【課題】 本発明の目的は、高透明性且つ高屈折率、かつ貯蔵安定性に優れた樹脂ワニス、それを成形して得られる成形体を提供することである。また、本発明によれば、性能に優れた光学部品および光学デバイスを提供することである。
【解決手段】 本発明の樹脂組成物は、光学部品を形成するために用いる樹脂ワニスであって、屈折率が１．６以上の樹脂と、酸化ジルコニウムおよび酸化チタンの少なくともいずれか一方を含む無機粒子と、溶媒とを含み、前記樹脂ワニス中における前記無機粒子の含有量が１５体積％以下あることを特徴とする。また、本発明の光学部品は、上記に記載の樹脂ワニスを用いて形成してなることを特徴とする。また、本発明の光学デバイスは、上記に記載の光学部品を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置製造時における樹脂クラックの発生が抑制され、耐熱変色性および耐光性に優れた光半導体装置用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｅ）成分を含有する光半導体装置用エポキシ樹脂組成物からなる。
（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂。
（Ｂ）酸無水物系硬化剤。
（Ｃ）硬化促進剤。
（Ｄ）ポリラクトンポリオール。
（Ｅ）ポリオルガノシロキサン。 （もっと読む）

【課題】成形が容易で、硬化後に高い屈折率と化学的安定性を備えた光学部材を有する光電変換素子を提供する。
【解決手段】本発明にかかる光電変換素子は、受発光素子上に、金属酸化物を主成分とする波長５８９ｎｍにおける屈折率２．０以上の無機粒子と、分子内に複数の（メタ）アクリロイル基を有する重合性化合物と、分子内に水酸基およびカルボキシル基の少なくとも一方を有するアルカリ可溶性重合体と、オキシムエステル構造を有する光ラジカル重合開始剤と、を含む、感光性組成物の硬化膜を有する。 （もっと読む）

【課題】垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）モジュール及びフォトダイオード（ＰＤ）モジュール等の光電子チップの位置合わせに、視覚的なアラインメントを用いる。
【解決手段】フォトダイオード（ＰＤ）モジュール及び垂直キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）モジュール等の光電子（ＯＥ）チップの、外部の導波路又はファイバアレイに対するセルフアラインメントを、ファイバ光学コネクタ内に直接ＯＥチップをパッケージングすることによって実現する。 （もっと読む）

【課題】光学素子と光ファイバとの相対位置を容易に調整することができる、光通信モジュールを提供する。
【解決手段】光通信モジュール１では、樹脂パッケージ１１に、光学素子配置用の第１凹部１２が形成されている。また、樹脂パッケージ１１に、光ファイバ配置用の溝１４が形成されている。第１凹部１２内に光学素子１６が配置され、溝１４内に光ファイバ１８が配置されることにより、光学素子１６と光ファイバ１８との光学的な接続が達成される。そして、樹脂パッケージ１１には、溝１４の途中部の側面１５において開放される第２凹部２１が形成されている。光ファイバ１８の途中部には、抜け防止部材１９が固定されている。抜け防止部材１９は、第２凹部２１内に配置され、第２凹部２１に対して固定される。 （もっと読む）

【課題】光学デバイスの長期信頼性を支える上で、その使用温度域にガラス転移に拠らない応力緩和機構を有し、かつ耐熱性、耐光性に優れる封止層を有する光学デバイスが求められている。
【解決手段】特定の粘弾性挙動を有する封止層が耐熱衝撃性において優れた特性を示すことを見出し、本発明を完成するに至った。また、さらに本発明の封止剤において、特定のオルガノシロキサン組成物を硬化してなる硬化物が好ましいことを見出した。本発明は以下の構成を有する。
周波数１０Ｈｚで測定した損失正接の極大値が−４０℃〜１００℃の温度範囲内に１個以上あり、かつ極大値が０．０１〜０．５の範囲内にある封止層を有する光学デバイス。 （もっと読む）

【課題】光半導体受光素子、特にリモコンモジュールに用いることができる半硬化エポキシ樹脂、半硬化エポキシ樹脂の粘度を適切に調節することにより、光半導体受光素子に適用時に不良発生を最小化できる半硬化エポキシ樹脂の製造方法、および半硬化エポキシ樹脂を用いて製造される光半導体受光素子を提供する。
【解決手段】半硬化エポキシ樹脂は７００ｎｍ以下の波長領域で光透過率が１％以下であり、９４０ｎｍ以上で光透過率が８５％以上であり、Ｓｐｉｒａｌ Ｆｌｏｗ Ｌｅｎｇｔｈは２５〜８０インチ、９７℃の水に浸漬して１時間経過後、硬化樹脂の吸湿量が０.４５％以下である。 （もっと読む）

【課題】製造にかかる工程数やコストを抑え、光素子の受光、発光面を外部に露出させることができる光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】光透過基板２０１の第１面に能動領域を形成し、光透過基板２０１をカットすることによって作成された光素子１０３を、リードフレーム１０１が貼り付けられた粘着テープ１０２の所定位置に、第１面の裏面を貼り付け面として接着する。そして、リードフレーム１０１と光素子１０３とを電気的に接続し、リードフレーム１０１と光素子１０３とをモールドした後、粘着テープ１０２を除去する。さらに、リードフレーム１０１を切断してパッケージ化された光デバイを製造する。 （もっと読む）

【課題】従来と比べて高精度かつ小型の赤外線センサを提供すること。
【解決手段】赤外線センサ１０は、赤外線領域の光の検出機能を有する光電変換部を備えた量子型光電変換素子１と、量子型光電変換素子１に電気的に接続されたリードフレーム（図示せず）の接続端子３と、量子型光電変換素子１及び接続端子３を封止する樹脂モールド２と、金属ボール４を介して接続端子３と電気的に接続された光学調整部５とを備える。光学調整部５は、赤外線領域の光を量子型光電変換素子１に導く機能を有する。接続端子３には、金属ボール４との間のパッド３ａ〜ｄが設けられている（３ｃ及び３ｄは図示せず）。光学調整部５は、発熱素子７及び温度測定素子８を備え、これらの素子は、パッド６ａ〜ｄを介して接続端子３ａ〜ｄと電気的に接続される。量子型光電変換素子１は接続端子３ｅ〜ｆを介して外部回路に接続される。発熱素子７に瞬間的に電流を流すことによって、光学調整部５の基板とその周囲の結露を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】受発光素子、光導波路、及び光信号路変換部品が接続する構造を安価で簡便に製造でき、接続部実装の信頼性を向上させる光基板の製造方法を提供する。
【解決手段】両面銅箔付き絶縁層の銅箔をエッチング除去する工程、絶縁樹脂層の裏面にザグリする工程、ザグリ加工部に受発光面を下にして受発光素子を固定する工程、絶縁樹脂層の両面に絶縁樹脂層を形成する工程、絶縁樹脂層にスルーホール形成する工程、絶縁樹脂層にバイアホール形成し受発光素子の電極を露出する工程、スルーホール、バイアホール及び表面樹脂層に無電解銅めっき、電解銅めっきを施し導体層を形成する工程、導体層をエッチングし銅配線を形成する工程、絶縁樹脂層表面にＩＣチップ実装する工程、絶縁樹脂層表面をモールドする工程、絶縁樹脂層裏面に受発光素子と位置合わせし光導波路を実装する工程を経る。 （もっと読む）

ラミネートリードレスキャリアパッケージ（１００）は、光電子チップ（１４５）と、複数の導電層（１１５、１３０）と複数の誘電層（１１０）とが共にラミネートされた、光電子チップを支持するための基板と、基板の頂部表面上に位置する光電子チップおよびワイヤーボンドパッドに結合されたワイヤーボンド（１６０）と、光電子チップ、ワイヤーボンドおよび基板の頂部表面の少なくとも一部をカバーするカプセル封入部（１６５）とを含み、カプセル封入部は、成形コンパウンドであり、パッケージは、横向きとして取り付けられるようになっている。複数のラミネートリードレスキャリアパッケージを製造するための方法は、基板を調製するためのステップと、ダイ取付けパッドにエポキシ接着剤を塗布するステップと、ダイ取付けパッドに光電子チップを取り付けるステップと、光電子チップをワイヤーボンディングするステップと、成形コンパウンドを成形し、光電子チップ、ワイヤーボンドおよび基板の頂部表面の少なくとも一部をカバーするカプセル封入部を形成するステップと、基板を個々のパッケージにダイシングするステップとを含む。
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【課題】半導体チップの発光部または受光部とコアに形成された反射面との間の距離を短縮し、光電変換基板部分と光導波路部分との間の光損失を小さくすることができる光電気混載モジュールおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】光導波路部分Ｗ₁ のオーバークラッド層３の表面に凹部３ａを形成し、その凹部３ａ内に、光電変換基板部分Ｅ₁ における光電変換用の半導体チップ７の発光部７ａまたは受光部の少なくとも一部、およびボンディングワイヤ８のループ部８ａの少なくとも一部を位置決めし、その状態で、上記光電変換基板部分Ｅ₁ を光導波路部分Ｗ₁ に固定する。それにより、半導体チップ７の発光部７ａまたは受光部とコア２に形成された反射面２ａとを近づける。 （もっと読む）

【課題】光素子を外力が確実に保護するとともに、光導波路と積層した際には、光素子と光導波路との間を低損失で接続しつつ、光電気混載基板の薄型化を実現可能な光素子搭載基板、および、かかる光素子搭載基板を備えた光電気混載基板および電子機器を提供すること。
【解決手段】光電気混載基板１は、光導波路２１が形成された光回路層２と、その上方に設けられ、受発光素子（光素子）７を内蔵する光素子搭載基板（光電気複合モジュール）１０とを有する。光素子搭載基板１０は、平板状の第１の基板１１と、第１の基板１１上に設けられ、四角形の枠状をなす第２の基板１２と、第２の基板１２の内側に設けられた受発光素子７および半導体素子８とを有している。第１の基板１１は、可撓性を有し、第２の基板１２は、第１の基板１１よりも剛性が高いものである。 （もっと読む）

【課題】光トランシーバに集光レンズ機能を搭載したものにあって、光トランシーバのリードフレームの位置より集光レンズの配置位置が離れすぎている場合にも、他の部品の設計変更を行うことなく適正な光通信を行うことができる光コネクタを提供する。
【解決手段】相手側光コネクタが嵌合されるコネクタハウジング２と、コネクタハウジング２内に収容され、光ファイバ３０の先端面３０ａとの間で光信号の送受信を行う光トランシーバ２０とを備え、光トランシーバ２０は、リードフレーム２１と、リードフレーム２１上に配置されたセラミックス基板２２と、セラミックス基板２２上に配置された光電変換素子２３と、光電変換素子２３の上方位置に集光レンズ２４ａが一体に形成されると共にリードフレーム２１、セラミックス基板２２及び光電変換素子２３の外周に配置され、光伝搬可能な樹脂材より形成された樹脂成形部２４とを備えた。 （もっと読む）

【課題】衝撃力が加わっても端子部の加工部が変形し難く、しかも、端子部の加工作業性が良いインサート成形部品の製造方法を提供する。
【解決手段】突出された端子部２６を有する光トランシーバ２０を樹脂成形によって作製する一次成形工程を行い、一次成形工程の後に、端子部２６を折り曲げ加工して折り曲げ部２６ａを作製する端子加工工程を行い、端子加工工程の後に、光トランシーバ２０をインサート成形の内部部品とし、且つ、折り曲げ部２６ａの外周を覆うようにコネクタハウジング２を樹脂成形によって作製する二次成形工程を行う。 （もっと読む）

【課題】光の取り出し効率又は受光効率が高く、かつ安価に製造することができる光半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光を放射又は吸収する活性層を備えた光半導体チップが接合部材を用いて基材上に接合されてなり、接合部材が光半導体チップの外側に光反射面を有するように形成された光半導体素子の製造方法であって、接合部材を上記基材上に塗布することと、光半導体チップを、溶融した接合部材が光半導体チップの側面の外側にはみ出すように押圧して光半導体チップの外側に光反射面を形成する。 （もっと読む）

【課題】 電気回路基板上への実装を確実且つ簡便に行うことが可能で信頼性にも優れた光モジュールの接続構造体を提供すること。
【解決手段】 一端部に光素子駆動用の接続端子２を備えた扁平状の基体１に、少なくとも接続端子２に接続された複数の光素子３と、該複数の光素子３に光結合させる光導波体５の一端部とを配設して成る光モジュールＭ１を、電気回路基板上に実装した光素子駆動用のコネクタ部Ｓ１に連結し、該コネクタ部Ｓ１の接続端子１２と光モジュールＭ１の接続端子２とを接続するようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄型で光取り出し効率の高い光半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】支持基板上に、互いに離間する第１及び第２の導電部材を複数形成し、該第１及び第２の導電部材の上面の一部を保護膜で被覆する第１の工程と、前記第１及び第２の導電部材の間に遮光性の熱硬化性樹脂を含む基体を形成する第２の工程と、前記保護膜を除去し、該保護膜を除去した前記第１及び／又は第２の導電部材上に光半導体素子を載置し、前記光半導体素子を、透光性樹脂からなる封止部材で被覆する第４の工程と、前記支持基板を除去する第４の工程と、前記光半導体素子を個片化して光半導体装置を得る第５の工程を含む光半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光導波路部分のコアと基板部分の光学素子との調芯作業が不要となる光センサモジュールの製造方法およびそれによって得られた光センサモジュールを提供する。
【解決手段】基板部分位置決め用の溝部（嵌合部）４ａを有する光導波路部分Ｗ₁ と、その溝部４ａに嵌合する嵌合板部（被嵌合部）５ａを有する基板部分Ｅ₁ とを、個別に作製し、光導波路部分Ｗ₁ における溝部４ａに基板部分Ｅ₁ における嵌合板部５ａを嵌合し一体化する。ここで、光導波路部分Ｗ₁ における溝部４ａは、コア２の一端面２ａに対して適正位置に形成されている。また、基板部分Ｅ₁ には、光学素子８が実装されており、その光学素子８に対して適正位置に、嵌合板部５ａが適正形状に形成されている。このため、溝部４ａと嵌合板部５ａとの嵌合により、コアの一端面２ａと光学素子８とは、適正に位置決めされ、自動的に調芯された状態になる。 （もっと読む）

本発明は、オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法に関し、本方法は、キャリア（１）を形成するステップと、キャリア（１）の上面（１ａ）に少なくとも１個のオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）を配置するステップと、少なくとも１個のオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）を成形体（３）によって成形するステップであって、成形体（３）が、少なくとも１個のオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）の側面（２ｃ）すべてを覆っており、少なくとも１個のオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）の上面（２ａ）における、キャリア（１）とは反対側の面、または、少なくとも１個のオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）の下面（２ｂ）における、キャリアの側の面に、成形体（３）が存在しない、またはこれらの面が露出している、ステップと、キャリア（１）を除去するステップと、を含んでいる。 （もっと読む）