【課題】容易に製造することができ、かつ信頼性の高い薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜および活性層し、活性層上に第１の保護層となるＧａ酸化物膜を形成する。Ｇａ酸化物膜上に第２の保護層となる感光性有機系絶縁膜を形成し、感光性有機系絶縁膜においてチャネル領域に整合する部分をパターン部とし、それ以外の部分を非パターン部とする。この非パターン部を除去し、この非パターン部の除去とともにパターン部をマスクとして非パターン部下のＧａ酸化物膜を除去して、第１の保護層および第２の保護層を形成しチャネル保護膜を得る。チャネル保護膜を覆うようにソース電極およびドレイン電極となる膜を形成し、この膜上にレジストパターンを形成し、チャネル保護膜をエッチングストッパとして膜をエッチングし、ソース電極およびドレイン電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】動作不良や動作速度の低下の発生を従来よりも抑制できるナノワイヤトランジスタ及びその製造方法を提案する。
【解決手段】窒素が導入されたニッケルからなるニッケル層28をナノワイヤ５の周辺に形成して熱処理することにより、ナノワイヤ５に形成されたソース15及びドレイン16をシリサイド化させつつ、窒素によりゲート電極被覆領域ER1までシリサイド化されることを抑制できることから、従来よりもゲート電極被覆領域ER1にチャネル17を確保でき、かくして動作不良や動作速度の低下の発生を従来よりも抑制できる。 （もっと読む）

【課題】微細電子回路を安価かつ簡便に作製する方法を提供することを課題とする。特に従来法では困難であった印刷法を利用する高精細な回路描画を達成することを課題とする。
【解決手段】特定の窒素原子含有オリゴマー鎖がπ共役縮合芳香環に結合した化合物を薄膜化し、光照射することにより、導電性またはキャリア移動特性を付与する。光照射をレーザー光線による走査あるいはフォトマスクを利用して実施することにより、微細回路を印刷法で形成可能である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの工程を複雑化させることなくシステムオンパネル化を実現し、なおかつ
コストを抑えることができる発光装置の提案を課題とする。
【解決手段】画素部に発光素子と、発光素子への電流の供給を制御するＴＦＴとを有する
画素が設けられており、駆動回路が有するＴＦＴと、発光素子への電流の供給を制御する
ＴＦＴとは、ゲート電極とゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を間
に挟んでゲート電極と重なっている第１の半導体膜と、第１の半導体膜上に形成された一
対の第２の半導体膜とを有し、一対の第２の半導体膜には一導電型を付与する不純物が添
加されており、第１の半導体膜はセミアモルファス半導体で形成されていることを特徴と
する発光装置。 （もっと読む）

【課題】高性能で容易に製造可能な薄膜トランジスタ構造体を提供することにある。
【解決手段】ゲート電極用配線３とソース電極用配線８とが重なる位置において、それらの間に副積層体６が形成されている。この副積層体６は、ゲート絶縁層４に隣接する絶縁層５Ｘおよびそれに隣接しない半導体層５Ｙを含んでおり、ゲート絶縁層４の上にＴＦＴ１１の主積層体５と同一工程において形成されている。絶縁層５Ｘおよび半導体層５Ｙは、絶縁材料および半導体材料を含む溶液を用いて形成された膜が相分離したものである。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、ソース電極及びドレイン電極は、第１の導電層と、第１の導電層の端部よりチャネル長方向に伸長した領域を有する第２の導電層と、を含む半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】絶縁ゲート型電界効果トランジスタのデバイス特性に変動が生じることやゲート絶縁膜が破壊されるのを抑制または防止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層上に半導体層が形成された基板を準備し、半導体層の表面にアルゴンイオン注入を行い、アルゴンイオン注入後の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、半導体層にソース領域およびドレイン領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーパターン転写に存在する変動性によって発生する問題の解決、ＳＴＩを使用せず、構造を厳密化して空間を節約すること、転写されるべきより規則的かつ緻密な構造の提供。
【解決手段】ＳｅＯＩ基板上に形成された半導体デバイスであり、電界効果トランジスタから形成された行の形で配置されパターンのアレイを備え、電界効果トランジスタのチャンネル領域の上方に形成されたフロント・コントロール・ゲート領域を備え、各行に含まれるソース領域およびドレイン領域も同じ寸法を有し、かつ所定の寸法を有するフロント・コントロール・ゲート領域だけ隔てられ、パターンに含まれる少なくとも１つのトランジスタＴ_１〜Ｔ_４がチャンネル領域の下方に存在するベース基板内に形成されたバック・コントロール・ゲート領域を有し、トランジスタのしきい電圧をシフトさせて、バック・コントロール・ゲート領域がバイアスされることを可能とする。 （もっと読む）

【課題】電荷注入効率の高いｐ型有機薄膜トランジスタ、および、金属酸化物を電荷注入層として用いても、金属酸化物が溶解することで電極剥離を起こすことのないｐ型有機薄膜トランジスタの製造方法、ならびに、この製造方法に用いる塗布溶液を提供する。
【解決手段】ｐ型有機薄膜トランジスタ１０Ａは、絶縁基板１１上に設けられたゲート電極１２と、ゲート電極１２を被覆して設けられたゲート絶縁層１３と、ゲート絶縁層１３上に設けられたソース電極１４ａおよびドレイン電極１４ｂと、ソース電極１４ａおよびドレイン電極１４ｂの表面に設けられた金属酸化物層１５と、ゲート絶縁層１３上、かつ金属酸化物層１５が形成されたソース電極１４ａとドレイン電極１４ｂとの間に設けられたｐ型有機半導体層１６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を利用した半導体装置の高耐圧化を実現すること。
【解決手段】ＩＧＢＴ１０の電圧保持領域６０は、ｎ型の裏面部拡散領域６２とｎ型中間部拡散領域６４とｐ型中間部拡散領域６６と表面部拡散領域６８を有している。裏面部拡散領域６２の不純物濃度は、横方向に沿って、ボディ領域８８側からコレクタ領域７２側に向けて増加する。 （もっと読む）

【課題】熱処理の温度を低減しつつ、トランジスタ特性の向上を図る。
【解決手段】Ｉｎ,Ｇａ及びＺｎを含有し、各元素の組成比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ａ：ｂ：ｃとした場合、ａ＋ｂ＝２かつ１．２＜ｂ＜２かつ１≦ｃ≦２の範囲で規定される非晶質酸化物半導体からなる活性層を形成する工程と、前記活性層を２４０℃以下で熱処理する工程と、を経て電界効果型トランジスタを製造する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体ＴＦＴの電気的特性及び安定性を向上することが可能な、薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体ＴＦＴ１０は、基板１１と、基板１１上に設けられたゲート電極１３と、ゲート電極１３及び露出された基板１１上に設けられたゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１５上のゲート電極１３に対向する位置に設けられ、Ｚｎの濃度勾配を持つＨｆＩｎＺｎＯ系酸化物半導体からなる酸化物半導体層１７と、酸化物半導体層１７の両側からゲート絶縁膜上に延びるソース及びドレインと、を備える。 （もっと読む）

【課題】より良好な電気的特性を有する化合物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する
半導体装置、及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体層として化合物半導体材料を用い、半導体層とソース電極層及びドレ
イン電極層との間に、それぞれ導電性の有機化合物及び無機化合物を含むバッファ層を形
成する。バッファ層は有機化合物及び無機化合物を含む層として形成される。化合物半導
体材料を用いた半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に介在するバッファ層
によって、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との導電性は向上し、電気的に良
好な接続を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及びＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）構造のキャパシタを備える平板表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１領域の基板上に半導体で形成された活性層と、第２領域の基板上に半導体で形成された下部電極と、活性層及び下部電極を含む上部に形成された第１絶縁層と、活性層上の第１絶縁層上に第１導電層及び第２導電層で形成されたゲート電極と、下部電極上の第１絶縁層上に第１導電層で形成された上部電極と、ゲート電極及び上部電極を含む上部に形成され、活性層及び上部電極が露出するようにパターニングされた第２絶縁層と、露出した活性層に接続されるソース電極及びドレイン電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】多層配線間で形成される寄生容量を低減することを目的の一とする。
【解決手段】画素、メモリ部、又はＣＭＯＳ回路等に配置されたトランジスタのチャネル形成領域２１３、２１４と重なる第１の配線（ゲート電極）の一部または全部と第２の配線（ソース線またはドレイン線）１５４、１５７とを重ねる。また、ゲート電極と第２配線１５４、１５７の間には第１の層間絶縁膜１４９及び第２の層間絶縁膜１５０ｃを設け、寄生容量を低減した半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 レジスト材料の利用効率を向上させて、作製コストの削減を目的としたレジス
トパターンの作製方法、レジストパターンの除去方法、半導体装置の作製方法を提供する
ことを課題とする。
【解決手段】 本発明は、減圧下で、被加工物上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジ
ストパターンを形成するステップを有することを特徴とする。また、前記レジストパター
ンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、若しくは、前記レジストパタ
ーンに、フォトマスクを介して前記感光剤の感光波長域の光を照射するステップ、前記レ
ジストパターンをマスクとして前記被加工物をエッチングするステップ、前記被加工物上
の前記レジストパターンを除去するステップを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ソース・ドレイン電極の加工にドライエッチングを用いてトップコンタクト型ＴＦＴを形成する際のＴＦＴ特性バラツキの増大、歩留まりの低下、さらにはＴＦＴオン電流の低減を抑制することにある。
【解決手段】 薄膜トランジスタの製造方法において、金属酸化物半導体から成る導電層上に金属酸化物半導体から成る犠牲層を形成し、前記犠牲層上に金属膜を形成し、前記金属膜をドライエッチングにより加工し、前記ドライエッチングにより露出した前記犠牲層へウェットエッチングを行なう。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物半導体層及び多結晶シリコン半導体層を共に使用して、全体的な性能を向上させると同時に、製造工程を単純化した、有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による有機発光表示装置は、基板本体と、第１ゲート電極、第１半導体層、第１ソース電極、及び第１ドレイン電極を有して、前記基板本体上に形成された第１薄膜トランジスターと、第２半導体層、第２ゲート電極、第２ソース電極、及び第２ドレイン電極を有して、前記基板本体上に形成された第２薄膜トランジスターと、前記第１薄膜トランジスターと接続された有機発光素子とを含む。また、前記第１ゲート電極及び前記第２半導体層は互いに同一層に形成されて、各々多結晶シリコンを含む。 （もっと読む）

【課題】レジスト残渣に起因するリーク電流の増大を生じさせることがなく、微細パターンの形成が可能であり、電極のエッジ部分の絶縁膜が薄くなることに起因するリーク電流の増大を抑制することが可能な電磁気素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、１２(Ｃａ_xＳｒ_1-x)Ｏ・７Ａｌ₂Ｏ₃（０≦ｘ≦１）を含む絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、絶縁膜の上にアンモニウム塩アルカリ溶液を含む現像液で現像可能な第１フォトレジストを塗布し、第１フォトマスクパターンに応じて第１フォトレジストを露光する第１フォトレジストパターン形成工程と、第１フォトレジストをアンモニウム塩アルカリ溶液を含む現像液に接触させ、第１フォトレジストの可溶部分の溶解と同時に、絶縁膜をエッチングする現像・エッチング工程とを備えた電磁気素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】剥離層、基板、又は設置面等の帯電による影響を受けない、回路動作が安定した薄膜装置を提供すること。
【解決手段】本発明の薄膜装置は、基板と、前記基板の上に形成された、導電性を有する電界遮蔽板と、前記電界遮蔽板の上に形成された、薄膜素子を含む能動層と、を備え、前記電界遮蔽板は、前記薄膜素子のいずれか電極の電位又は接地電位に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）