【課題】耐圧特性を十分に維持しながら放熱特性を向上させることが可能な埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法等を提供する。
【解決手段】埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法は、半導体基板１上に半導体積層９とマスク層１１を形成する工程と、マスク層１１を用いて半導体構造物１０をエッチングすることにより、第１方向に沿って延びる半導体メサ１５であって、第１方向と直交する第２方向において被エッチング領域１７と隣接する半導体メサ１５を形成する工程と、マスク層１１を半導体メサ１５上に残した状態で、被エッチング領域１７の第１領域１７Ａ１のみに埋め込み層１９Ａを形成する工程と、上部電極２５を形成する工程と、を備える。上部電極２５は、半導体メサ１５の上面１５Ｔから被エッチング領域１７の第２領域１７Ａ２に亘って形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１枚のウェハからより多くのチップを取得することができる高性能な発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】加熱したｎ型基板１００上にIII族原料ガス及びＶ族原料ガスを供給し、ｎ型基板１００上に少なくともｎ型クラッド層５、活性層７、ｐ型クラッド層９，１１及びコンタクト層１３からなるIII−Ｖ族半導体層２を積層する発光素子用エピタキシャルウェハ１において、III−Ｖ族半導体層２のいずれかの層に不可避不純物として混入するＳ（硫黄）の濃度を１．０×１０¹⁵ｃｍ^-3以下にすべく、その層の成長時の基板温度を６２０℃以上とし、かつＶ族原料ガスとIII族原料ガスの実流量比を１３０以上とした。 （もっと読む）

【課題】腐食性が極めて強い不活性ガスや水素及び酸素ガス等の高密度プラズマに完全な耐腐食性を有するとともに、水分を全く放出せず、しかも、安定した整流状態のガス放出が得られる無数のガス放出穴を有するＡｌ合金系材料のシャワープレートを提供すること。
【解決手段】Ａｌ合金系材料の薄板に、溝の深さが０．０２〜０．５ｍｍで、横巾が０．０２〜１０ｍｍで、長さが３〜３０ｍｍで、無数の溝と溝との間隔が０．１乃至２ｍｍの範囲内の角状溝を形成し、次いで、表面粗さが０．１ｓ以内のＡｌ_２Ｏ_３保護膜を生成させたシートを積層してシャワープレートを形成した。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ接合電界効果型トランジスタに用いられ得る窒化物系半導体層を含むエピタキシャルウエハの反りと結晶性を改善する。
【解決手段】ヘテロ接合電界効果型トランジスタに用いられ得る窒化物系半導体層を含むエピタキシャルウエハは、Ｓｉ基板上においてＡｌＮまたはＡｌＯＮの第１バッファ層、Ａｌ組成比を段階的に減少させたＡｌＧａＮの第２バッファ層、第２バッファ層の上に配置されていてＡｌ_ａＧａ_１−ａＮ層／Ａｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ層の繰返し多層からなる第３バッファ層、ＧａＮチャネル層、および電子供給層をこの順に含み、第２バッファ層の最上部のＡｌ組成比ｘが０≦ｘ≦０．３の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】 絶縁物からなる断熱層パターン上に良好な結晶性の光導波路を形成する。
【解決手段】 絶縁物からなる断熱層パターン２上に、断熱層パターン２から露出した基板１上の半導体結晶面１Ａを核としたエピタキシャル成長により、埋込層３を形成する。断熱層パターン２上には、埋込層３が横方向にエピタキシャル成長し、これによって断熱層パターン２が埋め込まれる。断熱層パターン２上にエピタキシャル成長によって埋込層３が形成できるので、断熱層パターン２上に半導体結晶からなる光導波路１０を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】互いに異なる流動ガスを交互に注入して工程温度を変化させる化学気相蒸着方法を使用した発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の化学気相蒸着方法を使用した発光素子の製造方法は、第１工程温度で、サテライトディスクに載置された基板上に量子ウェル層を形成する段階と、第２工程温度で、量子ウェル層上に量子障壁層を形成する段階と、を有し、量子ウェル層と量子障壁層とを形成する段階を少なくとも一回遂行する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて緻密な金属酸化膜を形成することができる、プラズマを用いた原子層成長方法及び原子層成長装置を提供する。
【解決手段】 有機金属のガスを原料ガスとして用いて基板に金属酸化膜を形成するとき、成膜空間内に配置された基板の上方に有機金属のガスを原料ガスとして流すことにより、基板に前記有機金属を吸着させ、前記有機金属に対して化学反応しない第１ガスを用いて前記成膜空間でプラズマを発生させ、前記第１ガスを排気した後、酸化ガスを第２ガスとして前記成膜空間に導入して酸化ガスを用いて前記成膜空間でプラズマを発生させることで、前記基板に前記有機金属の金属成分が酸化し金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】反応ガスを供給するノズルが詰まる現象を緩和して工程効率及び生産性を向上させた半導体エピ薄膜の成長方法及びこれを用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体エピ薄膜の成長方法は、ウェハーホルダーに積載された複数のウェハーを反応チャンバの内部に配置する段階と、ウェハーの積載方向に沿って延長されて備えられたガス供給部を通じて塩素系有機金属化合物を含む反応ガスをウェハーに噴射し、各ウェハーの表面に半導体エピ薄膜を成長させる段階と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ｐコンタクト層をｐ型化し、かつ電極とのコンタクト抵抗を低減すること。
【解決手段】ｐクラッド層１４上に、ＭＯＣＶＤ法によって、ＭｇがドープされたＧａＮである第１のｐコンタクト層１５１を形成する（図２（ｂ））。次に、次工程で形成する第２のｐコンタクト層１５２の成長温度である７００℃まで降温した後、アンモニアの供給を停止し、キャリアガスを水素から窒素へと切り換えて置換する。これにより、第１のｐコンタクト層１５１のＭｇは活性化され、第１のｐコンタクト層１５１はｐ型化する。次に、前工程の温度である７００℃を維持し、キャリアガスには窒素を用いてＭＯＣＶＤ法によって、第１のｐコンタクト層１５１上に、ＭｇがドープされたＩｎＧａＮである第２のｐコンタクト層１５２を形成する（図２（ｃ））。 （もっと読む）

【課題】概ね１２５０℃未満が成長温度の限界である一般に市販されているＭＯＣＶＤ装置を用いて、低コストで品質の高い優れたＡｌＮ層を製造する。
【解決手段】ＡｌＮ層の製造方法において、ｃ面Ａｌ_２Ｏ_３基板をＡｌＮ成長に先んじてＡｌＮ成長を行う１０００℃以上１２００℃以下の成長温度にまで昇温する第１ステップと、第１ステップにより１０００℃以上１２００℃以下で加熱されているｃ面Ａｌ_２Ｏ_３基板上に、１０００℃以上１２００℃以下の成長温度でＡｌＮ層を成長する第２ステップと、第２ステップで形成したＡｌＮ層を、Ｈ_２またはＮ_２またはそれらが混入されたキャリアガス中、または該キャリアガスにＮＨ_３が混入されたプロセスガス中で１０００℃以上１２５０℃未満の温度でアニールする第３ステップと、第３ステップでアニールされたＡｌＮ層上に１０００℃以上１２５０℃未満の成長温度でＡｌＮ層を成長する第４ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】複数種の原料ガスを、複数の隔絶空間に同等のガス供給量で導入できて、同等のガス流量で基板に供給できるようにした簡単な構成の真空処理装置用のガス供給装置を提供する。
【解決手段】反応室１ａ内を臨むガス導入部４を備え、このガス導入部は複数の隔絶空間４ａ、４ｂを有し、各隔絶空間に、原料ガスを供給する、流量制御手段５１を介設したガス供給管５_１、５_２が夫々接続されると共に、各隔絶空間から夫々反応室に通じるガス導入口４２ａ、４２ｂが設けられている。また、各ガス供給管に、他の流量制御手段７１を介設した１本のガス管７を分岐した分岐管が７_１、７_２夫々接続され、このガス管を流れるガスの流量を、ガス供給管を流れる原料ガスの流量差より多くなるように制御する。 （もっと読む）

【課題】デバイス化の工程で割れが発生することを抑制することが可能なIII族窒化物エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のIII族窒化物エピタキシャル基板１０は、Ｓｉ基板１１と、該Ｓｉ基板１１と接する初期層１４と、該初期層１４上に形成され、Ａｌ組成比が０．５超え１以下のＡｌＧａＮからなる第１層１５Ａ１（１５Ｂ１）およびＡｌ組成比が０超え０．５以下のＡｌＧａＮからなる第２層１５Ａ２（１５Ｂ２）を順次有する積層体を複数組有する超格子積層体１５と、を有し、前記第２層のＡｌ組成比が、前記基板から離れるほど漸減することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低転位であり、特に、窒化物半導体基板に内在する応力を抑制させて、反りの少ない窒化物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】サファイア基板の（０００１）面上に、第１の窒化物半導体パターンを形成し、該第１の窒化物半導体パターンを成長核として第２の窒化物半導体層を成長させ、少なくとも前記サファイア基板を除去することを含む窒化物半導体基板の製造方法であって、第１の窒化物半導体パターンは、平面形状が三角形の複数の枠体によって形成され、該枠体の頂点のみを、隣接する枠体と共有するように規則的に配置されて構成される窒化物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】バットジョイント構造を構成する第１及び第２の半導体積層部上に成長する半導体層に生じる結晶欠陥を低減する。
【解決手段】エッチングマスク３０を用いて第１の半導体積層部２０にエッチングを施す工程と、Ａｌを含む光吸収層４２、及び光吸収層４２上に設けられるＩｎＰクラッド層４４を有する第２の半導体積層部４０を、エッチングマスク３０を用いて選択的に成長させる第１の再成長工程と、エッチングマスク３０を除去するマスク除去工程と、第１及び第２の半導体積層部２０，４０上に第３の半導体積層部を成長させる第２の再成長工程とを行う。第１の再成長工程において、ＩｎＰに対してエッチング選択性を有するＩｎＰ系化合物半導体を含むキャップ層４６を第２の半導体積層部４０上に更に成長させる。マスク除去工程の前に、エッチングマスク３０上に生じたＩｎＰ系堆積物Ｄｅを除去する。 （もっと読む）

【課題】基板を保持する基板ホルダー、該基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタ、及び該サセプタを回転自在に保持するサセプタ保持機構が備えられた気相成長装置であって、基板の入れ替え及びサセプタの脱着が容易な気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタを、該基板ホルダーを保持する円盤状部材、及び円盤状部材から分離できるリング状部材からなる構成とし、サセプタを回転自在に保持する保持機構の一部を該リング状部材に設ける。 （もっと読む）

【課題】ｐ型化合物半導体層の形成の際に、ｐ型不純物と水素の結合を遮断するｐ型化合物半導体層の形成方法を、提供する。
【解決手段】
ｐ型化合物半導体層の形成方法が開示される。この方法では、反応チェンバ内に、III族元素のソースガス、ｐ型不純物のソースガス、及び水素を含有する窒素のソースガスを供給し、ｐ型化合物半導体層を成長させる。また、ｐ型化合物半導体層の成長が完了した後、III族元素のソースガス及びｐ型不純物のソースガスの供給を中断し、基板の温度が４００〜９００℃である間に、水素を含有する窒素のソースガスの供給を中断及び排出し、冷却ガスで常温まで冷却させる。これにより、基板の温度を冷却させる過程で、ｐ型化合物半導体層に含まれたｐ型不純物に水素が結合することを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】過剰なエッチングを抑制するとともに半導体表面の突起物を除去する半導体光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子の製造方法は、エッチストップ層１３及び複数の半導体層を含み、半導体光素子のための半導体積層１０を半導体基板１１の主面１１ａにエピタキシャル成長させる半導体積層成長工程と、半導体積層１０の最表面から突出する突起物の先端部が露出するように、最表面にマスク層を形成するマスク層形成工程と、マスク層を用いて、ウェットエッチングにより突起物をエッチングするウェットエッチング工程と、ウェットエッチングの後に、ドライエッチングにより突起物を除去するドライエッチング工程と、突起物を除去した後に、最表面からマスク層を除去するマスク層除去工程と、マスク層を除去した後に、半導体積層１０に半導体光素子のための加工を行う加工工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜の形成に際し、半導体基板を支持するサセプタへの、原料ガスに起因する膜の付着を低減し、サセプタのエッチング処理の時間の低減する気相成長方法を提供する。
【解決手段】半導体基板であるシリコンウェハ１０１を支持するサセプタ１０２の表面の少なくとも一部をＳｉＯ_２やＳｉ_３Ｎ_４などの金属の酸化膜や窒化膜で被覆する。そして、サセプタ１０２上でシリコンウェハ１０１を加熱しながら、シリコンウェハ１０１上に原料ガスを供給し、サセプタ１０２上への原料ガスに起因する膜の付着を抑制して、シリコンウェハ１０１上にエピタキシャル膜を成長させるようにする。 （もっと読む）

【課題】一度に処理する基板の枚数を増大させ、ＧａＮのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜を有する基板を処理する基板処理装置において、前記基板処理装置は、前記基板を処理する処理室２０１と、前記処理室内に少なくとも前記エピタキシャル膜を形成する原料ガスとクリーニングガスを供給するガス供給源２４０と、前記処理室内の少なくとも温度と圧力を制御する制御部２８０と、前記制御部は、前記処理室内が予め定められた温度および圧力になると前記処理室内をクリーニングガスを供給するように前記ガス供給源を制御する、ことを特徴とした基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】特定の一部の領域にのみ加工歪みが存在する場合であっても、短時間で容易に歪みを評価することのできる方法による評価の結果合格した窒化ガリウム基板、その窒化ガリウム基板を含む発光素子もしくは電界効果トランジスタ、及びそのガリウム基板上に結晶を成長させるエピタキシャル膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、窒化ガリウム基板１のバンドギャップに対応する波長のフォトルミネッセンスピーク強度を、窒化ガリウム基板１の表面の測定範囲３内において１ｍｍ×１ｍｍの正方形の測定領域２ごとに測定したときの、全測定領域２におけるフォトルミネッセンスピーク強度の最小値が平均値の４５％以上であり、測定領域２は測定範囲３内に隙間無く連続する、窒化ガリウム基板１が提供される。 （もっと読む）