【課題】高耐電圧性を有するとともにｐ型不純物の拡散による結晶品質の劣化が好適に抑制された、半導体素子用のエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】（１１１）方位の単結晶シリコンである下地基板１の上に、前記下地基板の基板面に対し（０００１）結晶面が略平行となるようにIII族窒化物層群を形成してなる半導体素子用のエピタキシャル基板１０が、組成の相異なる第１単位層３１と第２単位層３２とを繰り返し交互に積層してなる組成変調層３と、組成変調層の上に形成され、Ａｌを含むIII族窒化物からなる中間層５と、を含む単位構造体を複数積層してなるバッファ層８と、バッファ層の直上に形成されたチャネル層９ａと、チャネル層の上に形成されたバリア層９ｂと、を備え、バッファ層に含まれる複数の前記中間層のうちの少なくとも１つにｐ型不純物が意図的に導入されてなり、隣接層に第１の層から拡散したｐ型不純物が存在する、ようにする。 （もっと読む）

【課題】半導体の表面の酸化物を含む不純物を、エッチングあるいは、他の層を積層する前に除去する。
【解決手段】第１の半導体層１１０の少なくとも一部に接し、第１の半導体層１１０に含まれる不純物の固溶度が、第１の半導体層１１０より高い第１の犠牲層を形成する第１犠牲層形成工程と、第１の犠牲層および第１の半導体層をアニールするアニール工程と、第１の犠牲層をウェットプロセスで除去する除去工程と、第１の半導体層の少なくとも一部を覆う絶縁層１２０を形成する工程および第１の半導体層の一部をエッチングする工程の少なくとも一の工程と、第１の半導体層に電気的に接続された電極層１２６を形成する電極形成工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】低オン抵抗で、ノーマリーオフ動作を有し、高信頼性の半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子１Ａは、支持基板１０上にＮ面成長されたＡｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０≦Ｘ＜１）を含む第１半導体層１１と、前記第１半導体層上に形成されたノンドープもしくは第１導電形のＡｌ_ＹＧａ_１−ＹＮ（０＜Ｙ≦１、Ｘ＜Ｙ）を含む第２半導体層１５と、前記第２半導体層上に形成されたＡｌ_ＺＧａ_１−ＺＮ（０≦Ｚ＜１、Ｚ＜Ｙ）を含む第３半導体層１６と、を備える。半導体素子１Ａは、第３半導体層１６に接続された第１主電極２０と、第３半導体層１６に接続された第２主電極２１と、第１主電極と第２主電極とのあいだの第３半導体層１６の上に設けられたゲート電極３１と、を備える。第３半導体層１６の厚さは、ゲート電極３１下において選択的に薄い。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体のドライエッチングに、塩素系ガスを用いたＩＣＰ−ＲＩＥを用いると、誘電結合型プラズマは、温度が高いので、エッチングされた面に凹凸ができ、半導体にダメージを与え、塩素が残留する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体からなる第１の半導体層を形成する第１半導体層形成工程と、第１の半導体層の一部を、臭素系ガスを用いて、マイクロ波プラズマプロセスでドライエッチングして、リセス部を形成するリセス部形成工程と、を備え、窒化ガリウム系半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】クラックが少なく表面の平坦性が良好な半導体ウエーハ及び半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエーハは、基板２と、基板２の一方の主面上に配置され且つ化合物半導体で形成されたバッファ領域３と、バッファ領域３の上に配置され且つ化合物半導体で形成された主半導体領域４とを有する半導体ウエーハであって、バッファ領域３は、第１の多層構造バッファ領域５と、基板と第１の多層構造バッファ領域５との間に配置された第２の多層構造バッファ領域８とから成る。 （もっと読む）

【課題】低消費電力・低電圧動作で、高利得・低歪特性を有し、かつ低コスト化が実現可能な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置のｐチャネルＦＥＴ２は、ソース／ドレインを形成する高濃度ｐ型半導体層３３と、その直下層に配設された低濃度ｐ型半導体層３２と、高濃度ｐ型半導体層３３上に形成された第１電極層４１と、低濃度ｐ型半導体層３２の下方に形成され、ゲートとなる高濃度ｎ型半導体層２２と、その上に形成された第２電極層４２とを備える。ｎチャネルＦＥＴ３は、ソース／ドレインを形成する高濃度ｎ型半導体層２２と、ゲートを形成する高濃度ｐ型半導体層３３と、その下方に形成された低濃度ｎ型半導体層２１と、第１電極層４２と、第２電極層４２とを備える。 （もっと読む）

【課題】より高い破壊電圧およびより低いオン抵抗を含み、高周波数において十分に機能
するパワースイッチングデバイスを提供する。
【解決手段】多重フィールドプレートトランジスタが、活性領域、ならびにソース、ドレ
イン、およびゲートを含む。第１のスペーサ層が、活性領域の上方でソースとゲートの間
にあり、第２のスペーサ層が、活性領域の上方でドレインとゲートの間にある。第１のス
ペーサ層上の第１のフィールドプレート、及び第２のスペーサ層上の第２のフィールドプ
レートが、ゲートに接続される。第３のスペーサ層が、第１のスペーサ層、第２のスペー
サ層、第１のフィールドプレート、ゲート、および第２のフィールドプレート上にあり、
第３のフィールドプレートが、第３のスペーサ層上にあり、ソースに接続される。 （もっと読む）

【課題】導体ベースプレートと金属外壁との熱膨張係数が異なることに伴う、銀ロウ付けする際の導体ベースプレートの反りを抑制したパッケージを提供する。
【解決手段】導体ベースプレートと、導体ベースプレート上に配置された半導体装置と、半導体装置を内在し、導体ベースプレート上に配置され、導体ベースプレートと接する面に複数の開放部を有する金属壁と、開放部を充填するブロックとを備えるパッケージ。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を抑制しつつ厚膜化され、且つ導電性を有する窒化物半導体層を有する半導体ウェハ及び半導体装置を提供する。
【解決手段】ノンドープの第１の窒化物半導体層とその第１の窒化物半導体層よりも格子定数が大きいノンドープの第２の窒化物半導体層とが交互に積層された構造を有する多層膜と、多層膜上に配置された、第１の窒化物半導体層よりも格子定数が大きいノンドープの第３の窒化物半導体層とを備え、膜厚方向に導電性を有する。 （もっと読む）

【課題】フェルミ準位ピン止めが低減された化合物半導体を用いたＭＯＳ型の化合物半導体装置がより容易に製造できるようにする。
【解決手段】化合物半導体からなる第１半導体層１０１を形成し、次に、第１半導体層１０１より小さいバンドギャップエネルギーの化合物半導体からなる臨界膜厚以下の第２半導体層１０２を、第１半導体層１０１の上に接して形成し、次に、第２半導体層１０２の上にアモルファス状態の金属酸化物からなる絶縁層１０３を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の変形を制限しつつ厚いIII−Ｖ族半導体層の成長を可能にする方法を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族半導体装置は、基板１０２の上およびIII−Ｖ族半導体装置の活性領域１１２を支持するバッファ層１１０の下に配置された組成傾斜本体１０８を備える。組成傾斜本体１０８は、基板１０２に圧縮応力を与える第１の領域を含む。組成傾斜本体１０８は、第１の領域上に応力変調領域をさらに含み、その応力変調領域は基板１０２に引張応力を与える。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜のダングリングボンドを確実に低減させて閾値電圧の変動を抑えて安定化させ、高いトランジスタ特性を得ることができる信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】ゲート電極７は、化合物半導体層２に形成された電極溝２Ｃ内に、ゲート絶縁膜６を介して一部が電極材料で埋め込まれて形成されており、ゲート絶縁膜６は、電極溝２Ｃ内において、少なくとも化合物半導体層２との界面に形成されたフッ素化合物を含有するＡｌ−Ｆ化合物の複合層１３ａを有している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、セルフターンオンが発生しないようにし、安定した動作を実現する。
【解決手段】半導体装置を、基板１と、基板の上方に設けられ、電子走行層６及び電子供給層７を含む半導体積層構造２と、半導体積層構造の上方に設けられたゲート電極３、ソース電極４及びドレイン電極５と、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の上方に設けられ、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極のそれぞれに接続されたゲートパッド１０、ソースパッド１１及びドレインパッド１２と、ゲートパッド、ソースパッド及びドレインパッドの下方に設けられた導電層１とを備えるものとし、ゲートパッドとソースパッドとの間の距離を、ゲートパッドとドレインパッドとの間の距離よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体層のクラックをより一層低減することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１と、基材１の上方に形成された初期層２と、初期層２上に形成され、III−V族化合物半導体を含むコア層３と、が設けられている。初期層３として、コア層３に含まれるIII-V族化合物半導体のIII族原子の層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフ動作を容易に実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上方に形成されたＡｌＧａＮ層３と、ＡｌＧａＮ層３上に形成されたＡｌＧａＮ層４と、ＡｌＧａＮ層４上に形成された電子走行層５と、電子走行層５上方に形成された電子供給層６と、が設けられている。ＡｌＧａＮ層３の組成をＡｌ_x1Ｇａ_1-x1Ｎ、ＡｌＧａＮ層４の組成をＡｌ_x2Ｇａ_1-x2Ｎと表すと、「０≦ｘ１＜ｘ２≦１」の関係が成り立つ。ＡｌＧａＮ層４の上面には、ＡｌＧａＮ層４の下面に存在する正の電荷よりも多くの負の電荷が存在している。 （もっと読む）

【課題】材料の熱膨張係数の差に起因する反り等を抑制しつつ良好な結晶性の電子走行層及び電子供給層を得ることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上方に形成された電子走行層３と、電子走行層３上方に形成された電子供給層４と、基板１と電子走行層３との間に形成され、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）を含むバッファ層２と、が設けられている。ｘの値は、バッファ層２の厚さ方向で複数の極大及び複数の極小を示し、バッファ層２中の厚さが１ｎｍの任意の領域内では、ｘの値の変化量が０．５以下となっている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ電子走行層の厚さを広い範囲で選択することができ、デバイス設計の自由度を高めることができる窒化物半導体素子、および耐圧および信頼性に優れる窒化物半導体素子パッケージを提供すること。
【解決手段】基板４１上に、ＡｌＮ層４７、第１ＡｌＧａＮ層４８（平均Ａｌ組成５０％）および第２ＡｌＧａＮ層４９（平均Ａｌ組成２０％）からなるバッファ層４４を形成する。バッファ層４４上には、ＧａＮ電子走行層４５およびＡｌＧａＮ電子供給層４６からなる素子動作層を形成する。これにより、ＨＥＭＴ素子３を構成する。 （もっと読む）

【課題】電流コラプス現象が抑制され、且つフィールドプレート電極による電界集中を緩和する効果の低下が抑制された化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体層と、III族窒化物半導体層上に配置された絶縁膜７と、III族窒化物半導体層の上面から膜厚方向に第１の距離Ｔ１の位置に絶縁膜を介して配置されたドレイン電極４と、III族窒化物半導体層の上面から膜厚方向に第１の距離Ｔ１の位置に絶縁膜を介して配置されたソース電極３と、ドレイン電極とソース電極間においてIII族窒化物半導体層の上面から膜厚方向に第２の距離Ｔ３の位置に絶縁膜を介して配置されたゲート電極５と、ドレイン電極とゲート電極間においてIII族窒化物半導体層の上面から膜厚方向に第１の距離Ｔ１より短い第２の距離Ｔ２の位置に絶縁膜を介して配置されたフィールドプレート電極６とを備える。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ動作のオフ時におけるリーク電流を低減することができる窒化物半導体素子、およびリーク電流が少なく、信頼性に優れる窒化物半導体素子パッケージを提供すること。
【解決手段】基板４１上に、ＡｌＮ層４７、第１ＡｌＧａＮ層４８（平均Ａｌ組成５０％）および第２ＡｌＧａＮ層４９（平均Ａｌ組成２０％）からなるバッファ層４４を形成する。バッファ層４４上には、ＧａＮ電子走行層４５およびＡｌＧａＮ電子供給層４６からなる素子動作層を形成する。これにより、ＨＥＭＴ素子３を構成する。このＨＥＭＴ素子３において、ＧａＮ電子走行層４５の厚さ方向途中部に、ＢＮとＧａＮとの混晶からなるＢＧａＮ部５０を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンおよび炭化ケイ素基板上に堆積されたＧａＮフィルムにおける応力の制御方法、およびこれによって生成されたＧａＮフィルムを提供する。
【解決手段】典型的な方法は、基板を供給すること、および供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上にグレーデッド窒化ガリウム層を堆積させることを含む。典型的な半導体フィルムは、基板と、供給の中断をまったく伴なわず、成長チャンバへの少なくとも１つの先駆物質の供給によって形成された、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する基板上に堆積されたグレーデッド窒化ガリウム層とを含む。 （もっと読む）