【課題】接触不良を低減し、コンタクト抵抗の増大を抑制し、開口率が高い液晶表示装置
を得ることを課題とする。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、ゲート配線と、ゲート絶縁膜と、島状半導
体膜と、ソース領域と、ドレイン領域を有する薄膜トランジスタと、前記基板上に設けら
れ、前記ソース領域に接続されたソース配線と、前記基板上に設けられ、前記ドレイン領
域に接続されたドレイン電極と、前記基板上に設けられた補助容量と、前記ドレイン電極
に接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線上に形成された保護
膜を有し、前記保護膜は、前記ゲート配線および前記ソース配線とで囲まれた開口部を有
し、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線は保護膜に覆われ、前記補助容量は保護膜
に覆われていない液晶表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを削減するとともに歩留まりを向上し、かつプロセス設計が容易である液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置１において、半導体層ＡＳＩと半導体層ＡＳＩの液晶材側の面に形成された金属層Ｍとの積層部分であり、かつ画素電極ＭＩＴの液晶材側の面に重なる部分である重なり部５０を含むソース電極ＳＤ２を有し、第２の絶縁層ＰＡＳ２は、ソース電極ＳＤ２の液晶材側の面から重なり部の５０端部、及び画素電極ＭＩＴの一部を開口するように形成されており、ソース電極ＳＤ２の液晶材側の面から重なり部５０の端部上、及び画素電極ＭＩＴ上に、ソース電極ＳＤ２の液晶材側の面から重なり部５０の端部、及び画素電極ＭＩＴを導通させる導体膜７０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定的に電子素子部を形成可能な電磁波剥離性フレキシブルデバイス用基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、可撓性を有する金属基材と、上記金属基材の少なくとも一方の表面上に形成された絶縁層と、上記金属基材の他方の表面上に形成され、電磁波剥離性を有する電磁波剥離性粘着樹脂を含む電磁波剥離性粘着層と、を有することを特徴とする電磁波剥離性フレキシブルデバイス用基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基板に含まれている不純物が半導体層に作用するのを防止して、半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】
提供される半導体装置は、絶縁性基板１上に下地絶縁層２を介して半導体層３を形成する半導体装置に係り、下地絶縁層２に不純物として含まれるボロン又はアルミニウムの濃度が、絶縁性基板表面で１×１０^２２原子／ｃｍ^３以下で、かつ、絶縁性基板表面から１００ｎｍ以上離れた領域で１×１０^１９原子／ｃｍ^３以下の条件を満たして、絶縁性基板表面から半導体層３に向かって漸次減少する態様で分布する。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤの影響を効果的に抑制する保護回路を提供すること。またＥＳＤの影響が効果的に抑制された半導体装置を提供すること。
【解決手段】保護回路は、少なくとも２つの保護ダイオードを有し、当該保護ダイオードを、チャネルを形成する半導体層を挟んで対向する２つのゲートを有するトランジスタで構成する。さらに当該トランジスタのゲートの一方に、固定電位が入力される構成とすればよい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減する。オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に窒素プラズマ処理を行うことで酸化物半導体膜を構成する酸素の一部が窒素に置換された酸窒化領域を形成し、該酸窒化領域に接して金属膜を形成する。該酸窒化領域は酸化物半導体膜の他の領域と比べ低抵抗となり、また、接触する金属膜との界面に高抵抗の金属酸化物を形成しにくい。 （もっと読む）

【課題】印刷法を用いて薄膜トランジスタを製造する場合において、前処理などを必要とせずに微細パターンを形成可能であり、トランジスタ特性の面内均一性に優れるとともに、インキの利用効率に優れた薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性の基板上に形成されたゲート電極４１、ゲート絶縁膜、ソース電極４３、ドレイン電極４４、半導体層４５及び封止層４６を有する薄膜トランジスタ１を製造する薄膜トランジスタの製造方法であって、インキ供給手段を用いて凹凸パターンが形成された印刷用版にインキを供給するインキ供給工程と、インキの予備乾燥を経た後に凸版を用いて非画線部のインキ液膜を除去するインキ液膜除去工程と、印刷用版上に残った画線部のインキ液膜を基板４０に転写して、半導体層４５及び封止層４６のうち少なくとも一方を形成するインキ液膜転写工程を有する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴを有するバイオセンサを用いて顕微鏡観察と同時に生体関連物質の信号情報を取得する場合に、その信号情報を正確に取得することができる透明バイオセンサを提供する。
【解決手段】透明基材１と、透明基材１上に設けられた透明な薄膜トランジスタ素子部Ａ及び透明な生体関連物質感応部Ｂとを有し、その薄膜トランジスタ素子部Ａが有するゲート電極２を、薄膜トランジスタ素子部Ａを構成する酸化物半導体膜４に対する紫外線カット機能を有するように構成して、上記課題を解決した。このゲート電極２を、(i)紫外線カット材料を含む透明電極、(ii)紫外線カット材料からなる透明電極、及び、(iii)前記酸化物半導体膜のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを持つ透明電極、のいずれかであるように構成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタを提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁層中に埋め込まれ、上面の少なくとも一部が下地絶縁層から露出した電極層上に、一対の低抵抗領域及びチャネル形成領域を含む酸化物半導体層を設け、電極層において、または、酸化物半導体層の低抵抗領域であって電極層と重畳する領域において、酸化物半導体層の上層に設けられる配線層との電気的な接続を行うトランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】動作不良を抑制する。
【解決手段】電界効果トランジスタと、スイッチと、容量素子と、を設ける。電界効果トランジスタは、チャネル形成領域を介して互いに重畳する第１のゲート及び第２のゲートを有し、第２のゲートの電位に応じて閾値電圧の値が変化する。スイッチは、電界効果トランジスタのソース及びドレインの一方と、電界効果トランジスタにおける第２のゲートと、を導通状態にするか否かを制御する機能を有する。容量素子は、電界効果トランジスタにおける第２のゲートと電界効果トランジスタにおけるソース及びドレインの他方との間の電圧を保持する機能を有する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。
【解決手段】ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂの端部と、ゲート電極層４０１の端部とを重畳させ、更に酸化物半導体層４０３のチャネル形成領域となる領域に対して、ゲート電極層４０１を確実に重畳させることで、トランジスタのオン特性を向上させる。また、絶縁層４９１中に埋め込み導電層を形成し、埋め込み導電層４８１ａ，４８１ｂと、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂとの接触面積を大きくとることで、トランジスタのコンタクト抵抗を低減する。ゲート絶縁層４０２のカバレッジ不良を抑制することで、酸化物半導体層４０３を薄膜化し、トランジスタの微細化を実現する。 （もっと読む）

【課題】アモルファス金属酸化物半導体を採用した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造において、酸化物に半導体特性を付与する処理を低温化し、処理時間を短縮化すること。
【解決手段】ワークステージ８上のワーク７のアモルファス金属酸化物に対して、活性酸素が生成する波長域と上記酸化物を活性化して、酸化物に混入する水素を引き抜く波長域とを含む光を照射する工程Ａと、酸化物に混入する水素が引き抜かれ酸化物近傍に活性酸素が生成されている状態において、酸化物内への酸素の拡散を促進するよう酸化物を加熱する波長域を含む光を照射する工程Ｂからなる処理を行う。工程Ａは、波長２３０ｎｍ以下の波長域の光を含む光を照射する例えば希ガス蛍光ランプ１０あるいはフラッシュランプからの光を照射することにより行われ、工程Ｂは、波長８００ｎｍ以上の波長域の光を照射する例えばフラッシュランプ２０からの光を照射することにより行われる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた低温プロセスで形成する信頼性の高い薄膜トランジスタ、その製造方法、および表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１は、基板１００と、前記基板上の一部に設けられたゲート電極１１０と、前記ゲート電極を覆う第１の絶縁膜１２０と、前記第１の絶縁膜を介して前記ゲート電極上に設けられた酸化物半導体膜１３０と、前記酸化物半導体膜上の一部に設けられた第２の絶縁膜１５０と、前記酸化物半導体膜から露出する酸化物半導体膜の一部と接続されたソース電極１４０Ｓおよびドレイン電極１４０Ｄと、を備え、前記酸化物半導体膜はＩｎと、Ｇａと、Ｚｎのうち少なくとも一つの元素を含む酸化物半導体を有し、前記第１の絶縁膜中に含有される水素濃度が５×１０^２０atm/ｃｍ^−３以上であり、かつ、前記第２の絶縁膜中に含有される水素濃度が１０^１９atm/ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層のバックチャネル部を半導体層成膜後の薄膜トランジスタ作製工程によるダメージから保護し、良好なトランジスタ特性を得ると共に、薄膜トランジスタ作製の工程数を削減することである。
【解決手段】基板１と、基板１上に設けられたゲート電極２と、基板１上に設けられ、ゲート電極２を覆うゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３上に設けられ、アモルファス酸化物からなる半導体層４と、半導体層４上に設けられた保護膜５と、ゲート絶縁膜３上に設けられたソース電極６、及びドレイン電極７と、を備え、保護膜５を、金属材料の化成処理、又は陽極酸化によって形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造工程を単純化して透明導電膜上に金属膜が積層された積層構造を有する共通電極配線を製造することができる液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶表示装置の製造方法であって、透明導電膜１０上に金属膜１１が積層された積層構造を有する枠状の共通電極配線１２と、透明導電膜１０の配線幅よりも小さい配線幅を有する共通電極１３と、共通電極配線１２の透明導電膜１０の配線幅よりも小さい配線幅を有する画素電極１４とからなる横電界方式において、感光性樹脂膜１５をエッチングマスクにして等方性エッチングにより、共通電極１３および画素電極１４となる透明導電膜１０上に積層された、感光性樹脂膜１５の下側に位置する金属膜１１を除去するとともに、共通電極配線１２となる透明導電膜上１０に積層された、感光性樹脂１５の下側に位置する金属膜１１の側面の一部を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性（ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと）にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＩｎと；Ｓｉ、Ｈｆ、Ｇａ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｔａ、Ｗ、およびＮｂよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】高いバリア性を有するＣｕ−Ｍｎ合金膜を形成する。
【解決手段】半導体素子の配線の形成に用いられるＣｕ−Ｍｎ合金スパッタリングターゲット材１０であって、濃度が８原子％以上３０原子％以下のＭｎと、不可避的不純物とを含むＣｕ−Ｍｎ合金からなり、Ｃｕ−Ｍｎ合金の平均結晶粒径が１０μｍ以上５０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】微細化を実現し、トランジスタとして十分に機能できる電気的特性を付与された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、該半導体層としてインジウム、ガリウム、亜鉛、及び酸素の４元素を少なくとも含み、該４元素の組成を原子百分率で表したとき、インジウムの割合が、ガリウムの割合及び亜鉛の割合の２倍以上である酸化物半導体膜を用いる。該半導体装置において、酸化物半導体膜は作製工程において酸素が導入され、酸素を多く（過剰に）含む膜であり、トランジスタを覆う酸化アルミニウム膜を含む絶縁層が設けられる。 （もっと読む）

【課題】メモリの大容量化と図りつつ、消費電力を軽減でき、且つ、消費電力を一定にす
る。
【解決手段】メモリを、複数のメモリブロックを対称に配置して構成する。また、メモリ
に供給されるアドレス信号のうち、特定の信号の組み合わせにより、データ読み出しまた
は書き込みの対象となるメモリセルを含むメモリブロックを一意に特定する。さらに、当
該メモリブロック以外のメモリブロックに供給される信号を一定値に保つ。このようにす
ることで、メモリアレイにおけるビット線の配線長を短縮し、負荷容量を軽減すると同時
に、メモリ内のあらゆるアドレスのメモリセルに対するデータ読み出しもしくは書き込み
において、消費電流を一定にできる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、保護膜と、を有し、該保護膜は金属酸化膜を有し、該金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）