【課題】観察可能な合わせずれ検査マークをデバイスパターンのデザインルールに従った微細なパターンから構成する。
【解決手段】デバイスパターンのデザインルールに従った第１の長さの幅Ｗ１を有する第１のパターンＰ１１を第１の間隔Ｄ１で第１の方向Ｘへ複数配置して構成される第１のパターングループＰＧ１１を第１のピッチＰＴ１で前記第１の方向Ｘへ複数配置して構成された第２のパターングループＰＧ２４を備え、前記第１のピッチＰＴは、合わせずれ検査装置の分解能に適合した距離であることを特徴とする合わせずれ検査マークが提供される。 （もっと読む）

【課題】パターンの高い重ね合わせ精度を維持する。
【解決手段】ＥＧＡ最適化シミュレーションにおいて、１回目のウエハアライメント（ＥＧＡ計測）の計測結果を用いてのＥＧＡシミュレーションの結果と、２回目のウエハアライメント（ＥＧＡ計測）の計測結果を用いてのＥＧＡシミュレーションの結果と、を用いてアライメント処理パラメータが最適化される（ステップＳ３８、Ｓ３９、Ｓ４２，Ｓ４３）。これにより、ダブルパターニング法を利用してウエハ上にパターンを形成する場合においても、パターンの高い重ね合わせ精度を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】エッジ検出により、見え方が多種多様なワーク・アライメントマーク（ワークマーク）のパターンの位置を、正しく検出できるようにすること。
【解決手段】アライメント顕微鏡によりワークマークのパターンの画像を受像し、この画像を制御部に送る。制御部では、取得したパターンの画像［（ａ）（ｄ）］の中心付近から複数の放射方向について、距離に対する輝度の分布を求める［（ｂ）］。そして、求めた輝度分布を微分し、距離に対する輝度の変化である微分値を求め［（ｃ）］、微分値の極大値の位置を、各放射方向について求める。求めた極大値の位置を、それぞれ一つずつ抽出して組み合わせ、極大値の位置を通る閉曲線に近似した円を複数求める。この複数の円の半径と、ワーク・アライメントマークの半径とを比較し、上記複数の円のなかから半径が最も近い円を選択し、その円の中心位置をワーク・アライメントマークの位置とする。 （もっと読む）

【課題】インプリント・リソグラフィによって基板上にパターンを形成するシステムを提供する。
【解決手段】インプリント・ヘッド３１００はインプリント・ヘッド支持体３９１０に取り付けられている。インプリント・ヘッド３９１０はインプリント・ヘッドが常に固定位置に留まるように取り付けられている。使用中、Ｘ−Ｙ面に沿ったすべての動きはモーション・ステージ３６００によって基板に対して実行される。システム３９００は硬化液を基板上に分配する液体分配システムも備える。液体分配システムは、インプリント・ヘッド３１００に結合される。インプリント・リソグラフィは液体を基板上に分配するプロセスである。テンプレートが液体に接触され、液体が硬化される。硬化した液体はテンプレート内に形成されるパターンのインプリントを含む。一実施形態では、基板上に予め形成された層に対するテンプレートの整列は散乱計測を用いて行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子構造を構成する半導体層の成長用基板として、該半導体層と同種の半導体材料を用いる場合に、半導体層を成長した後の露光時に認識可能なアライメントマークを形成できるようにする。
【解決手段】アライメントマーク検出用光源に対して透明な材料からなる基板１０１の上に、該基板１０１と異なる屈折率を有する材料からなる第２のアライメントマーク１２０を形成する。続いて、基板１０１の上に、活性層１０５を含むＧａＮ系エピタキシャル層を第２のアライメントマーク１２０を埋め込むように成長する。続いて、第２のアライメントマーク１２０を参照しながら、ＧａＮ系エピタキシャル層に対する露光の位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、露光の精度を高めることを目的とする。
【解決手段】第１露光及び第２露光のそれぞれを、複数の光ビームを照射する露光ヘッド１６の走査露光によって行う。一対の第１膜マーク３２を含むように第１膜パターン３０を形成する。一対の第２膜マーク５０を含むように第２膜パターン４８を形成する。位置ずれを検出する工程は、それぞれの第１膜マーク３２の中心点の位置の測定と、それぞれの第２膜マーク５０の中心点の位置の測定と、一対の第１膜マーク３２の中心間を結ぶ第１直線と副走査方向に沿った基準直線との間の第１角度の算出と、一対の第２膜マーク５０の中心間を結ぶ第２直線と基準直線との間の第２角度の算出と、を含む。調整の工程は、第１角度及び第２角度の差をなくす方向に、第１露光及び第２露光の少なくとも一方で使用される露光ヘッド１６を回転させることを含む。 （もっと読む）

【課題】マークごとの変化の影響が低減されたアライメント構成及びアライメント方法を提供する。
【解決手段】アライメント測定構成は、光源、光学システム及び検出器を含む。光源は、複数の波長範囲を含む放射ビームを生成する。光学システムは、放射ビームを受光し、アライメントビームを生成し、アライメントビームをオブジェクト上に位置するマークに誘導し、そのマークから戻るアライメント放射を受光し、受光した放射を伝送する。検出器は、アライメント放射を受光し、アライメントマークの画像を検出し、各々が波長範囲の１つに関連付けられた複数のアライメント信号ｒを出力する。プロセッサは、検出器と通信し、アライメント信号を受信し、アライメント信号の信号品質を決定し、アライメント信号の整列位置を決定し、信号品質、整列位置、及び整列位置を波長範囲とマーク深さ及びマーク非対称性を含むマーク特性とに関連付けるモデルに基づいてアライメントマークの位置を計算する。 （もっと読む）

【課題】より高精度かつ簡便な位置合わせを実現することができる位置合わせ方法、ウエハおよびホトマスクを提供する。
【解決手段】窓部２４０および反射部３４０は、移動方向に平行な対角線を有する矩形の形状に形成されている。したがって、ウエハをホトマスクに対して相対的に移動させると、窓部２４０と反射部３４０が重なる部分が二次関数的に変化するため、窓部２４０から観察できる反射光の光量も二次関数的に変化するので、ユーザは、その光量の変化をより敏感に検出することが可能となり、より容易に反射光の光量が最大となる位置にステージ１の位置を調整することができるので、結果として、より高精度かつ簡便な位置合わせを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】強い圧縮応力を有するシリコン窒化膜を用いたｐＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置及びその製造方法において、歩留まりが高く且つスイッチングスピードが高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ボックスマーク１０２内においてシリコン基板１を覆うようにシリコン酸化膜１４を形成する。次に、基板上の半導体領域にシリサイド化反応によりニッケルシリサイド８を形成する。その後、強い圧縮応力を有するシリコン窒化膜９をｐＭＩＳＦＥＴ１０１及びボックスマーク１０２を覆うように形成する。その上に層間絶縁膜１１を形成した後レジストをパターニングしてコンタクトホール１３を形成する。この際、重ね合わせ精度が所定の規格を満たすまで、レジストを一旦除去し再度レジスト１２ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】対象物同士の位置合わせを簡便に高精度に行うことができるアライメント方法およびアライメント装置を提供することを目的とする。
【解決手段】アライメント装置１０の上下移動機構１４の偏心等によるアライメントマーク画像のずれ量を示す誤差テーブルを作成し、アライメントマーク画像のずれ量を無視できる許容間隔を予め導出する。その後、ウエハ１とマスク２を接触して倣い調整した後、ウエハ１とマスク２の間隔を導出した許容間隔内の所定の間隔として、ウエハ１とマスク２のアライメントを行う。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理によってダメージを受け、目標とするマークが検出できない場合もしくは、計測ができなくなった場合でも正確にアライメントを実施する。
【解決手段】基板の各ショットごとに配列された複数の位置検出マークの中からターゲットマークを検出して基板の位置合わせを行う露光装置であって、スコープにより第１の倍率で撮像された画像から、複数の位置検出マークの中の第１のマークの位置と当該第１のマークの外側の領域の特徴とを抽出して第１のマークを識別し、スコープにより第２の倍率で撮像された画像から、ターゲットマークの位置を抽出し、抽出されたターゲットマークの位置の信頼性が閾値を下回る場合、新たなターゲットマークとして複数の位置検出マークから第２のマークを選択し、第２の倍率で撮像された画像から第２のマークの位置を抽出する演算処理部と、第２のマークの位置に基づきステージの位置を制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】レイヤ間の重ね合わせのずれ量を小さな面積のパターンで正確に測定することができる合わせずれ測定方法を得ること。
【解決手段】複数レイヤのパターンを積層して作製される半導体装置に対してレイヤ間の重ね合わせのずれ量を合わせずれ量として測定する合わせずれ測定方法において、上層側のレイヤＬｕで環状に形成された第１の環状パターンと第１の環状パターンと同心円上に配置されるよう下層側のレイヤＬｄで環状に形成された第２の環状パターンとの距離を測定するとともに、この測定結果を用いて合わせずれ量を算出する。 （もっと読む）

【課題】対象物同士の位置合わせを高精度かつ容易に行うことができるアライメントマーク画像の表示方法およびアライメント装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ウエハとマスクを設定間隔Ｈ２だけ離したときのウエハマーク４ａ、マスクマーク６ａの撮影画像を、予め作成した補正テーブルから読み出したずれ方向およびずれ量に基づいて補正する。ウエハとマスクの対向面が作業間隔Ｈ１のときのＸ方向、Ｙ方向のずれ量をｄＸ１、ｄＹ１、設定間隔Ｈ２のときのＸ方向、Ｙ方向のずれ量をｄＸ２、ｄＹ２とすると、マスクマーク６ａの撮影画像をＸ方向、Ｙ方向にｄＸ、ｄＹ、ウエハマーク４ａの撮影画像をＸ方向、Ｙ方向に−（ｄＸ２−ｄＸ１）、−（ｄＹ２−ｄＹ１）だけ移動して補正する。そして、補正後の仮想ウエハマーク４ｃと仮想マスクマーク６ｃを重畳してモニタに表示する。 （もっと読む）

【目的】下層工程をスキャナ型の露光装置で行い、上層工程を一括型露光装置で行うハイブリッド処理において、ショット形状歪みの直交成分や面内方向の倍率差を補正することが可能であり、重ね合わせ精度の高いアライメント方法を提供する。
【解決手段】レチクルの回路パターンの周囲の、走査露光によって二重露光される領域内であって回路パターンに関して互いに対応する位置に、各々が第１及び第２のマークからなる複数のマーク対を設け、上記レチクルを用いて第１露光工程を行い、形成された複数のマーク対から線形歪みを算出して記憶する予備的ステップと、上記レチクルを用い、当該記憶された上記線形歪みに応じて、上記走査露光における露光ショットの線形度を変化させて上記第１露光工程を実行する第１露光ステップと、上記第２露光工程を実行する第２露光ステップと、を有している。 （もっと読む）

【課題】生産の流れを阻害することなく、露光装置による描画を精度よくモニタリングし、そのデータから校正用データを抽出し、該露光装置にフィードバックスするマスクレス露光方法を提供する。
【解決手段】第１方向に走査し、該第１方向に交差する第２方向に走査領域がずらされた後、該第２方向に重なり部分を有するように第１方向に走査することによって、重なり部分を有して隣接する一対の走査領域であって、前記重なり部分の近傍に前記回路パターンと異なる複数のマークを露光し、前記マークは、少なくとも前記重なり部分の一方の側に２個および他方の側に２個で１セットをなすマークで構成され、これら複数のマークの距離のずれの計測によって、互いに隣接する走査領域の前記第１方向と第２方向のずれと前記第１方向に対する前記投影光学系の露光光の傾き及び走査露光中に発生したステージのヨーイング角を解析し、この結果から校正データを得る。 （もっと読む）

【課題】被測定物の位置を高精度に検出することができる位置検出装置を提供する。
【解決手段】波長幅を有する光のうち互いに異なる複数の波長の光のそれぞれに対する結像光学系の結像特性を取得する第１の取得部と、前記複数の波長の光のそれぞれに対する前記被測定物の光学像を取得する第２の取得部と、前記結像光学系の結像特性に基づいて前記被測定物の光学像の前記結像光学系に起因する劣化を補正して、前記複数の波長の光のそれぞれに対する前記被測定物の光学像を復元する復元部と、前記複数の波長の光のそれぞれに対する前記被測定物の光学像を合成して、前記複数の波長を含む光に対する前記被測定物の光学像を生成する生成部と、前記被測定物の光学像に基づいて、前記被測定物の位置を決定する決定部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】スループットを低下させることなく、露光対象面に適合するパターンを基板等へ確実に形成させる。
【解決手段】基板が描画システムに搬入されると、露光対象面に形成されたアライメントマークの位置を検出し、第１面の基準アライメントマークとアライメントマークのマーク間隔の誤差量から、補正アライメントマークを算出する。そして、補正アライメントマークのマーク間隔ＳＬｎｍと、計測したアライメントマークのマーク間隔ＭＬｎｍとの平均差である指標Ｓｔを算出する。同様に、第２面に対しても指標Ｓｂを算出する。指標Ｓｔ＜Ｓｂの場合、第１面が露光対象面になっていると判断し、第１面の描画データに基づき描画処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜成膜後にもレーザー干渉によるアライメント検出を可能とし、レーザー干渉によるアライメント可能な信号強度を得られるアライメントマークの最適寸法を提供する。
【解決手段】断面形状が方向性を有するビームで走査するアライメントマークＭの形成された表面にエピタキシャル層を成膜したウェーハであって、アライメントマークは、複数の矩形状マークが断続的に配されて前記ビーム走査方向と略直交する方向に延在する直線状マークとされ、直線状マークにおける矩形状マークが、エピタキシャル膜の表面からビーム走査した際に、回折光強度が識別可能な形状で配置されてなる。 （もっと読む）

【課題】多数の位置調整装置を備えるリソグラフィ装置及び位置調整測定方法の提供。
【解決手段】リソグラフィ装置は、第１の検出器によって対象物に配置された第１の位置調整用マークを検出し、第１の位置調整信号を生成し、第１の検出器とは異なる方法の位置調整測定を使用して、第２の検出器によって同じ第１のマークを検出し、第２の位置調整信号を生成し、第１の検出器から第１の位置調整信号を受信し、第１の位置調整信号に基づき少なくとも第１のマークの第１の位置を算出し、第２の検出器から第２の位置調整信号を受け、第２の位置調整信号に基づき少なくとも第１のマークの別の第１の位置を算出することによって、同じマークに関する位置調整測定を行うために使用される、複数の異なる位置調整装置を有する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長時の製造コストを高くすることなく、エピタキシャル成長層の形成後での重ね合わせ精度を向上することが可能な重ね合せ用のアライメントマークを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】アライメントマークＡＭ１１，Ａ１２が隣り合う間の凸部領域ＳＣ１の上方におけるエピタキシャル成長層ＥＰの表面には、第１アライメントマークＡＭ１１からのパターンダレと第２アライメントマークＡＭ１２からのパターンダレとが重なり合い、第１アライメントマークＡＭ１１および第２アライメントマークＡ１２の段差パターンの側壁に沿って並行に延びる凸部ＣＲ１が形成され、この凸部ＣＲ１に基づき、明確な光学的信号微分強度分布のピークＰＭ２を読取ることができる。 （もっと読む）