４５ｎｍ以下の線幅を有するノーマリーオフＪＦＥＴを形成するためのスケーリング可能なデバイス構造及びプロセスを開示する。基板の頂部に１０００Å未満、好ましくは５００Å以下、の厚さの酸化物層を形成することによって、ソース、ドレイン及びゲートの領域へのコンタクトが形成される。酸化物層の頂部に窒化物層が形成され、ソース、ドレイン及びゲートのコンタクトのための開口がエッチングされる。そして、これら開口を充填するようにポリシリコンの層が堆積され、このポリシリコンは、窒化物層と同一平面になるように研磨され平坦化される。そして、ポリシリコンコンタクトは、所望のトランジスタのチャネル型に必要な導電型の不純物でイオン注入され、これら不純物は、ソース領域、ドレイン領域及びゲート領域を形成するように半導体基板内に押し込まれる。

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高電子移動度トランジスタ等のトランジスタを複数製造する方法であって、各トランジスタが１つの共通基板上に複数のエピタキシャル層を備えており、（ａ）複数のエピタキシャル層の第１の表面に複数のソースコンタクトを形成するステップと、（ｂ）第１の表面に少なくとも１つのドレインコンタクトを形成するステップと、（ｃ）第１の表面に少なくとも１つのゲートコンタクトを形成するステップと、（ｄ）ゲートコンタクト、ソースコンタクト及びドレインコンタクトの上及び間に少なくとも１つの絶縁層を形成するステップと、（ｅ）ソースコンタクトの接続用の少なくとも１つの絶縁層の少なくとも一部分を覆って導電層を形成するステップと、（ｆ）導電層の上に少なくとも１つのヒートシンク層を形成するステップと、を含む、方法が提供される。 （もっと読む）

本発明は、半導体要素を製作するために、半導体ウエハ内に垂直貫通コンタクト（マイクロ・ビア）、すなわち、ウエハの前側から半導体ウエハを貫通してウエハの後側にいたるコンタクトを形成する方法に関する。本発明はまた、以下のステップを含む方法にも関する、すなわち、コンタクト接続点上のブラインド・ホールがウエハの後側から半導体基板内へレーザ穴開けされ、ウエハが洗浄され、ウエハの活性層スタックに到達するまで半導体基板が材料選択性の方法でプラズマ・エッチングされ、ウエハの後側に接続される予定のコンタクトに到達するまで、ウエハの活性層スタックが材料選択性の方法でプラズマ・エッチングされ、めっきベースがウエハの後側およびブラインド・ホール内に適用され、金が電気めっきによりウエハの金属化された後側およびブラインド・ホール上に適用される。 （もっと読む）

【課題】 Ｔ字型又はΓ型のゲート電極を用いる場合に、耐湿性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】 半導体基板と、半導体基板上に離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間に配置され、半導体基板とショットキ接合されたＴ字型又はΓ型のゲート電極と、ゲート電極の下部の柱状部分を覆う酸化膜とを有し、酸化膜とソース電極及びドレイン電極とは離間している。 （もっと読む）

超高速パルスレーザ源を含むレーザ加工システムを用いてサファイア基板内にビアホールを形成する方法。サファイア基板を提供する。レーザ光のパルスを、サファイア基板の第１の表面上に実質的にフォーカスさせてビームスポットとし、フォーカスした各レーザ光パルスが、サファイア基板の一部分であってサファイア基板の厚みより小さい深さを有する一部分を除去するようにする。フォーカスしたレーザ光パルスのビームスポットでサファイア基板の第１の表面のビアホール部を走査する。第１の表面に対する実質的法線方向にサファイア基板を移動させることにより、各レーザ光パルスによって除去されるサファイア基板の一部分が実質的に一定になるように制御する。サファイア基板の第１の表面から第２の表面まで延びるビアホールが形成されるまで、パルス照射工程と走査工程とを反復する。
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【課題】レジストの除去の際における窒素空孔の発生が低減される、窒化ガリウム系トランジスタを作製する方法、窒化ガリウム系半導体領域を加工する方法、およびを提供する。
【解決手段】パターンを有するレジストマスク２９が、窒化ガリウム系トランジスタのための第１および第２の窒化ガリウム系半導体層１３ａ、１５ａを含む基板１９ａ上に設けられている。このレジストマスク２９を用いて基板１９ａの窒化ガリウム系半導体のエッチングを行って、部分的に除去された第１および第２の窒化ガリウム系半導体層１３ａ、１５ａを形成する。エッチングを行った後に、レジストマスク２９を除去するために基板１９ａをフッ素系ガスのプラズマ３９に曝して基板１９ａの表面に窒素終端を施す。基板表面からの窒素の脱離の発生が低減される。 （もっと読む）

シリコンカーバイドパワーデバイスを形成する方法が提供される。ｎ”シリコンカーバイド層が、シリコンカーバイド基板上に設けられる。ｐ型シリコンカーバイドウェル領域が、ｎシリコンカーバイド層上に設けられる。ｐ^＋シリコンカーバイドの埋込み領域が、ｐ型シリコンカーバイドウェル領域に設けられる。シリコンカーバイドのｎ^＋領域が、ｐ^＋シリコンカーバイドの埋込み領域上に設けられる。パワーデバイスのチャネル領域が、ｐ^＋シリコンカーバイドの埋込み領域とシリコンカーバイドのｎ^＋領域に隣接する。ｎ”領域は、チャネル領域上に設けられ、＆領域の一部分が除去され、それにより、ｎ”領域の一部分が、チャネル領域上に残って、チャネル領域の表面粗さの低減をもたらす。
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【課題】ＧａＮ−ＨＥＭＴの電極を形成するにあたり、フォトレジストの剥離を防ぎつつＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ構造層の表面のガリウム酸化物を除去する。
【解決手段】下地１２上に形成されたＡｌＧａＮ／ＧａＮのヘテロ構造層２０の上側表面２１上にアモルファスＡｌＮ薄膜３０を形成する。次に、アモルファスＡｌＮ薄膜の上側表面内の、電極形成領域４５に対応する領域に開口部４７を有するレジストパターン４２を形成する。次に、レジストパターンをマスクとし、室温アンモニア水をエッチャントとして用いたウェットエッチングを行うことにより、電極形成領域に対応するアモルファスＡｌＮ薄膜の部分を除去して、ヘテロ構造層の上側表面内の電極形成領域を露出させる。次に、ウェットエッチング工程で露出した、ヘテロ構造層の電極形成領域を１８℃以上２５℃以下の室温アンモニア水で洗浄する。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣ基板に発生するマイクロパイプ等な貫通孔を簡便な手段で、非破壊且つ正確に検査することを可能にし、高品質のＧａＮ系ＨＥＭＴなどの製造に寄与しようとする。
【解決手段】 ＳｉＣ基板２１の略中央を含んで基板径の半分の径をもつ周で囲まれた真空吸引領域２３を裏面側から真空吸引し、次いで、ＳｉＣ基板２１の表面側から水或いは水と同等の粘度をもつ液を塗布し、その液が裏面側に抜けないＳｉＣ基板を良品として選別することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 単位基板あたりの半導体チップ数を増加できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体装置の製造方法では、半導体基板１の主面Ｓ１に切断すべき部分１ｈを露出する様にしてマスク７を形成し、そのマスク７に基づき前記切断すべき部分１ｈをエッチングにより切断することにより、半導体基板１を個々の半導体チップに分割する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス、とくには複数のゲートをフィンガー状に備えるＨＥＭＴなどの高周波かつ大電力のデバイスであって、公知の空中ブリッジ構造より小型であり、かつ放熱が要求されるデバイスの製造方法の提供。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）などの大電力のデバイスの製造に適しており、ソース・コンタクト間の接続が、空中ブリッジ構造によって製造されるのではなく、半導体層を貫いてビアをエッチングし、デバイスの背面に設けられたコンタクト層に直接接続することにより達成する。 （もっと読む）

金属半導体電界効果トランジスタの形態の薄膜半導体は、紙シート材料の基材１０および基材上の層に蒸着された多くの薄膜活性無機層を含む。活性層は、オフセット印刷プロセスを用いて印刷される。第１の活性層は、紙基材上に直接印刷されるコロイド銀インクのソース１２．１およびドレイン１２．２伝導体を含む。第２の活性層は、第１の層上に印刷されるコロイドナノ結晶シリコンインクの固有の半導体層１４である。第３の活性層は、第２の層上に印刷されて、ゲート電極を形成するコロイド銀の金属伝導体１６を含む。本発明は、光電池のような他の薄膜半導体および半導体の製法にまで拡大される。
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【課題】高耐圧化を実現して高出力化を図った電界効果トランジスタ等を提供する。
【課題手段】電界効果トランジスタは、ｉ型層の第１の半導体層と、第１の半導体層上に形成され該第１の半導体層よりバンドギャップエネルギーの大きい第２の半導体層を備える。第１の半導体層及び第２の半導体層は窒化ガリウム系化合物半導体層より構成され、第２の半導体層にゲート電極３６が形成され、第１の半導体層に第２の電極３９が形成され、ゲート電極３６及び第２の電極３９で第１の半導体層及び第２の半導体層を挟むよう構成している。この構成により、チャネルに蓄積されるホールを素子から排出することが可能となり、電界効果トランジスタの耐圧を高めることができる。 （もっと読む）

【解決手段】 金属／固体電解質／半導体構造を有する薄層化学トランジスターにおいて、固体電解質層及び半導体層を形成する物質が、有機溶剤に溶解可能な化合物であることを特徴とする薄層化学トランジスター。
【効果】 本発明によれば、溶剤プロセスのみから作製されるため、インクジェットをはじめとするプリント技術により、容易に作製することが可能であり、ＴＦＴ欠陥の確率を減少させて、製造コストの低減を図ることも可能となる。 （もっと読む）

【課題】 放熱特性を損なうことなく基板リーク電流と誘電損失とを低減させた窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 表面と裏面とを有するシリコン基板と、シリコン基板の表面上に設けられた窒化物半導体層とを有する窒化物半導体装置において、シリコン基板の裏面上に、高熱伝導性絶縁物質層が設けられる。また、窒化物半導体装置の製造方法が、窒化物半導体層を形成したシリコン基板を溶液に浸漬し、電気化学法によりシリコン基板の裏面に高熱伝導性絶縁物質層を析出させる工程を含む。 （もっと読む）

ワイドバンドギャップ材料内に、接合温度低下、動作中の高電力密度化、及び定格電力密度における信頼性向上を達成する高電力デバイスを形成する方法を、結果的に得られる半導体構造及びデバイスと共に開示する。本方法は、ダイアモンドの層を炭化珪素ウェハに添加して、得られる複合ウェハの熱伝導率を高め、その後、炭化珪素の上におけるエピタキシャル成長を支持するためにその十分な厚さを保持しつつ、複合ウェハの炭化珪素部分の厚さを削減し、複合ウェハの炭化珪素面を、その上におけるエピタキシャル成長のために、準備し、第ＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造を、ウェハの準備した炭化珪素面に添加することを含む。
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