【課題】結晶性が良好な高濃度硫黄ドープ窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ法による窒化物半導体結晶の成長において、硫化水素、メチルメルカプタンおよびジメチルサルファイド等の硫黄原子を含む原料を供給して、下地基板上に窒化物半導体結晶を＋ｃ軸方向以外の方向へ成長させることにより、Ｓ濃度が１×１０18〜１×１０20ｃｍ-3であり、かつ対称反射のＸ線ロッキングカーブの半値全幅が１００秒以下である窒化物半導体結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、有機金属原料の液化や固化によって加圧効率の低下を招くことなく、有機金属ガスを安定的に加圧して反応室に供給する。
【解決手段】加圧ガス供給システム２００は、原料ガスＸを生成するバブリングユニット２１２と、原料ガスが導入されるとともに、加圧ガスＰが導入されることにより、反応室１１２よりも高圧の混合ガスＭを生成する加圧タンク２１４と、加圧タンクと反応室との差圧によって混合ガスを反応室に供給する混合ガス供給部２１６と、加圧タンクで生成された混合ガスが導入されるとともに、混合ガスに含まれる原料ガスを凝縮させて液体の原料Ｌに戻すガス回収部２２０と、ガス回収部において凝縮された液体の原料をバブリングユニットに導入する原料導入部２２２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 セレン化を均一に且つ短時間で行うことができるセレン化炉及び化合物半導体薄膜の製造方法並びに化合物薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンバー１１、１４と、前記チャンバー１１内にセレン化ガスを含む処理ガスを高圧で導入するガス供給源２５、２６と、前記ガス供給源と前記チャンバーとの間に設けられて当該チャンバー内に導入されるガスを常圧より高く所定の圧力に調整するガス圧調整手段２８と、前記チャンバー内を加熱する加熱手段１２と、前記チャンバー１１内のガスを排出する排出手段２２、２９と、前記チャンバー内に被処理物２を載置するための置台１８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、有機金属原料の液化や固化によって加圧効率の低下を招くことなく、有機金属ガスを安定的に加圧して反応室に供給する。
【解決手段】加圧ガス供給システム２００は、液体である原料ＬにバブリングガスＢを噴射して当該原料Ｌを気化させることにより原料ガスＸを生成するバブリングユニット２１２と、バブリングユニット２１２で生成された原料ガスＸが導入されるとともに、加圧ガスＰが導入されることにより、反応室１１２より高圧の混合ガスＭを生成する加圧タンク２１４と、加圧タンク２１４と反応室１１２との差圧によって混合ガスＭを反応室１１２に供給する混合ガス供給部２１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理室内の圧力が一定に保たれないことを原因とする基板処理不良を生じにくくし、より良好な基板処理を可能とする。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する工程と、基板が搬入された処理室内に反応ガスを供給し、処理室内を排気して基板を処理する工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程とを有する半導体処理方法において、基板を処理する工程では、処理室内部の圧力を測定し、その測定値に基づき処理室内部の圧力を所定の圧力に保つようにすると共に、処理室内部の圧力と処理室外部の圧力との差圧を測定し、その測定値に基づき処理室内部の圧力が処理室外部の圧力よりも小さい場合に、反応ガスを前記処理室内へ供給するようにする。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥が発生することを防止した発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオード１０は、基板１００と、第一半導体層１２０と、第二半導体層１４０と、活性層１３０と、第一電極１５０と、第二電極１６０と、を含む。第一半導体層、活性層、及び第二半導体層は、基板から離れる方向に沿って、基板に順次的に積層され、第一電極は、第一半導体層に電気的に接続され、第二電極は、第二半導体層に電気的に接続され、第一半導体層の基板と隣接する表面は、複数の空隙を含むパターン化されたカーボンナノチューブ層１０２である。第一半導体層のパターン化された表面が基板に接続することによって複数のキャビティが形成される。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜及びその作製方法を提供する。また、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】厚さが７０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の微結晶半導体膜であり、微結晶半導体膜の表面から一部が突出する結晶粒を有し、当該結晶粒は配向面を有し、且つ１３ｎｍ以上の大きさの結晶子を有する微結晶半導体膜である。また、微結晶半導体膜の膜密度が２．２５ｇ／ｃｍ^３以上２．３５ｇ／ｃｍ^３以下、好ましくは２．３０ｇ／ｃｍ^３以上２．３３ｇ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】反応容器の大幅な破損を効果的に防止しながら、品質の高い窒化物結晶を損傷することなく得ることができるようにすること。
【解決手段】反応容器に少なくとも原料とアンモニア溶媒を充填して密閉した後、耐圧性容器内に該反応容器を装填し、該反応容器中を超臨界および／または亜臨界アンモニア雰囲気にして、該反応容器内で窒化物結晶を成長させる際に、反応容器としてその一部に圧力調整領域（２３）を備えたものを用いる。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥が少なくて大型のIII族窒化物半導体基板を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】半極性面を主面とする複数のIII族窒化物シード１１０を同一平面上に各シード１１０間の主面の面方位の分布が±０．５°以内となるように配置し、半極性面上にホモエピタキシャル成長を行ってIII族窒化物半導体結晶を得る第１工程、および、III族窒化物半導体結晶から、半極性面とは異なる面を主面とするIII族窒化物半導体基板を取得する第２工程を含むIII族窒化物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】長期間に亘って確実にプラズマに点火可能なプラズマ装置を提供する。
【解決手段】軸方向に中空構造を有する中空構造体（１１）、中空構造体（１１）の内部に配置される第１電極（１２）、中空構造体（１１）のプラズマ発生領域（１３）を外面から覆う構造を有する第２電極（１４）を備え、第１電極（１２）は、中空構造体のプラズマ発生領域において変形構造（１２ｂ）を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の構成を複雑化させることなく、モフォロジーの良好な膜を形成可能で、かつ成膜装置の稼働効率を向上可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜原料堆積チャンバー１７内において、半導体基板２８の表面に、成膜原料を溶媒中に溶解させることで形成される液状の成膜原料液を供給し、成膜原料液に含まれる溶媒を液体から気体に相変化させることにより、溶媒中に溶解している成膜原料を半導体基板２８の表面に堆積させ、その後、成膜原料堆積チャンバー１７とは異なる反応チャンバー１８内において、加熱或いは反応試薬の添加により、半導体基板２８の表面に形成された成膜原料を反応させることで、半導体基板２８の表面に膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】一度に処理できる基板の枚数を増加させたコールドウォール型の基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理炉２０２内に複数のウエハ２００を積載したボート２１７を配置し、該ボート２１７の外周側に、リング状に形成されたリング状プレート３１１をリングボート３１２により支持して、前記ウエハ２００の積載方向に複数並べて配置する。前記リング状プレート３１１を誘導加熱装置２０６で誘導加熱し、その輻射熱により前記ウエハ２００を外周縁全体から加熱する。前記リング状プレート３１１の外周側にガス供給ノズル２３２を配置し、該ガス供給ノズル２３２のガス供給口２３２ａから吐出されたガスを、隣り合う複数の前記リング状プレート３１１の間の隙間部分を通して前記ウエハ２００に供給する。 （もっと読む）

【課題】成膜反応を極めて短時間で停止させ、オーバーシュートを抑制する。
【解決手段】基板１０が収容される第１のチャンバー３と、成膜原料が混合された超臨界状態の媒体を第１のチャンバー３へ供給する供給ラインと、第１のチャンバー３内において基板１０を保持するステージ９と、第１のチャンバー３内の圧力を、前記媒体の臨界圧力よりも低い圧力に減圧させるための第２のチャンバー４と、第１のチャンバー３と第２のチャンバー４とを接続する配管７ａと、配管７ａに設けられたバルブ７ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを高温アニールするような場合であっても、低熱容量で且つ均一加熱が可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置において、平行平板電極２、３と、これら電極間に高周波電圧を印加し放電させる高周波電源６と、これら電極間に配置される被加熱試料１の温度を計測する温度計測手段１７と、これら電極間へのガス導入手段１０と、これら電極の周囲を覆う反射鏡１３と、高周波電源６の出力を制御する制御部１８を備える。これら電極間での放電によるガス加熱を用いて被加熱試料１の熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】大気圧または大気圧以上の成膜処理で窓の破損や窓を通る輻射熱の減少を生じないサーマルリアクタを提供する。
【解決手段】半導体ウェハ３０８を収納するウェハチャンバ３０４を有するサーマルリアクタ３００は、上部熱源３０８の下に取り付けられるカバー部材３０６により画成されており、カバー部材３０６の中央窓部分３１４を凹状の外部表面の石英窓とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造の多層プロセスにおいて、劣悪な平坦性は、ホトリソグラフィー工程で問題を惹起し得る。特に初期の堆積ステップにおける劣悪な平坦性は、半導体デバイス製造のより高い層を通じて増幅される傾向がある。この点を改良した半導体デバイス製造工程初期のブランケット層の堆積方法を提供する。
【解決手段】ガス状の前駆体混合物を形成するためにシリコンソース、ゲルマニウムソース及びエッチャントを混合することを含み、ＳｉＧｅ膜３０をブランケット堆積する方法。本方法はさらに、化学気相成長条件下において、ガス状の前駆体物質を基板１０上に流し、パターンの有無に関わらず、基板１０上にエピタキシャルＳｉＧｅを堆積させる方法に依り、平坦性の優れたブランケット層３０を堆積する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の面積が大きい被処理基板に容易に対応できる加圧式ランプアニール装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、処理室２５と、前記処理室内に配置され、被処理基板２２を保持する保持部２３と、前記処理室内に加圧されたガスを導入するガス導入機構と、前記処理室内のガスを排気するガス排気機構と、前記処理室内に配置された透明管２０と、前記透明管内に配置され、前記被処理基板にランプ光が前記透明管を通して照射されるランプヒータ１９と、を具備することを特徴とする加圧式ランプアニール装置である。 （もっと読む）

【課題】加圧した状態でランプアニール処理ができる加圧式ランプアニール装置を提供する。
【解決手段】被処理基板としてのウエハ２を導入する処理室５５と、前記処理室内を加圧する加圧ライン（加圧機構）１２と、前記ウエハ２にランプ光を照射するランプヒータ５とを具備する。加圧ライン１２は、アルゴンガスによる加圧ライン、酸素ガスによる加圧ライン及び窒素ガスによる加圧ラインを有している。 （もっと読む）

【課題】（０００１）面以外の任意に特定される主面を有する、クラックの少ないＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】２枚以上のシード基板を隣接して配置し、それらシード基板上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法において、シード基板の境界線と成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の＜０００１＞軸を主面に投影した直線とがなす角度をθとした場合、１以上の境界線が以下の（１）又は（２）を満たす。（１）０°＜θ＜９０°である。（２）θ＝０°である境界線（ｌ）が２本以上存在し、隣り合う境界線（ｌ）が同一直線上にない。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＣＨ組成を有し、特定の構造を有する炭化水素基置換ケイ素化合物を原料としてＣＶＤにより得られる炭素含有酸化ケイ素膜から成る封止膜及びその膜を含むガスバリア部材、ＦＰＤデバイス及び半導体デバイスの提供。
【解決手段】二級炭化水素基、三級炭化水素基、及び／又はビニル基がケイ素原子に直結した構造を有する有機ケイ素化合物、例えば下記式（１）を原料として用い、ＣＶＤにより形成した炭素含有酸化ケイ素からなる封止膜である。式中、Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ^４は炭素数１〜１０の炭化水素基または水素原子を表す。ｍは１乃至３の整数、ｎは０乃至２の整数を表し、ｍ＋ｎは３以下の整数を表す。
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