【課題】ゲルマニウムからなるドットの密度を向上可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置６００は、石英管６１０と、反応室６２０と、石英管６１０内へＨ_２ガスを供給する配管６５０と、石英管６１０内にリモート水素プラズマを生成するアンテナ６７０、マッチング回路６８０および高周波電源６９０と、反応室６２０内で基板８００を保持する基板ホルダー６３０と、基板８００を加熱するヒーター６４０と、ゲルマンガスを基板８００の近傍に供給する噴出器７００および配管７１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】新規な電荷貯蔵フィルム（又は層）のアーキテクチャ、及び先行技術の欠点を克服できるこのアーキテクチャの製造プロセスを提供する。
【解決手段】メモリセルの金属粒子を含む電荷貯蔵層を製造するプロセスであって、前記層が、表面に前記金属粒子を含む有機層からなり、前記プロセスが：金属、半導体又は電気絶縁基板上に、カチオン形態にて少なくとも１つの金属元素を錯化できる基を表面に含む有機層３７をグラフトする工程；前記層を、カチオン形態にて前記金属元素を含む溶液と接触させることによって、前記金属元素を前述の基によって錯化する工程；及び前記錯化金属元素を酸化状態０の金属元素に還元することによって、金属粒子３９を得る工程を含む、プロセス。 （もっと読む）

【課題】電極間絶縁膜として高誘電率絶縁膜を用いた場合における隣接する電荷蓄積層間の寄生容量の増加を抑制できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に設けられたメモリセルアレイであって、ワード線方向に複数の不揮発性メモリセルが第１の絶縁膜１０を介して並んだメモリセル列を含み、複数の不揮発性メモリセルの各々は、トンネル絶縁膜２と、電荷蓄積層３と、誘電率が７以上またはシリコン窒化膜の誘電率よりも高い第２の絶縁膜５と、制御電極６とを備え、第２の絶縁膜５のワード線方向の幅が、電荷蓄積層３の上面から該上面と対向する制御ゲート電極６の対向面に向かって単調に増加し、かつ、前記メモリセル列中のワード線方向に隣接する二つの不揮発性メモリセルの二つの第２の絶縁膜５が、制御ゲート電極６の下面において離れている前記メモリセルアレイとを備えている。 （もっと読む）

【課題】電荷トラップ層からのトンネル効果による電子の漏れを抑制することができ、データの保持時間の長期化を図ることができるとともに、トンネル酸化膜の薄膜化を可能として、データの書き込み速度の向上を図ることのできるメモリ装置を提供する。
【解決手段】シリコン層と、シリコン層と接して設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に接して設けられたゲート電極とを有するメモリ素子を具備したメモリ装置において、ゲート絶縁膜は、トンネル酸化膜、電荷トラップ膜、ブロック酸化膜の３層を積層して構成されたゲート絶縁膜であり、ゲート電極は、ブロック酸化膜上に形成されたゲート電極であって、シリコン層が、当該シリコン層の厚さが２ｎｍ以上１４ｎｍ以下となるように、ゲート絶縁膜によって挟まれた部分、又はゲート絶縁膜と他の絶縁膜とによって挟まれた部分を有する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性半導体記憶装置を構成するメモリセルの縮小化および高密度化を実現することにより、製品となる不揮発性半導体記憶装置のさらなる小型化を達成できる技術を提供する。
【解決手段】メモリセルＭＣ１とメモリセルＭＣ２の間に自己整合的にソース配線ＳＬを形成する。具体的には、メモリゲート電極ＭＧ１の側壁に形成されているサイドウォールＳＷと、メモリゲート電極ＭＧ２の側壁に形成されているサイドウォールＳＷの両方に自己整合的に接触するようにソース配線ＳＬを形成する。さらに、メモリゲート電極ＭＧ１、ＭＧ２、ＭＧだけでなく、コントロールゲート電極ＣＧ１、ＣＧ２、ＣＧもサイドウォール形状にする。 （もっと読む）

【課題】半導体層と絶縁膜との間の界面の特性を改善した不揮発性半導体記憶装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置１０１は、チャネル１ａとチャネル１ａの両側に設けられたソース領域及びドレイン領域２とを有する半導体層１と、チャネル１ａの上に設けられた第１絶縁膜３Ａと、第１絶縁膜３Ａの上に設けられた電荷保持層３Ｂと、電荷保持層３Ｂの上に設けられた第２絶縁膜３Ｃと、第２絶縁膜３Ｃの上に設けられたゲート電極４と、を有するメモリセルと、ゲート電極４と半導体層１との間に、一定の振幅と一定の周波数とを有するバースト信号を印加し、電荷保持層に電荷の書き込み及び消去の少なくともいずれかの処理を行う駆動部２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】メモリセル内に保持する電荷の、チャネルに対して垂直方向の位置を情報量として利用するＮＡＮＤ型の不揮発性半導体記憶装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、第１チャネル８ａと、第１チャネル８ａの両側に設けられたソース領域及びドレイン領域５ａと、を有する半導体基板１ａと、第１チャネル８ａの上に設けられた第１絶縁膜３ａと、第１絶縁膜３ａの上に設けられた電荷保持層４と、電荷保持層４の上に設けられた第２絶縁膜３ｂと、第２絶縁膜３ｂの上に設けられた第２チャネル８ｂと、第２チャネル８ｂの両側に設けられたソース領域及びドレイン領域と、を有する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性半導体記憶装置の信頼性を向上できる技術を提供することにあり、特に、スプリットゲート型トランジスタのメモリゲート電極への給電を確実に行なうことができる技術を提供する。
【解決手段】給電配線ＥＳＬは、給電配線ＥＳＬの一端を終端部ＴＥ１上に配置し、かつ、給電配線ＥＳＬの他端を終端部ＴＥ２上に配置し、さらに、給電配線ＥＳＬの中央部をダミー部ＤＭＹ上に配置している。つまり、終端部ＴＥ１と終端部ＴＥ２およびダミー部ＤＭＹはほぼ同じ高さであるので、終端部ＴＥ１上からダミー部ＤＭＹ上を介して終端部ＴＥ２上に配置されている給電配線ＥＳＬの大部分は同じ高さに形成される。 （もっと読む）

【課題】従来のＳｉＮを用いた電荷蓄積膜に比べ、高効率に電荷を蓄積および消去でき、かつ、蓄積した電荷を長時間保持する半導体記憶素子、半導体記憶素子の製造方法を得る。
【解決手段】この半導体記憶素子は、半導体基板に設けられたソース領域およびドレイン領域と、ソース領域およびドレイン領域との間の半導体基板上に設けられたトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜上に設けられた電荷蓄積膜と、電荷蓄積膜上に設けられたブロック絶縁膜と、ブロック絶縁膜上に設けられたゲート電極と、電荷蓄積層とブロック絶縁膜との界面付近に設けられた気体分子を含む領域とを具備する。 （もっと読む）

【課題】下層の絶縁膜が窒化するのを抑制するとともに上層の絶縁膜からの酸素の拡散を抑制して電荷捕獲密度の低下を可及的に防止することを可能にする。
【解決手段】第１絶縁膜２と、第１絶縁膜上に形成され、窒素が添加されたアモルファスシリコン層４ａと、アモルファスシリコン層上に形成された第１窒化シリコン層４ｂと、第１窒化シリコン層上に形成された第２絶縁膜１０と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】最適化されたトンネル絶縁膜を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体領域１０１と、半導体領域の表面に形成されたトンネル絶縁膜１０３と、トンネル絶縁膜の表面に形成され、シリコン及び窒素を含有する電荷蓄積絶縁膜１０４と、電荷蓄積絶縁膜の表面に形成されたブロック絶縁膜１０５と、ブロック絶縁膜の表面に形成された制御ゲート電極１０６と、を備え、トンネル絶縁膜は、半導体領域の表面に形成され、シリコン及び酸素を含有する第１の絶縁膜１０３ａと、第１の絶縁膜の表面に形成された第２の絶縁膜１０３ｂと、第２の絶縁膜の表面に形成され、シリコン及び酸素を含有する第３の絶縁膜１０３ｃと、を有し、第２の絶縁膜中の電荷トラップ準位密度は、電荷蓄積絶縁膜中の電荷トラップ準位密度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】高集積化することができるチャージトラップ型フラッシュ構造の半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置７０には、半導体基板１の第１主面（表面）にゲート絶縁膜２、電荷蓄積膜３、高誘電率絶縁膜４、ゲート電極膜５、及び絶縁膜６が積層形成される。高誘電率絶縁膜４は、底部が上部より広い台形形状を有する。ゲート電極膜５及び絶縁膜６は、高誘電率絶縁膜４の底部端よりも内側に形成される。メモリセルトランジスタＭＴＲのゲート長とメモリセルトランジスタＭＴＲのゲート間は６０ｎｍ以下に形成される。メモリセルトランジスタＭＴＲのゲート間にはソース或いはドレインが設けられず、メモリセルトランジスタＭＴＲの書き込み動作及び読み出し動作時では、発生する反転層３１がソース或いはドレインの代わりをする。 （もっと読む）

【課題】ブロック絶縁膜の高電界リーク電流特性と低電界リーク電流特性の双方を同時に改善し、書き込み・消去及びリテンション特性の優れたメモリセル構造を提供する。
【解決手段】本発明の例に係る不揮発性半導体記憶装置は、チャネル上の第１絶縁膜１０２上に配置される電荷蓄積層１０３と、電荷蓄積層１０３上に配置され、複数層から構成される第２絶縁膜１０７と、第２絶縁膜１０７上に配置される制御ゲート電極１０８，１０９とを備える。第２絶縁膜１０７は、電荷蓄積層１０３の直上に配置される最下層（Ａ）１０４、最下層（Ａ）１０４上に配置される中間層（Ｂ）１１７及び中間層（Ｂ）１１７上に配置される最上層（Ｃ）１０６を含み、中間層（Ｂ）１１７は、(SiO₂)_x(Si₃N₄)_1-x (0.75≦x≦1)で表される材料から構成される。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリを有する半導体装置の特性を向上させる。
【解決手段】電荷蓄積膜ＭＩ１に対して電荷を授受することで記憶動作を行う不揮発性メモリセルＮＶＭ１を有する半導体装置であって、不揮発性メモリセルＮＶＭ１は、シリコン基板１の主面ｓ１に形成されたｐウェルｐｗ１と、主面ｓ１上に電荷蓄積膜ＭＩ１を隔てて形成されたメモリゲート電極ＭＧ１とを有し、更に、シリコン基板１の主面ｓ１のうち、電荷蓄積膜ＭＩ１下に位置するメモリチャネル領域ｃｈ１ａにフッ素を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】動作信頼性を向上させる半導体記憶装置を提供すること。
【解決手段】基板１０上にゲート膜を介在して形成された蓄積層と、前記蓄積層上に形成された第１絶縁膜１６と、前記第１絶縁膜１６上に形成された制御ゲート１７とを含むゲート電極と、ソース及びドレインとして機能する不純物拡散層１３とを備えた複数のメモリセルと、前記ゲート電極１７の側面上に形成され、少なくとも前記第１絶縁膜の側面を被覆するように、且つ前記第１絶縁膜と前記制御ゲートとの間に形成されたバリア膜１８、１９と、前記基板１０上に形成され、隣接する前記メモリセルの前記ゲート電極１７間を埋設する第２絶縁膜２１とを具備し、前記バリア膜は、前記メモリセルのアニール時に前記第１絶縁膜１６への前記第２絶縁膜２１及び前記制御ゲート１７を構成する原子が拡散することを防止する材料を用いて形成される。 （もっと読む）

【課題】特定のフラーレン誘導体を用いたメソフェーズを有する組成物、および、その新しい用途を提供する。
【解決手段】複数のフラーレン誘導体からなる組成物であり、上記複数のフラーレン誘導体のそれぞれは、フラーレン部位と、フラーレン部位の含窒素五員環に結合したアルキル置換基部位との結合からなり、メソフェーズを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を抑制することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、素子領域２０と、素子領域２０上に形成されたトンネル絶縁膜３０と、トンネル絶縁膜３０上に形成された電荷蓄積絶縁膜４０と、電荷蓄積絶縁膜４０上に形成されたブロック絶縁膜６０と、ブロック絶縁膜６０上に形成された制御ゲート電極７０と、を備えた第１及び第２のメモリセルと、第１及び第２のメモリセルの素子領域２０、トンネル絶縁膜３０及び電荷蓄積絶縁膜４０の間に形成された素子分離領域２０と、を具備し、ブロック絶縁膜６０は、金属元素及び酸素を主成分として含有する第１の絶縁膜６１と、シリコン及び酸素を主成分として含有する第２の絶縁膜６２とで形成され、ブロック絶縁膜６０の少なくとも一部は、素子分離領域５０上に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】データ記憶用の電荷蓄積絶縁膜を備える半導体記憶装置に関し、リーク電流の低減と好適な消去動作とを両立する。
【解決手段】ビット線とワード線とを有する半導体記憶装置であって、基板１１１と、前記基板上に形成された第１のゲート絶縁膜１２１と、前記第１のゲート絶縁膜上に形成された電荷蓄積絶縁膜１２２と、前記電荷蓄積絶縁膜上に形成され、ビット線方向の幅が、前記電荷蓄積絶縁膜のビット線方向の幅よりも広い第２のゲート絶縁膜１２３と、前記第２のゲート絶縁膜上に形成され、ビット線方向の幅が、前記電荷蓄積絶縁膜のビット線方向の幅よりも狭く、且つ、前記第２のゲート絶縁膜のビット線方向の幅よりも狭いゲート電極１２４と、前記ゲート電極のビット線方向の側面に形成された側壁絶縁膜１３１とを備えることを特徴とする半導体記憶装置。 （もっと読む）

【課題】薄型化及び小型化を達成しながら、外部ストレス、及び静電気放電に耐性を有する信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。また、作製工程においても外部ストレス、又は静電気放電に起因する形状や特性の不良を防ぎ、歩留まり良く半導体装置を作製することを目的の一とする。さらに低コストで生産性高く半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体集積回路を囲いこむように覆う導電性遮蔽体により、半導体集積回路の静電気放電による静電気破壊（回路の誤動作や半導体素子の損傷）を防止する。導電性遮蔽体はめっき法により電気的に接続するように形成する。また、導電性遮蔽体の形成にめっき法を用いるために、低コストで生産性高く半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】不揮発性半導体メモリ素子向けの絶縁膜形成において、リーク電流密度を低減でき、デバイス特性及び信頼性を向上させることができる金属酸化物絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】Ｋｒ以上の原子量を有する希ガスを導入して、導入希ガスより重い金属元素を含む金属酸化物ターゲットを用い、ＬａＨｆＯ、ＬａＡｌＯ、ＺｒＡｌＯのように導入希ガスより重いＬａまたはＨｆなどの金属元素を含む金属酸化物絶縁膜をスパッタ成膜する。 （もっと読む）