【課題】シールド構造を具備したモジュール部品において、小型・薄型化を低コストに実現する。
【解決手段】モジュール部品１０では、シールド構造として上面を比較的安い金属材料からなる金属薄膜７で構成し、側面のみ高価な導電性樹脂層８で形成することによって、導電性樹脂の使用量を減らしコスト低減を図る。
また、第１の絶縁性樹脂層５、第２の絶縁性樹脂層６を形成した後に、モジュール部品単位に個片化を行う。その後、比較的剛性のあるキャリア１４上に再配置し導電性樹脂層８を形成することで、導電性樹脂層８の硬化収縮による反りをキャリア１４によって抑制する。従って、高い精度で導電性樹脂層８をダイシングできることから、安定したシールド特性を得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、より多くの電子部品を実装することが可能な電子部品モジュール、電子部品モジュールの製造方法、多機能カードを提供する。
【解決手段】本発明は、ベース基板１、該ベース基板１の少なくとも一面に実装した複数の電子部品２、３を備える電子部品モジュール１０である。電子部品モジュール１０は、複数の電子部品２、３を実装したベース基板１の一面に接合され、複数の電子部品２、３の周囲を囲む金属枠４、複数の電子部品２、３及び金属枠４を被覆し、金属枠４の一部が露出している封止樹脂５、複数の電子部品２、３を内側に囲んである金属枠４で囲まれた領域の少なくとも一部を覆うように形成し、封止樹脂５から露出した金属枠４の一部と接合するシールド層６、及びシールド層６を被覆する絶縁層７を備える。 （もっと読む）

【課題】 信頼性を向上可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体パッケージ１は、パッケージ基板８０、およびパッケージ基板８０の上に実装されるチップ積層体１０を備える。チップ積層体１０とパッケージ基板８０とは、チップ積層体１０の第１半導体チップ１００とパッケージ基板８０との間に配置されるソルダボール１１０を介して電気的に連結される。第１半導体チップ１００の上には第２半導体チップ２００が積層される。第２半導体チップ２００の上面２００ｓは、平坦化されたモールディング膜３５０に覆われることなく露出し、放熱膜４０１と直接接触する。これにより、第１半導体チップ１００および第２半導体チップ２００で発生する熱は、放熱膜４０１を通じて容易に放出することができる。 （もっと読む）

【課題】
ウエハレベルでの積層ウエハ間へのアンダーフィルの充填において、ボイドの発生及びウエハの汚染を防止する。
【解決手段】
ウエハ１００及び１００’の少なくとも一方上に、枠状の流出防止構造体１２０と、該流出防止構造体の内部に配置される１つ以上のガイド構造体１３０とを形成する。これらの構造体１２０、１３０を挟むようにウエハ１００と１００’とを積み重ねた後に、流出防止構造体１２０によって囲まれたウエハ１００と１００’との間の空隙にアンダーフィルを充填する。各ウエハは、半導体チップが形成されたチップ形成領域１１０を有し、流出防止構造体１２０は、チップ形成領域１１０を取り囲み且つ樹脂の注入口２２１及び流出口２２２を有するように形成される。ガイド構造体１３０は、注入口２２１と流出口２２２との間に並列配置された複数の樹脂流路２４１−２４５を形成するように設けられる。 （もっと読む）

【課題】チップ積層体の薄型化を図りつつ、チップ積層体と配線基板との間の接続信頼性を高めた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体チップ１２ａ〜１２ｅが積層されたチップ積層体３と、チップ積層体３を一面に搭載する配線基板２と、複数の半導体チップ１２ａ〜１２ｅの各隙間に充填された状態で、チップ積層体３を封止する第１の封止体４と、第１の封止体４で封止されたチップ積層体３の全体を覆った状態で、配線基板２の一面を封止する第２の封止体５とを備え、配線基板２の一面を被覆する絶縁膜１１には、チップ積層体３の周囲からはみ出した第１の封止体４のせり上がり部分４ａを逃がす開口部１７が設けられている。 （もっと読む）

【課題】複数プレス部に搬入されるワークにコンパクトな装置構成で効率よくしかも製品に応じた仕様でワークに液状樹脂を供給できる液状樹脂供給装置を提供する。
【解決手段】シリンジ１９に充填された液状樹脂５をワークＷに吐出して供給するディスペンスユニット１８に交換用の複数のシリンジ１９を保持したシリンジ供給部１７が回転可能に設けられ、ディスペンスユニット１８はシリンジ供給部１７から交換用のシリンジ１９を受け取って液材吐出位置Ｊに保持されたワークＷに液状樹脂５を所定量吐出して供給する。 （もっと読む）

【課題】 フリップチップ実装で、はんだバンプと接合されない電極および／または配線の部分で、液状封止材の塗布後、硬化前に、液状封止材のフィラー密度が低下する現象を抑制することを課題とする。
【解決手段】 （Ａ）はんだバンプを備えた電子部品と、はんだバンプと接合するための電極および／または配線、ならびにはんだバンプと接合されず、はんだとは異なる金属が露出している電極および／または配線を備える基板とを、はんだバンプを介して接合する工程、と（Ｂ）電子部品と基板の間隙に、フィラーを含有する液状封止材を塗布し、硬化させる工程を備える電子部品の実装方法であって、（Ｂ）工程の前に、基板に備えられた、はんだバンプと接合されず、はんだとは異なる金属が露出している電極および／または配線の表面を、有機物で被覆する工程を有する、電子部品の実装方法。 （もっと読む）

【課題】基板間におけるボイドの発生を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、一定のピッチで配列したバンプ電極１４から構成されるバンプ電極群１２であって、第２の方向Ｔ２に沿ったバンプ電極の数より第１の方向Ｔ１に沿ったバンプ電極の数の方が少ないバンプ電極群１２を備えた第１の基板１０と、第２の基板と、を準備する工程と、第１の基板１０と第２の基板との間に隙間が形成されるように第１の基板１０と第２の基板とをバンプ電極１４を介して接合する工程と、第１の基板１０と第２の基板との間の隙間に、バンプ電極群１２の第２の方向Ｔ２に沿って封止樹脂３４を流動させて、封止樹脂３４で当該隙間を充填する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱効果を有するとともに、薄型化、製造工程数の削減、及び材料コストの節減が可能な半導体モジュール、該半導体モジュールの不良解析方法、及び該半導体モジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】メインボード２０上に搭載された電子部品１１と、メインボード２０上に搭載され、凹状の空間を形成するキャビティ部１２ａを有するとともに、電子部品１１をキャビティ部１２ａ内に収納したキャビティ基板１２と、を備えている。電子部品１１の上表面と、キャビティ部１２ａの底面１２ｂとが、半田や導電性接着剤などの接合用材を介することなく、熱伝達が可能な状態で直接的に接触している。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製する工程を含む、半導体発光デバイスをパッケージする方法を提供すること。
【解決手段】半導体発光デバイスをパッケージングする方法は半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製するステップを含む。該基板は中に半導体発光デバイスを搭載するように構成された空洞を含んでもよい。該半導体発光デバイスは該基板上に搭載されて基板の接続部分に電気的に接続される。該基板は該半導体発光デバイス上に、該基板に接着された光素子を形成するために液体注入モールドされる。液体注入モールドのステップに先行して空洞の中の電気的に接続された半導体発光デバイス上に軟樹脂を塗布するステップがある。半導体発光デバイスの基板リボンも提供される。 （もっと読む）

【課題】ワークや樹脂材の供給から樹脂モールドを行なって成形品を収納するまでの一連の作業をコンパクトな装置構成で効率よくしかも製品に応じた仕様で樹脂モールドが行える樹脂モールド装置を提供する。
【解決手段】ワーク搬送機構Ｈに備えた多関節ロボット２の移動範囲を囲んでワーク供給部Ａ、樹脂供給部Ｂ、プレス部Ｃ及びワーク収納部Ｆが配置されている。 （もっと読む）

【課題】支持体上に半導体チップを配置する際に精度良く位置合わせできるとともに、微細な配線を形成可能な半導体パッケージの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本半導体パッケージの製造方法は、支持体の一の面に、位置合わせマークを形成する第１工程と、前記位置合わせマークにより位置合わせした半導体チップを、回路形成面が前記一の面と対向し、かつ、前記位置合わせマークを覆うように、前記支持体上に配置する第２工程と、前記支持体上に配置された前記半導体チップを封止する樹脂部を形成する第３工程と、前記支持体を除去する第４工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製する工程を含む、半導体発光デバイスをパッケージする方法を提供すること。
【解決手段】半導体発光デバイスをパッケージングする方法は半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製するステップを含む。該基板は中に半導体発光デバイスを搭載するように構成された空洞を含んでもよい。該半導体発光デバイスは該基板上に搭載されて基板の接続部分に電気的に接続される。該基板は該半導体発光デバイス上に、該基板に接着された光素子を形成するために液体注入モールドされる。液体注入モールドのステップに先行して空洞の中の電気的に接続された半導体発光デバイス上に軟樹脂を塗布するステップがある。半導体発光デバイスの基板リボンも提供される。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ方式の半導体装置のアンダーフィル材においてセルフフィレット性に優れ、且つ耐ブリード性に優れる液状封止樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】フリップチップ方式の半導体装置に用いる液状封止樹脂組成物において、（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）芳香族アミン、（Ｃ）無機充填剤、（Ｄ）ポリエーテル基を有する液状シリコーン化合物、及び（Ｅ）アミノ基を有する液状シリコーン化合物を含有することを特徴とする液状封止樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤパッケージ製造システムにおいて、個片のＬＥＤ素子の発光波長がばらつく場合にあってもＬＥＤパッケージの発光特性を均一にして、生産歩留まりを向上させることができる樹脂塗布装置および樹脂塗布方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子を蛍光体を含む樹脂によって覆って成るＬＥＤパッケージの製造に用いられる樹脂塗布において、樹脂８を発光特性測定用として試し塗布した透光部材４３を光源部を備えた透光部材載置部４１に載置し、光源部から発光された励起光を透光部材４３に塗布された樹脂８に照射することによりこの樹脂８が発する光の発光特性を発光特性測定部３９によって測定した測定結果と予め規定された発光特性との偏差を求め、この偏差に基づいて実生産用としてＬＥＤ素子に塗布されるべき樹脂の適正樹脂塗布量を導出する。 （もっと読む）

【課題】比較的安価に製造することができて反りが発生しにくい半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】開口部を備えた板状部材２１の下にフィルムを貼り付ける。次に、開口部の内側のフィルム上に半導体素子２４等を配置し、開口部の内側に封止材２７を注入して半導体素子２４等を封止する。次いで、フィルムを除去した後、板状部材２１及び封止材２７の下に絶縁膜２８を形成する。そして、絶縁膜２８を加工して、半導体素子２４に電気的に接続した端子２８ａを形成する。その後、端子２４ａの下にはんだボール２９を形成する。 （もっと読む）

【課題】電子部品と回路基板との隙間に存在するボイドを低減して、電子部品の信頼性を向上させる構造体を提供する。
【解決手段】回路基板１０の電極部又は前記電子部品の端子部上に、前記回路基板１０及び前記電子部品の隙間の間隔よりも薄い膜厚の第１の樹脂材を供給する工程と、前記第１の樹脂材を供給した後、前記電子部品の端子部を前記回路基板１０の電極部に接触させたまま、前記回路基板１０の電極部又は前記電子部品の端子部上に配設された半田材３０を第１の温度で溶融して、前記電子部品の端子部を前記回路基板１０の電極部に接続する工程と、前記電子部品の端子部を前記回路基板１０の電極部に接続した後、前記回路基板１０及び前記電子部品の隙間に第２の樹脂材を充填する工程と、前記第２の樹脂材を、前記第１の温度よりも低温である第２の温度で加熱する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】導体層と絶縁層を交互に少なくとも１層以上積み重ねてなる多層配線基板の表層絶縁層上に、フェイスダウン方式で半導体素子を、突起電極を介して接続し、前記半導体素子と前記多層配線基板とのギャップに液状熱硬化樹脂を塗布し突起電極を封止して製造する半導体パッケージの製造方法において、半導体素子実装後に、液状熱硬化樹脂を注入し、半導体素子と多層配線基板のギャップを封止する際、半導体素子下で浸透のむらが生じ、それを起因とする巻き込みボイドが発生する問題がある。
【解決手段】少なくとも該半導体素子が搭載される表層絶縁層上の領域に対しプラズマ放電を利用した表面活性処理を不均一に施すことを特徴とする該半導体パッケージの製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡略基板を用いることにより安価な半導体部品を供給することが可能になり、かつ、封止体内に外部接続用のマイクロボールを埋め込むことにより薄型かつ外部端子接続性に優れたＢＧＡ半導体パッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＢＧＡ半導体パッケージは、半導体素子を搭載する基板と半導体素子と基板を接着する接着剤と基板に設けられたスルーホールにはめ込まれた導電性のマイクロボールと、半導体素子とマイクロボールとを電気的に接続するボンディングワイヤと、半導体素子、接着剤、マイクロボールの一部、およびボンディングワイヤを基板の半導体素子面側を封止樹脂で封止する封止体とを備えたＢＧＡ半導体パッケージにおいて、マイクロボールの底面の少なくとも一部が、封止体の底面から基板に設けられたスルーホールを通して外部接続用端子として露出する露出部を有する。 （もっと読む）

【課題】アタッチメントへの半導体用封止材の付着を抑制しながら、良好なフィレットを形成することのできる半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】厚みが１００μｍ以下の半導体チップを基板に実装する半導体チップの実装方法であって、基板に半導体用封止材を供給する工程と、前記半導体用封止材を介して、半導体チップを前記基板に搭載する工程と、前記半導体用封止材を硬化する工程とを有し、前記基板は、水との接触角が３０°以下である半導体チップの実装方法。 （もっと読む）