【課題】複数の液体を混合してなる混合液を用いる液処理装置における混合液の濃度について、大きなコストをかけることなく、よりワイドレンジな調整を実現すること。
【解決手段】液処理装置１０は、主配管２０と、主配管に接続された液供給機構４０と、主配管から分岐する複数の分岐管２５と、各分岐管に接続された複数の処理ユニット５０と、を有する。液供給機構４０は、主配管上に設けられた混合器４３と、第１液源からの第１液を前記混合器へ供給する第１液供給管４１ｂと、第２液源からの第２液を前記混合器へ供給する第２液供給管４２ｂと、を有する。第２液供給管４２ｂに流量調整バルブ４２ｄが設けられると共に、主配管２０を液供給機構４０に対して他側から開閉し得る主開閉機構２２が設けられている。前記混合比に基づいて流量調整バルブ４２ｄと主開閉機構２２とが制御される。 （もっと読む）

【課題】 基板の全面に対して、ウエット処理を均一に施すことができるようにした噴射式で傾斜搬送型のウエット処理装置を提供する。
【解決手段】 処理液供給機構４は、傾斜姿勢で水平搬送される基板Ｗの上方に配置され、基板Ｗの上面へ向けて噴射する噴射ノズル４１は、基板Ｗの搬送方向（ｘ方向）に延在するスプレーパイプ４２に取り付けられている。各スプレーパイプ４２は、一つ上方へ隣のスプレーパイプ４２との間隔が、下方のスプレーパイプ４２より狭い間隔に配置している。また、噴射ノズル４１は、下方ほど、ノズル吊下具４３を長寸にすることにより、噴射ノズル４１と基板Ｗとの距離を、下方ほど小さくしている。 （もっと読む）

【課題】エッチング液に含まれるインジウムイオン及びスズイオンの内、特にインジウムイオンの濃度を適切な濃度に維持することができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】蓚酸を含むエッチング液Ｌが貯留された貯留槽１１からノズル体１６，１７にエッチング液Ｌを供給して吐出させ、酸化インジウムスズ膜が形成された基板Ｋをエッチングするとともに、ノズル体１６，１７から吐出されたエッチング液Ｌを貯留槽１１内に回収するエッチング工程と、貯留槽１１内に貯留されたエッチング液Ｌをキレート剤が充填された吸着容器３２，３３内に通液させて、エッチングによりエッチング液Ｌに含まれるようになったインジウムイオン及びスズイオンを吸着，除去した後、貯留槽１１内に還流させる金属除去工程とを含むエッチング方法において、貯留槽１１内に貯留されるエッチング液Ｌのインジウムイオンの濃度を２６０ｐｐｍ以下に維持する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の周縁部の処理幅を正確に制御することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。
【解決手段】この装置は、ウエハＷを保持して回転するスピンチャック１と、スピンチャック１の上方に配置された遮断板１０とを備える。遮断板１０は、ウエハＷの上面の周縁部に対向する位置に、環状部材３２を有する。環状部材３２は、ウエハＷの上面の周縁部に対向するウエハ対向面４５と、内側の空間と外側の空間とを連通させる気体流通路４９を有する。また環状部材３２の内側の空間に気体を供給する気体供給手段１８，３０を有する。中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、エッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜を形成する。この液膜は、環状部材３２の内周縁付近から内方へ入りこむことがない。 （もっと読む）

【課題】基板上に供給された処理液の逆流を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象となる基板Ｗはローラコンベア１０によって矢印ＦＷの基板進行方向に移動される。移動される基板Ｗの面上に液盛りノズル２０，３０によって現像液が隙間無く液盛りされて、現像処理が進行する。基板Ｗ上に液膜が形成されているときに、微差圧計４０が液盛りノズル２０よりも前方側に形成される前方側空間と後方側に形成される後方側空間との気圧差を検出する。制御部９０は、微差圧計４０の検出結果に基づいて、後方側空間が前方側空間よりも高圧となるように、ファンフィルタユニット５０から後方側空間に供給する空気の供給流量を制御する。液盛りノズル２０よりも後方側空間を前方側空間よりも高圧にすれば、現像液の逆流を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の周縁部の処理幅を正確に制御することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。
【解決手段】この装置は、ウエハＷを保持して回転するスピンチャック１と、スピンチャック１の上方に配置された遮断板１０とを備えている。遮断板１０は、ウエハＷの上面の周縁部に対向する位置に、環状部材３２を有している。環状部材３２は、ウエハＷの上面の周縁部に対向するウエハ対向面４５を有する。中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、このエッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜を形成する。この液膜は、環状部材３２の内周縁付近から内方へ入りこむことができない。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で、ウェーハの表面全体において良好な平坦度が得られるようにした、枚葉式エッチング装置及び方法を提供する。
【解決手段】回転しているウェーハ２の表面にノズル２１からエッチング液を供給してウェーハ２の表面を１枚ずつエッチングする枚葉式エッチング装置において、ノズル２１をウェーハ２の回転中心Ｏ_１を通る揺動軌跡Ｌでウェーハ２の表面に沿って揺動させるノズル揺動装置２４を備えるとともに、ノズル２１が揺動方向に対して直交する方向に延びたスリット形状の吐出口２１ａを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】被処理物を支持する支持台と被処理物との間にエッチング液が侵入するのを防止または抑制することのできる支持装置およびエッチング方法を提供すること。
【解決手段】ワーク１０の被処理面１０１にエッチング液を供給することにより、ワーク１０に対して所望のエッチング処理を行う際に、ワーク１０を支持する支持装置２であって、ワーク１０を支持するする支持面３１を有する支持台３と、支持台３に形成され、支持面３１にワーク１０を支持した状態にて、ワーク１０の縁部に位置し、支持面３１に開放する吸引孔４と、吸引孔４からエッチング液を吸引する吸引手段５とを有する。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止つつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗに形成された凸形状パターンの表面に撥水性保護膜を形成するために、基板表面に希釈した撥水化剤を供給する。撥水剤と希釈剤との混合から基板表面に供給される迄の時間が長くなるほど撥水能力は低下するので、撥水化剤と希釈剤を混合する混合バルブ６１は、希釈撥水化剤を吐出するノズル６４の直前に設けられ、撥水化剤の撥水化能力の低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定したエッチング処理を行うことができるエッチング処理方法、微細構造体の製造方法、およびエッチング処理装置を提供する。
【解決手段】硫酸溶液を電気分解して酸化性物質を生成するとともに、生成される前記酸化性物質の生成量を制御して、所定の酸化種濃度を有するエッチング溶液を生成し、生成された前記エッチング溶液を被処理物の表面に供給すること、を特徴とするエッチング処理方法が提供される。 （もっと読む）

単結晶シリコン基板を加工する方法において、シリコン基板は水平方向の搬送経路に沿って平坦にして搬送され、表面を微細加工するエッチング溶液はノズルなどの手段によって上から供給される。エッチング溶液は、シリコン基板の上面に連続的に数回にわたって上から供給され、基板の上面に残り、シリコン基板と反応する。
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【課題】ナノバブルを含む液体中のナノバブルを生成して基板に供給する際に、ナノバブルの個数を把握して基板の処理ができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】予め粒径の確定している標準粒子を混合用の液体８１で混合し、標準粒子を混合した混合用の液体中の単位体積当たりの標準粒子の個数をカウンタ８６で計測し、この混合用の液体８１を基準液として、投入したい標準粒子の個数を含む量の基準液をナノバブルＮＢを含む液体Ｌに入れ、粒度分布測定器１００によりナノバブルを含む液体中の標準粒子の粒度分布Ｆ１とナノバブルの粒度分布Ｆ２とを求め、ナノバブルを含む液体Ｌ中の標準粒子の粒度分布Ｆ１のピーク値Ｐ１に対応する標準粒子の個数を基準として、ナノバブルの粒度分布Ｆ２のピーク値Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４に対応するナノバブルの個数を求める。 （もっと読む）

【課題】洗浄ムラの発生を防止して、洗浄後の被洗浄物の品質の低下を防止することができる洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】洗浄装置１は、基板１２を搬送する搬送コンベア３と、搬送される基板１２に対して、搬送コンベアの搬送方向と直交する全幅に渡って、洗浄剤１０を帯状に連続的に吹き付けて、基板１２を洗浄する洗浄剤吹き付けノズル４とを備えている。 （もっと読む）

【解決手段】ウエハを支えるチャックにおける温度関連の劣化又は変形に対する耐性の向上は、チャック部品を高温処理流体による効果から物理的に且つ／又は熱的に保護する少なくとも１つの遮蔽部材によって提供される。 （もっと読む）

【課題】先端から噴射される液体の流速の大幅な低減を図ることができ、白内障手術用ハンドピースなどに適用して好適な処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置は、第１の管とこの第１の管を取り囲む第２の管３１とを有する。第２の管３１の内周面に螺旋状の溝３１ｃを設ける。第１の管の一端から吸引を行いながら第１の管の他端側から第１の管と第２の管３１との間の空間に液体を流し、第１の管の一端側から液体を旋回噴流として噴射する。処理装置は例えば白内障手術用ハンドピースである。 （もっと読む）

【解決手段】枚葉式ウエハ湿式処理のための装置におけるスピンチャックは、ウエハのエッジ周りでウエハのチャック対向面から流れるガスを方向付けてウエハの非チャック対向面から離れるようにガスを排出する一連の環状ノズルを、支持されたウエハと共に形成する構造を周囲に有しており、それによって、非チャック対向面に供給された処理流体がウエハのエッジ領域に触れることを防止する。拡大ヘッドを備えた保持ピンがウエハエッジと係合し、高流量のガスが利用された場合にウエハが上方にずれることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】エッチング工程における不良の発生を減少させることができるエッチング装置を提供する。
【解決手段】本発明によるエッチング装置は、基板が挿入または排出されるように開放された開口を有する複数のチャンバーと、前記各チャンバーの内部に設置されて、薬液を噴射する噴射部材と、前記各チャンバーの前記開口と隣接するように設置されて、前記開口に流通する気体を吸入する遮断部材と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のエッチングにおいて、最適なエッチング速度でエッチング処理を施すことができ、配線パターンの粗密やパターン形状に依存せず、サイドエッチングや異方性エッチングを抑制し、且つエッチング残渣の発生を抑制するエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 酸化亜鉛系結晶からなる薄膜を、エッチング液を用いてエッチングするエッチング方法であって、成膜基板上に前記薄膜を形成し、該薄膜の表面全体を亜鉛及び／又は亜鉛酸化物を構成成分とする炭化物系化合物からなる被膜によって被覆した後エッチング処理を施し、エッチング処理の途中から前記薄膜と前記エッチング液の相対関係を動的状態とすることを特徴とする酸化亜鉛系結晶からなる薄膜のエッチング方法とする。 （もっと読む）

【課題】被処理物に対して高精度のエッチング処理を行うことができるノズル、エッチング液供給装置を提供する。
【解決手段】ワークの被処理面にエッチング液を供給するノズル４は、エッチング液を送出する送出口を有する内管４１２および送出口から送出されたエッチング液を吸引する吸引口を有する外管４１１とから構成されるノズル本体４１と、所定時刻に送出口から送出され被処理面に供給されるエッチング液に温度勾配を設けることのできる加熱手段４２とを有する。 （もっと読む）