【課題】ワイヤーボンディングのワイヤープル強度を被接続表面の凹凸の程度を、算術平均粗さ、最大高さ、二乗平均粗さなどのパラメータと関連付けることは、バラツキが大きく信頼性に欠け実用的でないという問題がある。
【解決手段】少なくとも、耐熱性樹脂フィルム１、接着層２及び銅箔からなる配線パターン５をこの順に積層したテープキャリアであって、前記配線パターン５の一部であるワイヤーボンディング用接続パッド５の銅箔表面は、凹凸を勘案した実表面積と当該箇所を平坦とした場合の面積の比が１．１〜１．２の範囲であること、又少なくとも、前記配線パターンの表面を硫酸と過酸化水素と水の混合液に浸漬することで粗化する工程と、前記配線パターンの接続パッド部５にニッケルめっき８と金めっき７する工程と、を含むテープキャリアの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】良好な動作を実現でき、かつ、リード先端部の十分な半田濡れ性を確保できる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法では、半導体チップ１を封止樹脂１０によって封止する。まず、封止樹脂１０から突出するリード２０の先端側において、実装面とは反対側に半抜きして、後述するリードを切断する工程後のリード２０の先端面のうち底面側に半抜き領域２５を形成する。そして、リード２０の半抜き領域２５にめっき膜３０を形成する。その後、めっき膜３０が形成された半抜き領域２５の上端から実装面と反対方向へリード２０を切断する。 （もっと読む）

【課題】 はんだボールをはんだボール搭載用ビア穴にて露出している部分の導体箔の表面に確実に接合することを可能とし、またボンディングツールの劣化や短命化を回避することを可能とした半導体装置用ＴＡＢテープおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 はんだボール搭載用ビア穴３とボンディング用窓穴４とを穿設してなる絶縁性基板１と、その絶縁性基板１の片面に張り合わされた導体箔１１をパターン加工して形成された少なくとも配線パターン５とインナーリード６とを含んだ導体パターン２とを有する半導体装置用ＴＡＢテープ１０であって、導体パターン２における、はんだボール搭載用ビア穴３にて露出している部分およびボンディング用窓穴４にて露出している部分の表面７の表面粗さが、絶縁性基板１の片面と張り合わされている部分の表面８の表面粗さ未満になっている。 （もっと読む）

【課題】 導体パターンの銅食われや錫めっき層における純錫部の厚さ異常を生じる虞がなく、かつ工程数の増大や製造工程の煩雑化等を招くことなしに高温硬化型のソルダレジストのような絶縁性被膜を採用することができる半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体装置用テープキャリア９は、絶縁性フィルム基板３と、その絶縁性フィルム基板３の表面上に形成された、純銅または銅系材料からなる少なくとも配線部と外部接続用端子部とを有する導体パターン６と、その導体パターン６における配線部および外部接続用端子部の表面に形成された単層の錫めっき層７と、導体パターン６における配線部の表面に形成された錫めっき層７の表面上、および絶縁性フィルム基板３における導体パターン６で覆われていない部分の表面上の、所定部分を覆うように形成された、硬化温度が１４０℃以上の熱硬化型樹脂からなる絶縁性被膜８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】Ａｕ・Ｓｎ共晶接合による半導体チップとの接合に際し、配線とＡｕバンプの断面を夫々太らせず、かつ、これにより配線間隔を狭めることのない配線を有するＣＯＦテープを提供する。
【解決手段】絶縁テープ基材１の一面にサブトラクティブ法により銅の配線パターン２を形成したＣＯＦテープであって、エッチングにより形成される配線３の断面形状を最適な台形状にすることで、配線のトップ幅Tの必要な寸法精度を確保する。サブトラクティブ法における配線パターン２のエッチングファクタEfが２以上４以下であり、かつ、前記配線パターン２の配線３のトップ幅Tが２μｍ以上６μｍ以下、配線ピッチが３０μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】 フレキシブルで、実装した電子部品の放熱を良好に行うことができるフレキシブルプリント配線基材及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁基材１１と、この絶縁基材１１の一方面に形成された導電体層をパターニングした導電体パターンを含む配線パターン１２とを具備するフレキシブルプリント配線基材１０であって、前記絶縁基材１１の他方面に設けられた金属材料からなる放熱層１４を具備し、前記絶縁基材１１及び前記配線パターン１２を貫通して設けられて前記放熱層１４の上に電子部品３０を実装可能とした貫通部１５を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに接合されたインナリードの曲げによる応力を低減する手段を提供する。
【解決手段】ベースフィルムの半導体装置形成領域に設定されたチップ搭載領域と、チップ搭載領域に形成された複数のインナリードと、インナリードと端子との間を接続するアウタリードと、アウタリードを覆うソルダレジスト層と、を備えたＣＯＦ用フィルムにおいて、ソルダレジスト層のチップ搭載領域側に、厚さを厚くした厚膜部を形成する。 （もっと読む）

【課題】遮蔽板による電流遮蔽構造を簡易に調整・変更でき、めっき厚の均一化が図れる電解めっき装置及び電解めっき方法を提供する。
【解決手段】めっき液（１３）が充填されるめっき処理槽（１２）内に少なくとも一個以上のアノード（１４）が垂直に設けられ、電解めっき処理される導体部（１５）を有するテープ状製品（３）が、その面を垂直にして前記アノード（１４）に対向しつつ前記アノード（１４）に沿って搬送され、前記アノード（１４）と前記テープ状製品（３）との間に、開口を有する絶縁性の遮蔽板（２０）を設けた電解めっき装置において、前記遮蔽板（２０）は、主遮蔽板（１８）と、当該主遮蔽板（１８）の開口（１８ａ）を調整する従遮蔽板（１９）とを重ね合わせて構成されている。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高い電子部品実装用フィルムキャリアテープ、そのフィルムキャリアテープの製造方法、及び、そのフィルムキャリアテープを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】電子部品実装用フィルムキャリアテープ10は、電子部品50に形成されたバンプ電極52により電子部品50に接続して電子部品からの入出力信号を処理するためのインナーリード20、及び、インナーリード20からの信号を配線パターンを介して入出力処理するためのアウターリードを有する電子部品実装用フィルムキャリアテープ10において、電子部品50に形成されているバンプ電極52と接合するインナーリード20に、バンプ電極52が嵌合して接続する嵌合凹部54が形成されている。 （もっと読む）

【課題】超ファインピッチの配線としても幅方向の断面（横断面）の表面が平坦となる配線を作製できるプリント配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁基材１０の表面に導電性の下地層２１を形成し、該下地層２３の表面にフォトレジスト層３１を形成して該フォトレジスト層３１に所定のパターンを露光・現像してパターニングすることにより前記下地層２３を露出させる凹部３３ａを形成し、この凹部の下地層２３上に銅めっき層２４を形成し、その後、パターニングされたフォトレジスト層３１を剥離し、次いで、フォトレジスト層３１の剥離により露出した下地層２３を除去して配線パターンを形成するプリント配線基板の製造方法において、前記銅めっき層の形成をＰＰＲ（周期的逆電流）めっき法で行い、その際に硫酸銅五水和物の濃度が５０〜９０ｇ／Ｌで硫酸濃度が１８０〜２１０ｇ／Ｌのめっき液を用い、印加するパルスの電流密度比を正：負＝１：１．２〜１：１．８の範囲のめっき条件とする。 （もっと読む）

【課題】形成されためっき面の外観不良が発生しないフィルムキャリアテープの製造方法とその製造に用いられる無電解スズめっき装置を提供する。
【解決手段】無電解スズめっき装置は、フィルムキャリアテープ２に無電解スズめっきを施すめっき槽１と、該めっき槽１のめっき液面より上に配置された液切り治具１１とシャワー装置１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 ＴＡＢテープにレジスト層とアクリル樹脂層が残存しないように除去し、めっき未着がないＴＡＢテープの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、開口部を有する絶縁性フィルムの片面に銅層と前記銅層面上に所定の配線パターンを有するレジスト層を備え、前記絶縁性フィルムの反対面にアクリル樹脂層を備える部材の前記レジスト層及び前記アクリル層を、濃度の異なる第一のアルカリ水溶液及び第二のアルカリ水溶液を用いて、前記部材から剥離、溶解するＴＡＢテープの製造方法で、濃度１０〜１７ｇ／Ｌの第一のアルカリ水溶液に３０〜７０秒間、ＴＡＢテープ基材を浸漬させ、主としてレジスト層を剥離し、次に濃度１８〜２８ｇ／Ｌの第二のアルカリ水溶液でアクリル樹脂層を溶解するＴＡＢテープの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 短時間で確実な接続を行うことができ、延いてはその工程を含む製造時間の短縮化およびそれに伴う製造コストの低廉化を達成することが可能なＴＡＢテープおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性このＴＡＢテープ１は、絶縁性フィルム基板２の表裏両面の導体層のうちの一方の面の導体層が配線パターン本体３およびそれに連なる外部接続用端子としてのアウターリード部７、８ならびにインナーリード部１０を形成してなる配線層であると共に、他方の面の導体層がＧＮＤ層４またはそれと同等の導体層であり、外部接続用端子における所定の被加熱部１１が加熱されて外部のプリント配線板の接続端子等（図示省略）と接続されるように設定されており、かつ他方の面の導体層であるＧＮＤ層４における、一方の面の被加熱部１１に対して絶縁性フィルム基板２を介して対応する領域に、銅箔のような金属導体の存在しない導体空白部１２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置との接合不良の発生およびバンプ同士の短絡不良の発生を抑止ないし解消することを可能とし、またファインピッチ化に対応することを可能とした、半導体装置用ＴＡＢテープキャリアおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板１と、前記絶縁性基板１上に搭載される半導体装置（図示省略）に対して電気的に接続されて所定の配線回路系を構成するように前記絶縁性基板１上に形成された配線２と、前記配線２に連なりかつ前記半導体装置の電気的接合部に対して物理的に接続されるように設定されたバンプ５とを有する半導体装置用ＴＡＢテープキャリアであって、前記バンプ５が、前記配線２と連続した同一の導体材料からなり、前記配線２の厚さよりも厚く形成してなるものであり、かつ前記配線２の線幅が、当該配線２に接続されたバンプ５における当該配線２の線幅方向と同方向のバンプ幅よりも小であるものとなっている。 （もっと読む）

【課題】表配線構造の採用によって弾性構造体を高精度に安定して配線基板に搭載し、半導体チップの接着工程を安定させて歩留まりの高い組み立てを行うことができる半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップの主面上に弾性構造体を介して配線基板を設け、配線基板の配線の一端部を半導体チップの主面上の外部端子と電気的に接続させ、また、配線基板の配線の他端部であるランド部をバンプ電極と電気的に接続してなる半導体集積回路装置の製造方法であって、配線基板の配線であるリード１１は、ノッチ２７を有し、ノッチ２７の終端側の配線には、有効面積を配線より大きく形成された拡大アンカー配線３２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】マイグレーションにより配線基板のインナーリードが相互に短絡することを抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、インナーリード１２を有する配線基板１０と、配線基板１０に実装され、インナーリード１２に接続しているバンプ２２を有する半導体チップ２０とを具備し、バンプ２２とインナーリード１２は、インナーリード１２の表層に形成されたメッキ層１３によって接合しており、インナーリード１２は、バンプ２２と接続している領域１２ｃの中心より先端側及び基端側それぞれに凹部１２ｂ，１２ａを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、軟性フィルムに含まれる絶縁フィルムを水分吸水性が０.０１〜３.５％である材料で形成することで、耐熱性、引張強度、および寸法の安全性などが優秀な軟性フィルムを提供するものである。
【解決手段】本発明による軟性フィルムは、絶縁フィルムと;および該絶縁フィルム上に配置される金属層を含み、前記絶縁フィルムの水分吸水性が０.０１〜３.５％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 配線の高密度化を阻害することなく簡易かつ確実にめっき用給電線の除去を行うことのできるプロセスを含んだ半導体装置用基板の製造方法およびそれによって作製される高密度な半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置用基板の製造方法は、配線パターン２およびリード６を形成する以前に、絶縁性基板１におけるリード６が形成される位置を含む所定位置に開口４を穿設する工程と、リード６に電解めっき用の電流を供給するためのめっき用給電線３を、そのリード６に直接に接続されるパターンとして、そのリード６の形成と共に、開口４の領域内に形成する工程と、電解めっき処理を施した後、めっき用給電線３をパンチング金型を用いたパンチング法によって打抜き除去する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】標印工程を簡素化しながら、品質管理を容易に行うことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、主面上に複数の配線リード２が形成されたフィルム基板１０と、フィルム基板１０の主面上に搭載され、配線リード２と電気的に接続された半導体チップ２０と、フィルム基板１０の外周部の領域上に形成された金属層７と、フィルム基板１０の主面上に、金属層７を覆うように形成されたソルダレジスト層９とを備えている。そして、金属層７が形成されている領域（標印領域６）には、レーザ照射による刻印によって、製品情報が標印されている。 （もっと読む）

【課題】配線部の側面にニッケルめっき層を有さないＣＯＦ配線基板を提供すること。
【解決手段】絶縁性フィルムの表面にシード層と導電層とを順次積層してなる基材を用いて、アディティブ法又はセミアディティブ法により配線パターンを形成してなるＣＯＦ用配線基板。配線パターンを構成する各配線の側面は、ニッケルめっき層を有していない。 （もっと読む）