【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、結晶性の優れた酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図る。
【解決手段】基板上に一元系酸化物半導体層を形成し、５００℃以上１０００℃以下、好ましくは５５０℃以上７５０℃以下の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長させ、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を積層する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ中の電子移動度を向上させる上、デバイスの性能を向上させる高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタは、基板１１０と、基板１１０上に形成したバッファ層１２０と、複数のＩｎＧａＡｓ薄膜と複数のＩｎＡｓ薄膜とを交互に積層して形成した超格子構造を含み、バッファ層１２０上に形成したチャネル層１３０と、チャネル層１３０上に形成したスペーサ層１４０と、スペーサ層１４０上に形成したショットキー層１６０と、ショットキー層１６０上に形成したキャップ層１７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系半導体の新規なｎ型ドーピング技術に係るＺｎＯ系半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、基板を準備する工程と、基板上方に、Ｚｎ、Ｏ、及びＮを供給するとともに、必要に応じて、ＺｎＯに添加することによりバンドギャップを変化させる元素を供給し、Ｎをドープすることにより、Ｎをドープしない場合に比べてｎ型キャリア濃度が増したｎ型伝導性を示すＺｎＯ系半導体層を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体ＴＦＴの電気的特性及び安定性を向上することが可能な、薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体ＴＦＴ１０は、基板１１と、基板１１上に設けられたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び露出された基板１１上に設けられたゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１５上のゲート電極１３に対向する位置に設けられ、Ｚｎの濃度勾配を持つＨｆＩｎＺｎＯ系酸化物半導体からなる酸化物半導体層１７と、酸化物半導体層１７の両側からゲート絶縁膜上に延びるソース及びドレインと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 安定したｐ型ＺｎＯ系半導体結晶を得ることが可能なＺｎＯ系化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＺｎＯ系化合物半導体の製造方法は、単結晶表面を有する基板を準備する工程と、亜鉛ビームと、酸素を含むガスをラジカル化した酸素ラジカルビームと、Ｎ_２ガスとＯ_２ガスとを混合したガスをラジカル化した窒素ラジカルビームとを、前記基板上に同時に照射して、窒素添加ｐ型ＺｎＯ系化合物半導体を結晶成長する工程とを有し、前記Ｎ_２ガスとＯ_２ガスとを混合したガスの混合比Ｏ_２／Ｎ_２が、０より大きく１以下である。 （もっと読む）

【課題】広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性が優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基板上にｎ型半導体およびｐ型半導体を含むように積層して構成された半導体素子の製造方法であって、異なるＩＩＩ族元素による少なくとも２つのターゲット（第１ターゲット２１および第２ターゲット２２）を、Ｖ族元素を含むガスによりスパッタリングして、基板１１０上にＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体の膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】コストや作業工数を増大させることなく高抵抗な炭化ケイ素単結晶を製造する。
【解決手段】昇華法により種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させて得られる炭化ケイ素単結晶であって、炭化ケイ素単結晶中のドナー濃度とアクセプター濃度との差の絶対値を１×１０^−１６〜１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３とする。例えば、浅い準位のアセクプターであるホウ素は、結晶成長高さに関わらずホウ素濃度は略一定となるが、浅い準位のドナーである窒素は、結晶成長に伴って低下し、最終的にはホウ素濃度以下になる。これに伴い、成長結晶の抵抗率は結晶成長に伴って増加していき、ホウ素濃度と窒素濃度とがほぼ同等の値になる領域において半絶縁性を示し、その後は窒素濃度の低下に伴って低下する。従って、ホウ素濃度と窒素濃度がほぼ同等の値になる領域を拡大することにより半絶縁性のウエハとして歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々が一の方向を向き、かつ第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２が互いに対向するように、第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。この配置する工程の後に、第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２を互いにつなぎ、かつ第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２が互いに対向する空間を埋めるように、第１および第２の炭化珪素基板１１、１２上に炭化珪素層３０が分子線エピタキシ法によって形成される。 （もっと読む）

【課題】 高品質のＧａ_２Ｏ_３系化合物半導体からなる薄膜を形成することができるｐｎ型Ｇａ_２Ｏ_３膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 真空層５２内を減圧し、酸素ラジカルを注入しながらセル５５ａを加熱し、Ｇａの分子線９０、およびセル５５ｂを加熱し、Ｍｇの分子線９０をＧａ_２Ｏ_３系化合物からなる基板２５上に照射して、基板２５上にｐ型β−Ｇａ_２Ｏ_３からなるｐ型β−Ｇａ_２Ｏ_３層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い半導体層を有する半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体成長用基板、半導体成長用基板の製造方法、半導体素子、発光素子、表示パネル、電子素子、太陽電池素子及び電子機器を提供する。
【解決手段】芳香族系テトラカルボン酸と芳香族系テトラアミンを縮合して得られる複素環状高分子からなるグラファイト層２と、当該グラファイト層２の表面上に設けられ、当該グラファイト層２の表面を成長面とする半導体層４とを備えた半導体基板１。前記グラファイト層は結晶性に優れているため、グラファイト層の表面を成長面とする半導体層についても、結晶性に優れたものが得られる。これにより、結晶性に優れた半導体層を有する半導体基板１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有する窒化物層をその上方に再現性良く形成することができるアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＤＣ−ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ方式により電圧を印加するＤＣマグネトロンスパッタ法によるアルミニウム含有窒化物中間層２の積層時に、（ｉ）ターゲットの表面の中心と基板の成長面との間の最短距離を１００ｍｍ以上２５０ｍｍ以下とすること、（ｉｉ）ＤＣマグネトロンスパッタ装置に供給されるガスに窒素ガスを用いること、（ｉｉｉ）基板の成長面に対してターゲットを傾けて配置することの少なくとも１つの条件を採用しているアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】基板上に単結晶材料の層を成長させる方法を提供する。
【解決手段】第１単結晶材料から形成された露出領域を有する基板を、プロセスチャンバ中に配置する工程と、拡散制限ガスの存在下で、基板に向かって、第２材料の中性種のビームを供給し、プロセスチャンバ中の圧力を１×１０^−６ｔｏｒｒから１×１０^−４ｔｏｒｒの間にし、第２材料の中性種を露出領域上に吸着され、これにより第１単結晶材料の上にこれと接触して第２材料の単結晶層を成長させる工程とを含み、拡散制限ガスは、非反応性ガスからなる。 （もっと読む）

【課題】成長させた酸化亜鉛系半導体の不純物濃度を低減できる酸化亜鉛系基板を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系基板２は、ＩＶ族元素であるＳｉ、Ｃ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＰｂの不純物濃度が、１×１０^１７ｃｍ^−３以下の条件を満たす。より好ましくは、酸化亜鉛系基板２は、Ｉ族元素であるＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＦｒの不純物濃度が、１×１０^１６ｃｍ^−３以下の条件を満たす。 （もっと読む）

低抵抗率および高移動度を持つ安定したｐ型ＺｎＯ薄膜を成長させるための方法が、提供される。本方法は、ｎ型Ｌｉ−Ｎｉ共ドープＺｎＯターゲットをチャンバー中に提供することと、基板をチャンバー中に提供することと、ターゲットをアブレーションして薄膜を基板に形成することとを含む。
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【課題】 単結晶シリコン膜のリフトオフが良好であり、かつ高純度の太陽電池用単結晶シリコン膜を得ることができる単結晶薄膜の製造方法及びその単結晶薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板７１を用意し、この単結晶シリコン基板７１上に同一の物質で結晶欠陥を含んだ単結晶シリコン犠牲層７２を形成し、この単結晶シリコン犠牲層７２上に同一の物質でこの単結晶シリコン犠牲層７２より結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を形成し、前記単結晶シリコン犠牲層７２を溶解し、結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を製造する。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を有するヘテロ界面の形成、ひいては高い選択性を持ったＩｎＰエッチストッパー層の形成を実現するエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシャル成長法によりＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体のヘテロ接合を有する半導体薄膜を形成するエピタキシャル成長方法であって、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層を形成する第１の工程と、ＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線の照射を停止し、第１のＶ族元素の供給量が第１の工程における供給量の１／１０以下となるまで成長を中断する第２の工程と、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第２のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層上に第１の化合物半導体とは異なる第２の化合物半導体層を形成する第３の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】素子特性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、ＩＩＩ族窒化物化合物からなるバッファ層及び下地層を積層する方法であって、バッファ層をＡｌＮで形成し、バッファ層の膜厚を１０〜５００ｎｍの範囲とし、バッファ層のa軸の格子定数がバルク状態におけるＡｌＮのa軸の格子定数より小さく、バッファ層の格子定数が下記（１）式で表される関係を満たし、バッファ層はＶ族元素を含むガスと金属材料とを、プラズマで活性化して反応させることによって成膜し、下地層はＧａＮからなり、バッファ層に接して設けられるＩＩＩ族窒化物半導体素子の製造方法を提供する。（ｃ_０−ｃ）／（ａ_０−ａ）≧−１．４…（１）（但し、（１）式中、ｃ_０はバルクのＡｌＮのｃ軸の格子定数、ｃはバッファ層のｃ軸の格子定数、ａ_０はバルクのＡｌＮのａ軸の格子定数、ａはバッファ層のａ軸の格子定数である。） （もっと読む）

【課題】基板上に金属と活性窒素種とを供給して反応させる窒化物半導体薄膜の製造方法において、金属と活性窒素種との供給比率を容易に制御可能とし、且つ、結晶品質や表面平坦性に優れた窒化物半導体薄膜を形成可能とする手段を提供する。
【解決手段】窒化物半導体薄膜の製造方法は、インジウムをストイキオメトリ条件Ｓを越えて過剰に供給する金属過剰供給工程と、該金属過剰供給工程で基板１０の上に析出したインジウムドロップレット１５を、活性窒素種１２をストイキオメトリ条件Ｓに達するまで供給することによってインジウムナイトライド層１６に転換するドロップレット転換工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板表面が分子レベルで平坦化された単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】炭素ゲッター効果を有する嵌合容器に単結晶４Ｈ−ＳｉＣ又は単結晶６Ｈ−ＳｉＣからなる単結晶ＳｉＣ基板５を収容し、前記嵌合容器の内部をシリコンの飽和蒸気圧下かつ高温真空下とし、更に、前記嵌合容器の内部圧力が外部圧力よりも高くなる状態を維持しながら１５００℃以上２２００℃以下で加熱制御する。これによって、当該単結晶ＳｉＣ基板５の表面が、単結晶ＳｉＣ基板を構成するＳｉＣ分子の積層方向の１周期分であるフルユニットの高さ又は半周期分であるハーフユニットの高さからなるステップで終端し、分子レベルで平坦化される。前記方法で製造した単結晶ＳｉＣ基板と炭素供給フィード基板とを対向配置し、その間にシリコンの極薄融液層を介在させつつ加熱することで、準安定溶媒エピタキシー法によって単結晶４Ｈ−ＳｉＣを液相エピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】高品質な窒化物単結晶を生産することが可能な窒化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明に係る窒化物単結晶の製造方法は、異種基板１を準備する工程と、上記異種基板１上に窒化物単結晶膜３を形成する工程とを備える。上記異種基板１が前記窒化物単結晶膜３の成膜温度範囲内で昇華する材料からなり、上記窒化物単結晶膜３を形成する工程では、上記異種基板１の昇華温度以下の温度から成膜を開始し、その後、上記異種基板１の昇華温度以上の温度に成膜温度を上げる。窒化物単結晶膜３はＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮであり、異種基板１はＳｉＣであることが好ましい。 （もっと読む）