【課題】リリースエッチング後の大気暴露の問題を解決するための、例えばＭＥＭＳデバイス作製用の真空一貫基板処理装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】多角形の搬送室１１、並びに該多角形の各辺にそれぞれ接続されたリリースエッチング装置１２、ＡＬＤ装置１３及びロードロック室１８等を備えた真空一貫基板処理装置である。リリースエッチングとＡＬＤ成膜とを真空一貫で行うことにより、最終的に得られたデバイスにおける電気的特性・光学的特性が改善されると共にディスプレイの生産歩留まりが改善され得る。 （もっと読む）

【課題】印刷したエレクトロニクスの簡略化した製造、処理量、装置のコスト及び寸法の軽減、必要な硬化エネルギの量の減少、硬化過程中に放出される揮発性有機化合物減少を実現する硬化方法及びシステムを提供する。
【解決手段】少なくとも１つの堆積層を有する基板を支持する平坦な支持面と、少なくとも１つの堆積層を硬化させる少なくとも１つの硬化装置と、全体的な硬化過程を制御する制御システムとを含む硬化システムが提供される。硬化装置は、少なくとも１つのレーザと、レンズモジュールと、選択随意的な変調器とを含む。硬化する間、レーザから放出された光ビームは、１）レーザ光の焦点合わせしたビームを堆積層の所望の照射領域まで導くようにＸ−Ｙビームの偏向モジュールの位置を制御すること、２）レーザの位置をＸ−Ｙテーブルを介して制御すること、又は３）基板の位置をＸ−Ｙテーブルを介して制御することにより堆積層に向けることができる。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル型電界効果トランジスタとｐチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ、ｐチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。
【解決手段】ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０と、ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０とを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０のゲート電極１５を覆う応力制御膜１９には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０のゲート電極３５を覆う応力制御膜３９には、膜応力が、ｎチャネル型トランジスタ１０の応力制御膜１９より、圧縮応力側の膜を用いることにより、ｎチャネル型、ｐチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 化学量論的に窒素に対しシリコンが過剰な窒化シリコン膜を形成する。
【解決手段】 処理室内の基板に対してシリコン含有物を供給して、シリコン含有物を熱分解させて、基板上に数原子層以下のシリコン膜を堆積させる工程と、処理室内に残留したシリコン含有物を処理室内から除去する工程と、処理室内の基板に対して窒素含有物を供給して、シリコン膜の窒素含有物による窒化反応が不飽和となる条件下でシリコン膜を熱窒化する工程と、処理室内に残留した窒素含有物を処理室内から除去する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に化学量論的に窒素に対しシリコンが過剰な窒化シリコン膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく且つクラックの発生が抑制された圧電セラミックス膜を形成することができる圧電セラミックス膜形成用組成物、圧電素子の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電セラミックス膜形成用組成物は、カリウム、ナトリウム、及びニオブを含む金属錯体混合物と、シリコーンオイルと、溶媒と、を含み、金属錯体混合物と溶媒との総量１００容量部に対してシリコーンオイルを５容量部以下含む。所定量のシリコーンオイルを含むことにより、圧電セラミックス膜を形成する際の焼成工程における熱膨張が抑制されて、圧電セラミックス膜の残留応力を低減させることができる。これにより、クラックの発生が抑制されたニオブ酸カリウムナトリウム系の圧電材料からなる圧電セラミックス膜を形成することができるものとなる。さらに、鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン窒化膜を低温で形成する際に、評価対象のシリコン含有前駆体が、求める成膜温度や成膜速度を達成可能であるか予測することが可能なシリコン窒化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン含有ガスとして適用可能なシリコン含有前駆体について、成膜温度と成膜速度との関係から得られるシリコン窒化膜形成反応の活性化エネルギーの実験値と、第一原理計算により求める活性化エネルギーの計算値と、の相関性を検証した後、所定温度における前記成膜速度の対数値と前記活性化エネルギーの計算値との相関性を示す一次関数から、所定の成膜温度もしくは所定の成膜速度でシリコン窒化膜を形成するために必要なシリコン含有前駆体の活性化エネルギーを算出することを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体層とゲート電極との間に絶縁膜が形成された半導体装置の信頼性を高める。
【解決手段】基板の上方に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された電極と、を有し、前記絶縁膜は炭素を主成分とするアモルファス膜を含むものであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】分極特性を向上させる強誘電体素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体素子は、基板１と、この基板１上に形成された拡散防止層２と、拡散防止層２の上に形成された下部電極層３と、下部電極層３の上に形成された強誘電体膜４と、強誘電体膜４の上に形成された上部電極層５とから構成されている。強誘電体膜４の化学溶液法を用いた製造方法は、基板１の主面に下部電極層３を形成する下部電極形成工程と、この下部電極層３上に強誘電体４の前駆体膜を形成する前駆体形成工程と、前駆体膜を加熱して結晶化させることで強誘電体膜４を形成する結晶化工程と、強誘電体膜４を一定の温度まで冷却する冷却工程と、を少なくとも含み、結晶化工程において、前駆体膜に応力を印加した後に結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】生産性よく、半導体装置の不良の少ない高品質な膜を形成でき、歩留りの低下を防止できる基板処理装置及び半導体製造装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する複数の処理室と、前記各処理室内へ原料を供給する原料供給系と、前記各処理室内へ反応剤を供給する反応剤供給系と、前記原料供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる原料供給部と、前記反応剤供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる反応剤供給部と、基板を収容した前記各処理室内に前記原料と前記反応剤とを交互に供給して前記基板を処理すると共に、前記原料供給部と前記反応剤供給部とを前記各処理室で時間分割して用いるように、前記原料供給系、前記反応剤供給系、前記原料供給部および前記反応剤供給部を制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、異なる膜特性を有する絶縁膜に形成されるコンタクト形状の制御性を向上させる。
【解決手段】半導体基板に素子領域を形成し、半導体基板の第１の領域上に、第１の絶縁膜を形成し、半導体基板の第２の領域上に、膜応力及びコンタクトの形成の際のエッチング加工時のエッチングレートが、第１の絶縁膜と異なる第２の絶縁膜を形成し、少なくとも第２の絶縁膜において、コンタクトが形成されるコンタクト領域に選択的にＵＶ光を照射し、ＵＶ光を照射した後、第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングして前記コンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低エッチングレート、高絶縁性の特性を備える絶縁膜を形成する。
【解決手段】処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に、炭窒化層と酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の一形態の半導体装置は、第１および第２の領域を有する機能膜と、前記基板の前記第１の領域に設けられ、第１の幅を有する第１の溝と、前記基板の前記第２の領域に設けられ、第１の幅よりも広い第２の幅を有する第２の溝と、前記第１の溝を埋めるように高分子材料を前駆体として形成された第１の絶縁膜と、前記第１の幅を上回る直径を有し、前記第２の溝を埋める微粒子と、前記第２の溝内で前記微粒子間および前記微粒子と前記第２の溝との間隙を埋める前記高分子材料とを前駆体として形成された第２の絶縁膜とを持つ。 （もっと読む）

【課題】金属含有膜のための気相成長前駆体としての使用に適した有機金属化合物を提供する。特定の有機金属前駆体を用いて金属含有膜を被着させる方法も提供する。そのような金属含有膜は、電子装置の製造において特に有用である。
【解決手段】周期表のランタニド又は第３族〜第１６族から選択される金属の酸化物を成膜する方法であって、エノラート配位子を含む金属含有前駆体を用い、金属前駆体を蒸気状態で反応チャンバーに導入し、基体上に化学吸着させる工程と、パージする工程と、酸素源を導入する工程と、パージする工程とを含む気相成長により成膜する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ上に膜厚及び膜質が均一な薄膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】平行平板電極を構成するサセプタ２６にウエハＷを載置し、シャワーヘッド９に高周波を供給してサセプタ２６との間にプラズマを生成し、ウエハＷに薄膜を形成する際に、シャワーヘッド９を内側電極部９１と外側電極部９２に分割するとともに、シャワーヘッド９全体に一応に同じレベルの電圧を供給して薄膜を形成したときに、ウエハＷの周縁部の膜厚が、周縁部よりも内側部分の膜厚よりも薄くなる場合には、内側電極部９１に供給される高周波電力よりも大きな高周波電力を外側電極部９２に供給してウエハＷ上に薄膜を形成し、ウエハＷの周縁部の膜厚が、周縁部よりも内側部分の膜厚よりも厚くなる場合には、内側電極部９１に供給される高周波電力よりも小さな高周波電力を外側電極部９２に供給してウエハＷ上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】アモルファスカーボン膜のパターン寸法ばらつきが低減した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下地膜を形成する工程と、下地膜上にアモルファスカーボン膜を成膜する工程と、アモルファスカーボン膜のパターンを形成する工程と、アモルファスカーボン膜をマスクにして下地膜をエッチングする工程を有する。アモルファスカーボン膜は、アモルファスカーボン膜の表面から下地膜に接する面に向かってその厚み方向を進むにつれて、アモルファスカーボン膜の膜密度を小さくする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスター表示板およびその製造方法の提供。
【解決手段】本発明の実施形態による薄膜トランジスター表示板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に位置するゲート線と、前記ゲート線と交差するデータ線と、前記ゲート線およびデータ線と連結されている薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスターのゲート電極と前記薄膜トランジスターの半導体との間に位置するゲート絶縁膜と、前記薄膜トランジスターと連結されている画素電極と、前記画素電極と前記薄膜トランジスターとの間に位置する保護膜と、を備え、前記ゲート絶縁膜および前記保護膜のうちの少なくとも一方は、窒化シリコン膜を含み、前記窒化シリコン膜は、２×１０^２２ｃｍ^３以下または４ａｔｏｍｉｃ％以下にて水素を含む。 （もっと読む）

【課題】窒化シリコン膜と酸化シリコン膜との積層構造体を単一のプラズマＣＶＤ装置にて一貫して成膜する際に、両膜間に異質な薄膜が形成されないという機能を有しつつ、短時間で効率のよい成膜が可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、反応室２ａに処理すべき基板Ｗを設置し、真空雰囲気中にてシリコンを含む原料ガスと窒素を含む一の反応ガスとを反応室内に導入し、放電用の高周波電力を投入してプラズマＣＶＤ法にて窒化シリコン膜を成膜する第１工程と、前記原料ガスを供給しながらプラズマ放電を維持した状態で、反応室内の窒素分圧を高める第２工程と、一の反応ガスの供給のみを停止し、酸素を含む他の反応ガスを反応室内に供給してプラズマＣＶＤ法にて酸化シリコン膜を成膜する第３工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】配線層の表面の平坦度を高めることができ且つ配線間隔が広い領域において磁界を変動させる構成を無くした配線層の形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線層の形成方法は、下側部材上に配線パターン１０２を形成する工程と、その上に絶縁材料層１０３，１０６を形成する工程と、配線パターンの間に形成された絶縁材料層の一部を、絶縁膜ブロック１１１として残すと共に、絶縁膜ブロック１１１の高さを、絶縁膜ブロック以外の絶縁材料層の高さより高くなるように、絶縁材料層をエッチング処理する工程と、絶縁膜ブロックを含む絶縁材料層を研磨して、表面が平坦化された層間膜を形成する工程とを有する。半導体装置の製造方法は、半導体基板と配線層とを有し、上記配線層の形成方法を用いて配線層の少なくとも１つを製造する。 （もっと読む）

【課題】中性粒子ビームと平行に原料ガスをウェハに導入でき、ウェハ上に形成される膜の面内均一性を向上することが可能な中性粒子照射型ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】コイル１８によって希ガスを励起してプラズマを発生させるプラズマ発生部１２から中性粒子を取り出して反応室１０内のウェハ１４に向けて導入できる複数の開口２２ａを有するカソード電極２２と、ウェハ１４の直上から前記中性粒子と平行に原料ガスをウェハに供給するガス供給部３１と、を具備するＣＶＤ装置とする。 （もっと読む）

【課題】シンプルな製造工程により界面状態の良好な結晶性薄膜を立体形状を含む所望のパターンに形成可能であり、結晶化に要する熱処理温度を低減させることが可能な結晶性薄膜又は結晶性構造体の製造方法、及び当該製造方法により形成された結晶性薄膜を備えた構造体を提供する。
【解決手段】結晶性薄膜又は結晶性構造体の製造方法においては、蒸着・結晶化促進工程において、スパッタリング法による金属酸化物の蒸着、及びレーザー光照射による金属酸化物の結晶化促進が同時に行われる。蒸着・結晶化促進工程を経た基板３４は、所定の温度条件下においてアニールされる。これにより、金属酸化物が完全に結晶化された状態になる。 （もっと読む）