【課題】
表面及び内部の強誘電体の自発分極を劣化させず、且つ、外部電場で反転しやすいようにするため、酸素等の構成元素の欠落と表面の結晶性の劣化を排除しつつ、自発分極から発生する電場を増大させる。
【解決手段】
酸化物強誘電体の表面に、酸素以外の気体元素を十分に低減した雰囲気で、酸素原子、酸素イオン、オゾンなどの活性酸素を低運動エネルギーで照射する。また、酸化物強誘電体薄膜のように、表面が露出していない場合は、該薄膜の形成前に、該薄膜を形成する下地層の表面に、同様の活性酸素を照射する。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低くかつ金属との密着性に優れた絶縁層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板（シリコン基板）と、基板上に設けられており、炭素−炭素結合を有し、かつ炭素原子数とシリコン原子数との比（Ｃ／Ｓｉ）が２以上である、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂと、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂに設けられた凹部と、凹部を埋め込むように設けられた金属膜（Ｃｕ膜２２ｂ）と、Ｃｕ膜２２ｂと接しており、凹部内の多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂの表面に設けられた、改質層３１ｂと、を備え、改質層３１ｂは、多孔質ＳｉＯＣＨ膜１２ｂの内部と比較して、Ｃ／Ｓｉ比が小さく、かつＯ／Ｓｉ比が同等である。 （もっと読む）

【課題】比誘電率を低く維持したままで、リーク電流特性および面内均一性が良好な銅拡散バリア性を有する層間絶縁膜を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜の成膜方法であって、基板上に珪素とＣＨ_３を含む公知化合物である絶縁膜材料と、窒素を含有するガスとを用いてプラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜を成膜することを特徴とする層間絶縁膜の成膜方法を提供する。また、層間絶縁膜の成膜方法であって、基板上に珪素とＣＨ_３を含む公知化合物である絶縁膜材料を用いてプラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜を成膜した後、加熱雰囲気において窒素を含有するガスを基板に供給することを特徴とする層間絶縁膜の成膜方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】小さい膜厚比が得られる成膜ガスと、大きい膜厚比が得られる成膜ガスとを用いて、所定膜厚比の酸化膜を形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】穴８７の側壁及び底面を除いた基板８１の表面に形成される酸化膜８８の膜厚の、穴８７の底面に形成される酸化膜８８の膜厚に対する膜厚比が所定の膜厚比となるように、穴８７の側壁及び底面を除く基板８１の表面に、穴８７の底面よりも厚い膜厚の酸化膜８８を形成するに当たり、テトラエトキシシラン及び酸素の混合ガスをプラズマ化して酸化膜８８ａを形成した後、テトラエトキシシラン及び酸素の混合ガスよりも高い膜厚比が得られる、シラン及び亜酸化窒素の混合ガスをプラズマ化して酸化膜８８ｂを形成し、テトラエトキシシラン及び酸素から形成される酸化膜８８ａと、シラン及び亜酸化窒素から形成される酸化膜８８ｂとによって、所定膜厚比の酸化膜８８を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化処理の面内均一性を向上させる。
【解決手段】 基板の側方に設けられたノズルから酸素含有ガスを第１の流量にて基板に向けて供給し、その際、そのノズルと同じノズルから、酸素含有ガスと一緒に不活性ガスを第１の流量よりも大きな第２の流量にて供給することで、基板の表面と平行方向に流れる酸素含有ガスの流速を、酸素含有ガスを第１の流量にて単独で流す場合における基板の表面と平行方向に流れる酸素含有ガスの流速よりも大きくする （もっと読む）

【課題】ポリシリコンゲート電極の意図しないフルシリサイド化を防止する。
【解決手段】基板１７上に、ゲート絶縁膜１２およびシリコン層１０をこの順に積層した積層体（１０、１２）を形成する工程と、積層体（１０、１２）の側壁沿いにＳｉＮ膜を有するオフセットスペーサ１３を形成する工程と、その後、シリコン層１０の上面を、薬液を用いて洗浄する工程と、その後、少なくともシリコン層１０の上面を覆う金属膜１９を形成する工程と、その後、加熱する工程と、を有し、オフセットスペーサ１３が有するＳｉＮ膜は、ＡＬＤ法を用いて４５０℃以上で成膜されたＳｉＮ膜、または、１Ｇｐａ以上の引張／圧縮応力を有するＳｉＮ膜であり、前記薬液は、重量比率で、ＨＦ／Ｈ_２Ｏ＝１／１００以上であるＤＨＦ、または、バッファードフッ酸である半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉソースガスと酸化種を用いて被処理体へのＳｉＯ_２膜成膜処理を繰り返し行う際に、被処理体に付着するパーティクル数を低減すること。
【解決手段】処理容器内でＳｉソースガスと酸化種とを用いて被処理体の表面にＳｉＯ_２膜を形成する成膜処理２０１を複数回繰り返し行い、これら成膜処理２０１の間に、被処理体を処理容器から搬出した状態で処理容器内を排気しつつその中の酸化を行う酸化パージ処理２０２を実施する。 （もっと読む）

【課題】応力の発生が緩和され、かつ、良質な埋め込み構造を有する半導体装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の領域ＡＲ１、第２の領域ＡＲ２を有し、さらｗに、第１の領域ＡＲ１が第１の溝ＴＲ１を、第２の領域ＡＲ２が第２の溝ＴＲ２、を有する基板の溝に絶縁膜を埋設する。このとき、第１の溝ＴＲ１、第２の溝ＴＲ２のそれぞれを、その溝の幅の相違に応じて、径の異なる第１のナノ粒子ＣＳ１、第２のナノ粒子ＣＳ２で、埋め込んで絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】電気的ストレス及び熱に対して安定性の良好なＩＧＺＯ系アモルファス酸化物絶縁膜を製造する。
【解決手段】ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物層を、スパッタ法における背圧を５×１０^−４Ｐａ超として成膜し、その後、１００℃以上、３００℃以下のアニール温度でアニール処理する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板表面に、結晶性のよい窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を生産性よく製造する方法を提供する。
【解決手段】窒素原子を有する窒素源ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気下において、サファイア基板を１３５０℃以上１７５０℃以下の温度で加熱することにより、サファイア基板の表面に窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を製造する方法であり、条件を調整すれば、サファイア基板と窒化アルミニウム単結晶層との界面に空隙を有する積層体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】横方向延伸を減少し、素子サイズを小さくすることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に延伸し、ＳＴＩ領域を間に有する第１および第２のフィンを形成する。ＳＴＩ領域の上面と第１および第２のフィンの上面の間の寸法を第１の高さとし、ＳＴＩ領域の第１と第２のフィンとの間の間隙内に誘電材料を堆積し、ＳＴＩ領域の上面上に上面を有して、誘電材料の上面と第１および第２のフィンの上面との寸法を第２の高さとし、第２の高さは、第１の高さより低くなるように誘電材料を堆積した後、第１および第２のフィン上でそれぞれ誘電体の上方に、第１および第２のフィン延伸をエピタキシャル成長で形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いることなくエアギャップを形成可能なエアギャップ形成用シリカ系被膜形成材料を提供すること。
【解決手段】（ａ）所定のシロキサンポリマー、（ｂ）アルカノールアミン、及び（ｃ）有機溶剤を含むエアギャップ形成用シリカ系被膜形成材料は、スピン塗布法によりシリカ系被膜を形成する際に用いられるものである。このエアギャップ形成用シリカ系被膜形成材料によれば、スピン塗布法によって塗布される場合にも凹部を埋め込むことはなく、開口度の大きなエアギャップを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】導電体領域から絶縁体領域までの範囲内で所望の電気抵抗値有し、且つ、電気的ストレスに対して安定性の良好なＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を製造する
【解決手段】ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を基板上にスパッタ成膜し、その後アニール処理してＩＧＺＯ系アモルファス酸化物薄膜を製造する方法であって、成膜装置内の水分量とアニール処理の温度の組み合わせを変化させて、導電体領域から絶縁体領域の範囲内の任意の電気抵抗値を有するアモルファス酸化物薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】耐圧の異なるトランジスタが同一半導体基板上に混載されている場合においても、それらのトランジスタの性能が向上するようにストレスライナ膜を構成することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に混載された低耐圧トランジスタおよび高耐圧トランジスタ上に形成するストレスライナ膜１１、１２は、互いに膜質を異ならせることができる。ここで、ストレスライナ膜１１は、低耐圧トランジスタの性能が効果的に改善され、高耐圧トランジスタの性能があまり改善されないように膜質を設定することができる。また、ストレスライナ膜１１は、高耐圧トランジスタの性能が効果的に改善され、低耐圧トランジスタの性能があまり改善されないように膜質を設定することができる。 （もっと読む）

【課題】微小化されたトランジスタはゲート絶縁層の薄膜化を要求されるが、トンネル電流、つまりゲートリーク電流の増加により、ゲート絶縁層が酸化珪素膜の単層である場合はゲート絶縁層の薄膜化には物理的限界が生じつつある。
【解決手段】ゲート絶縁層に比誘電率が１０以上のｈｉｇｈ−ｋ膜を用いることで、微小化したトランジスタのゲートリーク電流を低減させる。酸化物半導体層と接する第２の絶縁層よりも比誘電率が高い第１の絶縁層としてｈｉｇｈ−ｋ膜を用いることによって、酸化珪素膜で換算した場合のゲート絶縁層よりもゲート絶縁層の薄膜化ができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンからなる集積回路とゲルマニウム受光器との集積化がより容易に行えるようにする。
【解決手段】シリコン層１０１の上に形成された第１ゲルマニウム層１０２と、第１ゲルマニウム層１０２の上に形成された第２ゲルマニウム層１０３と、第２ゲルマニウム層１０３の上に第２ゲルマニウム層１０３の上面を覆って形成されたシリコンキャップ層１０４とを少なくとも備える。第１ゲルマニウム層１０２および第２ゲルマニウム層１０３は、周囲が絶縁層１０５により覆われている。 （もっと読む）

半導体基板を選択的に１ステップで窒化するための方法および装置が提供される。窒素は、選択的窒化プロセスを利用することにより、シリコン領域および酸化ケイ素領域を有する半導体基板のシリコン領域中に選択的に組み込まれる。窒素含有プラズマを形成し、このプラズマからイオンをフィルタリングまたは除去することにより、基板に窒素含有ラジカルが向けられてもよく、または、選択前駆体を使用する熱窒化プロセスを実施してもよい。遠隔プラズマジェネレータが、１つまたは複数のイオンフィルタ、シャワーヘッド、およびラジカル分配器を任意に備える処理チャンバに結合されてもよく、または、ｉｎ ｓｉｔｕプラズマが生成され、１つまたは複数のイオンフィルタもしくはイオンシールドが、チャンバ内においてプラズマ発生ゾーンと基板支持体との間に配設されてもよい。
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【課題】
レジスト層あるいはアモルファスカーボン層を表面に有する基板に、低温で良質の膜を形成する。
【解決手段】
レジスト層もしくはアモルファスカーボン層を表面に有する基板にＨＭＤＳガスを曝すＨＭＤＳガス暴露工程と、基板に酸素含有ガスを曝す酸素含有ガス暴露工程と、を行うことにより、少なくともレジスト層もしくはアモルファスカーボン層の上にシリコン酸化膜を形成する。これにより、基板の表面のレジストあるいはＡＣＬにダメージを与えることのない低い処理温度で、不純物が少なく、ウェットエッチングレートが低い膜をレジストあるいはＡＣＬの上に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の面積が大きい被処理基板に容易に対応できる加圧式ランプアニール装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、処理室２５と、前記処理室内に配置され、被処理基板２２を保持する保持部２３と、前記処理室内に加圧されたガスを導入するガス導入機構と、前記処理室内のガスを排気するガス排気機構と、前記処理室内に配置された透明管２０と、前記透明管内に配置され、前記被処理基板にランプ光が前記透明管を通して照射されるランプヒータ１９と、を具備することを特徴とする加圧式ランプアニール装置である。 （もっと読む）

【課題】ウエハホルダによるウエハのスリップや反り等の弊害の発生を防止する。
【解決手段】ウエハ１の下面に面接触してウエハ１を保持するウエハホルダ７０をボート６０に多数段装着しておき、多数段のウエハホルダ７０にウエハ１をそれぞれチャージした状態で、処理室内にボートローディングし、ウエハ１のアニール処理後にボートアンローディングする。ボート６０の多数段のウエハホルダ７０からウエハ１をディスチャージする際に、ボート６０の最上段領域Ｕのウエハホルダ７０からウエハ１Ａをディスチャージし、その後に、最下段領域Ｂに向かってウエハ１をディスチャージして行く。取り出そうとしているウエハ１から落下した異物は下側のウエハ１に付着するので、異物が下側のウエハホルダに付着するのは防止でき、ウエハホルダに付着した異物による次回のウエハ１でのスリップや反り等の弊害の発生を未然に防止できる。 （もっと読む）