【課題】高品質のＧａ_２Ｏ_３系半導体素子を提供する。
【解決手段】一実施の形態として、α−Ａｌ_２Ｏ_３基板２上に形成されたα−（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_２Ｏ_３単結晶（０≦ｘ＜１）からなるｐ型α−（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_２Ｏ_３単結晶膜３と、ｐ型α−（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_２Ｏ_３単結晶膜３上に形成されたソース電極１２及びドレイン電極１３と、ｐ型α−（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_２Ｏ_３単結晶膜３中に形成され、ソース電極１２及びドレイン電極１３にそれぞれ接続されたコンタクト領域１４、１５と、α−Ａｌ_２Ｏ_３基板２のｐ型α−（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_２Ｏ_３単結晶膜３と反対側の面上の、コンタクト領域１４とコンタクト領域１５との間に形成されたゲート電極１１と、を含むＧａ_２Ｏ_３系ＦＥＴ１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】電界効果移動度が高い有機トランジスタ作製に有用な高分子化合物を提供する。
【解決手段】式（１−１）〜式（１−３）で表される構造単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構造単位と、アリーレン基または２価の芳香族複素環基からなる構造単位とを含む高分子化合物とする。


式中、Ｒ^１は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^２は、炭素数が２以上のアルキル基を表す。Ｅは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−または−Ｎ（Ｒ^ａ）−を表す。Ｒ^ａは、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。環Ａは、芳香環または複素環を表す。ｎ_２は０以上の整数を表し、ｎ_３は１〜３の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。 （もっと読む）

【課題】低分子系で、高い電荷移動度が得られ、かつ、長波長吸収特性を有するナローバンドギャップ材料として、アズレンを有する化合物からなる新規の有機半導体材料及びそれを用いた有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】アズレンを有する下記一般式（１）で表される化合物からなる有機半導体材料を用いる。


（式（１）中、置換基Ｒ¹〜Ｒ¹⁴は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシ基、エステル基及びニトリル基のうちのいずれかである。Ａｒは、ビチオフェン環、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン環、２，１，３−ベンゾチアジアゾール環、ベンゾ［１，２−ｃ：４，５−ｃ’］ビス（［１，２，５］）チアジアゾール環及びアズレン環のうちのいずれかである。） （もっと読む）

【課題】両極性の有機トランジスタを簡便に製造しうる、ｐ型とｎ型の両極性を示す高分子化合物を提供すること。
【解決手段】式
【化０】


（１）
〔式中、Ｚ^１は、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ^１）−、−Ｎ（ＣＯＲ^２）−又は−Ｎ（ＣＯ_２Ｒ^３）−を表す。Ｚ^２は、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ^１）−、−Ｎ（ＣＯＲ^２）−又は−Ｎ（ＣＯ_２Ｒ^３）−を表す。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、水素原子アルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。Ｒ^Ａ及びＲ^Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。〕
で表される構成単位を含む高分子化合物。 （もっと読む）

【課題】異なる特性の半導体素子を一体に有しつつ、高集積化が実現可能な、新たな構成の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の半導体材料が用いられた第１のチャネル形成領域と、第１のゲート電極と、を含む第１のトランジスタと、第１のゲート電極と一体に設けられた第２のソース電極および第２のドレイン電極の一方と、第２の半導体材料が用いられ、第２のソース電極および第２のドレイン電極と電気的に接続された第２のチャネル形成領域と、を含む第２のトランジスタと、を備えた半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】基板上の任意の位置に任意の向きの有機半導体単結晶を形成する。
【解決手段】親液性であって、結晶成長の方向を規制する形状（長方形など）を有する領域内に置かれた有機半導体に対して溶媒蒸気アニールを行うことにより、当該領域内に所定の方向に整列した有機半導体単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコンを用いたボトムゲート型の薄膜トランジスタのオン電流に対するオフ電流の割合を減少させること。
【解決手段】表示装置に含まれる薄膜トランジスタは、ゲート電極が設けられた導電層と、前記導電層の上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層の上面に接するとともに前記ゲート電極の上方に設けられ、微結晶シリコンを含む第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜の上面に接する第２の半導体膜と、前記第２の半導体膜に電気的に接続される第１の電極と、前記第２の半導体膜に電気的に接続される第２の電極と、を含む。前記第１の半導体膜における水素濃度は、前記ゲート絶縁層との界面と前記第２の半導体膜との界面との中間で最小となり、前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜との境界における酸素濃度は、前記第１の半導体膜の中央および前記第２の半導体膜の中央のうち少なくとも一方の酸素濃度以下である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ基板の材質に依らず、配線やガラスなどのパターン材質の差異を、明瞭に顕在化する欠陥検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ基板の配線を通電することにより発熱する短絡欠陥を赤外カメラで検出する欠陥検査装置であって、ＴＦＴ基板に赤外線を照射する赤外線源と、ＴＦＴ基板の基準画像を保持する記憶部と、前記赤外カメラで得られた赤外画像と前記基準画像とのマッチングを行う画像処理部とを備え、前記赤外線源は、前記ＴＦＴ基板から見て前記赤外カメラと同じ側に設置されることを特徴とする欠陥検査装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。
【解決手段】半導体層を酸化物半導体層とする逆スタガ型薄膜トランジスタを含む半導体
装置において、酸化物半導体層上にバッファ層を有する。バッファ層は、半導体層のチャ
ネル形成領域と、ソース電極層及びドレイン電極層とに接する。バッファ層は膜内に抵抗
分布を有し、半導体層のチャネル形成領域上に設けられる領域の電気伝導度は半導体層の
チャネル形成領域の電気伝導度より低く、ソース電極層及びドレイン電極層と接する領域
の電気伝導度は半導体層のチャネル形成領域の電気伝導度より高い。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する構成を提供する。信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてインジウム、第３族元素、亜鉛、及び酸素を少なくとも含む非単結晶の酸化物半導体層を用いる。第３族元素は安定剤として機能する。 （もっと読む）

【課題】前駆体膜を変換して得られた半導体膜の導電率の向上。その有機膜を電極と有機半導体の間に配置することで、電極と半導体層の接触抵抗を低減すること。その結果として、接触抵抗が改善された高性能の電気特性を得ることが可能な電子デバイス用インク組成物ならびにそれを用いた電子デバイス、電界効果トランジスタ、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】電子デバイス用インク組成物であって、少なくともπ電子共役系化合物前駆体と、前記π電子共役系化合物のドーパントと、前記π電子共役系化合物前駆体とドーパントを溶解させる溶媒を含有することを特徴とするインク組成物。 （もっと読む）

【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び一対の電極を有する発光素
子を含む画素が複数設けられた画素部を有し、前記第１のトランジスタは、ゲートが走査
線に電気的に接続され、ソースまたはドレインの一方が信号線に電気的に接続され、ソー
スまたはドレインの他方が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、前記第
２のトランジスタは、ソースまたはドレインの一方が電源線に電気的に接続され、ソース
またはドレインの他方が前記一対の電極の一方に電気的に接続され、前記第１のトランジ
スタは、水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体層を有する。そして、
前記表示装置が静止画像を表示する期間の間に、前記画素部に含まれる全ての走査線に供
給される信号の出力が停止される期間を有する。 （もっと読む）

【課題】新規な不揮発性のラッチ回路及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の素子の出力は第２の素子の入力に電気的に接続され、第２の素子の出
力は第２のトランジスタを介して第１の素子の入力に電気的に接続されるループ構造を有
するラッチ回路であって、チャネル形成領域を構成する半導体材料として酸化物半導体を
用いたトランジスタをスイッチング素子として用い、またこのトランジスタのソース電極
又はドレイン電極に電気的に接続された容量を有することで、ラッチ回路のデータを保持
することができる。これにより不揮発性のラッチ回路を構成することができる。 （もっと読む）

【課題】比較的大きい溶解度を有する縮合多環芳香族化合物の前駆体に用い得る化合物と合成法の提供。
【解決手段】下記式（ＩＩ）で表される縮合多環芳香族化合物：
（もっと読む）

【課題】低いコンタクト抵抗、高い移動度を達成し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極１３、ゲート絶縁層１４、有機半導体材料層から構成されたチャネル形成領域１６、及び、金属から成るソース／ドレイン電極１５を有する電界効果型トランジスタから成る半導体装置において、チャネル形成領域１６を構成する有機半導体材料層と接するソース／ドレイン電極１５の部分は、電極被覆材料２１で被覆されており、電極被覆材料２１は、金属イオンと結合し得る官能基、及び、金属から成るソース／ドレイン電極１５と結合する官能基を有する有機分子から成る。 （もっと読む）

【課題】転写歩留まりを向上することが可能な電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１９の製造方法において、スタンプ５の半導体膜８および絶縁膜９が形成される側の面とは反対側の面５ａにガスバリア層７が形成されている。そのため、ガスバリア層７側からスタンプ５を空気で加圧する際に、スタンプ５の半導体膜８および絶縁膜９が形成される側の面とは反対側の面５ａから、半導体膜８および絶縁膜９が形成される面に、加圧した空気が抜けにくくなる。これにより、スタンプ５を基板１に押し付けることを持続することができるので、スタンプ５に形成された半導体膜８および絶縁膜９と基板１との密着性を増すことができる。したがって、基板１に転写されない半導体膜８および絶縁膜９が減少し、薄膜転写の歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】高移動度、高オン・オフ比の電界効果素子を提供する。
【解決手段】絶縁膜層、前記絶縁膜層上に積層されたチャネル層、及び電極としてゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３つを有する電界効果素子であって、前記チャネル層は表面粗さ０．２ｎｍ以上１．３ｎｍ以下であり、前記チャネル層はＩｎ，Ｇａ，Ｓｎ及びＺｎから選択される１以上の元素を含有する非晶質酸化物半導体からなる電界効果素子。 （もっと読む）

【課題】ショットキー障壁の高さおよび幅を容易に制御すると共に寄生抵抗が低く、且つ短チャネル効果を効果的に抑制する。
【解決手段】金属ソース・ドレイン電極(ニッケルシリサイド)６とＰ型シリコン基板１との間に、セシウム含有領域５を形成している。こうして、金属ソース・ドレイン電極６近傍のセシウムをイオン化して正孔に対するエネルギー障壁高さを大きくし、金属ソース・ドレイン電極６とＰ型シリコン基板１との間のリーク電流を著しく低減する。また、チャネルと金属ソース・ドレイン電極６との間のショットキー障壁の高さおよび幅を実効的に小さくして寄生抵抗を著しく低減する。したがって、金属シリサイドの厚み(深さ)をイオン注入による制約なしに決定でき、極めて浅いソース・ドレインを形成して良好な短チャネル効果特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】オフリーク電流を抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置では、半導体層５３は、平面視においてゲート電極５１の範囲内に配置される。ソース電極５５及びドレイン電極５７は、平面視において半導体層５３の範囲内に配置される。シールド７は、保護絶縁膜４上に配置され、画素電極６と同一の材料からなり、画素電極６と電気的に接続されていない。 （もっと読む）