【課題】シリコンおよび炭化ケイ素基板上に堆積されたＧａＮフィルムにおける応力の制御方法、およびこれによって生成されたＧａＮフィルムを提供する。
【解決手段】典型的な方法は、基板を供給すること、および供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上にグレーデッド窒化ガリウム層を堆積させることを含む。典型的な半導体フィルムは、基板と、供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上に堆積されたグレーデッド窒化ガリウム層とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ電子走行層の厚さを広い範囲で選択することができ、デバイス設計の自由度を高めることができる窒化物半導体素子、および耐圧および信頼性に優れる窒化物半導体素子パッケージを提供すること。
【解決手段】基板４１上に、ＡｌＮ層４７、第１ＡｌＧａＮ層４８（平均Ａｌ組成５０％）および第２ＡｌＧａＮ層４９（平均Ａｌ組成２０％）からなるバッファ層４４を形成する。バッファ層４４上には、ＧａＮ電子走行層４５およびＡｌＧａＮ電子供給層４６からなる素子動作層を形成する。これにより、ＨＥＭＴ素子３を構成する。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッドの反りを防止することが可能な結晶成長装置および結晶成長方法を提供する。
【解決手段】結晶成長装置１において、シャワーヘッド２０は、前面部２１と、冷却層２３と、ガス供給層２５とを含む。前面部２１は、基板ＳＵＢに対向して設けられ、原料ガスを基板ＳＵＢに吐出する複数の吐出孔を有する。冷却層２３は、前面部２１の上に積層して設けられ、冷媒が流れる冷媒通路を有する。ガス供給層２５は、冷却層２３の上に積層して設けられ、導入された原料ガスを充満させるバッファ空間が形成される。バッファ空間は複数の吐出孔の各々と冷却層２３を貫通するガス供給管を介して連通する。予熱器５３は、結晶成長時にガス供給層２５に供給する原料ガスを予熱する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含む窒化物化合物半導体結晶で、より容易にｐ型の電気的特性が得られるようにする。
【解決手段】まず、基板１０１を加熱する。次に、少なくともＩｎ原料、アンモニア、窒素以外のＶ族の原料、およびｐ型ドーパントの原料を基板１０１の上に供給する。ただし、窒素以外のＶ族は、Ａｓ，Ｐ，およびＳｂの中より選択したものである。なお、Ｉｎ原料の他に、Ｇａ原料、Ａｌ原料などを加えるようにしてもよい。これにより、基板１０１の上に、Ｉｎを含むｐ型窒化物化合物半導体結晶の層１０２が形成できる。 （もっと読む）

【課題】低減された酸素濃度のｐ型窒化ガリウム系半導体層を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体素子１１は、基板１３、ｎ型III族窒化物半導体領域１５、発光層１７、及びｐ型III族窒化物半導体領域１９を備える。基板１３の主面１３ａは、該第１の窒化ガリウム系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面Ｓｃから５０度以上１３０度未満の範囲の角度で傾斜する。ｐ型III族窒化物半導体領域１９は、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１を含み、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１の酸素濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１のｐ型ドーパント濃度Ｎｐｄと酸素濃度Ｎｏｘｇとの濃度比（Ｎｏｘｇ／Ｎｐｄ）が１／１０以下である。 （もっと読む）

【課題】再成長層表面の結晶性に起因する発光層およびｐ型半導体層の不良が生じにくく、かつ、高い出力の得られる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を積層する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一ｎ型半導体層上に前記第一ｎ型半導体層の再成長層と第二ｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とを順次積層する第二工程とを具備し、前記第二工程において、前記再成長層を第一の成長温度Ｔ１で成長させた後に、前記第一の成長温度Ｔ１よりも高温の第二の成長温度Ｔ２に昇温して前記再成長層の成長を続けることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ層と絶縁層との間の界面準位を低減し、移動度を向上させて優れた電気特性を実現する化合物半導体装置、その製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１に順次、下地層１２、超格子バッファー層１３、ＧａＮ層１４、被覆層１５が積層形成されている。被覆層１５は、ＩＩＩ族元素の窒化物（例えば、ＡｌＧａＮ）とランタノイドの窒化物（例えば、ＧｄＮ）との混晶としてのＡｌ_0.3Ｇａ_0.6Ｇｄ_0.1Ｎであり、厚さは２０ｎｍである。ソース領域１７とドレイン領域１８の間に位置する絶縁層１６は、ＧａＮ層１４を被覆する被覆層１５を酸化して形成された酸窒化物である。 （もっと読む）

【課題】基板上に成長されるＧａＮ層は歪みを受ける可能性があり、歪みのレベルがある閾値を超えると、ＧａＮ層に亀裂が入る恐れがある。
【解決手段】半導体構造は、基板、前記基板上の核生成層、前記核生成層上の組成傾斜層、及び前記組成傾斜層上の窒化物半導体材料の層を含む。前記窒化物半導体材料の層は、前記窒化物半導体材料の層の中に間隔をおいて配置された複数の実質的に緩和された窒化物中間層を含む。前記実質的に緩和された窒化物中間層は、アルミニウム及びガリウムを含み、ｎ型ドーパントで導電的にドープされ、また前記複数の窒化物中間層を含む前記窒化物半導体材料の層は、少なくとも約２．０μｍの全厚を有する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体上のｐ型チャネルＦＥＴにおいてオン抵抗を低くすることの可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体からなる基板１０上に、ｎ型チャネルＦＥＴ領域２とｐ型チャネルＦＥＴ領域３とが併設されている。ｐ型チャネルＦＥＴ領域３において、チャネル層１６の下面に接するバッファ層１５が、チャネル層１６よりも広いバンドギャップを有する第２バッファ層１５Ｂだけで構成された単層構造となっている。さらに、第２バッファ層１５Ｂは、チャネル層１６と電子走行層１３との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させた発光素子用エピタキシャルウェハ、及び発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子用エピタキシャルウェハは、ｎ型基板１上に、少なくともＰ（燐）系結晶のｎ型クラッド層３、Ａｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ、又はＧａＡｓなどのＡｓ（砒素）系結晶で形成した量子井戸構造を有する発光層５、及びｐ型クラッド層７が順次積層された化合物半導体と、ｎ型クラッド層３と発光層５との間に、発光層５を構成するＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層とは異なるＡｌ_ｘＧａ_{（１−ｘ）}Ａｓ層４とを有している。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高いバッファ層を有する半導体発光素子を形成することができるスパッタ成膜装置、並びに半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタ成膜装置４０を用いて、スパッタ法により基板１１上に薄膜を成膜する工程を含む、半導体発光素子の製造方法であって、前記スパッタ法で成膜される薄膜の材料からなるコーティング原料粒子又は前記材料の構成元素からなるコーティング原料粒子を未溶融状態で、ガスの流れを用いて前記スパッタ成膜装置４０内の成長室４１ａの内壁に吹き付けて、前記成長室４１ａの内壁に前記コーティング原料粒子からなるコーティング膜１００を形成する工程と、前記コーティング膜１００を形成する工程の後に、前記基板１１上に前記薄膜を成膜する工程、を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム層を有する多層構造基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】まず、キャリア基板上に複数の開口を有するメッシュ層を形成するとともに、該開口内のキャリア基板上に緩衝層、アルミニウム濃度が異なる３層の窒化アルミニウムガリウム層及び窒化ガリウム層を順次に形成する。本発明に係るアルミニウム濃度が異なる３層の窒化アルミニウムガリウム層によれば、応力を効果的に解放し、窒化ガリウム層表面クラックを減少し、内部欠陥を制御することが可能となるため、面積が大きく、厚さが大きく、クラックがなく、且つ高品質の窒化ガリウム層を形成することができ、高効率電子素子の製造に有利となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面及び表面と垂直する法線方向を有する基板と、基板の表面に位置して表面と接触する第一半導体層と、第一半導体層と基板の表面の間に位置する少なくとも一つの空洞構造とを有し、少なくとも一つの空洞構造は幅と高さを有し、幅は空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さは幅より小さい。 （もっと読む）

【課題】基板表面内で半導体層の組成が均一な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子の製造方法は、加熱手段の上に配置されたトレイ１の、前記加熱手段とは反対側の表面上にある基板搭載部３に搭載された基板４上に、ＩＩＩ族元素とＶ族元素とからなる化合物半導体の積層構造を有機金属気相成長法により成長する工程を含む。前記化合物半導体の積層構造を構成する少なくとも１つのＩＩＩ族元素と、前記化合物半導体層の積層構造を構成する少なくとも１つのＶ族元素と、を有する化合物半導体膜２が、前記積層構造の成長前に予め前記基板搭載部３の表面上に形成されている。前記基板４が、前記化合物半導体膜２を介して前記基板搭載部３に搭載されて、前記積層構造が前記基板４上に成長される。 （もっと読む）

【課題】チャネル層中のキャリア濃度を増すため、高いアルミニウム含有率を有した厚いＡｌＧａＮ層は、成長中か冷却後にひびが入る傾向があり、これによってデバイスが破壊される。
【解決手段】基板上の第１のＩＩＩ族窒化物層は第１の歪みを有する。ＧａＮ層のような第２のＩＩＩ族窒化物層が、第１のＩＩＩ族窒化物層上に設けられている。第２のＩＩＩ族窒化物層は、第１のＩＩＩ族窒化物層のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有し、かつ第１の歪みの大きさよりも大きい第２の歪みを有する。ＡｌＧａＮ層又はＡｌＮ層のような第３のＩＩＩ族窒化物層がＧａＮ層上に設けられている。第３のＩＩＩ族窒化物層は、第２のＩＩＩ族窒化物層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有し、かつ第２の歪みと逆の歪みの型の第３の歪みを有する。ソースコンタクトとドレインコンタクトとゲートコンタクトを第３のＩＩＩ族窒化物層上に設ける。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜上に保護膜を形成した構造において、絶縁耐圧の低下を防ぐ。
【解決手段】基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成された第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記第２の半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記絶縁膜を覆うように形成された保護膜と、を有し、前記保護膜は、熱ＣＶＤ、熱ＡＬＤ、真空蒸着のいずれかにより形成されたものであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型III族窒化物半導体の電気特性を向上できるIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体領域１５及び窒化ガリウム系半導体領域１９は、基板１３の主面１３ａ上に設けられる。窒化ガリウム系半導体領域１９は、ｐ型ドーパントとしてマグネシウムを含むIII族窒化物半導体膜２１を有しており、III族窒化物半導体膜２１は、III族構成元素としてアルミニウムを含む。III族窒化物半導体膜２１の酸素濃度は、１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜２１の酸素濃度は、１．５×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲にある。また、III族窒化物半導体膜２１の水素濃度は１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜２１の水素濃度は１．５×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】比較的短い製造時間で容易且つ確実に反りのない基板を得ることを可能とし、低コストで信頼性の高い高耐圧及び高出力の化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０上に、ＡｌＮからなる第１のバッファ層２と、ＡｌＧａＮのＡｌ組成比率が均一となるように形成された均一組成領域３ａと、第２のバッファ層３の上面に近づくにつれてＡｌＧａＮのＡｌ組成比率が徐々に高くなるように形成された傾斜組成領域３ｂとが積層されてなる第２のバッファ層３とが形成され、第２のバッファ層３上に電子走行層４及び電子供給層６等が形成されてＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴが構成される。 （もっと読む）

【課題】窒化化合物半導体構造を製造する装置及び方法を提供する。
【解決手段】III族及び窒素の前駆物質が、第１の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて、基板上に第１の層が堆積される。該基板は、該第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移送される。II族及び窒素の前駆物質が、該第２の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて該第１の層を覆って第２の層が堆積される。該第１及び第２のIII族前駆物質は、異なるIII族元素を有する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを大幅に増加させずに、発光出力が高く、不要な波長の光の放出が少ない発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子１は、反射部２１０が複数のペア層を有し、第１の半導体層２１０ａが、光のピーク波長をλ_ｐ、第１の半導体層２１０ａの屈折率をｎ_Ａ、第２の半導体層２１０ｂの屈折率をｎ_Ｂ、第１クラッド層２２０の屈折率をｎ_Ｉｎ、光の入射角をθとした場合に、式（１）で定められる厚さＴ_Ａ１を有し、第２の半導体層２１０ｂが式（２）で定められる厚さＴ_Ｂ１を有し、ペア層が４４以上６１以下のθの値の範囲で式（１）及び式（２）で規定される厚さの第１の半導体層２１０ａ及び第２の半導体層２１０ｂを含み、４４以上６１以下のθの値の範囲で式（１）で規定される厚さの第１の半導体層２１０ａと式（２）で規定される厚さの第２の半導体層２１０ｂとからなるペア層を含む。 （もっと読む）