｆ及び排出口３０ｇと、圧縮空気導入口３０ｈとを有し、圧縮空気を圧縮空気導入口３０ｈから排出口３０ｇへ流し、吸引口３０ｆと排出口３０ｇとの間に生じた圧力差により吸引口３０ｆから吸引した物を、圧縮空気と共に排出口３０ｇから排出するエジェクタ３０を用い、処理室２０内に溜まった処理液の泡を、第１の配管３１を介して吸引口３０ｆから吸引し、吸引した処理液の泡を圧縮空気の圧力でつぶして液化し、液化した処理液を圧縮空気と共に排出口３０ｇから第２の配管３２を介して処理室２０内へ吐出する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にダメージを与えることなく良好に液処理することができる２流体ノズルや同２流体ノズルを用いた基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを提供すること。
【解決手段】本発明では、第１の液体を吐出する第１の液体吐出口（４５）と、気体を吐出する気体吐出口（４７）とを有し、第１の液体吐出口（４５）から吐出した第１の液体と気体吐出口（４７）から吐出した気体とを外部で混合して被処理体（基板２）に向けて混合流体（５２）を噴霧する２流体ノズル（３４）において、被処理体（基板２）に噴霧された混合流体（５２）の被処理体上での外縁部に第２の液体を供給するための第２の液体吐出口（５３）を有することにした。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜に対するシリコン窒化膜の高いエッチング選択比と、シリコン窒化膜の高いエッチングレートとを両立しうる技術を提供する。
【解決手段】エッチング方法は、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜が表面に露出した基板に、加熱されたＨ_２ＳＯ_４を供給して基板を加熱するプリヒート工程と、その後、前記基板に、加熱されたＨ_２ＳＯ_４と、ＨＦ、ＮＨ_４ＦおよびＮＨ_４ＨＦ_２のうちの少なくともいずれか一つと、Ｈ_２Ｏとの混合液体を供給するエッチング工程と、を備えている。 （もっと読む）