【課題】基板の表面周縁部に形成された上層のみを選択的にエッチング除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面周縁部ＴＲに形成された難溶性層ＵＬに薬液を供給して難溶性層ＵＬをエッチング除去している間、難溶性層ＵＬの基板端面側にリンス液を供給してカバーリンス部ＣＬを形成し、難溶性層ＵＬのエッチング除去により露出してしまった下地層ＤＬをリンス液で覆っている。このため、下地層ＤＬに流れてくる薬液を薄めるとともに洗い流して露出した下地層ＤＬが薬液によりエッチングされるのを抑制することができる。このように難溶性層ＵＬの基板端面側にカバーリンス部ＣＬを設けて露出した下地層ＤＬを保護した状態でエッチング処理を行っているため、基板Ｗの表面周縁部ＴＲに形成された難溶性層ＵＬのみを選択的にエッチング除去することができる。 （もっと読む）

【課題】供給した薬液が処理対象膜上で弾かれることなく、薬液を処理対象膜上に液の膜厚が均一となるよう供給できることにより、処理対象膜を所望の形状に正確にパターニングすることができる構成を有する電気光学装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板１０’が載置されるステージ９２と、ステージ９２に載置される基板１０’の処理面１０’ｓに対向して設けられる、対向面９１ｔに複数の現像液吐出口９１ｈが形成された平板状の現像液供給ノズル９１と、現像液吐出口９１ｈに対応してそれぞれ設けられた、現像液吐出口９１ｈから吐出される現像液Ｇの流量を、現像液吐出口９１ｈ毎に調整する流量調整部９４と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理対象物の表面の損傷を抑制して表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射部１０の窓１４から出力された電子ビームは、薄膜２７を通過して配管２４内の処理溶液８０に照射され、その処理溶液８０を活性化する。その活性化された処理溶液８０は、溶液タンク２３に注がれ、その溶液タンク２３の中に入れられた処理対象物９０の表面処理に使われる。処理溶液８０が酸またはアルカリを含む場合、その処理溶液８０に電子ビームが照射された後でも、その処理溶液８０の活性化状態は充分に長い時間に亘って持続する。したがって、電子ビームが照射されて活性化された処理溶液８０が処理対象物９０の表面に供給される場合にも、その処理対象物９０の表面処理の効率化を図ることができる。 （もっと読む）

【目的】メタル配線等の被エッチング層の厚膜化においても、膜残りの現象を回避し得るウェトエッチング装置及び方法並びに半導体装置製造方法を提供する。
【構成】ウエハの中心を通る回転軸廻りにウエハを回転せしめ、該ウエハの上方に各々が配置された複数のノズルから、該ウエハの回転と並行して該ウエハに向けてエッチャント液を噴射する。該複数のノズルの各々は異なるタイプの噴射形状を有する。 （もっと読む）

【課題】高温の薬液による処理により基板の裏面をエッチングする際に、エッチングの均一性を高くすることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板であるウエハＷに形成された膜を高温薬液によるエッチングにより除去する薬液処理装置１は、ウエハＷを裏面を下側にして水平にした状態で回転可能に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３を鉛直に延びる中空の回転軸１２を介して回転させる回転機構４と、回転軸１２の中に設けられ下方から上方に向けて高温薬液を吐出してウエハＷ裏面に高温薬液を供給する薬液吐出ノズル５と、薬液吐出ノズル５に薬液を供給する薬液供給機構６とを具備し、薬液吐出ノズル５は、薬液を吐出し、ウエハＷ裏面の中心以外の、互いにウエハＷ裏面の中心からの距離が異なる位置に高温薬液を当てる複数の吐出口１８ａ，１８ｂ，１８ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】液体中のナノバブルとマイクロバブルを短時間で分離して、ナノバブルを多く含む液体を基板に対して供給して使用することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、液体と気体を混合させて微小気泡を含む液体Ｌを生成する微小気泡生成器３２と、マイクロバブルＭＢとナノバブルＮＢを有する微小気泡を含む液体Ｌを溜める貯蔵部３３と、貯蔵部３３内の微小気泡を含む液体Ｌを加圧した状態で通す液体案内部５０と、液体案内部５０内を通る微小気泡を含む液体に対して電場を付与してマイクロバブルとナノバブルとを分離する電場付与部５１とを有して、分離されたナノバブルＮＢを含む液体Ｌを基板Ｗに供給する微小気泡分離器４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面を下側にして基板を回転しつつ非回転の部材に形成されたノズルから基板に処理液を供給して所定の処理を行う処理装置において、ノズルが形成された部材に液滴が残ることを抑制すること。
【解決手段】基板であるウエハを裏面を下側にして水平にした状態で回転させながらウエハ裏面に処理液を供給して液処理を行う液処理装置は、ウエハＷの下方に非回転状態で、その上面に、処理液を吐出する処理液吐出ノズル２０および乾燥ガスを吐出するガス吐出ノズル２１を有するノズル部材５が設けられ、処理液吐出ノズル２０は基板に向けて処理液を吐出する処理液吐出口２０ａを有し、ガス吐出ノズル２１は、ウエハＷに向けて乾燥ガスを吐出する第１のガス吐出口２１ａと、ノズル部材５の上面に沿って乾燥ガスを放射状に吐出する複数の第２のガス吐出口２１ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】複数の流体を正確かつ迅速に目標の特性になるように混合する。
【解決手段】混合前の複数の流体を流すための流路５，７，１１，１３と、混合後の流体を流すための流路１５，１７と、流体を流路で移動させるためのポンプ１９と、混合前の複数の流体の流量をそれぞれ調整するための流量調整部１１ｂ，１３ｂと、混合後の流体の特性を光学的に測定するための測定部１５ａと、測定部１５ａの測定結果に基づいて混合後の流体が目標の特性になるように流量調整部１１ｂ，１３ｂを制御して混合前の流体の流量を調整する制御部２１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】１０〜６０μm／分の範囲のエッチングレートで、エッチング量に対し±５％レベルのユニフォーミティ、荒らさない程度の表面状態となる混酸によるウェットエッチングを実現することでＳｉウェーハの加工ダメージ除去方法を提供すること。
【解決手段】本発明のＳｉウェーハの加工ダメージ除去方法は、Ｓｉウェーハをスピンさせ、スピン中の前記Ｓｉウェーハにノズルから薬液を吐出させることで、砥石による加工処理によって生じるＳｉウェーハのマイクロクラックや欠陥などの加工ダメージを除去し、薬液が、４．４５ｗｔ％から２４．５ｗｔ％の弗化水素と、３１．５ｗｔ％から５４．０９ｗｔ％の硝酸と、５ｗｔ％から１３．６４ｗｔ％の酢酸とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一定の条件の下で基板を処理することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、複数のガード１４〜１７と、各ガード１４〜１７を個別に昇降させる昇降機構４０〜４３と、制御部１０とを備えている。各ガード１４〜１７は、スピンチャック２の周囲を取り囲む筒状部１８ｅ、１９ａ、２０ａ、２１ａと、筒状部１８ｅ、１９ａ、２０ａ、２１ａの上端部全周から内方に延びる環状の延設部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂとを有している。各延設部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂは、他の延設部と内径Ｄ１が揃えられ、他の延設部と上下に重なり合うように配置されている。制御部１０は、いずれのガード１４〜１７を基板Ｗの周端面に対向させるときでも、スピンチャック２による基板保持位置Ｐ１からの内周部１８ｃ、１９ｃ、２０ｃ、２１ｃの高さが等しくなるように昇降機構４０〜４３を制御する。 （もっと読む）

【課題】薄板化された基板を局所的に平坦化することができ、かつ装置の小型簡略化が可能な表面処理装置を提供する。
【解決手段】エッチング用の処理液を噴出させる噴出口３３ａと、噴出口３３ａから噴出した処理液を吸引する吸入口３４ａと、を備えたノズル３を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】例えばスピン式のウェットエッチング処理装置等の基板処理装置のチャンバ内を効率的に洗浄する。
【解決手段】基板処理装置の洗浄方法は、遮断板（３０）を回転させながら、遮断板の上方に設けられた洗浄液供給手段（７０）から洗浄液を遮断板に対して吐出させることにより、遮断板から飛散される洗浄液によってチャンバ（５００）内を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】 被処理体に存在する少なくとも２層の積層膜に対しウェットエッチングによる除去処理を行う際に、エッチング選択性の問題が生じず、十分なエッチング速度で２層をエッチング除去することができる処理装置を提供すること。
【解決手段】 第１処理液を収容部２内の被処理体Ｗに供給して第１の膜に接触させ、第１の膜のエッチングを進行させる第１処理液供給部１５と、第１処理液とは状態が異なる第２処理液を収容部２内の被処理体Ｗに供給して第２の膜に接触させ、第２の膜のエッチングを進行させる第２処理液供給部１７と、第１の膜の除去状態を検出する検出部３１と、検出部３１の検出値に基づいて、第１の膜が除去されたと判断した場合に、切り換え部１３に、処理液を第１処理液から第２処理液に切り換える指令を送信する制御部３２とを具備し、検出部３１は、被処理体Ｗに接触した第１処理液の所定物質の濃度を測定する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハのような基板の全面においる液被覆性が向上して処理中の乾燥を防いでウォータマーク（水のシミ）の発生を低減することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を回転させながら基板の表面を処理する基板処理装置１０は、基板Ｗの表面Ｓを処理する物理ツール４０を有する物理ツールユニット２３と、基板Ｗの表面Ｓに液体を供給する液供給ノズル４５と、基板Ｗの表面Ｓにガスを供給するガス供給ノズル４６とを有するノズルユニット２１と、物理ツールユニット２３を基板Ｗの表面Ｓに沿って移動させる物理ツールユニット移動機構部２３と、ノズルユニット２１を基板Ｗの表面Ｓに沿って移動させるノズルユニット移動機構部２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの表面に形成された所定の膜厚を有する層（例えばＳＯＩ層）の膜厚分布を均一化する。
【解決手段】ＳＯＩ層の表面に自然酸化膜を形成する酸化工程と、ＳＯＩ層の局所的な厚膜部に形成された自然酸化膜を厚みの一部（例えば、１〜２Å）を残してエッチング液により除去するエッチング工程とを有する。ＳＯＩ層の主表面を自然酸化膜に転換しているから、フッ酸で自然酸化膜を容易にエッチングすることができ、また、局所的にエッチング処理ができることから、ＳＯＩ層の厚膜部をエッチング処理することにより、ＳＯＩ層の膜厚分布を精度よく均一化することができる。 （もっと読む）

【課題】薬液又は再利用水を供給する配管が長く又は配管の経路が複雑な場合も、ノズルの詰まりを防止して、基板の処理を均一に行う。
【解決手段】基板１を移動しながら、制御弁３４を閉じ、制御弁３３を開いて、共通経路３５ａ及び分岐経路３５ｂを介して、ノズル３９を薬液供給源３０に接続して、ノズル３９から基板１の表面へ薬液を吐出する。所定の周期又は所定の枚数の基板の処理毎に、制御弁３３を閉じ、制御弁３４を開いて、共通経路３５ａ及び分岐経路３５ｃを介して、ノズル３９を圧縮気体供給源４０に接続して、ノズル３９から共通経路３５ａ内の薬液及び圧縮気体を吐出する。圧縮気体の圧力により、ノズル３９へつながる共通経路３５ａ内から薬液が排出されて、薬液の結晶や異物の発生が抑制される。また、ノズル３９内に付着した薬液の結晶や異物が、圧縮気体の圧力で除去される。 （もっと読む）

【課題】過酸化水素水を含むエッチング液により銅を含む金属層を有する基板をエッチング処理する場合に、エッチング液中の過酸化水素の異常分解が原因となってエッチング液の漏洩や飛散が起こり装置が破損することを防止できる装置を提供する。
【解決手段】密閉された下部タンク２０内からエッチング液供給配管２４を通して処理チャンバ１０ａ、１０ｂ内部のノズル１２、１４へ過酸化水素水を含むエッチング液を供給し、処理チャンバの内底部に溜まるエッチング液を下部タンク内に回収する装置であって、下部タンク内のエッチング液２２の温度を測定する温度センサ６４と、下部タンク内へ純水を供給するための純水供給配管５０と、温度センサによって測定されたエッチング液の温度が設定温度を超えたときに下部タンク内へ純水を供給するように制御する制御回路と、下部タンクの内部空間と処理チャンバの内部空間とを連通させる通気配管６２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】基板をより安定的に支持できるスピンヘッドを提供する。
【解決手段】本発明によるスピンヘッドは、支持板と、基板の側面を支持するように前記支持板に設置される複数のチャックピンと、前記支持板の中心から外側に向かう第１方向と垂直な第２方向に沿って前記チャックピンを移動させるチャックピン移動ユニットを包含することを特徴とする。
このような特徴によると、支持板の回転による遠心力がチャックピンに及ぶ影響を最小化して基板を安定的に支持できるスピンヘッドを提供できる。 （もっと読む）

シリコン−オン−インシュレータ構造体の劈開された表面を処理する方法を開示している。当該シリコン−オン−インシュレータ構造体は、ハンドルウェハ、シリコン層、上記ハンドルウェハと上記シリコン層との間の誘電体層を含む。上記シリコン層は、上記構造体の外表面を規定する劈開された表面を有する。開示された当該方法は、上記シリコン−オン−インシュレータ構造体から劈開面に沿ってドナーウェハの一部が分離される際に与えられる表面ダメージ及び欠陥を除去するため、上記シリコン−オン−インシュレータ構造体を処理するのに要する時間とコストを削減するエッチングプロセスを含む。当該方法は、上記構造体をアニールする工程、上記劈開された表面をエッチングする工程、上記劈開された表面上において非接触スムージングプロセスを実行する工程と、を含む。
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【課題】基板処理部に対する処理液の供給流量を調整するときの調整時間を短縮することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを処理液で処理するための処理ユニット６と、処理ユニット６に処理液を供給するための処理液供給配管１４と、処理液供給配管１４に介装され、開度を変更するためのモータ２４を有するニードルバルブ１５とを備えている。処理液供給配管１４およびニードルバルブ１５は、流体ボックス７内に収容されており、この流体ボックス７によってニードルバルブ１５全体が覆われている。制御部８がモータ２４を制御してニードルバルブ１５の開度を変更することによって、処理ユニット６に対する処理液の供給流量が変更される。 （もっと読む）