【課題】低コストで量産性の高い不純物拡散を実現する。
【解決手段】基板１０に不純物を拡散する不純物拡散方法では、まず、基板１０において不純物を拡散すべき領域１８に、不純物の拡散を防止するマスク材料を含む溶液を塗布する。次に、基板１０を乾燥して、溶液に含まれる溶媒の一部を蒸発させた半乾きマスク１４を形成する。次に、基板１０に対し不純物の気相拡散を行う。これにより、半乾きマスク１４に形成された拡散領域１８は、半乾きマスク１４を形成しなかった拡散領域１６に比べて、不純物の濃度が高くなる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素とその上に形成される絶縁膜との界面の品質及び当該絶縁膜の品質を改善して界面準位密度を低減することができる炭化珪素半導体素子の製造方法及び電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１の主表面を、水素ガスを含むクリーニングガスで表面処理し、前記主表面を窒素含有ガスで表面処理し、前記主表面上に絶縁膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の窒化速度を向上させる。
【解決手段】ガス流量制御部により処理ガス中の水素含有ガスと窒素含有ガスとの流量をそれぞれ調整し、処理ガス中に含まれる水素原子の数と窒素原子の数との総数に対する水素原子の数の比率Ｒを０％＜Ｒ≦８０％とする工程と、ガス供給部により処理ガスを処理室内に供給する工程と、プラズマ生成部により励起した処理ガスで酸化膜が形成された基板を処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に、下部電極層、ピンド層、トンネルバリア層、フリー層、上部電極層を順次成膜してなるトンネル磁気抵抗効果素子において、極力小さい膜厚で良好な被覆性を確保できるトンネルバリア層を実現する。
【解決手段】基板１０上に、下部電極層２０、ピンド層３０、トンネルバリア層４０、フリー層５０、上部電極層６０が順次積層されてなるトンネル磁気抵抗効果素子１において、トンネルバリア層４０は、原子層成長法により成膜されたアルミナなどからなり、膜厚を薄いものとしても、下地のピンド層３０の表面に存在する凹凸の被覆性を高め、トンネルバリア層４０の膜厚ばらつきを小さくできる。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上し、空隙率が高いエアギャップを形成することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することができる。
【解決手段】表面に複数の配線層が形成された基板に対し処理ガスを供給して、前記基板の表面における隣り合う配線層間に形成される溝に対して段差被覆性の悪い条件で絶縁膜を形成する工程と、前記基板に対しエッチングガスを供給して、前記絶縁膜に対して等方性エッチングを行う工程と、を所定回数行うことにより、隣り合う配線層間にエアギャップを形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板に対する原料ガスの供給を促し、基板上に形成される薄膜の成膜速度や膜厚均一性を向上させる。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に原料ガスを供給し排気管より排気する工程と、処理容器内に原料ガスとは異なる反応ガスを供給し排気管より排気する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを１回以上行うことで、基板上に所定膜厚の薄膜を形成する工程を有し、原料ガスを供給する工程では、原料ガスを供給する直前に、排気管に設けられたバルブを一時的にフルクローズして排気管を一時的に閉塞する。 （もっと読む）

【課題】酸窒化シリコン膜を安定した組成で成膜することができる酸窒化シリコン膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】一酸化シリコンからなるターゲット材１３ｃと二酸化シリコンからなるターゲット材１３ａ、１３ｂを用いるスパッタリングにおいて、ターゲットへの印加電力を変化させることにより、または反応性ガスとしてアルゴンガスに対する窒素ガスの流量比を変化させることにより、酸窒化シリコン膜の組成を容易に制御できる。 （もっと読む）

【課題】 ＡｌＧａＮ層上に容易に絶縁膜を形成することができる技術を提供する。
【解決手段】 ＡｌＧａＮ層と、ＡｌＧａＮ層の表面に形成されたＡｌＧａＮ酸化膜とを備えている半導体装置の製造方法であって、アルカリ溶液４８中にＡｌＧａＮ層を有する基板４０と陰極４４とを浸した状態で、ＡｌＧａＮ層と陰極４４との間にＡｌＧａＮ層がプラスとなる電圧を印加するとともに、ＡｌＧａＮ層に紫外線を照射する酸化ステップを有している。 （もっと読む）

【課題】 低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 表面に金属膜が形成された基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に原料ガスと酸化源とを供給し排気することで、基板の表面に形成された金属膜上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、処理を行う工程では、酸化源としてオゾンガス、酸素ガスまたはプラズマにより活性化された酸素ガスを用い、所定膜厚の金属酸化膜を形成する過程において形成される金属酸化膜越しに、酸化源に含まれる酸素原子を、金属膜の表面に導入することで、金属膜の表面を酸化して導電性の金属酸化層に改質する。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、シリコン基板１０１と、同一のシリコン基板１０１上に設けられたＮ型トランジスタ２００およびＰ型トランジスタ２０２と、を備え、Ｎ型トランジスタ２００およびＰ型トランジスタ２０２は、Ｈｆを含む高誘電率ゲート絶縁膜１０８と、高誘電率ゲート絶縁膜１０８上に設けられたＴｉＮ膜１１０と、を有しており、Ｎ型トランジスタ２００は、シリコン基板１０１と高誘電率ゲート絶縁膜１０８との間に、Ｌａ添加ＳｉＯ２膜１０９ａを有しており、Ｐ型トランジスタ２０２は、高誘電率ゲート絶縁膜１０８とＴｉＮ膜１１０の間に、Ｎ型トランジスタ２００と同じ仕事関数調整用元素を含有するＬａ添加ＳｉＯ_２膜１０９ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ結晶面に低温の化学的酸化の技術を適用して、ＳｉＣ結晶の方位Ｓｉ面及び同方位Ｃ面へ酸化膜（化学的酸化膜）を形成する。
【解決手段】 数百℃に加熱したＳｉＣ結晶基板を気相硝酸雰囲気に曝して、同結晶の方位Ｓｉ面及び方位Ｃ面に夫々酸化膜を直接形成する酸化処理過程で、気相硝酸は、例えば、高濃度硝酸から沸騰加熱して生成して、硝酸の濃度を安定に維持して、約４時間の処理を行うことにより、ｎ型４Ｈ−ＳｉＣ結晶の方位Ｃ面(000-1)の表面に炭素化合物を含まない，極めて良質なＳｉＯ_２／ＳｉＣ構造が創製された。 （もっと読む）

【課題】金属含有膜の酸化を抑制しつつシリコン含有膜の選択酸化を行い、シリコン含有膜中に侵入した水素の残留を抑制する。
【解決手段】基板を第１の温度に加熱しつつ、処理室内に水素含有ガス及び酸素含有ガスを供給した状態でプラズマ放電して所定時間維持する工程と、基板を第１の温度よりも高い第２の温度で加熱しつつ、処理室内に希ガスを供給して処理室内を希ガスの雰囲気に所定時間維持する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】側壁部の形成の基礎となるパターンをレジストにより形成する場合であっても、側壁部の傾きを抑制できる微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたエッチング対象層の上に有機膜を形成する有機膜形成ステップと、有機膜上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜をパターニングするパターニングステップと、パターニングされたレジスト膜から露出する有機膜と、パターニングされたレジスト膜とを覆うように酸化シリコン膜を常温にて堆積する堆積ステップと、基板を加熱して酸化シリコン膜に引っ張り応力を生じさせる加熱ステップと、処理ステップの後に、パターニングされたレジスト膜の側壁に酸化シリコン膜が残るように当該酸化シリコン膜をエッチングする第１のエッチングステップと、パターニングされたレジスト膜を除去する除去ステップとを含む、微細パターンの形成方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、ノーマリーオフの特性を有し、かつ電気的特性の変動が小さく、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】基板に第１の熱処理を行い、次に基板上に下地絶縁層を形成し、次に下地絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、第１の熱処理から酸化物半導体層の形成までを大気に暴露せずに行う。次に、酸化物半導体層を成膜した後、第２の熱処理を行う。下地絶縁層には、加熱により酸素を放出する絶縁層を用いる。 （もっと読む）

【課題】液体原料中の溶存ガスに起因して出現し得る気泡が気化器における気化量制御に悪影響を及ぼすのを回避する。
【解決手段】液体原料を不活性ガスにより圧送する液体原料供給源と、液体原料供給源が圧送する液体原料の流路となる液体原料供給管と、液体原料供給源から液体原料供給管を通じて供給された液体原料を気化して気化ガスを生成する気化器と、気化器が生成した気化ガスが供給される処理室とを有する基板処理装置において、液体原料供給管の経路途中に液体原料供給管内を流れる液体原料を貯留する液体原料溜め部を設け、液体原料供給管内での圧力低下によって液体原料中に現れる気泡を液体原料溜め部内にて除去する。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜を、簡便で低コストに、パターニングする方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板上に油性インクのパターンを形成する工程と、前記油性インクのパターンが形成された基板上に有機ケイ素ポリマーを塗布する工程と、ホットプレート法により、前記基板上に形成された前記有機ケイ素ポリマーを酸化してシリコン酸化膜を形成すると共に、前記油性インクを分解することにより油性インクのパターン上のシリコン酸化膜を剥離し、前記油性インクのパターンとは逆のパターン形状を有するシリコン酸化膜のパターンを形成する工程と、前記シリコン酸化膜のパターンが形成された基板を洗浄して、前記分解した油性インクおよび剥離したシリコン酸化膜を除去する工程と、を有することを特徴とするシリコン酸化膜のパターニング方法である。 （もっと読む）

【課題】基板側面に付着した異物の効率的な除去が可能な、デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０Ａの側面に保護材３を形成する工程と、基板１０Ａの少なくとも一方の主面に機能層４Ａを形成する工程と、保護材３を基板１０Ａから剥離する工程と、
を有することを特徴とする、デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおいてシリコン含有物質を選択的に酸化する方法を提供する。
【解決手段】一態様において、急速熱処理装置を用いて水素を多く含む雰囲気中で高圧において、インサイチュで水蒸気を生成させて基板を選択的に酸化することができ、基板における金属やバリヤ層のような他の物質を酸化しない。金属又は他層を酸化させずにポリシリコン層とゲート酸化物層のみを選択的に酸化する。最良の選択的酸化条件は、圧力が約１５０トール〜約８００トール、特に約２５０トール〜６００トール、例えば、４５０トールで、温度が約７００℃を超え、特に約８００℃〜約１０００℃、例えば、９５０℃で達成される。 （もっと読む）

【課題】ビアに位置ずれが生じても、ビアがエアギャップにつながることを抑制できるようにする。
【解決手段】複数の配線２４０は例えばＣｕ配線であり、互いに平行に延伸している。側壁絶縁膜２１２は、複数の配線２４０それぞれの側壁に形成されている。エアギャップは、複数の配線２４０それぞれの相互間に形成され、複数の側壁絶縁膜２１２の間に位置している。絶縁膜３０２は、複数の配線２４０上、複数の側壁絶縁膜２１２上、およびエアギャップ２１４上に形成されている。ビア３４４は絶縁膜３０２を貫通しており、いずれかの配線２４０に接続している。そして側壁絶縁膜２１２は、絶縁膜３０２がエッチングされる条件では絶縁膜３０２よりエッチングレートが低い材料により形成されている。 （もっと読む）

【課題】良好なシリコン表面パッシベーション品質する表面パッシベーション方法を提供する。
【解決手段】シリコン表面をパッシベーションする方法であって、この方法は、（ａ）シリコン表面を洗浄する工程であって、最終工程が親水性のシリコン表面を得る化学的酸化工程である一連の工程に、シリコン表面を晒す工程を含む工程と、（ｂ）進歩的な乾燥技術を用いて、洗浄したシリコン表面を乾燥させる工程と、（ｃ）シリコン表面上に、ＡＬＤＡｌ_２Ｏ_３層のような酸化物層を堆積する工程とを含む。 （もっと読む）