【課題】複数の領域で異なる特性を有している量子ドットをもつ半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の（平均表面格子）パラメータ値を有する少なくとも１つの第１の領域２と、上記第１のパラメータ値とは異なる第２のパラメータ値を有する少なくとも１つの第２の領域３とを含む半導体表面１上に、半導体層を堆積する工程を含んでいる。上記半導体層は、自己組織化アイランド６および７が形成される厚さまで堆積される。アイランド６および７上には、キャップ層８が堆積される。キャップ層の禁制バンドギャップは上記アイランドよりも大きいため、上記アイランドが量子ドットを形成する。これらの量子ドットは、上記第１の領域アイランドと第２の領域アイランドとの（複数の）差により、上記第１の領域および第２の領域とは異なる特性を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、均一性の良好なバッファ層としての結晶層を得ることができ、その上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶構造を作製する際、良好な結晶性の膜を得ることにある。
【解決手段】本発明は、基板上に、スパッタ法によって成膜されたＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層を備え、少なくとも第１の層に接してＩＩＩ族窒化物材料からなる第２の層を備えたＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造において、前記第１の層が成膜装置のチャンバの内部において成膜された層であり、前記第１の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０^−３Ｐａ以下の条件で製造された層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】量子ドット等に利用しうる微細なエピタキシャル層を成長させるのに適した基板表面を実現できるＺｎＴｅ系化合物半導体基板の表面処理方法、および該基板を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＴｅ系化合物半導体の表面処理において、ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に、少なくとも、Ｚｎ分子線、および１×１０^−６Ｔｏｒｒ以上１×１０^−４Ｔｏｒｒ以下の原子状水素を照射しながら１５０℃から３００℃の温度範囲でアニールする第１の表面処理工程（工程Ｂ）を少なくとも有するようにした。さらに、前記第１の表面処理工程の前に、前記ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に１×１０^−６Ｔｏｒｒ以上１×１０^−４Ｔｏｒｒ以下の原子状水素を照射しながら８０℃から１５０℃の温度範囲でアニールする第２の表面処理工程（工程Ａ）を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物の混入を抑制し、ｐ型不純物イオン濃度の制御性を良くしたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】
ｐ型不純物を含むＭｇ_ＸＺｎ_１−ＸＯ薄膜（０≦Ｘ＜１）の結晶成長方向表面が、二乗平均粗さ（ＲＭＳ）≦１０ｎｍ、又は、粗さの最大幅（ＰＶ）≦１００ｎｍのいずれか一方を満たしているように作製する。このように形成することで、放電管内壁の元素等の意図しない不純物、例えばシリコン（Ｓｉ）等の不純物の薄膜への混入は防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】良好な膜質を有するＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体製造装置、並びにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタチャンバ４１内に基板１１及びＧａ元素を含有するターゲット４７を配置し、プラズマを用いた反応性スパッタ法によって、基板１１上に単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体を形成する方法であり、スパッタチャンバ４１内に、基板１１を加熱するヒータ４４と、プラズマ発生空間７０を取り囲むシールド部材５０と、該シールド部材５０を冷却するパイプ部材（冷却手段）５１とが備えられ、ヒータ４４によって基板１１を加熱するとともに、パイプ部材５１によってシールド部材５０を冷却しつつ、ＩＩＩ族窒化物半導体を形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】衛星放送用の送受信用増幅素子や高速データ転送用素子としての高電子移動度トランジスタや磁気センサなどの半導体デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１と、この基板１上に設けられた第１のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層（０≦ｙ≦１、０≦ｚ＜１）２と、この第１のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層２の上に設けられた電子走行層としてのＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ層（０≦ｘ≦１）３と、このＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ層３の上に設けられた第２のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層（０≦ｙ≦１、０≦ｚ＜１）４とを備えている。第１のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層２、第２のＡｌ_yＧａ_1-yＡｓ_zＳｂ_1-z層４のいずれか一方、若しくは両方にはＳｎがドープされており、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ電子走行層３への電子供給層となっている。 （もっと読む）

【課題】より高抵抗な炭化ケイ素単結晶を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶が所定の成長高さｈ以上になったタイミングで、炉１内に
０．０１〜５［ｐｐｍ］程度の濃度の窒素ガスを導入する。このような処理によれば、微
量の濃度の窒素を単結晶に導入し、単結晶中のアクセプタ濃度とドナー濃度の差の絶対値
を１×１０^−１６ＡＴＯＭＳ／ｃｍ^３以下にすることができるので、より高抵抗な炭化ケ
イ素単結晶を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】基板温度を高精度に計測可能な基板温度計測装置及び基板温度計測方法を提供する。
【解決手段】基板１００を加熱する加熱源１０と、基板１００を透過できない波長領域の赤外線を透過させる透過窓３０と、基板１００を透過できない波長領域を感度範囲に含み、加熱源１０により加熱された基板１００から放射され、透過窓３０を透過した赤外線を分析して基板１００の基板温度を計測する温度計測器４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】昇華用原料の供給量や加熱温度を制御し、成長効率よく高品質な炭化ケイ素単結晶を製造できる方法を提供する。
【解決手段】昇華用原料微粉末５とキャリアガス３を炭化ケイ素種結晶を備える炭化ケイ素単結晶成長雰囲気内に供給する工程と、昇華用原料微粉末５を加熱し昇華させる工程と、昇華したガスを炭化ケイ素種結晶２上に供給し炭化ケイ素種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる工程と、を含む炭化ケイ素単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】金属元素や金属元素の化合物を基板上に形成する場合に、パーティクルが発生しないような薄膜形成装置とこれを用いたＺｎＯ系薄膜を提供する。
【解決手段】
金属元素を供給する供給源に対向して配置されている部材表面を粗面化するようにした。図１に示されるように、ウエハ２５を保持する基板ホルダ１１の金属元素供給源と対向する面に凹凸を形成した。このように凹凸を形成すると、金属元素が堆積した場合、平坦な面と比べて、付着性が向上し、粗面化された面からは簡単には剥がれ落ちない。 （もっと読む）

【課題】基板上に配向特性の良好な中間層が設けられ、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体が備えられてなり、優れた発光特性及び生産性を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２が積層され、該中間層１２上に、下地層１４ａを備えるｎ型半導体層１４、発光層１５及びｐ型半導体層１６が順次積層されてなるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であり、中間層１２の結晶組織中には、中間層１２のＸ線ロッキングカーブをピーク分離手法によって、半価幅が７２０ａｒｃｓｅｃ以上となるブロード成分と、ナロー成分とに分離した場合の、ブロード成分に対応する無配向成分が含まれ、中間層１２の結晶組織における無配向成分の割合が、中間層１２の面積比で３０％以下とされている。 （もっと読む）

【課題】発光出力の高いＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物化合物半導体とは屈折率が異なる基板上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる、第一の層およびＤＢＲ層がこの順序で設けられており、該ＤＢＲ層上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる、ｎ型層、発光層およびｐ型層が、発光層をｎ型層とｐ型層が挟むように設けられており、該第一の層の厚さが１０００ｎｍ以下であるＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】従来にはないナローな発光をする量子ドットを用いて、安定したレーザ発振を可能としたレーザ発振素子を提供する。
【解決手段】レーザ発振素子において、その活性層は、２×１０^１０／ｃｍ^２〜１×１０^１１／ｃｍ^２の密度でＧａＡｓ（３１１）Ａ基板上に量子ドットが形成されている。 （もっと読む）

【課題】亜鉛酸化物半導体を形成するための方法、およびこれによって製造される亜鉛酸化物半導体を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜上に金属触媒層を導入し、これを熱処理してｐ型半導体の電気的特性を有する亜鉛酸化物薄膜に改質する。熱処理過程により、亜鉛酸化物薄膜内に存在する水素原子は、金属触媒によって除去される。したがって、金属触媒および熱処理によって薄膜内の水素原子が除去され、キャリアである正孔の濃度は増加する。すなわち、ｎ型の亜鉛酸化物薄膜は、高濃度のｐ型亜鉛酸化物半導体に改質されるのである。 （もっと読む）

【課題】被処理物を急速昇温でき、熱効率及びスループットに優れるとともに、構成の簡素な熱処理装置を提供する。
【解決手段】高温真空炉は、被処理物を１，０００℃以上２，４００℃以下の温度に加熱する本加熱室２１と、本加熱室２１に隣接する予備加熱室２２と、予備加熱室２２と本加熱室２１との間で被処理物を移動させるための移動機構２７と、を備える。本加熱室２１の内部には、被処理物を加熱するメッシュヒータ３３と、メッシュヒータ３３の熱を被処理物に向けて反射するように配置される第１多層熱反射金属板４１と、が備えられる。移動機構２７は、被処理物とともに移動可能な第２多層熱反射金属板４２を備える。被処理物が予備加熱室２２内にあるときには、第２多層熱反射金属板４２が本加熱室２１と予備加熱室２２とを隔てて、メッシュヒータ３３の一部が第２多層熱反射金属板４２を介して予備加熱室２２に供給される。 （もっと読む）

【課題】窒素フラックスの調整が可能な、ＩＩＩ−Ｖ族半導体層を作製する方法と、量子井戸構造を作製する方法と、窒素源装置とを提供すること。
【解決手段】アパーチャ２６ａ等のうち開口されたアパーチャを介して窒素フラックスを供給し他の原料フラックスを供給して、第１のＩＩＩ−Ｖ族半導体層を基板上に堆積する第１の工程と、開口されるアパーチャの数を変更する第２の工程と、第２の工程後に開口されているアパーチャを介して窒素フラックスを供給し他の原料フラックスを供給して、第２のＩＩＩ−Ｖ族半導体層を第１のＩＩＩ−Ｖ族半導体層上に堆積する第３の工程とを備え、第１のＩＩＩ−Ｖ族半導体層の窒素組成は第２のＩＩＩ−Ｖ族半導体層の窒素組成と異なる。 （もっと読む）

【課題】ガリウム窒化物化合物半導体の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化でき、効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｇａ元素を含有するＧａターゲット４７ａとドーパント元素からなるドーパントターゲット４７ｂとを用い、前記Ｇａターゲット４７ａをスパッタにより励起させるとともに、前記ドーパントターゲット４７ｂをビーム状とした荷電粒子により励起させて、半導体層の少なくとも一部を形成するＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内に基板１１及びＧａ元素を含有するターゲットを配置し、基板１１上にドーパントが添加された単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって形成する方法であり、チャンバの外部に設けられ、該チャンバの内部と連通されたドーパント容器内にドーパント元素を配置し、該ドーパント元素をドーパント容器内で気化してチャンバ内に供給することにより、ＩＩＩ族窒化物半導体にドーパントを添加する方法である。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法によって基板上に積層するＩＩＩ族窒化物半導体の結晶性を、成膜後にアニール等の熱処理を行なうことなく改善できるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及び、発光特性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子並びにランプを提供する。
【解決手段】チャンバ内に基板１１及びターゲットを配置し、基板１１上にＭｇがドープされたＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって形成するスパッタ工程が備えられた製造方法であり、スパッタ工程は、Ｍｇをドープして半導体薄膜を成膜する成膜工程と、該成膜工程で成膜された半導体薄膜に対して不活性ガスプラズマによる処理を行うプラズマ処理工程の各小工程を含み、成膜工程とプラズマ処理工程とを交互に繰り返して半導体薄膜を積層することにより、ＭｇドープＩＩＩ族窒化物半導体からなるｐ型半導体層１６を形成する方法としている。 （もっと読む）